JPH03215387A - エピタキシャル成長用縦型ディッピング装置 - Google Patents
エピタキシャル成長用縦型ディッピング装置Info
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- JPH03215387A JPH03215387A JP1119290A JP1119290A JPH03215387A JP H03215387 A JPH03215387 A JP H03215387A JP 1119290 A JP1119290 A JP 1119290A JP 1119290 A JP1119290 A JP 1119290A JP H03215387 A JPH03215387 A JP H03215387A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mixers Of The Rotary Stirring Type (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はHg Cd Teディッピング法等に用いるエ
ピタキシャル成長用縦型ディッピング装置に関するもの
である。
ピタキシャル成長用縦型ディッピング装置に関するもの
である。
[従来の技術及び解決しようとする課題コ, Hg C
d Toディッピング法等に用いられる原料融液は均質
な薄膜成長が行なわれるように十分攪拌され、成分の重
量偏折等がない状態を保ねばならないが、従来この原料
融液の攪拌は第3図に示す装置により行なわれていた。
d Toディッピング法等に用いられる原料融液は均質
な薄膜成長が行なわれるように十分攪拌され、成分の重
量偏折等がない状態を保ねばならないが、従来この原料
融液の攪拌は第3図に示す装置により行なわれていた。
図において1はるつぼでその内部には原料融液(斜線で
示す゛)が入れられている。2は撹拌パドル支持軸2″
で支持される攪拌パドルで前記支持軸2゛を上下、回転
させることにより原料融液の攪拌を行なうことができる
。又3は基板4をとりつけるための基板ホルダーであっ
て、上下、回転自在の基板ホルダー支持軸3″で支持さ
れる。この支持軸3′は支持軸2″とは二重軸構造とな
っており、各軸は独立に上下、回転が可能である。この
ような構成の装置において原料融液撹拌時には前記パド
ル2を原料融液中に浸漬させ、その上下、回転によって
原料融液の攪拌を行なう。又薄膜成長時においては前記
パドル2及び基板4をとりつけたホルダー3を原料融液
中に浸漬させ各々を回転させながら薄膜成長を行なうの
である。
示す゛)が入れられている。2は撹拌パドル支持軸2″
で支持される攪拌パドルで前記支持軸2゛を上下、回転
させることにより原料融液の攪拌を行なうことができる
。又3は基板4をとりつけるための基板ホルダーであっ
て、上下、回転自在の基板ホルダー支持軸3″で支持さ
れる。この支持軸3′は支持軸2″とは二重軸構造とな
っており、各軸は独立に上下、回転が可能である。この
ような構成の装置において原料融液撹拌時には前記パド
ル2を原料融液中に浸漬させ、その上下、回転によって
原料融液の攪拌を行なう。又薄膜成長時においては前記
パドル2及び基板4をとりつけたホルダー3を原料融液
中に浸漬させ各々を回転させながら薄膜成長を行なうの
である。
ところで、上記従来装置においては既に述べたように基
板ホルダー支持軸3′と攪拌パドル支持軸2′との二輪
を必要としこのため特に軸シール部が複雑にならざるを
えないという問題があった。
板ホルダー支持軸3′と攪拌パドル支持軸2′との二輪
を必要としこのため特に軸シール部が複雑にならざるを
えないという問題があった。
[課題を解決するための手段]
本発明は前記課題を解決するためになされたものであっ
てその特徴はるつぼ中の原料融液を攪拌パドルで攪拌し
、基板ホルダーにとりつけた基板表面に薄膜成長を行な
うエピタキシャル成長用縦型ディッピング装置において
、前記攪拌パドルは上部に開口部、下部に底面を備え、
又は備えず、中間の側壁部には外部と連がる開放部を有
し、該パドルの上部内壁面には一組の攪拌用突起を該パ
ドル中心軸方向に対向して突設し、該突起より下部で前
記一組の撹拌用突起とは鉛直とならないパドル内壁面に
は一組の成長用突起を該パドル中心軸方向に対向して突
設したものであって、一方前記基板ホルダーはその上部
に基材挿入口、下部に基板支持部、両側方に前記パドル
内壁面の撹拌用突起及び成長用突起と係合する溝を備え
、且つ回転、上下できる基板ホルダー゛支持軸と連結で
きるように構成したことにある。
