JP2001076882A - 有機ｅｌ素子およびその製法ならびに表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子およびその製法ならびに表示装置Info
- Publication number
- JP2001076882A JP2001076882A JP24995499A JP24995499A JP2001076882A JP 2001076882 A JP2001076882 A JP 2001076882A JP 24995499 A JP24995499 A JP 24995499A JP 24995499 A JP24995499 A JP 24995499A JP 2001076882 A JP2001076882 A JP 2001076882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- light
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 76
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 両電極を透明電極により形成しながら、有機
層に温度によるダメージを与えないように、かつ、電極
と有機層などとの間の電荷注入のバリアが大きくなりす
ぎないで、電流効率を向上させることができる構造の有
機ＥＬ素子を提供する。さらに、この両面が透明な有機
ＥＬ素子を用いて、一方側でその光をモニターしてフィ
ードバックし、優れた表示特性の表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＥＬ素子は、基板１上に光
透過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の
上に少なくとも発光層４を有する有機層７が設けられて
いる。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の電
極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化インジ
ウムからなっている。また、本発明の表示装置は、有機
ＥＬ素子１０からの光により有機ＥＬ素子１０を駆動す
る光フィードバック回路が、基板１側に設けられてい
る。
層に温度によるダメージを与えないように、かつ、電極
と有機層などとの間の電荷注入のバリアが大きくなりす
ぎないで、電流効率を向上させることができる構造の有
機ＥＬ素子を提供する。さらに、この両面が透明な有機
ＥＬ素子を用いて、一方側でその光をモニターしてフィ
ードバックし、優れた表示特性の表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＥＬ素子は、基板１上に光
透過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の
上に少なくとも発光層４を有する有機層７が設けられて
いる。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の電
極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化インジ
ウムからなっている。また、本発明の表示装置は、有機
ＥＬ素子１０からの光により有機ＥＬ素子１０を駆動す
る光フィードバック回路が、基板１側に設けられてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機物のエレクト
ロルミネッセント（ＥＬ）を利用した有機ＥＬ素子およ
びその製法ならびにそれを用いた表示装置に関する。さ
らに詳しくは、電極形成の際に有機層にダメージを与え
ることなく、両面に透明電極を用い、両面から光を取り
出すことができるようにし、光フィードバック回路を形
成することができる有機ＥＬ素子およびその製法ならび
にそれを用いた表示装置に関する。
ロルミネッセント（ＥＬ）を利用した有機ＥＬ素子およ
びその製法ならびにそれを用いた表示装置に関する。さ
らに詳しくは、電極形成の際に有機層にダメージを与え
ることなく、両面に透明電極を用い、両面から光を取り
出すことができるようにし、光フィードバック回路を形
成することができる有機ＥＬ素子およびその製法ならび
にそれを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の有機ＥＬ素子は、たとえば図４に
示されるような構造になっている。すなわち、図４にお
いて、ガラスなどの透明基板３１上に、ＩＴＯなどから
なる陽極電極３２が設けられ、その上に正孔輸送層３
３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などからなる有機
層３７、およびＭｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの仕事関数の小さ
い金属からなる陰極電極３９が設けられることにより形
成されている。ＩＴＯ膜は、一般に抵抗の小さい膜とし
て成膜するには、３００℃程度の高温で成膜することが
望ましい。しかし、正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、
電子輸送層３５などの有機層材料を成膜した後は、有機
層材料が劣化するため、１００℃程度以上に上昇するこ
とができない。さらに、陽極電極３２の仕事関数と有機
層材料の価電子レベルとの間、および陰極電極３９と有
機層材料の伝導レベルとの間でギャップが大きすぎる
と、電荷の注入性が低下し、何でもよいというわけには
いかない。
示されるような構造になっている。すなわち、図４にお
いて、ガラスなどの透明基板３１上に、ＩＴＯなどから
なる陽極電極３２が設けられ、その上に正孔輸送層３
３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などからなる有機
層３７、およびＭｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの仕事関数の小さ
い金属からなる陰極電極３９が設けられることにより形
成されている。ＩＴＯ膜は、一般に抵抗の小さい膜とし
て成膜するには、３００℃程度の高温で成膜することが
望ましい。しかし、正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、
電子輸送層３５などの有機層材料を成膜した後は、有機
層材料が劣化するため、１００℃程度以上に上昇するこ
とができない。さらに、陽極電極３２の仕事関数と有機
層材料の価電子レベルとの間、および陰極電極３９と有
機層材料の伝導レベルとの間でギャップが大きすぎる
と、電荷の注入性が低下し、何でもよいというわけには
いかない。
【０００３】そのため、従来の有機ＥＬ素子は、図４に
示されるように、陽極電極３２を基板３１側に設け、基
板３１としてガラスなどの透明な基板を用い、有機層３
７の上に設けられる電極３９を陰極として、前述のよう
に、仕事関数の小さい金属電極が用いられ、ガラス基板
３１の裏面側に光を取り出す構造に形成されている。
示されるように、陽極電極３２を基板３１側に設け、基
板３１としてガラスなどの透明な基板を用い、有機層３
７の上に設けられる電極３９を陰極として、前述のよう
に、仕事関数の小さい金属電極が用いられ、ガラス基板
３１の裏面側に光を取り出す構造に形成されている。
【０００４】一方、たとえばL.S.Hungらによる「インタ
ーフェース エンジニアリング イン プリパレーショ
ン オブ オーガニック サーフェスエミッティング
ダイオード（Interface engineering in preparation o
f organic surface-emittingdiodes）」（アプライドフ
ィジックスレター(Applied Physics Letters)第７４巻
第２１号、１９９９年５月２４日、３２０９〜３２１１
頁）にも記載されているように、高解像度の表示装置に
用いるためには、陰極電極を透明にして表面発光型にす
ることが要求され、種々の研究がなされている。そし
て、同文献においては、有機層の上にＣｕＰｃを介して
ＩＴＯ膜を設けたり、電子輸送層であるＡｌｑとＣｕＰ
ｃとの間、またはＣｕＰｃとＩＴＯとの間にＬｉ膜を設
ける構造が開示されている。ＣｕＰｃは、ＩＴＯを成膜
する際に有機層へのスパッタダメージを防止するため
に、ＬｉはＡｌｑとＣｕＰｃとの間の電子注入バリアを
減ずるために設けられている。
ーフェース エンジニアリング イン プリパレーショ
ン オブ オーガニック サーフェスエミッティング
ダイオード（Interface engineering in preparation o
