JPH03210611A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH03210611A
JPH03210611A JP2006648A JP664890A JPH03210611A JP H03210611 A JPH03210611 A JP H03210611A JP 2006648 A JP2006648 A JP 2006648A JP 664890 A JP664890 A JP 664890A JP H03210611 A JPH03210611 A JP H03210611A
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JP
Japan
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circuit
voltage
oscillation
output
output voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP2006648A
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English (en)
Inventor
Hideaki Yamamoto
英明 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積回路に係り、特に、外部供給電圧
と異なる電圧をその内部で発生する半導体集積回路に関
する。
【従来の技術】
半導体集積回路において、その内部において例えば不揮
発性メモリ(EPROM)の書込みのため高電圧を必要
とする場合には、外部電源電圧を同一基板上において昇
圧する回路部分(昇圧回路)を内蔵する方式を採用して
いる。 このような昇圧回路を設計する際には、目的とする出力
電圧を正確に出力することが1つの重要な設計目標とな
る。昇圧回路が、目的とする出力電圧より高い電圧を出
力するとなれば、同一基板内のトランジスタ等の各素子
に不具合が生じたり、ラブチアツブが生じたりする等の
深刻な問題を引き起こし、一方、目的とする電圧より低
い電圧を出力するとなれば、所望の回路動作が得られな
いからである。 しかしながら、実際の昇圧回路では、例えばチャージポ
ンプ回路において、製造プロセスの公差白変化によるト
ランジスタの閾値変動等が原因して、出力電圧に高、低
が生じる。 そこで、半導体集積回路に内蔵される昇圧回路には、一
般に、何らかの出力電圧を制御するための手段が備えら
れている。 ここで、一般に使用されている昇圧回路の例を第3図及
び第4図に示す。 第3図の昇圧回路においては、チャージポンプ回路1の
出力電圧Voutは、発振回路2から出力される発振信
号の発振周波数に応じたものになる。 第3図のトランジスタT4は、出力電圧Voutが目的
とする電圧値以上になった場合に動作して、チャ・−ジ
ボンブ回路1の出力を低下させ、出力電圧voutが目
的電圧値以上になることを防ぐ。 しかしながら、この昇圧回路においては、チャージポン
プ回路1において高電圧が発生するノードの電圧fli
までは制御できず、例えばP−Nジャンクション(接合
)のブレークダウン(降伏)やラッチアップ等の間Uが
生じる場合がある。 第4図の昇圧回路においては、発振回路2の出力発振信
号を、インバータI3、トランジスタT6からなる接続
回路JCを介してチャージポンプ回路1に伝達している
。チャージポンプ回路1の出力電圧Voutは、分圧口
1#8を介してコンパレータAの非反転入力端子に入力
されると共に、このコンバータAの反転入力端子には、
基準電圧発生回路9から出力される基準電圧Vrefが
入力されるため、コンパレータA2は出力電圧Vout
と基準電圧Vrefとを比較する。比較の結果、出力電
圧Voutが基*1圧Vrefより大であるならば、η
11記接続回路中JCのインバータI3の出力側に設け
られたトランジスタT5を一時的に導通させてチャージ
ポンプ回路1に入力する発振信号をなくすることにより
、出力電圧Voutが基準電圧■ref以上になること
を防止している。即ち、アナログ信号の出力電圧信号に
基づき発振信号の振幅を制御する、アナログ信号のフィ
ードバックループで出力電圧Voutを制御している。 従って、この第4図の昇圧回路においては、前記第3図
に示した昇圧回路のごときブレークダウン等の問題は4
じない。 しかしながら、この第4図の昇圧回路においては、出力
電圧Voutが目的とする電圧値以上になった場合に、