てその特徴はるつぼ中の原料融液を攪拌パドルで攪拌し
、基板ホルダーにとりつけた基板表面に薄膜成長を行な
うエピタキシャル成長用縦型ディッピング装置において
、前記攪拌パドルは上部に開口部、下部に底面を備え、
又は備えず、中間の側壁部には外部と連がる開放部を有
し、該パドルの上部内壁面には一組の攪拌用突起を該パ
ドル中心軸方向に対向して突設し、該突起より下部で前
記一組の撹拌用突起とは鉛直とならないパドル内壁面に
は一組の成長用突起を該パドル中心軸方向に対向して突
設したものであって、一方前記基板ホルダーはその上部
に基材挿入口、下部に基板支持部、両側方に前記パドル
内壁面の撹拌用突起及び成長用突起と係合する溝を備え
、且つ回転、上下できる基板ホルダー゛支持軸と連結で
きるように構成したことにある。
さらに、上記構成の装置において前記るつぼの開口部に
少くともるつぼ内周縁部につながる内壁面よりるつぼ内
側に突出した部分をもつ攪拌パドル押えを設けている。
少くともるつぼ内周縁部につながる内壁面よりるつぼ内
側に突出した部分をもつ攪拌パドル押えを設けている。
[実施例コ
以下第1図及び第2図(イ)、(0)に示す実施例(H
g Cd To縦型ディッピング法)に基づいて本発明
の説明をする。尚、第3図と同一部分は同一符号を用い
る。
g Cd To縦型ディッピング法)に基づいて本発明
の説明をする。尚、第3図と同一部分は同一符号を用い
る。
第1図は本発明装置に用いる攪拌パドル及び基板ホルダ
ーを示す斜視図である。まず攪拌パドルから説明すると
図において2で示すパドルは上部が開口した平底円筒形
状(高さ40園醜、外径35−■1厚み2wuiの石英
製)であって、その中間側壁部はほとんど外部と連通す
る大きな開放部を備え、原料融液に浸漬した際パドル内
外に原料融液が連通できるようになっている。従って底
面を備えない場合等パドル内外に原料融液が連通できる
構造としてもよい。該パドルの上部内壁面には対向する
一組の攪拌用突起5が攪拌パドル2の中心軸方向に突設
されている。この突起5は原料融液攪拌時、後にのべる
基板ホルダー3の両側面に設けられた攪拌パドル係合溝
9と係合するもので本実施例では図のように板状突起と
したがこの他円柱状、角柱状等溝9と係合する所要形状
のものであればよい。又該突起5は溝9と係合した際に
も基板ホルダー3にとりつけた基板4が原料融液に浸ら
ないよう(第2図(イ)参照)撹拌パドルの上部に設け
てある。該突起5より下部の撹拌パドル2の内壁面には
対向する一組の成長用突起6が撹拌パドル2の中心軸方
向に突設されている。この突起6は薄膜成長時前記溝9
と係合するものであるが必ずしも前記突起5と同一形状
である必要はない。本実施例では攪拌効果をより高める
ため板状形状とし、結果として前記突起5と同一形状と
なっている。又該突起6は前記溝9と係合した際基板ホ
ルダー3にとりつけた基板4が十分原料融液に浸るよう
に(第2図(口)参照)前記突起5よりも下部になけれ
ばならないが、突起6と基板ホルダーの溝9を係合する
際、前記突起5が遮蔽物とならないよう突起5の鉛直下
部を除く位置に設けなければならない。本実施例では突
起5とは直交関係にある位置に突起6を設けた。さらに
本実施例では一層撹拌効果を高めるために撹拌パドル2
内壁面の前記突起6とは直交関係にある位置(前記突起
5の鉛直下部)に対向する一組の撹拌羽根7を攪拌パド
ルの中心軸方向に突設した。この羽根7は一層の攪拌効
果をねらったもので前記溝9と係合するためのものでは
ない。従って原料融液に浸ればよく突起5の鉛直下部に
位置してもよい。又形状についても任意の形状でよい。
ーを示す斜視図である。まず攪拌パドルから説明すると
図において2で示すパドルは上部が開口した平底円筒形
状(高さ40園醜、外径35−■1厚み2wuiの石英
製)であって、その中間側壁部はほとんど外部と連通す
る大きな開放部を備え、原料融液に浸漬した際パドル内
外に原料融液が連通できるようになっている。従って底
面を備えない場合等パドル内外に原料融液が連通できる
構造としてもよい。該パドルの上部内壁面には対向する
一組の攪拌用突起5が攪拌パドル2の中心軸方向に突設
されている。この突起5は原料融液攪拌時、後にのべる
基板ホルダー3の両側面に設けられた攪拌パドル係合溝
9と係合するもので本実施例では図のように板状突起と
したがこの他円柱状、角柱状等溝9と係合する所要形状
のものであればよい。又該突起5は溝9と係合した際に
も基板ホルダー3にとりつけた基板4が原料融液に浸ら
ないよう(第2図(イ)参照)撹拌パドルの上部に設け
てある。該突起5より下部の撹拌パドル2の内壁面には