f organic surface-emittingdiodes）」（アプライドフ
ィジックスレター(Applied Physics Letters)第７４巻
第２１号、１９９９年５月２４日、３２０９〜３２１１
頁）にも記載されているように、高解像度の表示装置に
用いるためには、陰極電極を透明にして表面発光型にす
ることが要求され、種々の研究がなされている。そし
て、同文献においては、有機層の上にＣｕＰｃを介して
ＩＴＯ膜を設けたり、電子輸送層であるＡｌｑとＣｕＰ
ｃとの間、またはＣｕＰｃとＩＴＯとの間にＬｉ膜を設
ける構造が開示されている。ＣｕＰｃは、ＩＴＯを成膜
する際に有機層へのスパッタダメージを防止するため
に、ＬｉはＡｌｑとＣｕＰｃとの間の電子注入バリアを
減ずるために設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
有機ＥＬ素子は、基板上に陽極電極を形成し、その上に
有機層が設けられ、最表面の陰極電極は、ＭｇＡｇなど
の光を通さない金属電極か、Ｌｉ、ＣｕＰｃなどを介し
て、ＩＴＯ膜により形成する構造になっている。しか
し、表面側の電極にＩＴＯ膜を用いると、ＩＴＯは３０
０℃程度の高温で成膜しないと充分に抵抗値の低い膜を
得にくく、そのような高温で成膜すると、その下に積層
される有機層が、前述のスパッタダメージとは別に、温
度によるダメージを受け、膜質が低下して電気的特性が
劣化するという問題がある。
有機ＥＬ素子は、基板上に陽極電極を形成し、その上に
有機層が設けられ、最表面の陰極電極は、ＭｇＡｇなど
の光を通さない金属電極か、Ｌｉ、ＣｕＰｃなどを介し
て、ＩＴＯ膜により形成する構造になっている。しか
し、表面側の電極にＩＴＯ膜を用いると、ＩＴＯは３０
０℃程度の高温で成膜しないと充分に抵抗値の低い膜を
得にくく、そのような高温で成膜すると、その下に積層
される有機層が、前述のスパッタダメージとは別に、温
度によるダメージを受け、膜質が低下して電気的特性が
劣化するという問題がある。
【０００６】また、前述の有機層上にＬｉ-ＣｕＰｃ-Ｉ
ＴＯを積層しようとすると、全く異なる蒸発源による成
膜を繰り返さなければならず、非常に工数増となり、コ
ストアップの原因になるという問題がある。
ＴＯを積層しようとすると、全く異なる蒸発源による成
膜を繰り返さなければならず、非常に工数増となり、コ
ストアップの原因になるという問題がある。
【０００７】さらに、表面側の電極が透明であるのみな
らず、両面が透明電極により形成されることにより、シ
ースルーの表示装置を形成したりすることができるた
め、その応用用途が広がる。そのため、製造上の問題が
なく、しかも電極の仕事関数と有機層のバンドレベルと
の間で整合がとれるような状態で、両電極が透明電極の
有機ＥＬ素子が期待されている。
らず、両面が透明電極により形成されることにより、シ
ースルーの表示装置を形成したりすることができるた
め、その応用用途が広がる。そのため、製造上の問題が
なく、しかも電極の仕事関数と有機層のバンドレベルと
の間で整合がとれるような状態で、両電極が透明電極の
有機ＥＬ素子が期待されている。
【０００８】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、両電極を透明電極により形成しなが
ら、有機層に温度によるダメージを与えないように、か
つ、電極と有機層などとの間の電荷注入のバリアが大き
くなりすぎないで、電流効率を向上させることができる
構造の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
になされたもので、両電極を透明電極により形成しなが
ら、有機層に温度によるダメージを与えないように、か
つ、電極と有機層などとの間の電荷注入のバリアが大き
くなりすぎないで、電流効率を向上させることができる
構造の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【０００９】本発明の他の目的は、表面側の電極を透明
電極としながら、その製造工程が簡単で、安価に製造す
ることができる有機ＥＬ素子の製法を提供することにあ
る。
電極としながら、その製造工程が簡単で、安価に製造す
ることができる有機ＥＬ素子の製法を提供することにあ
る。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、有機ＥＬ素子
の光をモニターし、その光により発光しつづける自己保
持回路を形成したり、有機ＥＬ素子の輝度を所望の輝度
にすることができる光フィードバック回路を、簡単な構
成で外部からの光や隣接する画素からの光による影響を
受けないで構成することができる構造の表示装置を提供
することにある。
の光をモニターし、その光により発光しつづける自己保
持回路を形成したり、有機ＥＬ素子の輝度を所望の輝度
にすることができる光フィードバック回路を、簡単な構
成で外部からの光や隣接する画素からの光による影響を
受けないで構成することができる構造の表示装置を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ素子
は、基板と、該基板上に設けられる光透過性の第１の電
極と、該第１の電極の上に設けられる少なくともＥＬ発
光層を有する有機層と、該有機層の上に設けられる光透
過性の第２の電極とからなり、少なくとも前記第２の電
極が酸化インジウムからなっている。
は、基板と、該基板上に設けられる光透過性の第１の電
極と、該第１の電極の上に設けられる少なくともＥＬ発
光層を有する有機層と、該有機層の上に設けられる光透
過性の第２の電極とからなり、少なくとも前記第２の電
極が酸化インジウムからなっている。
【００１２】この構造にすることにより、酸化インジウ
ムは１００℃以下の低温で低抵抗な導電膜を成膜するこ
とができるため、有機層にダメージを与えることなく成
膜することができ、高特性の有機ＥＬ素子を得ることが
できる。さらに両電極が光透過性の材料からなっている
ため、両面から光を取り出すことができ、一方の側の光
をモニター用専用としてＥＬ素子にフィードバックする
ことができ、各素子の輝度を一定にしたり、自己保持回
路を容易に形成することができる。
ムは１００℃以下の低温で低抵抗な導電膜を成膜するこ
とができるため、有機層にダメージを与えることなく成
膜することができ、高特性の有機ＥＬ素子を得ることが
できる。さらに両電極が光透過性の材料からなっている
ため、両面から光を取り出すことができ、一方の側の光
をモニター用専用としてＥＬ素子にフィードバックする
ことができ、各素子の輝度を一定にしたり、自己保持回
路を容易に形成することができる。
【００１３】前記第２の電極と前記有機層との間に、該
電極材料の仕事関数と前記有機層の価電子レベルまたは
伝導レベルとの間のギャップを調整する光透過性金属層
が設けられることにより、有機層の価電子レベルまたは
伝導レベルと酸化インジウムの仕事関数とのギャップを
小さくすることができ、動作電圧を下げることができる
ため好ましい。
電極材料の仕事関数と前記有機層の価電子レベルまたは
伝導レベルとの間のギャップを調整する光透過性金属層
が設けられることにより、有機層の価電子レベルまたは
伝導レベルと酸化インジウムの仕事関数とのギャップを
小さくすることができ、動作電圧を下げることができる
ため好ましい。
【００１４】具体的な構造としては、前記第１の電極が
陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、
該陽極電極上に前記有機層が設けられ、該有機層上にイ
ンジウム薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる第２
の電極が陰極電極として形成されたり、前記第１の電極
が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により
形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記
有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上
の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる第２の
電極が陽極電極として形成される。
陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、
該陽極電極上に前記有機層が設けられ、該有機層上にイ
ンジウム薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる第２
の電極が陰極電極として形成されたり、前記第１の電極