トランジスタT5が一時的に導通状態になることから、
出力電圧vout及び出力電流I outが一時的に非
常に小さな値となり、出力型FL1:Vout不安化の
要因となってしまうという問題点がある。 ス、第3図、第4図の昇圧回路では、共に、出力電圧V
outが、出力電流I outの増加等により目的とす
る電圧値より低くなった場合、これに対処して出力電圧
voutを一定化させるように制御する手段を備えてい
ないという問題点がある。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来の問題点に鑑みてなされたもので、
昇圧回路の出力電流の変動等に影響されずに出力電圧を
所望の目的電圧に精度良く制御でき、従って、半導体集
積回路の動作を安定化させ得ると共に、昇圧回路内にお
いて不必要にな高電圧が発生することによる不具合を確
実に防止し得る、半導体集積回路を提供することを目的
とする。
【課題を解決するための手段】
本発明は、外部電圧を昇圧して内部回路に供給するため
の昇圧回路を有する半導体集積回路において、デジタル
信号により発振信号の周波数が制御可能な発振回路と、
発振回路の発振信号周波数に応じた電圧を出力するため
のチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路の出力電
圧をアナログ/デジタル変換し、変換したデジタル信号
を前記発振回路にフィードバックして発振信号の周波数
を制御し、出力電圧を目的電圧に制御するためのアナロ
グデジタル回路とからなる昇圧回路を備えたことにより
、前記課題を解決したものである。
【作用】
本発明においては、昇圧回路を有する半導体集積回路に
おいて、第1図に示すように、チャージポンプ回路1の
出力電圧Voutをアナログ/デジタル(A/D>変換
回路3に入力する。該A/D変換回路3は、前記入力さ
れた電圧Voutに対応するデジタル信号を発振回路2
へ出力し、このデジタル信号により発振回路2の発振信
号周波数を制御する。該発信回路2は、制御された発振
周波数の発行信号をチャージポンプ回路1に入力する。 チャージポンプ回路1は、この入力発振信号の周波数に
応じて出力電圧Voutを出力する。 チャージポンプ回路1は、一般に、その出力電1;Vo
utが、入力される発振信号の周波数に依存性があるも
のである0例えばチャージポンプ回路1がMO3半導体
からなる回路の場合、入力電圧Vddに対する出力電圧
voutは、キャパシタのキャパシタンス(静電容量)
C等が影響して次式%式% ) (1) tn L、VtはMOSトランジスタのスレッショルド
電圧、Nは該MOSトランジスタのキャパシタステージ
数、CSはストレートキャパシタンス、fが発振回路2
出力の発振信号の周波数、Vφが該発振信号の振幅であ
る。 (1)式から、出力電圧Voutは、発振周波数fに依
存性があることが明らかであり、従って、この発振周波
数fに出力電圧Voutをフィードバックさせることに
より、出力電流10ut等の変動に対しても当該出力電
圧Voutを目的とする電圧値に制御することが可能に
なる。 ここにおいて、昇圧回路のフィードバックループが、例
えば前出第4図に示した従来の昇圧回路のように、アナ
ログ信号の出力電圧信号に基づき、発振信号を制御する
如くアナログ信号のみで構成するものとなれば、出力電
圧Vout及び出力電流l outが一時的に非常に小
さな値になることから、出力電圧voutをきめ細かく
正確に制御するのは困難である。 これに対して、本発明においては、昇圧回路のフィード
バックループを、デジタル信号により作動する素子を組
入れたデジタル制御を行う構成としたので、例えば後述
する第2図に示す昇圧回路のように、例えば第4図に示
す従来の昇圧回路とあまり変わらない素子数の構成で出
力電流I out等の変動に対応できる回路を実現でき
る。 従って、出力電流I outの変動等により引き起こさ
れる出力電圧Voutの不安定をデジタル制御によりき
め細かく効果的に防止して、出力電圧を目的電圧に精度
良く制御し得るものである。 よって、半導体集積回路の動作の信頼性を向上させ得る
と共に、昇圧回路内部において不必要な高電圧が発生す
ることがなくなるため、ラッチアップ等や同一システム
内素子に生じる不具合を未然に防止できる。 又、A/D変換回路の出力デジタル信号により出力電圧
を所望に制御できるため、半導体集積回路の高機能化に
貢献し、プロセスのばらつきにも対処可能なことから、
歩留向上を図ることができる。
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。 この実施例は、第2図(A>に示すような構成の、半導