対向する一組の成長用突起6が撹拌パドル2の中心軸方
向に突設されている。この突起6は薄膜成長時前記溝9
と係合するものであるが必ずしも前記突起5と同一形状
である必要はない。本実施例では攪拌効果をより高める
ため板状形状とし、結果として前記突起5と同一形状と
なっている。又該突起6は前記溝9と係合した際基板ホ
ルダー3にとりつけた基板4が十分原料融液に浸るよう
に(第2図(口)参照)前記突起5よりも下部になけれ
ばならないが、突起6と基板ホルダーの溝9を係合する
際、前記突起5が遮蔽物とならないよう突起5の鉛直下
部を除く位置に設けなければならない。本実施例では突
起5とは直交関係にある位置に突起6を設けた。さらに
本実施例では一層撹拌効果を高めるために撹拌パドル2
内壁面の前記突起6とは直交関係にある位置(前記突起
5の鉛直下部)に対向する一組の撹拌羽根7を攪拌パド
ルの中心軸方向に突設した。この羽根7は一層の攪拌効
果をねらったもので前記溝9と係合するためのものでは
ない。従って原料融液に浸ればよく突起5の鉛直下部に
位置してもよい。又形状についても任意の形状でよい。
尚本実施例では突起5及び突起6と同一の板状形状とし
た。このような構成のパドル2は後にのべるるつぼ1中
にあらかじめ挿入されている。
た。このような構成のパドル2は後にのべるるつぼ1中
にあらかじめ挿入されている。
次に基板ホルダーについて説明する。図に示すように正
面形状がほぼ門形でありその両側面には前記突起5及び
突起6と係合する溝9が設けられている。ホルダー3の
上面には基板挿入口8が設けられ基板4が挿入できるよ
うになっている。挿入口8から入れられた基板4はホル
ダー3の内側に設けられた基板案内溝!0に沿って案内
され下部で水平方向に突出する基板支持部l!でささえ
られる。尚本実施例ではホルダー3の両側より中心方向
に支持部1lが突出しているがこの支持部11をホルダ
ー3の中心部までのばしてつなげ、ホルダー全体として
口型となるようにしてもよい。ホルダー3の上部にはホ
ルダー3の正面から背面に貫通するビス用バカ孔13が
設けられており、基板4を挿入した後基板ホルダー支持
軸3゛の先端に設けられた連・結孔l6を有する連結部
l5を挿入口8より挿入し、バカ孔l3と連結孔l8の
位置合わせをしてバカ孔l3よりビスl2を貫入させナ
ット14をビスl2先端のネジ部に螺合することで支持
軸3′とホルダー3の連結を行なう。
面形状がほぼ門形でありその両側面には前記突起5及び
突起6と係合する溝9が設けられている。ホルダー3の
上面には基板挿入口8が設けられ基板4が挿入できるよ
うになっている。挿入口8から入れられた基板4はホル
ダー3の内側に設けられた基板案内溝!0に沿って案内
され下部で水平方向に突出する基板支持部l!でささえ
られる。尚本実施例ではホルダー3の両側より中心方向
に支持部1lが突出しているがこの支持部11をホルダ
ー3の中心部までのばしてつなげ、ホルダー全体として
口型となるようにしてもよい。ホルダー3の上部にはホ
ルダー3の正面から背面に貫通するビス用バカ孔13が
設けられており、基板4を挿入した後基板ホルダー支持
軸3゛の先端に設けられた連・結孔l6を有する連結部
l5を挿入口8より挿入し、バカ孔l3と連結孔l8の
位置合わせをしてバカ孔l3よりビスl2を貫入させナ
ット14をビスl2先端のネジ部に螺合することで支持
軸3′とホルダー3の連結を行なう。
次にるつぼについて第2図に従って説明する。
第2図(イ)は原料融液撹拌時の攪拌パドルや基板ホル
ダーの状態を示す説明図で、同(口)は薄膜成長時の撹
拌パドル等の吠態を示す説明図である。図において1は
るつぼで、高さ50■■、内径40■鵬の平底、石英製
のものを用いた。又、このるつぼ1の開口周縁部にはる
つぼの内面壁から外面壁にわたる断面L字形で環状の攪
拌パドル押えl7がとりつけられている。この押えlフ
はるつぼ中の攪拌パドル2が原料融液との比重差で浮上
してくるのを防止するためのもので、少くともるつぼ1
の内周縁部よりるつぼの内側に突出した部分をもち攪拌
パドル2を押えられるものなら任意の形状のものでよく
、本実施例のように環杖ではなく例えばるつぼ内周縁に
つながる内壁面にるつぼ内側に突出した所定形状の突起
を複数とりつけてもよい。
ダーの状態を示す説明図で、同(口)は薄膜成長時の撹
拌パドル等の吠態を示す説明図である。図において1は
るつぼで、高さ50■■、内径40■鵬の平底、石英製
のものを用いた。又、このるつぼ1の開口周縁部にはる
つぼの内面壁から外面壁にわたる断面L字形で環状の攪
拌パドル押えl7がとりつけられている。この押えlフ