が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により
形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記
有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上
の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる第２の
電極が陽極電極として形成される。
【００１５】本発明の表示装置は、非透光性の基板と、
該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電
極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透
過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子
と、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を
受光する受光素子を有し、該受光素子の出力により前記
有機ＥＬ素子を駆動する光フィードバック回路とからな
っている。
該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電
極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透
過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子
と、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を
受光する受光素子を有し、該受光素子の出力により前記
有機ＥＬ素子を駆動する光フィードバック回路とからな
っている。
【００１６】この構造にすることにより、有機ＥＬ素子
をマトリクス状に配列して表示装置を構成する場合で
も、各画素ごとに自己保持回路や輝度調整回路を構成し
ながら、基板が非透光性であるため、特別な遮光壁など
を設けることなく、外部からの光や隣接する画素からの
光の影響を受けにくくすることができる。その結果、高
密度な画素で、階調表示なども簡単に行うことができ、
表示特性の優れた繊細な表示画面を形成することができ
る。
をマトリクス状に配列して表示装置を構成する場合で
も、各画素ごとに自己保持回路や輝度調整回路を構成し
ながら、基板が非透光性であるため、特別な遮光壁など
を設けることなく、外部からの光や隣接する画素からの
光の影響を受けにくくすることができる。その結果、高
密度な画素で、階調表示なども簡単に行うことができ、
表示特性の優れた繊細な表示画面を形成することができ
る。
【００１７】前記基板が半導体基板からなり、該半導体
基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、
かつ、前記光フィードバック回路が前記有機ＥＬ素子ご
とに前記半導体基板に設けられることにより、各画素ご
との光フィードバック回路を非透光性の基板内に容易に
形成することができる。
基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、
かつ、前記光フィードバック回路が前記有機ＥＬ素子ご
とに前記半導体基板に設けられることにより、各画素ご
との光フィードバック回路を非透光性の基板内に容易に
形成することができる。
【００１８】たとえば、前記光フィードバック回路が、
前記有機ＥＬ素子と直列に接続される駆動用トランジス
タを前記受光素子と兼用して自己保持回路を構成するこ
とができる。
前記有機ＥＬ素子と直列に接続される駆動用トランジス
タを前記受光素子と兼用して自己保持回路を構成するこ
とができる。
【００１９】本発明の有機ＥＬ素子の製法は、基板上に
第１の電極を形成し、該第１の電極上に少なくともＥＬ
発光層を有する有機層を積層し、該有機層上に光透過性
の金属層を介して光透過性の第２の電極を形成する場合
に、前記有機層を積層した後、インジウムメタルを蒸発
させてインジウム層を光が透過するように成膜し、つい
でインジウムメタルを蒸発させながら酸素を導入して酸
化インジウム膜を成膜することにより前記第２の電極を
形成することが、同じ材料源を用いながら、有機層をま
ずインジウムメタルにより保護すると共に、引き続き酸
素を導入するだけで、酸化インジウムを形成することが
できるため、とくに好ましい。しかも、インジウムメタ
ルにより有機層が保護されるため、酸素を導入しても、
有機層がダメージを受けることがない。
第１の電極を形成し、該第１の電極上に少なくともＥＬ
発光層を有する有機層を積層し、該有機層上に光透過性
の金属層を介して光透過性の第２の電極を形成する場合
に、前記有機層を積層した後、インジウムメタルを蒸発
させてインジウム層を光が透過するように成膜し、つい
でインジウムメタルを蒸発させながら酸素を導入して酸
化インジウム膜を成膜することにより前記第２の電極を
形成することが、同じ材料源を用いながら、有機層をま
ずインジウムメタルにより保護すると共に、引き続き酸
素を導入するだけで、酸化インジウムを形成することが
できるため、とくに好ましい。しかも、インジウムメタ
ルにより有機層が保護されるため、酸素を導入しても、
有機層がダメージを受けることがない。
【００２０】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の有機ＥＬ素子お
よびその製法、ならびにそれを用いた表示装置につい
て、図面を参照しながら説明をする。
よびその製法、ならびにそれを用いた表示装置につい
て、図面を参照しながら説明をする。
【００２１】本発明の有機ＥＬ素子は、その一実施形態
の断面説明図が図１に示されるように、基板１上に光透
過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の上
に少なくともＥＬ発光層４を有する有機層７が設けられ
ている。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の
電極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化イン
ジウムからなっている。
の断面説明図が図１に示されるように、基板１上に光透
過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の上
に少なくともＥＬ発光層４を有する有機層７が設けられ
ている。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の
電極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化イン
ジウムからなっている。
【００２２】基板１は、たとえばガラス基板のような光
透過性の基板を用いることもできるし、シリコン基板な
どの半導体基板を用いることにより、後述するような発
光量をモニターする受光素子を設けたり、ＥＬ素子を駆
動する駆動回路を容易に形成することができ、マトリク
ス状にＥＬ素子を並べて表示装置を構成する場合にとく
に便利である。
透過性の基板を用いることもできるし、シリコン基板な
どの半導体基板を用いることにより、後述するような発
光量をモニターする受光素子を設けたり、ＥＬ素子を駆
動する駆動回路を容易に形成することができ、マトリク
ス状にＥＬ素子を並べて表示装置を構成する場合にとく
に便利である。
【００２３】第１の電極２は、図１に示される例では、
陽極電極を構成しており、基板１上に蒸着などにより設
けられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなっている。
ＩＴＯの仕事関数は、４.６ｅＶであり、有機層７の正
孔輸送層３の価電子レベルとの整合がとれており好まし
い。しかも、有機層を積層する前の基板上に設けること
ができるため、高い温度で成膜することができ、抵抗値
の小さい透明電極を形成することができる。しかし、陰
極電極を基板側に形成する場合には、ＩＴＯは電子輸送
層の伝導レベルとの整合がとれないため好ましくない。
この場合、後述する第２の電極９のように、酸化インジ
ウム（Ｉｎ2Ｏ3）を陰極電極として用い、電子注入層ま
たは電子輸送層との間にインジウムメタル層を挿入する
ことが好ましい。
陽極電極を構成しており、基板１上に蒸着などにより設
けられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなっている。
ＩＴＯの仕事関数は、４.６ｅＶであり、有機層７の正
孔輸送層３の価電子レベルとの整合がとれており好まし
い。しかも、有機層を積層する前の基板上に設けること
ができるため、高い温度で成膜することができ、抵抗値
