JPH03210791A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH03210791A JPH03210791A JP2003615A JP361590A JPH03210791A JP H03210791 A JPH03210791 A JP H03210791A JP 2003615 A JP2003615 A JP 2003615A JP 361590 A JP361590 A JP 361590A JP H03210791 A JPH03210791 A JP H03210791A
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機物質の発光層を用いたＥＬ素子における
素子構成に関する。 〔従来の技術〕 従来の有機物質の発光層を用いたＥＬ素子では。 例えば、特開昭６１−３７８９０号公報のように、ホー
ル輸送層、又は、電子輸送層にも有機物質を用いていた
。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術では、ホール輸送層、又は、電子輸送層が
、経時的に変化して結晶化し、輝度が低下する問題があ
った。 本発明は、経時的に安定なＥＬ素子を作成することを目
的とする。 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、ホール輸送層又は電子輸送
層として無機物質の層を適用したものである６発光層に
可視光を発光させるためには、ホール輸送層、電子輸送
層として、バンドギャップが１．６ｅＶ以上ある物質を
用いる必要がある。 〔作用〕 無機物質を用いたホール輸送層、又は、電子輪逆層は有
機物質を用いた場合と比べて結晶化ははるかに生じにく
く、それによって経時変化を押さえ、安定なＥＬ素子を
作成することができる。 〔実施例〕 以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は、発光層に有機物質を用いたＥＬ素子の断面図であ
る。 １はガラス基板（コーニング＃７０５９）、２は透明電
極（ＩＴ○、２００ｎｍ）、３はホール輸送層（ａ−Ｓ
ｉ ： Ｂ、５０ｎｍ、ＣＶＤ法により作製）、４は
発光層（ペリレン＋ １００ ｎ ｍ ＊真空蒸着法に
より形成、５は背面電極（Ｉｎ。 ２００ｎｍ、真空蒸着法により作成）である。 機能的には、Ｉｎ電極から注入された電子と、ホール輸
送層から注入されたホールが発光層中で再結合をして、
発光を生じる。 第２図に、ホール輸送層３に、有機物質（ジアミン誘電
体）を用いた素子と、本発明の素子との。 輝度の経時変化の比較を示す、ホール輸送層として無機
物質（ａ−３ｉ：Ｂ）を用いた本発明の方が、経時変化
が小さいことがわかる。 第３図は、発光層６をｐ型とし、電子輸送層７と積層し
た素子である。６はオキシジアゾール誘導体（１００ｎ
ｍ厚、真空蒸着法）であり、７は電子輸送層（ａ−３ｉ
： Ｐ、１１００ｎ厚、ＣＶＤ法）である。この構造
では、透明電極２が膜の上の位置にくるため、発光は図
の、上方向に出る。 そのため、ａ−８ｉ膜による発光の吸収が生じないため
、ａ−３ｉ膜の厚さを、厚くとることが可能となる効果
がある。 第４図は、ホール輸送層３（ａ−８ｉ：Ｂ。 ５０ｎｍ厚）と、電子輸送層７’（ａ−８ｉ：Ｐ。 ５０ｎｍ厚）で発光層６（ペリレン５０ｎｍ厚）を挾ん
だ構造のＥＬ素子である。この構造では、発光層として
、ｐ型のオキシジアゾール誘導体を用いることも可能だ
し、ｐ型、ｎ型的性格の低い絶縁体的な発光体を十分薄
くして用いることも可能である。 〔発明の効果〕 本発明によれば、従来は、ホール輸送層や電子輸送層に
用いた有機物が結晶化などの変化を生じるために１発光
輝度が劣化をしていたが、本発明によれば、発光輝度の
劣化を小さくする効果がある。 ４）
素子構成に関する。 〔従来の技術〕 従来の有機物質の発光層を用いたＥＬ素子では。 例えば、特開昭６１−３７８９０号公報のように、ホー
ル輸送層、又は、電子輸送層にも有機物質を用いていた
。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術では、ホール輸送層、又は、電子輸送層が
、経時的に変化して結晶化し、輝度が低下する問題があ
った。 本発明は、経時的に安定なＥＬ素子を作成することを目
的とする。 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、ホール輸送層又は電子輸送
層として無機物質の層を適用したものである６発光層に
可視光を発光させるためには、ホール輸送層、電子輸送
層として、バンドギャップが１．６ｅＶ以上ある物質を
用いる必要がある。 〔作用〕 無機物質を用いたホール輸送層、又は、電子輪逆層は有
機物質を用いた場合と比べて結晶化ははるかに生じにく
く、それによって経時変化を押さえ、安定なＥＬ素子を
作成することができる。 〔実施例〕 以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は、発光層に有機物質を用いたＥＬ素子の断面図であ
る。 １はガラス基板（コーニング＃７０５９）、２は透明電
極（ＩＴ○、２００ｎｍ）、３はホール輸送層（ａ−Ｓ
ｉ ： Ｂ、５０ｎｍ、ＣＶＤ法により作製）、４は
発光層（ペリレン＋ １００ ｎ ｍ ＊真空蒸着法に
より形成、５は背面電極（Ｉｎ。 ２００ｎｍ、真空蒸着法により作成）である。 機能的には、Ｉｎ電極から注入された電子と、ホール輸
送層から注入されたホールが発光層中で再結合をして、
発光を生じる。 第２図に、ホール輸送層３に、有機物質（ジアミン誘電
体）を用いた素子と、本発明の素子との。 輝度の経時変化の比較を示す、ホール輸送層として無機
物質（ａ−３ｉ：Ｂ）を用いた本発明の方が、経時変化
が小さいことがわかる。 第３図は、発光層６をｐ型とし、電子輸送層７と積層し
た素子である。６はオキシジアゾール誘導体（１００ｎ
ｍ厚、真空蒸着法）であり、７は電子輸送層（ａ−３ｉ
： Ｐ、１１００ｎ厚、ＣＶＤ法）である。この構造
では、透明電極２が膜の上の位置にくるため、発光は図
の、上方向に出る。 そのため、ａ−８ｉ膜による発光の吸収が生じないため
、ａ−３ｉ膜の厚さを、厚くとることが可能となる効果
がある。 第４図は、ホール輸送層３（ａ−８ｉ：Ｂ。 ５０ｎｍ厚）と、電子輸送層７’（ａ−８ｉ：Ｐ。 ５０ｎｍ厚）で発光層６（ペリレン５０ｎｍ厚）を挾ん