はるつぼ中の攪拌パドル2が原料融液との比重差で浮上
してくるのを防止するためのもので、少くともるつぼ1
の内周縁部よりるつぼの内側に突出した部分をもち攪拌
パドル2を押えられるものなら任意の形状のものでよく
、本実施例のように環杖ではなく例えばるつぼ内周縁に
つながる内壁面にるつぼ内側に突出した所定形状の突起
を複数とりつけてもよい。
基板ホルダー、撹拌パドル、るつぼは各々上述のように
構成され、先に述べたようにまず攪拌パドル2をるつぼ
1中に挿入し撹拌パドル押えl7をとりつける。このる
つぼ中にTe250.Og, Hg9フ.98gCdT
e5 .883gを入れ、るつぼを真空槽内にセットし
, 5X10−’Torrまで真空排気した後封じ切っ
たアンプルを作り、これを700℃で1時間加熱急冷し
て原料個体を作った。次に上記るつぼ1を成長用石英管
中に設置し真空排気後、Ha雰囲気として加熱を開始し
た。原料融液が約500℃になったときに基材4を装着
したホルダー3の溝9が突起5に係合するように降ろし
、少しパドル2を押し込んで撹拌パドル押え17と撹拌
パドル2が非接触の状態にして2Orp■で1時間攪拌
を行なった(第2図(イ)参照)。引き続き撹拌を行な
いながら0.3で/分の速度で徐冷し、原料融液が48
0℃になったときに一旦ホルダー3をパドル2から引き
離し、ホルダー3を130度回転した後、溝8が突起6
に係合するように降らし、原料融液撹拌時同様押えl7
とパドル2が非接触の状態とし、20rpmで回転させ
ながら薄膜成長を行った(第2図(0)参照)。原料融
液が475℃になったときに原料融液中からホルダー3
を引き抜き薄膜成長を終えた。このようにして形成した
薄膜は、10一簡角のCdo.ssZno.。.Te上
で5ランの成長を行ったときのランツーランのCdの混
晶比X (Hgl4CdxTe)はX = 0.21H
0.002と極めて良好で面内のばら=3%と良好であ
った。
構成され、先に述べたようにまず攪拌パドル2をるつぼ
1中に挿入し撹拌パドル押えl7をとりつける。このる
つぼ中にTe250.Og, Hg9フ.98gCdT
e5 .883gを入れ、るつぼを真空槽内にセットし
, 5X10−’Torrまで真空排気した後封じ切っ
たアンプルを作り、これを700℃で1時間加熱急冷し
て原料個体を作った。次に上記るつぼ1を成長用石英管
中に設置し真空排気後、Ha雰囲気として加熱を開始し
た。原料融液が約500℃になったときに基材4を装着
したホルダー3の溝9が突起5に係合するように降ろし
、少しパドル2を押し込んで撹拌パドル押え17と撹拌
パドル2が非接触の状態にして2Orp■で1時間攪拌
を行なった(第2図(イ)参照)。引き続き撹拌を行な
いながら0.3で/分の速度で徐冷し、原料融液が48
0℃になったときに一旦ホルダー3をパドル2から引き
離し、ホルダー3を130度回転した後、溝8が突起6
に係合するように降らし、原料融液撹拌時同様押えl7
とパドル2が非接触の状態とし、20rpmで回転させ
ながら薄膜成長を行った(第2図(0)参照)。原料融
液が475℃になったときに原料融液中からホルダー3
を引き抜き薄膜成長を終えた。このようにして形成した
薄膜は、10一簡角のCdo.ssZno.。.Te上
で5ランの成長を行ったときのランツーランのCdの混
晶比X (Hgl4CdxTe)はX = 0.21H
0.002と極めて良好で面内のばら=3%と良好であ
った。
[発明の効果]
以上説明したように本発明においては原料融液撹拌時及
び薄膜成長時にあらかじめ撹拌パドルが原料融液中にあ
り、基板ホルダー支持軸につながる基板ホルダーの一部
が撹拌パドルと連結できるため基板ホルダー支持軸の回
転と同期して攪拌パドルを回転し、原料融液の攪拌を行
うことができる。従って従来装置のように基板ホルダー
支持軸と攪拌パドル支持軸の二輪を用いる必要はなく基
板ホルダー支持軸一本で済み軸シール部等を簡易な構造
にでき、Ilgを含むカルコゲナイド化合物の液相エピ
タキシー成長等、原料融液の重量偏折が大きな場合に利
用すると効果的である。
び薄膜成長時にあらかじめ撹拌パドルが原料融液中にあ
り、基板ホルダー支持軸につながる基板ホルダーの一部
が撹拌パドルと連結できるため基板ホルダー支持軸の回
転と同期して攪拌パドルを回転し、原料融液の攪拌を行
うことができる。従って従来装置のように基板ホルダー
支持軸と攪拌パドル支持軸の二輪を用いる必要はなく基
板ホルダー支持軸一本で済み軸シール部等を簡易な構造
にでき、Ilgを含むカルコゲナイド化合物の液相エピ
タキシー成長等、原料融液の重量偏折が大きな場合に利