の小さい透明電極を形成することができる。しかし、陰
極電極を基板側に形成する場合には、ＩＴＯは電子輸送
層の伝導レベルとの整合がとれないため好ましくない。
この場合、後述する第２の電極９のように、酸化インジ
ウム（Ｉｎ2Ｏ3）を陰極電極として用い、電子注入層ま
たは電子輸送層との間にインジウムメタル層を挿入する
ことが好ましい。
【００２４】第２の電極９は、図１に示される例では、
陰極電極を構成しており、有機層７が形成された後に設
けられるため、１００℃以上の温度で成膜することがで
きず、１５００Å程度の厚さの酸化インジウム（たとえ
ばＩｎ2Ｏ3）からなっている。酸化インジウムは、室温
から高々１００℃までの温度でＩｎの蒸発およびプラズ
マ酸素などの酸素の供給により成膜することができる。
そのため、有機層７を成膜した後の第２の電極９として
は、酸化インジウムを使用することにより、有機層７の
温度によるダメージを防止することができる。しかし、
Ｉｎ2Ｏ3の仕事関数は、４.３８ｅＶで、後述する電子
注入層または電子輸送層の伝導レベルとの整合が充分で
はないため、Ｉｎ（仕事関数：４.０９ｅＶ）メタル層
８を介することが好ましい。このＩｎメタル層８は、あ
まり厚くすると光を透過しなくなり、逆にＩｎメタル層
８は、仕事関数を下げて電子の注入をしやすくすればよ
く、数Åから１００Å程度の厚さ設けられればよい。
陰極電極を構成しており、有機層７が形成された後に設
けられるため、１００℃以上の温度で成膜することがで
きず、１５００Å程度の厚さの酸化インジウム（たとえ
ばＩｎ2Ｏ3）からなっている。酸化インジウムは、室温
から高々１００℃までの温度でＩｎの蒸発およびプラズ
マ酸素などの酸素の供給により成膜することができる。
そのため、有機層７を成膜した後の第２の電極９として
は、酸化インジウムを使用することにより、有機層７の
温度によるダメージを防止することができる。しかし、
Ｉｎ2Ｏ3の仕事関数は、４.３８ｅＶで、後述する電子
注入層または電子輸送層の伝導レベルとの整合が充分で
はないため、Ｉｎ（仕事関数：４.０９ｅＶ）メタル層
８を介することが好ましい。このＩｎメタル層８は、あ
まり厚くすると光を透過しなくなり、逆にＩｎメタル層
８は、仕事関数を下げて電子の注入をしやすくすればよ
く、数Åから１００Å程度の厚さ設けられればよい。
【００２５】第２の電極９が陽極電極である場合、仕事
関数としてはＩＴＯが好ましいが、すでに有機層７が積
層されているため、前述のように３００℃程度にしてＩ
ＴＯ膜を形成することができず、同様に酸化インジウム
を用いる必要がある。この場合、正孔輸送層の価電子レ
ベルとの整合をとるため、Ａｕ（仕事関数：５.１ｅ
Ｖ）、Ｎｉ（仕事関数：５.１５ｅＶ）、Ｐｔ（仕事関
数：５.６４ｅＶ）などの仕事関数が５ｅＶ以上と大き
いメタル層を介して設けることが動作電圧を下げるため
に好ましい。この金属メタル層の厚さも、前述と同様に
数Åから１００Å程度設ければ、光を透過すると共に、
仕事関数の調整をすることができる。
関数としてはＩＴＯが好ましいが、すでに有機層７が積
層されているため、前述のように３００℃程度にしてＩ
ＴＯ膜を形成することができず、同様に酸化インジウム
を用いる必要がある。この場合、正孔輸送層の価電子レ
ベルとの整合をとるため、Ａｕ（仕事関数：５.１ｅ
Ｖ）、Ｎｉ（仕事関数：５.１５ｅＶ）、Ｐｔ（仕事関
数：５.６４ｅＶ）などの仕事関数が５ｅＶ以上と大き
いメタル層を介して設けることが動作電圧を下げるため
に好ましい。この金属メタル層の厚さも、前述と同様に
数Åから１００Å程度設ければ、光を透過すると共に、
仕事関数の調整をすることができる。
【００２６】有機層７は、図１に示される例では、たと
えばＮＰＤからなる正孔輸送層３が６００Å程度、キナ
クリドンまたはクマリンを１重量％程度ドープしたＡｌ
ｑからなるＥＬ発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからな
る電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注
入層６を５Å程度積層することにより形成されている。
有機層７は、この例に限らず、最低限ＥＬ発光層４を有
しておればよい。しかし、前述のように多層構造にする
ことにより、電荷（キャリア）の注入性などを向上させ
ることができるため、好ましい。たとえば正孔輸送層３
が用いられることにより、直接陽極電極からＥＬ発光層
４へ注入されるよりも、注入性が向上する。また、ＥＬ
発光層４と正孔輸送層との伝導レベルの差より、電子は
ＥＬ発光層にたまりやすい状態になっている。通常、有
機ＥＬ素子では、電子が少数キャリアになっているた
め、この電子の障壁は発光効率の向上に効果的である。
本明細書では、有機層７は電荷（電子または正孔）輸送
層や電荷注入層などを含む層を意味し、これらのいずれ
かに無機物が含まれる場合もある。
えばＮＰＤからなる正孔輸送層３が６００Å程度、キナ
クリドンまたはクマリンを１重量％程度ドープしたＡｌ
ｑからなるＥＬ発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからな
る電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注
入層６を５Å程度積層することにより形成されている。
有機層７は、この例に限らず、最低限ＥＬ発光層４を有
しておればよい。しかし、前述のように多層構造にする
ことにより、電荷（キャリア）の注入性などを向上させ
ることができるため、好ましい。たとえば正孔輸送層３
が用いられることにより、直接陽極電極からＥＬ発光層
４へ注入されるよりも、注入性が向上する。また、ＥＬ
発光層４と正孔輸送層との伝導レベルの差より、電子は
ＥＬ発光層にたまりやすい状態になっている。通常、有
機ＥＬ素子では、電子が少数キャリアになっているた
め、この電子の障壁は発光効率の向上に効果的である。
本明細書では、有機層７は電荷（電子または正孔）輸送
層や電荷注入層などを含む層を意味し、これらのいずれ
かに無機物が含まれる場合もある。
【００２７】正孔輸送層３は、一般的にはＥＬ発光層４
への正孔注入性の向上のため、イオン化エネルギーがあ
る程度小さく、ＥＬ発光層４への電子の閉じ込め（エネ
ルギー障壁）が可能であることが求められており、アミ
ン系の材料が用いられる。また、図には示されていない
が、正孔輸送層３と陽極電極２との間に正孔注入層を設
け、正孔輸送層３へのキャリアの注入性をさらに向上さ
せることも行われる。この場合も、陽極電極２からの正
孔の注入性を向上させるため、イオン化エネルギーの小
さい材料が用いられ、代表例として、アミン系やフタロ
シアニン系が用いられる。
への正孔注入性の向上のため、イオン化エネルギーがあ
る程度小さく、ＥＬ発光層４への電子の閉じ込め（エネ
ルギー障壁）が可能であることが求められており、アミ
ン系の材料が用いられる。また、図には示されていない
が、正孔輸送層３と陽極電極２との間に正孔注入層を設
け、正孔輸送層３へのキャリアの注入性をさらに向上さ
せることも行われる。この場合も、陽極電極２からの正
孔の注入性を向上させるため、イオン化エネルギーの小
さい材料が用いられ、代表例として、アミン系やフタロ
シアニン系が用いられる。
【００２８】ＥＬ発光層４としては、発光波長に応じて
選択されるが、たとえば青色系の材料として、ＤＳＡ系
などの材料が用いられ、緑色の発光材料として、Ａｌｑ
などが用いられる。このＥＬ発光層４は、有機物蛍光材
料をドーピングすることにより、ドーピング材料固有の
発光色を得ることができ、また発光効率や安定性を向上
させることができる。このドーピングは、発光材料に対
して数重量（ｗｔ）％程度で行われる。
選択されるが、たとえば青色系の材料として、ＤＳＡ系
などの材料が用いられ、緑色の発光材料として、Ａｌｑ
などが用いられる。このＥＬ発光層４は、有機物蛍光材
料をドーピングすることにより、ドーピング材料固有の
発光色を得ることができ、また発光効率や安定性を向上
させることができる。このドーピングは、発光材料に対
して数重量（ｗｔ）％程度で行われる。
【００２９】電子輸送層５は、陰極電極９からの電子の
注入性を向上させるためのもので、代表例としてＡｌｑ
が用いられる。この層があまり厚くなると、発光層では
なくこの層で発光するため、あまり厚くはしない。図１
に示される例では、この電子輸送層５と陰極電極９との
間に電子注入層６が設けられている。
注入性を向上させるためのもので、代表例としてＡｌｑ
が用いられる。この層があまり厚くなると、発光層では
なくこの層で発光するため、あまり厚くはしない。図１
に示される例では、この電子輸送層５と陰極電極９との
間に電子注入層６が設けられている。
【００３０】このＥＬ素子を製造するには、まず、０.
