JPH03210803A - 特性インピーダンス可変伝送線路 - Google Patents
特性インピーダンス可変伝送線路Info
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- JPH03210803A JPH03210803A JP2005110A JP511090A JPH03210803A JP H03210803 A JPH03210803 A JP H03210803A JP 2005110 A JP2005110 A JP 2005110A JP 511090 A JP511090 A JP 511090A JP H03210803 A JPH03210803 A JP H03210803A
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- film
- schottky junction
- conductor film
- transmission line
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、伝送線路に関し、特にマイクロストリップ線
路のような平面導波路に関する。
路のような平面導波路に関する。
第４図は、従来のマイクロストリップ線路を示す半導体
チップの断面図である。このマイクロストリップ線路は
半絶縁性ＧａＡｓ基板２上に、厚さ１μｍの酸化シリコ
ンからなる第１誘電体膜４、厚さ２５０Ωｍの窒化シリ
コンからなる第２誘電体膜５を介して厚さ２μｍのＡｕ
なとのストリップ導体膜６を設けた構造を有している。
チップの断面図である。このマイクロストリップ線路は
半絶縁性ＧａＡｓ基板２上に、厚さ１μｍの酸化シリコ
ンからなる第１誘電体膜４、厚さ２５０Ωｍの窒化シリ
コンからなる第２誘電体膜５を介して厚さ２μｍのＡｕ
なとのストリップ導体膜６を設けた構造を有している。
上述した、マイクロストリップ線路は、例えば、基板厚
１４０μｍ、比誘電率１２．７の半絶縁性ＧａＡｓ基板
を用いた場合、周波数分散を無視すれば、近似的に、ス
トリップ導体膜の配線幅１００μｍ及び１０μｍでそれ
ぞれ特性インピーダンス５０Ω及び１００Ωを得る。よ
って、特性インピーダンス５０Ωが必要な場合、１００
μｍもの配線幅を必要とし、また、特性インピーダンス
１００Ω前後でトリミングを必要とする場合、メタル配
線のマスクを変更するしかない。
１４０μｍ、比誘電率１２．７の半絶縁性ＧａＡｓ基板
を用いた場合、周波数分散を無視すれば、近似的に、ス
トリップ導体膜の配線幅１００μｍ及び１０μｍでそれ
ぞれ特性インピーダンス５０Ω及び１００Ωを得る。よ
って、特性インピーダンス５０Ωが必要な場合、１００
μｍもの配線幅を必要とし、また、特性インピーダンス
１００Ω前後でトリミングを必要とする場合、メタル配
線のマスクを変更するしかない。
このように従来の伝送線路は大面積を要するという欠点
があり、又、特性インピーダンスの微調整の際は、レー
ザトリミングを必要とするという欠点もある。
があり、又、特性インピーダンスの微調整の際は、レー
ザトリミングを必要とするという欠点もある。
本発明の特性インピーダンス可変伝送線路は、半絶縁性
化合物半導体基板の一主表面部に選択的に設けられた不
純物注入層と、前記不純物注入層表面とショットキー接
合をなす導体膜と、前記ショットキー接合を逆方向にバ
イアスする手段とを含むというものである。
化合物半導体基板の一主表面部に選択的に設けられた不
純物注入層と、前記不純物注入層表面とショットキー接
合をなす導体膜と、前記ショットキー接合を逆方向にバ
イアスする手段とを含むというものである。
次に本発明について図面を参照して、説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体チップの断面
図である。
図である。
半絶縁性ＧａＡｓ基板２Ａに、Ｎ′″注入層３Ａをイオ
ン注入によって形成し、厚さ１μｍの酸化シリコンから
なる第１誘電体膜４Ａを設け、この第１誘電体膜４Ａに
幅８μｍのストライプ状の開孔を設け、厚さ２μｍ、幅
１０μｍのＡｕ膜を被着してＮ＋注入層３Ａとショット
キー接合をなす導体膜７Ａを形成する。さらに、層間絶
縁膜として厚さ２５０ｎｍの窒化シリコン膜を第２の誘
電体５Ａを積層し、これに幅８μｍのストライブ状の開
孔を設け、厚さ２μｍ、幅１０μｍのＡｕ膜からなるス
トリップ導体膜６Ａを設ける。例えば、基板の厚さ１４
０μｍ、比誘電率１２．７とし、Ｎ１注入層は３１２ｇ
を５０ｋｅＶ、５．１×１０１２ｃ ｍ−２の条件で注
入し、８５０℃、１０分の熱処理により形成した場合、
この伝送線路の単位長あたりの容量、特性インピーダン
スのバイアス電圧依存性は第２図に示すようになるショ
ットキー接合の空乏層容量の逆方向バイアス依存により
、単位長あたりの容量が３．０〜１．４ｆＦ／μｍ変化
した場合、特性インピーダンスは１４〜１９Ωと変化す
る。また、従来の伝送線路において、特性インピーダン
ス１５Ω程度を得るには、基板厚１４０μｍの場合、８
４０μｍもの配線幅を必要とするが、これに比較して著
しく小さな面積ですむことが判る。
ン注入によって形成し、厚さ１μｍの酸化シリコンから
なる第１誘電体膜４Ａを設け、この第１誘電体膜４Ａに
幅８μｍのストライプ状の開孔を設け、厚さ２μｍ、幅
１０μｍのＡｕ膜を被着してＮ＋注入層３Ａとショット
キー接合をなす導体膜７Ａを形成する。さらに、層間絶
縁膜として厚さ２５０ｎｍの窒化シリコン膜を第２の誘
電体５Ａを積層し、これに幅８μｍのストライブ状の開
孔を設け、厚さ２μｍ、幅１０μｍのＡｕ膜からなるス
トリップ導体膜６Ａを設ける。例えば、基板の厚さ１４
０μｍ、比誘電率１２．７とし、Ｎ１注入層は３１２ｇ
を５０ｋｅＶ、５．１×１０１２ｃ ｍ−２の条件で注
入し、８５０℃、１０分の熱処理により形成した場合、
この伝送線路の単位長あたりの容量、特性インピーダン
スのバイアス電圧依存性は第２図に示すようになるショ
ットキー接合の空乏層容量の逆方向バイアス依存により
、単位長あたりの容量が３．０〜１．４ｆＦ／μｍ変化
した場合、特性インピーダンスは１４〜１９Ωと変化す
る。また、従来の伝送線路において、特性インピーダン
ス１５Ω程度を得るには、基板厚１４０μｍの場合、８
４０μｍもの配線幅を必要とするが、これに比較して著
しく小さな面積ですむことが判る。
以上、半絶縁性ＧａＡｓ基板の場合について説明したが
、ＧａＡｓのみでな（ＩｎＰなとの他の化合物半導体を
使用してもよいのである。
、ＧａＡｓのみでな（ＩｎＰなとの他の化合物半導体を
使用してもよいのである。
第３図は本発明の一実施例の応用例を示す高周波増幅器
の回路図である。
の回路図である。
入出力整合の為のソートスタブ９．１０及び、１／４波