体集積路内に設けられる昇圧回路である。 第2図(A)に示すように、この昇圧回路は、MO5半
導体素子を用いたチャージポンプ4と、デジタル信号に
よりその発振周波数が制御可能なリングオシレータから
なる発振回路5と、A/D変換回路6とを有している。 前記チャージポンプ回路4は、トランジスタT1、キャ
パシタC1、インバータ11、I2から構成されている
。 又、前記発振回路5のリングオシレータは、インバータ
I2で構成されると共に、その発振周波数を変えるべく
、トランジスタT2を介して、インバータ■2同士の接
続線間にキャパシタC2が接続されるようになっている
。 前記A/D変換回路6には、基準電圧V refを出力
すると共に、当該基準電圧V refがコントロール信
号81〜S4により可変とされた基準電圧発生回路7と
、この基準電圧vrerを基準にして出力電圧Vout
をデジタル信号に変換して発振回路5へ出力するための
、抵抗R1〜R3、コンパレータA1、デコーダ回II
DIとが僅えられている。なお、基準電圧発生回路7に
は、電源電圧Vddを段階的に分圧するための抵抗R4
〜R9と、その抵抗に分圧させるか否がをコントロール
信号81〜S4に従って制御する制御トランジスタT3
とが備えられる。 なお、発振回路5及びA/D変換回路6間には、A/D
変換回路6出力デジタル信号を発振回路5中のトランジ
スタT2に伝達するための制御線βが設けられている。 前記デコーダ回路DIの構成例を第2図(B)に示す、
第2図(B)のデコーダ回路は、デコーダ入力信号(即
ち、コンパレータA1の出力)のrHJ(又は1)の数
が多い程デコーダD1出力(即ち制御線℃の入力)の「
H」 (又は1)が多く立つもので、AND回路(AN
D1〜AND4)OR回路(OR1〜0R3)から構成
されている。 以下、実施例の作用を説明する。 この実施例に係る昇圧回路においては、第2図(A)に
示すように、まず、A/D変換回路6において、基準電
圧Vrefと出力電圧Voutを比較し、その結果をデ
コーダ回路D1でデジタル信号の形態に変換して、発振
回路5へ出力する。 この場合、基準電圧Vrefが抵抗R3で段階的に分圧
されており、各コンパレータA1には、接地や端に近い
側から遠い側へ向かって順次段階的に高くなる電圧が印
加される。従って、出力電圧の高、低により、オンする
コンパレータA1の数が変わる。 各ビットのH(ハイ)、L(oつ)で出力電圧を表わす
デコーダ回路D1においては、このコンパレータA1の
オン、オフに応じて、出力電圧を目的電圧に制御するよ
うに、各ビットのrH,、「L」が形成されたデジタル
信号を、各信号!!βを介して発振回路5へ出力する8
発振回路5は、この制御信号によりトランジスタT2を
オンさせ、目標周波数に応じた個数のキャパシタC2を
リングオシレータに接続して、発振周波数を制御する。 デコーダ回路D1においては、例えば第2図(B)の回
路に示すように、昇圧回路出力が低出力から高出力にな
るにつれて、a、b、c、dのデコーダ入力信号は、順
次、d−c、d−b、c、d −a 、 b 、、 C
、dがrH,となる、デコーダ回路D1からは、この入
力信号のa、b、c、dに応じ、a −b −r:、 
−d +b −c−dをORIから、a −b −C−
d +b −C−d +C−dをOR2から、a −b
 −c −d +b −c −d +c −d +dを
OR3から出力する0例えばデコーダ入力信号dがrH
」ならOR3の出力がrH,となり、他のOR1、OR
2出力は「L」となる。 ここで、A/D変換回路6の出力するデジタル信号のう
ち、rH,のビット数を8とすれば、出力電圧vout
とこのビット数Bとは正比例関係があるとされている。 又、発振回路5において、前記ビット数Bが増大するに
つれてそのリングオシレータの発振周波数fは減少し、
逆に、前記ビット数Bが減少するにつれて発振周波数f
は増大する。前出(1)式から明らかなように、発振周
波数fが減少するにつれて出力電圧voutも減少し、
逆に発振周波数fが増大するにつれて出力電圧vout
も増大する。即ち、チャージポンプ4の出力電圧Vou
tには負のフィードバックがかかっており、出力を流I
outの変動等の外的影響による電圧変動に対して、一
定の電圧に集束する特性を有している。 本実施例の昇圧回路は、前記集束する電圧を、基準電圧
発生回路7から出力する基準電圧V refにより決定
できるものであり、この基準電圧Vrefはコントロー
ル信号S1、S2、S3、S4により変化させ得るもの