２μｍ程度の厚さにＩＴＯ膜が設けられたＩＴＯ付きガ
ラス板１を酸素プラズマ処理して、表面を活性化させ
る。そして、真空蒸着法により、ＮＰＤからなる正孔輸
送層３を６００Å程度、キナクリドンを１ｗｔ％程度ド
ーピングしたＡｌｑからなる発光層４を３００Å程度、
Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦか
らなる電子注入層６を５Å程度、それぞれ順次積層す
る。その後、真空蒸着装置で、Ｉｎメタルを蒸発させて
Ｉｎ層７を成膜し、１０Å程度の厚さ成膜した状態で、
Ｉｎの蒸発を続けながら酸素とＲＦパワーを導入し、プ
ラズマ化した酸素を供給する。その結果、Ｉｎ層７上に
Ｉｎが酸化した酸化インジウムＩｎ2Ｏ3が成膜される。
この酸化インジウムからなる陰極電極９を１５００Å程
度成膜することにより、図１に示される構造の有機ＥＬ
素子が得られる。
２μｍ程度の厚さにＩＴＯ膜が設けられたＩＴＯ付きガ
ラス板１を酸素プラズマ処理して、表面を活性化させ
る。そして、真空蒸着法により、ＮＰＤからなる正孔輸
送層３を６００Å程度、キナクリドンを１ｗｔ％程度ド
ーピングしたＡｌｑからなる発光層４を３００Å程度、
Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦか
らなる電子注入層６を５Å程度、それぞれ順次積層す
る。その後、真空蒸着装置で、Ｉｎメタルを蒸発させて
Ｉｎ層７を成膜し、１０Å程度の厚さ成膜した状態で、
Ｉｎの蒸発を続けながら酸素とＲＦパワーを導入し、プ
ラズマ化した酸素を供給する。その結果、Ｉｎ層７上に
Ｉｎが酸化した酸化インジウムＩｎ2Ｏ3が成膜される。
この酸化インジウムからなる陰極電極９を１５００Å程
度成膜することにより、図１に示される構造の有機ＥＬ
素子が得られる。
【００３１】本発明の有機ＥＬ素子によれば、基板側の
陽極電極はＩＴＯにより、また表面側の陰極電極は酸化
インジウムからなっているため、両面が透明電極からな
り、どちらの面側にも光を取り出すことができる。しか
も有機層を形成した後の第２の電極が、酸化インジウム
により形成されているため、１００℃以下の低温で成膜
することができ、有機層へのダメージを与えることがな
い。その結果、発光効率が高く両面に光を出すことがで
きる有機ＥＬ素子が得られる。
陽極電極はＩＴＯにより、また表面側の陰極電極は酸化
インジウムからなっているため、両面が透明電極からな
り、どちらの面側にも光を取り出すことができる。しか
も有機層を形成した後の第２の電極が、酸化インジウム
により形成されているため、１００℃以下の低温で成膜
することができ、有機層へのダメージを与えることがな
い。その結果、発光効率が高く両面に光を出すことがで
きる有機ＥＬ素子が得られる。
【００３２】また、本発明の製法によれば、有機層７の
成膜は、従来と同様に蒸着法により行われるが、陰極電
極９の形成を、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を供給
することにより行っているため、電子注入層または電子
輸送層６との仕事関数を調整する透明金属層７であるＩ
ｎメタル層の成膜と連続して酸素の供給を追加するだけ
で連続して形成することができる。このＩｎメタル層
は、仕事関数の点から好ましいが、酸化インジウムを成
膜する際の酸素から有機層７を保護する役割も果たし、
同じ材料系で陰極電極９を形成することができるため、
非常に製造工程が簡単になる。
成膜は、従来と同様に蒸着法により行われるが、陰極電
極９の形成を、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を供給
することにより行っているため、電子注入層または電子
輸送層６との仕事関数を調整する透明金属層７であるＩ
ｎメタル層の成膜と連続して酸素の供給を追加するだけ
で連続して形成することができる。このＩｎメタル層
は、仕事関数の点から好ましいが、酸化インジウムを成
膜する際の酸素から有機層７を保護する役割も果たし、
同じ材料系で陰極電極９を形成することができるため、
非常に製造工程が簡単になる。
【００３３】本発明の有機ＥＬ素子は、前述のように、
両面が透明電極により形成されているため、有機ＥＬ素
子の光によるフィードバック回路を設けて、一方からの
光をモニター用として有機ＥＬ素子の発光量が一定にな
るような駆動回路を設けることもできるし、その光によ
り有機ＥＬ素子を駆動する自己保持回路などを形成した
表示装置を構成することもできる。この場合、支持基板
に光を透過しない非透光性基板を用いることにより、外
部からの光を遮断したり、隣接する画素からの光を遮断
する遮光膜などを設けることなく、密集する画素を有す
る表示装置においても、各画素のみでの光フィードバッ
ク回路を構成することができる。とくにシリコン基板な
どの半導体基板を用いることにより、その基板に直接光
をモニターする受光素子やフィードバック回路を形成す
ることができるためとくに好ましい。このような不透明
基板を支持基板として用いても、その反対面が透明電極
により形成されているため、表示面とすることができ
る。
両面が透明電極により形成されているため、有機ＥＬ素
子の光によるフィードバック回路を設けて、一方からの
光をモニター用として有機ＥＬ素子の発光量が一定にな
るような駆動回路を設けることもできるし、その光によ
り有機ＥＬ素子を駆動する自己保持回路などを形成した
表示装置を構成することもできる。この場合、支持基板
に光を透過しない非透光性基板を用いることにより、外
部からの光を遮断したり、隣接する画素からの光を遮断
する遮光膜などを設けることなく、密集する画素を有す
る表示装置においても、各画素のみでの光フィードバッ
ク回路を構成することができる。とくにシリコン基板な
どの半導体基板を用いることにより、その基板に直接光
をモニターする受光素子やフィードバック回路を形成す
ることができるためとくに好ましい。このような不透明
基板を支持基板として用いても、その反対面が透明電極
により形成されているため、表示面とすることができ
る。
【００３４】図２（ａ）は、このような裏面側の光を利
用して自己保持回路を形成した表示装置の概念的な断面
説明図である。すなわち、ｎ形のシリコン基板１１にｐ
形の拡散領域によりベース領域１２が形成され、さらに
ｎ形拡散領域が形成されてエミッタ領域１３が形成され
ることにより、駆動用トランジスタ１５が形成されてい
る。このトランジスタのエミッタ領域１３上に、前述の
有機ＥＬ素子１０が形成され、第１の電極（陽極電極）
２、有機層７、第２の電極（陰極電極）９が順次積層さ
れている。トランジスタ１５のエミッタ１３と第１の電
極２とが電気的に接続されているため、図２（ｂ）に等
価回路図で示されるような、駆動用トランジスタ１５と
有機ＥＬ素子１０とが直列に接続された構造になってい
る。
用して自己保持回路を形成した表示装置の概念的な断面
説明図である。すなわち、ｎ形のシリコン基板１１にｐ
形の拡散領域によりベース領域１２が形成され、さらに
ｎ形拡散領域が形成されてエミッタ領域１３が形成され
ることにより、駆動用トランジスタ１５が形成されてい
る。このトランジスタのエミッタ領域１３上に、前述の
有機ＥＬ素子１０が形成され、第１の電極（陽極電極）
２、有機層７、第２の電極（陰極電極）９が順次積層さ
れている。トランジスタ１５のエミッタ１３と第１の電
極２とが電気的に接続されているため、図２（ｂ）に等
価回路図で示されるような、駆動用トランジスタ１５と
有機ＥＬ素子１０とが直列に接続された構造になってい
る。
【００３５】このベース領域１２に接続して設けられて
いるコントロール電極（ベース電極）１４に駆動用トラ
ンジスタ１５をオンさせる信号が入ることにより、有機
ＥＬ素子１０に電圧が印加され発光する。この駆動用ト
ランジスタ１５は、またホトトランジスタにもなる。そ
のため、図２（ｂ）に示されるように、駆動用トランジ
スタ１５により有機ＥＬ素子１０が一旦発光すると、そ
の光のエネルギーｈνが駆動用トランジスタ１５を駆動
し発光を続ける。そして、コントロール電極１４に駆動
用トランジスタ１５をオフする信号が入力されると有機
ＥＬ素子１０もオフになり、発光しなくなるため、光に
よる駆動もなく非発光を続ける。すなわち、ホトトラン
ジスタ１５の信号により有機ＥＬ素子１０を駆動するよ
うに構成することにより、有機ＥＬ素子１０を発光させ
る場合には、その発光を続けさせ、発光させないときは
非発光を続けさせる保持回路を構成することができる。
いるコントロール電極（ベース電極）１４に駆動用トラ
ンジスタ１５をオンさせる信号が入ることにより、有機
ＥＬ素子１０に電圧が印加され発光する。この駆動用ト
ランジスタ１５は、またホトトランジスタにもなる。そ
のため、図２（ｂ）に示されるように、駆動用トランジ
スタ１５により有機ＥＬ素子１０が一旦発光すると、そ
の光のエネルギーｈνが駆動用トランジスタ１５を駆動
し発光を続ける。そして、コントロール電極１４に駆動
用トランジスタ１５をオフする信号が入力されると有機
ＥＬ素子１０もオフになり、発光しなくなるため、光に
よる駆動もなく非発光を続ける。すなわち、ホトトラン
ジスタ１５の信号により有機ＥＬ素子１０を駆動するよ
うに構成することにより、有機ＥＬ素子１０を発光させ
る場合には、その発光を続けさせ、発光させないときは
非発光を続けさせる保持回路を構成することができる。
【００３６】この例では、シリコン基板に光フィードバ