用すると効果的である。
第1図は本発明に用いる基板ホルダー、撹拌パドル、及
び基板ホルダー支持軸の一部を示す斜視図である。第2
図(イ)は本発明装置における原料融液撹拌時の状態を
示す説明図で同(0)は薄膜成長時の状態を示す説明図
である。第3図は従来装置を示す概略図である。 1・・・るつぼ、2・・・撹拌パドル、2″・・・攪拌
パドル支持軸、3・・・基板ホルダー、3゛・・・基板
ホルダー支持軸、4・・・基板、5・・・攪拌用突起、
6・・・成長用突起、 7・・・撹拌羽根、 8・・・基板挿入口、 9・・・攪拌パ ドル係合溝、 10・・・基板案内溝、 11・・・基板支持部、
び基板ホルダー支持軸の一部を示す斜視図である。第2
図(イ)は本発明装置における原料融液撹拌時の状態を
示す説明図で同(0)は薄膜成長時の状態を示す説明図
である。第3図は従来装置を示す概略図である。 1・・・るつぼ、2・・・撹拌パドル、2″・・・攪拌
パドル支持軸、3・・・基板ホルダー、3゛・・・基板
ホルダー支持軸、4・・・基板、5・・・攪拌用突起、
6・・・成長用突起、 7・・・撹拌羽根、 8・・・基板挿入口、 9・・・攪拌パ ドル係合溝、 10・・・基板案内溝、 11・・・基板支持部、
Claims (2)
- (1)るつぼ中の原料融液を攪拌パドルで攪拌し、基板
ホルダーにとりつけた基板表面に薄膜成長を行うエピタ
キシャル成長用縦型ディッピング装置において、前記撹
拌パドルは上部に開口部、下部に底面を備え、又は備え
ず、中間の側壁部は外部と連がる開放部を有し、該パド
ルの上部内壁面より一組の攪拌用突起が該パドル中心軸
方向に対向して突設され、該突起より下部で前記一組の
撹拌用突起とは鉛直にならないパドル内壁面より一組の
成長用突起が該パドル中心軸方向に対抗して突設されて
なり、一方前記基板ホルダーは上部に基板挿入口、下部
に基板支持部、両側方に前記パドル内壁面の攪拌用突起
及び成長用突起と係合する溝を備え、且つ回転し、上下
できる基板ホルダー支持軸と連結できるように構成され
、前記基板ホルダー両側方の溝と前記パドルの撹拌用突
起との係合、及び前記基板ホルダー両側方の溝と前記パ
ドルの成長用突起との係合ができることを特徴とするエ
ピタキシャル成長用縦型ディッピング装置。 - (2)るつぼの開口部に装着した際少くと もるつぼ内周縁部につながる内壁面よりるつぼ内側に突
出した部分をもつ撹拌パドル押えを設けたことを特徴と
する請求項(1)記載のエピタキシャル成長用縦型ディ
ッピング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119290A JPH03215387A (ja) | 1990-01-20 | 1990-01-20 | エピタキシャル成長用縦型ディッピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119290A JPH03215387A (ja) | 1990-01-20 | 1990-01-20 | エピタキシャル成長用縦型ディッピング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03215387A true JPH03215387A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11771198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1119290A Pending JPH03215387A (ja) | 1990-01-20 | 1990-01-20 | エピタキシャル成長用縦型ディッピング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03215387A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103849929A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架 |
-
1990
- 1990-01-20 JP JP1119290A patent/JPH03215387A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103849929A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架 |
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