である。即ち、コントロール信号81〜S4で出力電圧
voutを制御できる。 このため、例えば、ある時点でコントロール信号S1が
オン、池のコントロール信号82〜S4がオフであると
して、基準電圧vrerを低く設定し直すことを所望す
る場合には、コントロール信号82〜S4のうちの1個
あるいは複数個の信号をオンにすることにより、設定を
変更できる。この設定変更により、所望の目的電圧に出
力電圧Voutを収束できる。 なお、前記実施例においては、第2図に示すような各ブ
ロック内の具体的回路の昇圧回路を例示したが、本発明
に係る昇圧回路は各ブロック内がこのような回#を構成
のものに限定されるものではない0例えば基2I!電圧
発生回路7に、その出力する基準電圧Vrefが可変で
なく、単一の電圧のものを用いることができる。 又、前記実施例においては、第2図(B)に示すような
デコーダ回路を用いていたが、本発明を実施する際に用
いるデコーダ回路は図のものに限定されず、他のものを
必要に応じて用いることができる6例えば、デコーダ回
路入力と出力とが同数のものであれば、その論理回路を
省略することができる。
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、出力電流の変動等
により引き起こされる出力電圧の不安定さを効果的に防
止して、出力電圧を精度良く目的電圧にすることができ
る。従って、半導体集積回路の動作の信頼性を向上させ
、又、昇圧回路内部において不必要な高電圧を発生させ
ないため、ラッチアップ等による同一チップ内素子の不
具合を効果的に防止し得るという優れた効果が得られる
。 又、A/D変換回路内の基準電圧を例えば第2図の回路
のように制御可能にすれば、出力電圧の設定変更は容易
に可能となり、ひいては、半導体集積回路の高機能化に
貢献できると共に、プロセスのばらつきにも対処可能に
なることから、歩留り低下を改善することができる。 即ち、本発明は、半導体集積回路において高い信頼性、
高機能化、プロセス工程の複雑化が一般に押し進められ
つつある現状から鑑みて、時代の要求に対応した有効な
手段を提供し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る昇圧回路の構成を示すブロック
図、 第2図(A)は、本発明の実施例に係る昇圧回路の構成
を示す回路図、 第2図(B)は、前記実施例の昇圧回路のデコーダ回路
の構成例を示す回路図、 第3図は、従来の昇圧回路の構成例を示す回路図、 第4図は、同じく回路図である。 1.4・・・チャージポンプ回路、 2.5・・・発振回路、  3.6・・・A/D変換回
路、7・・・基準電圧発生回路、 T1〜T3・・・nチャネル型MO3)ランジスタ、0
1〜C2・・・キャパシタ、 Dl・・・デコーダ回路、 II〜I3・・・インバータ、 A1・・・コンパレータ、 R1へR9・・・抵抗、 Vout・・・出力電圧、   Iout・・・出力電
流、Vdd・・・電源電圧、   vret・・・基準
電圧。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部電圧を昇圧して内部回路に供給するための昇
    圧回路を有する半導体集積回路において、デジタル信号
    により発振信号の周波数が制御可能な発振回路と、 前記発振信号の周波数に応じた電圧を出力するためのチ
    ャージポンプ回路と、 チャージポンプ回路の出力電圧をアナログ/デジタル変
    換し、変換したデジタル信号を前記発振回路にフィード
    バックして発振信号の周波数を制御し、出力電圧を目的
    電圧に制御するためのアナログ/デジタル回路とからな
    る昇圧回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
JP2006648A 1990-01-16 1990-01-16 半導体集積回路 Pending JPH03210611A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008527972A (ja) * 2005-02-10 2008-07-24 ヴィシェイ−シリコニックス 補償回路及び方法
US8222874B2 (en) 2007-06-26 2012-07-17 Vishay-Siliconix Current mode boost converter using slope compensation

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