ック回路を形成する例であったが、シリコン基板に限ら
ず、他の半導体基板、または他の基板に薄膜半導体素子
を形成したり、個別半導体素子をマウントして受光素子
やフィードバック回路を組み込んで形成してもよい。し
かし、前述のように、非透光性の基板、とくに半導体基
板を用いることが、マトリクス状に有機ＥＬ素子を配列
する表示装置では、その集積度を上げて、簡単に形成す
ることができるため好ましい。また、有機ＥＬ素子の電
極は、基板側が陽極電極である必要はなく、前述の材料
関係が保たれれば、基板側に陰極電極が形成されてもよ
い。
ック回路を形成する例であったが、シリコン基板に限ら
ず、他の半導体基板、または他の基板に薄膜半導体素子
を形成したり、個別半導体素子をマウントして受光素子
やフィードバック回路を組み込んで形成してもよい。し
かし、前述のように、非透光性の基板、とくに半導体基
板を用いることが、マトリクス状に有機ＥＬ素子を配列
する表示装置では、その集積度を上げて、簡単に形成す
ることができるため好ましい。また、有機ＥＬ素子の電
極は、基板側が陽極電極である必要はなく、前述の材料
関係が保たれれば、基板側に陰極電極が形成されてもよ
い。
【００３７】このような表示装置によれば、有機ＥＬ素
子の基板側に進む光を利用して、基板に光フィードバッ
クを構成することができ、この有機ＥＬ素子をマトリク
ス状に配列して各画素を構成する表示装置とし、デュー
ティ駆動をする場合でも、一旦信号を与えれば、その信
号の発光または非発光を持続するため、外部信号を印加
するインターバルを長く取ることができる。しかもその
間隔においても、自己保持回路により発光を続けるた
め、つぎの駆動までの時間分を考慮した強い発光をする
必要がなく、低い動作電圧で駆動することができる。す
なわち、たとえば１／１０００のデューティで駆動する
場合、瞬間的に視認する輝度の１０００倍の輝度（明る
さ）で光らせる必要があるが、自己保持回路が形成され
ることにより、瞬間最大輝度を上げなくても所望の視認
輝度が得られる。
子の基板側に進む光を利用して、基板に光フィードバッ
クを構成することができ、この有機ＥＬ素子をマトリク
ス状に配列して各画素を構成する表示装置とし、デュー
ティ駆動をする場合でも、一旦信号を与えれば、その信
号の発光または非発光を持続するため、外部信号を印加
するインターバルを長く取ることができる。しかもその
間隔においても、自己保持回路により発光を続けるた
め、つぎの駆動までの時間分を考慮した強い発光をする
必要がなく、低い動作電圧で駆動することができる。す
なわち、たとえば１／１０００のデューティで駆動する
場合、瞬間的に視認する輝度の１０００倍の輝度（明る
さ）で光らせる必要があるが、自己保持回路が形成され
ることにより、瞬間最大輝度を上げなくても所望の視認
輝度が得られる。
【００３８】その結果、ＥＬ素子の寿命を長くすること
ができると共に、非常に画素数の多い大型の表示装置に
なっても、輝度を落すことなく鮮明な表示をすることが
できる。さらに、アナログ的に入力信号を調整すること
ができ、階調表示をすることもできる。すなわち、保持
回路が設けられていないと、デューティ比１／１２０の
線順次走査が限度で、画素数の多い表示装置では分割し
て別々に駆動回路を形成しなければならないが、本発明
によればこのような制限はない。
ができると共に、非常に画素数の多い大型の表示装置に
なっても、輝度を落すことなく鮮明な表示をすることが
できる。さらに、アナログ的に入力信号を調整すること
ができ、階調表示をすることもできる。すなわち、保持
回路が設けられていないと、デューティ比１／１２０の
線順次走査が限度で、画素数の多い表示装置では分割し
て別々に駆動回路を形成しなければならないが、本発明
によればこのような制限はない。
【００３９】図３に示される例は、光フィードバック回
路を有する他の表示装置の例で、裏面側の光をモニター
用として利用し、製造工程などによりばらつく有機ＥＬ
素子の発光量を一定にする例の回路構成説明図である。
すなわち、図３において、有機ＥＬ素子１０は、その駆
動用ＭＯＳトランジスタ２１を介して駆動電源Ｖccとア
ースとの間に接続され、駆動用トランジスタ２１のゲー
トＧに印加される駆動信号に応じて有機ＥＬ素子を駆動
する電力が制御される構造になっている。
路を有する他の表示装置の例で、裏面側の光をモニター
用として利用し、製造工程などによりばらつく有機ＥＬ
素子の発光量を一定にする例の回路構成説明図である。
すなわち、図３において、有機ＥＬ素子１０は、その駆
動用ＭＯＳトランジスタ２１を介して駆動電源Ｖccとア
ースとの間に接続され、駆動用トランジスタ２１のゲー
トＧに印加される駆動信号に応じて有機ＥＬ素子を駆動
する電力が制御される構造になっている。
【００４０】駆動信号は、入力信号（設定電圧）Ｖsと
受光素子２により検出した発光量とを比較して両者が等
しくするような信号として駆動用ＭＯＳトランジスタ３
１を制御する。すなわち、図３に示されるように、基板
側に設けられる受光素子２２によるモニター光の出力電
流を、スイッチ素子２３を介して取り出せるようにし、
抵抗Ｒにより変換した電圧と、入力信号（設定電圧）Ｖ
sとを比較回路２４により比較し、入力信号Ｖsのレベル
と異なる場合には、同じレベルにするように、比較回路
２４から駆動信号をＭＯＳトランジスタ２１のゲートＧ
に印加する。
受光素子２により検出した発光量とを比較して両者が等
しくするような信号として駆動用ＭＯＳトランジスタ３
１を制御する。すなわち、図３に示されるように、基板
側に設けられる受光素子２２によるモニター光の出力電
流を、スイッチ素子２３を介して取り出せるようにし、
抵抗Ｒにより変換した電圧と、入力信号（設定電圧）Ｖ
sとを比較回路２４により比較し、入力信号Ｖsのレベル
と異なる場合には、同じレベルにするように、比較回路
２４から駆動信号をＭＯＳトランジスタ２１のゲートＧ
に印加する。
【００４１】図３に示される例では、有機ＥＬ素子１０
および受光素子２２などがマトリクス状に配列され、デ
ューティ駆動することができるようにされると共に、そ
の外部信号により駆動される時間に発光量をモニター
し、駆動信号を調整することができるように、スイッチ
素子２３が設けられている。そのため、駆動用ＭＯＳト
ランジスタ２１に印加する駆動信号とモニター用受光素
子２２の出力電流を取り出すスイッチを同時にオン・オ
フする連動のスイッチ素子２３で構成されている。そし
て、制御端子２５によりその画素の選択が制御され、比
較回路２４は、各画素に共通の１個で構成できるように
なっている。なお、図３において、２６は電圧保持用の
コンデンサで、デューティ駆動する場合でも、つぎの駆
動信号までの間電圧を保持し、発光を続けられるように
するものである。
および受光素子２２などがマトリクス状に配列され、デ
ューティ駆動することができるようにされると共に、そ
の外部信号により駆動される時間に発光量をモニター
し、駆動信号を調整することができるように、スイッチ
素子２３が設けられている。そのため、駆動用ＭＯＳト
ランジスタ２１に印加する駆動信号とモニター用受光素
子２２の出力電流を取り出すスイッチを同時にオン・オ
フする連動のスイッチ素子２３で構成されている。そし
て、制御端子２５によりその画素の選択が制御され、比
較回路２４は、各画素に共通の１個で構成できるように
なっている。なお、図３において、２６は電圧保持用の
コンデンサで、デューティ駆動する場合でも、つぎの駆
動信号までの間電圧を保持し、発光を続けられるように
するものである。
【００４２】このような光フィードバック回路を設ける
と、たとえば有機ＥＬ素子などをマトリクス状に配列
し、画素数の多い表示装置を構成する場合に、製造上の
バラツキなどにより各画素で輝度のバラツキが生じて
も、その駆動電圧を調整して全ての画素で同じ輝度にな
るように各画素ごとの輝度を調整することができる。あ
るいは、階調表示をする場合、所望の画素の輝度を大き
くしたり小さくするような場合でも、予め設定した駆動
電圧を入力信号としてその電圧に相当する輝度で光らす
ことができ、階調表示をアナログ的に制御することがで
きる。
と、たとえば有機ＥＬ素子などをマトリクス状に配列
し、画素数の多い表示装置を構成する場合に、製造上の
バラツキなどにより各画素で輝度のバラツキが生じて
も、その駆動電圧を調整して全ての画素で同じ輝度にな
るように各画素ごとの輝度を調整することができる。あ
るいは、階調表示をする場合、所望の画素の輝度を大き
くしたり小さくするような場合でも、予め設定した駆動
電圧を入力信号としてその電圧に相当する輝度で光らす
ことができ、階調表示をアナログ的に制御することがで
きる。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、有機ＥＬ素子の表面電
極側に酸化インジウムを用いているため、有機層にダメ
ージを与えることなく両面の電極を透明電極により形成
することができる。
極側に酸化インジウムを用いているため、有機層にダメ
ージを与えることなく両面の電極を透明電極により形成
することができる。
【００４４】また、本発明の有機ＥＬ素子の製法によれ
ば、酸化インジウム膜を成膜する場合に、Ｉｎメタルを
蒸発させながら酸素を導入して酸化させて成膜するた
め、有機層のバンドギャップとの関係で仕事関数を調整
するＩｎメタルを介在させながら連続的に成膜すること
ができる。そのため、工数がかからず、非常に簡単にＩ