長線路１１．１２を、本発明の構造にして集積回路化す
ることにより、入出力整合回路のトリミングを外部バイ
アスによって行うことができ、大幅なターンアラウンド
タイム（ＴＡＴ）の短縮が可能となる。
長線路１１．１２を、本発明の構造にして集積回路化す
ることにより、入出力整合回路のトリミングを外部バイ
アスによって行うことができ、大幅なターンアラウンド
タイム（ＴＡＴ）の短縮が可能となる。
以上説明したように、本発明は、半絶縁性化合物半導体
基板上に、これとショットキー接合をなす導体膜を形成
することにより、低インピーダンス伝送線路の配線幅の
減少及び、外部バイアスによる特性インピーダンスのト
リミングが可能になり、高周波半導体集積回路のチップ
サイズの縮小及び開発ＴＡＴの大幅な短縮が可能となる
効果がある。
基板上に、これとショットキー接合をなす導体膜を形成
することにより、低インピーダンス伝送線路の配線幅の
減少及び、外部バイアスによる特性インピーダンスのト
リミングが可能になり、高周波半導体集積回路のチップ
サイズの縮小及び開発ＴＡＴの大幅な短縮が可能となる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
、第２図は一実施例の特性インピーダンス及び単位長当
りの容量の逆方向バイアス依存性を示す図、第３図は本
発明の応用例を示す回路図、第４図は従来例を示す半導
体チップの断面図である。 １、ＩＡ・・・接地電極、２．２Ａ・・・半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、３Ａ・・・Ｎ＋注入層、４，４Ａ・・・第１
誘電体膜、５，５Ａ・・・第２誘電体膜、６，６Ａ・・
・ストリップ導体膜、７Ａ・・・導体膜、８・・・ＦＥ
Ｔ、９．１０・・・ショートタブ、１１．１２・・・１
／４波長線路。
、第２図は一実施例の特性インピーダンス及び単位長当
りの容量の逆方向バイアス依存性を示す図、第３図は本
発明の応用例を示す回路図、第４図は従来例を示す半導
体チップの断面図である。 １、ＩＡ・・・接地電極、２．２Ａ・・・半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、３Ａ・・・Ｎ＋注入層、４，４Ａ・・・第１
誘電体膜、５，５Ａ・・・第２誘電体膜、６，６Ａ・・
・ストリップ導体膜、７Ａ・・・導体膜、８・・・ＦＥ
Ｔ、９．１０・・・ショートタブ、１１．１２・・・１
／４波長線路。
Claims (1)
- 半絶縁性化合物半導体基板の一主表面部に選択的に設
けられた不純物注入層と、前記不純物注入層表面とショ
ットキー接合をなす導体膜と、前記ショットキー接合を
逆方向にバイアスする手段とを含むことを特徴とする特
性インピーダンス可変伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005110A JPH03210803A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 特性インピーダンス可変伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005110A JPH03210803A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 特性インピーダンス可変伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210803A true JPH03210803A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11602216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005110A Pending JPH03210803A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 特性インピーダンス可変伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210803A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1557901A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave transmission line |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839052A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-03-07 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | モノリシツク・マイクロウエ−ブ集積回路 |
| JPS5859602A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-08 | Nec Corp | 分布定数線路 |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2005110A patent/JPH03210803A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839052A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-03-07 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | モノリシツク・マイクロウエ−ブ集積回路 |
| JPS5859602A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-08 | Nec Corp | 分布定数線路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1557901A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave transmission line |
| US7161450B2 (en) | 2004-01-20 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave transmission line having dielectric film layers providing negative space charge effects |
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