だ構造のＥＬ素子である。この構造では、発光層として
、ｐ型のオキシジアゾール誘導体を用いることも可能だ
し、ｐ型、ｎ型的性格の低い絶縁体的な発光体を十分薄
くして用いることも可能である。 〔発明の効果〕 本発明によれば、従来は、ホール輸送層や電子輸送層に
用いた有機物が結晶化などの変化を生じるために１発光
輝度が劣化をしていたが、本発明によれば、発光輝度の
劣化を小さくする効果がある。 ４）
第１図は本発明の一実施例のＥＬ素子の断面図、第２図
は、第１図の実施例の素子と、従来の、有機物質のホー
ル輸送層を用いた素子の輝度の経時変化の比較図、第３
図は、電子輸送層を用いたＥＬ素子の断面図、第４図は
、ホール輸送層と電子輸送層をあわせ持つＥＬ素子の断
面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・ホー
ル輸送層、４・・・発光層（ｎ型）、５・・・Ｉｎ？１
！極、６・・・発図 第２図
は、第１図の実施例の素子と、従来の、有機物質のホー
ル輸送層を用いた素子の輝度の経時変化の比較図、第３
図は、電子輸送層を用いたＥＬ素子の断面図、第４図は
、ホール輸送層と電子輸送層をあわせ持つＥＬ素子の断
面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・ホー
ル輸送層、４・・・発光層（ｎ型）、５・・・Ｉｎ？１
！極、６・・・発図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）発光層として有機物質を用いる薄膜ＥＬ素子におい
て、 ホール輸送層あるいは電子輸送層として、エネルギバン
ドギヤツプが１．６ｅＶより大きい無機物質を用いるこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。 ２）請求項１において、前記無機物質として、Ｓｉ半導
体及びその化合物又はＧｅ半導体及びその化合物を用い
る有機薄膜ＥＬ素子。 ３）請求項１において、前記無機物質として、II−IV族
化合物半導体を用いる有機薄膜ＥＬ素子。 ４）請求項１において、前記無機物質として、III−Ｖ
族化合物半導体を用いる有機薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003615A JPH03210791A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003615A JPH03210791A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210791A true JPH03210791A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11562399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003615A Pending JPH03210791A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210791A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999053727A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| US6111274A (en) * | 1999-05-27 | 2000-08-29 | Tdk Corporation | Inorganic light emitting diode |
| US6433355B1 (en) | 1996-06-05 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| JP2006128100A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2003615A patent/JPH03210791A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433355B1 (en) | 1996-06-05 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| WO1999053727A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| US6617054B2 (en) | 1998-04-09 | 2003-09-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| US6111274A (en) * | 1999-05-27 | 2000-08-29 | Tdk Corporation | Inorganic light emitting diode |
| WO2000074443A1 (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Tdk Corporation | Light-emitting diode |
| JP2006128100A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
| US7964864B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| KR101233131B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2013-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 장치 |
| US8878159B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| US10497894B2 (en) | 2004-09-30 | 2019-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
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