ｎメタル層と酸化インジウム膜を積層することができ
る。さらにＩｎメタルを蒸発させることにより、酸化イ
ンジウムを蒸発させるより、均一に蒸発させることがで
き、安定した酸化膜を形成することができる。
ば、酸化インジウム膜を成膜する場合に、Ｉｎメタルを
蒸発させながら酸素を導入して酸化させて成膜するた
め、有機層のバンドギャップとの関係で仕事関数を調整
するＩｎメタルを介在させながら連続的に成膜すること
ができる。そのため、工数がかからず、非常に簡単にＩ
ｎメタル層と酸化インジウム膜を積層することができ
る。さらにＩｎメタルを蒸発させることにより、酸化イ
ンジウムを蒸発させるより、均一に蒸発させることがで
き、安定した酸化膜を形成することができる。
【００４５】さらに本発明の表示装置によれば、両面が
透明電極により形成された有機ＥＬ素子を用いて光フィ
ードバック回路が形成されているため、自己保持回路や
輝度調整回路を構成することができ、画素数が非常に多
い、大きな表示装置をデューティ駆動することができ、
鮮明な画像を表示することができる。さらに、各画素の
輝度を均一に調整したり、各画素の輝度を変えて階調表
示をしたりすることができ、非常に繊細な画像表示をす
ることができる。
透明電極により形成された有機ＥＬ素子を用いて光フィ
ードバック回路が形成されているため、自己保持回路や
輝度調整回路を構成することができ、画素数が非常に多
い、大きな表示装置をデューティ駆動することができ、
鮮明な画像を表示することができる。さらに、各画素の
輝度を均一に調整したり、各画素の輝度を変えて階調表
示をしたりすることができ、非常に繊細な画像表示をす
ることができる。
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態である断面
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明の表示装置における光フィードバック回
路の一例である自己保持回路の例を示す説明図である。
路の一例である自己保持回路の例を示す説明図である。
【図３】本発明の表示装置における光フィードバック回
路の一例である各画素の発光部の輝度を調整する回路の
例を示す説明図である。
路の一例である各画素の発光部の輝度を調整する回路の
例を示す説明図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の断面説明図である。
１ 基板 ２ 第１の電極 ４ ＥＬ発光層 ７ 有機層 ９ 第２の電極 １０ 有機ＥＬ素子 １５ 駆動用トランジスタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB18 BA06 CA01 CA03 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 EE28 FF09 GG01 GG09 JJ03 JJ06 5F089 AA10 AC07 AC30 CA16 FA03 FA10
Claims (8)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に設けられる光透過性
の第１の電極と、該第１の電極の上に設けられる少なく
ともＥＬ発光層を有する有機層と、該有機層の上に設け
られる光透過性の第２の電極とからなり、少なくとも前
記第２の電極が酸化インジウムからなる有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記第２の電極と前記有機層との間に、
該電極材料の仕事関数と前記有機層の価電子レベルまた
は伝導レベルとの間のギャップを調整する光透過性金属
層が設けられてなる請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記第１の電極が陽極電極として前記基
板上にＩＴＯ膜により形成され、該陽極電極上に前記有
機層が設けられ、該有機層上にインジウム薄膜層を介し
て酸化インジウム膜からなる第２の電極が陰極電極とし
て形成されてなる請求項１または２記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項４】 前記第１の電極が陰極電極として前記基
板上に酸化インジウム膜により形成され、該陰極電極上
にインジウム薄膜を介して前記有機層が設けられ、該有
機層上に仕事関数が５ｅＶ以上の金属薄膜層を介して酸
化インジウム膜からなる第２の電極が陽極電極として形
成されてなる請求項１または２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 非透光性の基板と、該基板上に設けら
れ、光透過性導電膜からなる第１の電極、少なくともＥ
Ｌ発光層を有する有機層、および光透過性導電膜からな
る第２の電極を有する有機ＥＬ素子と、前記基板に設け
られ、前記有機ＥＬ素子からの光を受光する受光素子を
有し、該受光素子の出力により前記有機ＥＬ素子を駆動
する光フィードバック回路とからなる表示装置。 - 【請求項６】 前記基板が半導体基板からなり、該半導
体基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成さ
れ、かつ、前記受光素子および光フィードバック回路が
前記有機ＥＬ素子ごとに前記半導体基板に作り込まれて
なる請求項５記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記光フィードバック回路が、前記有機
ＥＬ素子と直列に接続される駆動用トランジスタを前記
受光素子と兼用して自己保持回路を構成する請求項５、
６または７記載の表示装置。 - 【請求項８】 基板上に第１の電極を形成し、該第１の
電極上に少なくともＥＬ発光層を有する有機層を積層
し、該有機層上に光透過性の金属層を介して光透過性の
第２の電極を形成する有機ＥＬ素子の製法であって、前
記有機層を積層した後、インジウムメタルを蒸発させて
インジウム層を光が透過するように成膜し、ついでイン
ジウムメタルを蒸発させながら酸素を導入して酸化イン
ジウム膜を成膜することにより前記第２の電極を形成す
る有機ＥＬ素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24995499A JP3950594B2 (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24995499A JP3950594B2 (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076882A true JP2001076882A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3950594B2 JP3950594B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=17200666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24995499A Expired - Fee Related JP3950594B2 (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3950594B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004055404A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2004127639A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2005150094A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008193063A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-08-21 | Yyl:Kk | 半導体装置 |
| US7488986B2 (en) | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7592193B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2010506386A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-25 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | 赤外線検出および表示のための方法および装置 |
| US7750552B2 (en) | 2003-12-15 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dual emission active matrix display |
| US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| JP2011108956A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Toppan Forms Co Ltd | 電子表示パネル |
| US8012529B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
| US9508682B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-11-29 | Nec Lighting, Ltd. | Organic EL luminescent device |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
-
1999
- 1999-09-03 JP JP24995499A patent/JP3950594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100961626B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2010-06-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US7488986B2 (en) | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7592193B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2004055404A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2004127639A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| JP4527935B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2010-08-18 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US8012529B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
| JP4656906B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2011-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| US8742660B2 (en) | 2003-10-21 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8643030B2 (en) | 2003-10-21 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2005150094A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8188655B2 (en) | 2003-12-15 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic devices |
| US7750552B2 (en) | 2003-12-15 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dual emission active matrix display |
| US9276048B2 (en) | 2006-09-29 | 2016-03-01 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for infrared detection and display |
| JP2010506386A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-25 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | 赤外線検出および表示のための方法および装置 |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| JP2008193063A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-08-21 | Yyl:Kk | 半導体装置 |
| JP2011108956A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Toppan Forms Co Ltd | 電子表示パネル |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US9508682B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-11-29 | Nec Lighting, Ltd. | Organic EL luminescent device |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3950594B2 (ja) | 2007-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4302901B2 (ja) | 発光体および発光システム | |
| US7227518B2 (en) | Active-driving type organic el display device, and a method of producing the same | |
| US6882105B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| KR101121640B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP3950594B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2001195014A (ja) | 有機ｅｌ素子の駆動装置 | |
| JP2001230086A (ja) | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 | |
| JP3852518B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| US6278417B1 (en) | Method of driving a display device, and a display device | |
| US20070207344A1 (en) | Organic Electroluminescent Device and Display Apparatus Using the Same | |
| JP3300065B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR100573110B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자와, 이를 이용한 평판 표시 장치와,이를 제조하기 위한 방법 | |
| JP3555736B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH0794278A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP2001195012A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| JPH10255974A (ja) | 双方向電界駆動型有機電界発光素子 | |
| JP2005005223A (ja) | 発光素子および表示デバイス | |
| JPH09312196A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2000340359A (ja) | 有機ｅｌ素子の駆動装置および有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20140022683A (ko) | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH11135264A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2018120726A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| JPH02220394A (ja) | 電界発光素子 | |
| KR100705311B1 (ko) | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2003031375A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040317 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060707 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070423 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |