JPH03208499A - 動電型トランスデューサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は可動コイル型の電磁トランスデューサに関す
る。

〔従来技術〕

そのようなトランスデューサは電話機に使用され、その
要求知れる重要な特徴は次のようなものである。

＊良好な音響感度 車外部磁界に対する非常に低い感度 ＊前面カバーと端子の間の電界に対する高い電気絶縁性 ＊低い価格 しかしながら、可動コイル型の既知のトランスデューサ
およびマイクロホンにおける主要な問題はそれらが外部
交流磁界に対して敏感過ぎることである。

この形式のトランスデューサは米国特許４．４１８．２
４７号明細書に記載されており、ｌＶ／ＰＡに対してＳ
−−５３ｄＢの音響的ＳＦＥＲＴ重み付けされた感度を
有する。このトランスデューサは市販の平均的可動コイ
ルトランスデューサよりも優れた外部交流磁界に対する
不感応性を有する。

外部交流磁界Ｐに対する感度は１０−’Ｔ程度であり、
５　０　Ｈ　ｚ乃至４ｋＨｚＫ周波数領域において次の
ようなものである。

Ｐ　＜　Ｓ　−　３５ｄＢ−−５：１１−　３５ｄＢ−
　−　８８ｄＢ［発明の解決しようとする課題］ この発明の主要な目的は、この減衰特性を改善すること
である。

従来の電話機の別の問題は、電話機中に組込まれたマイ
クロホンが静電気に対して敏感過ぎることである。電話
機のマイクロホン端部に充分な空間が存在しないため、
および所望の音響感度により電話機のマイクロホン端部
の外側から電話機の前面間での距離は通常非常に小さい
。国によっては電話機は電話機のマイクロホン端部の外
側と電話機の端子との間で１５ｋＶの試験電圧に耐えら
れなければならない。これはトランスデューサがその前
面とその端子との間で１２ｋＶの絶縁電圧を示さなけれ
ばならないことを意味する。

［課題を解決するための手段］ この発明は、動電型トランスデューサにおいて磁石装置
と容器の前面カバーとの間に配置された挿入体を具備し
ていることを特徴とする。このトランスデ二−サは上述
のＳ値に等しい音響感度で基本的に設計されるが、その
外部交流磁異に対する感度Ｐは−１０８ｄＢであり、そ
れは従来のトランスデューサに比較して２０ｄＢ低い。

従来のトランスデューサに比較してこの発明のトランス
デューサのさらに次のような特徴を有している。

＊磁気遮蔽が改善される。

＊音響入口インピーダンスを与える。

本鋭敏なダイアフラムを機械的に保護する。

本組立てられた磁石装置を維持する。

本前面カバーから端子までの電気絶縁破壊電圧を増加さ
せる。

上述の、およびその他のこの発明の目的および特徴は添
付図面を参照にした以下の実施例の詳細な説明により明
白になるであろう。

Ｃ実施例］ 第１図にはこの発明の１実施例の動電型トランスデュー
サが示されており、それは磁石装置１．　２３、可動コ
イル４およびダイアフラム５を具備し、それらは前面カ
バー７と背部カバー８とで構成される保護容器内に収容
されている。磁石装置は磁石ｌと、外側磁極シュー２と
、内側磁極シュー３とで構成されている。挿入体６は磁
石装置と前面カバー７との間に配置され、トランスデュ
ーサの特性を改善している。ダイアフラム５は支持リン
グ９を備え、この支持リング９には２個の端子ｌＯが支
持されている。

外側磁極シュー２は所定の簡単な幾何学的形状であり、
庫価にするために小型である。コイルの磁気遮蔽を改善
するために、外側磁極シュー２の外側縁部１１は挿入体
６とダイアフラム５との設計で許容される範囲で上方に
延び出ている。これは挿入体Ｂの中間部分を前面カバー
の方向に向かって開いた漏斗状に形成し、ダイアフラム
４の中間部分および外側磁極シュー２の外側部分すなわ
ち縁部１１を対応して形状にすることによって可能とな
る。外側磁極シュー２の縁部１１はまたコイルが鉄部材
により遮蔽されることを確実にする他の形状にすること
もできる。

前面カバー７は背部カバー８を外側磁極シュー２の下側
に対して押付けるので図示のように挿入体６は前面カバ
ー７およびダイアフラム５に対して磁石装置の軸方向位
置を固定する。これはこの挿入体６の特徴の一つである
。従来外側磁極シューにはしばしば棒体または突出部が
設けられており、トランスデューサ内で正確な位置に組
立てられた磁石装置を保持する。そのような棒体または
突出部は以下明らかにされるようにもはや必要無く、前
面カバー７の直径は可能な限り小さく維持され、それに
より遮蔽効果が最大にされる。

外部磁界に対する保護を行うために、前面カバー７は鉄
等の金属で作られる。前面カバー７は鉄の導電性により
生じる逆起磁力および鉄の磁気特性により生じる可動コ
イル４をバイパスする磁気分路によって磁界を減衰させ
る。

充分な減衰を得るために前面カバー７の材料は多少厚く
なければならず、０．５乃至１．０園園の厚さである。

したがってもはやこの前面カバー７にスロットを形成し
て所望の音響入口インピーダンスを得ることはできない
。しかしながら挿入体６の上面に溝ｌ３を形或し、前面
カバー７の内面によってその溝の上部開口を閉じること
によって所望のスロットが得られる。溝ｌ３は直径０．
１乃至０．３　ａｌｌ、長さ０．１乃至０．４−の円形
孔に対応する断面を有することが好ましい。それ故この
神人体６の第２の特徴は前面カバー７自体に所望のスロ
ットを設ける必要がなく、その代りに簡単な大きなスロ
ットまたは穴１Ｂを設けることができることである。

スロットまたは穴ｌ８の数および方向は溝１３の数と対
応し、挿入体６中の穴ｌ７の数（通常３乃至８個・が好
ましい）に対応させることができるが、必ずしもその必
要はない。

挿入体６は多数の穴ｌ７を設けられ、それらは前面カバ
ー７中のスロットまたは穴ｌ８とは変位している。これ
はこの発明の挿入体６の第３の特徴である。前面カバー
７が大きな穴１８を設けられたとき、もしも挿入体６の
穴ｌ７が前面カバー７の穴から変位していないならばペ
ン先やヘアピンのような鋭い物体によって敏感なダイア
フラム５が破損される危険がある。挿入体Ｂの穴！７と
前面カバー７の穴ｌ８は満１３によって連結され、音響
波に対する迷路を与えている。

この発明の挿入体６の第４の特徴は、電話機に衝撃によ
って大きな加速度が加えられたとき、磁石ｌに磁極シュ
ー２，３が接着されていなくてもそれらが分解すること
が阻止されることである。従来の他のトランスデューサ
にはリベットまたはモールドを使用したものもあるが、
これらの方法は磁石に孔を必要としそのため大型となり
価格が増加し、そのためトランスデューサの他の部品も
大型になるため高価になる。

電話用のトランスデューサは８００Ｈｚより低い周波数
に対して敏感でないことが一般に要求される。

例えばヨーロッパ特許８１７８０号明細書（　Ｋ．Ｂ．
Ｈａｎｓｅｎ）ではダイアフラムに穴またはスロットの
よそな開口を形成することによって音響感度を減少させ
ている。しかしながら、そのような開口はそＣ開口を通
って前面カバーの前方から鉄部品、シｔ；がって端子ま
での距離が短くなり、結果的に絶細破壊電圧が低くなる
欠点がある。挿入体６は軸力向の円筒部分２０を設けら
れており、それはダイアフラム５の軸方向の孔ｌ４を貫
通して内側磁極シュー３と接触している。それ故この発
明の第５の伯徴は前面カバーと鉄部品との間の絶縁破壊
に対する距離が増加されることである。絶縁破壊はこの
場合には前面カバーから挿入体６の穴ｌ７を通ってダイ
アフラム５に沿い、ダイアフラム５の孔１４を通って鉄
部品に達する経路で生じる。神入体６の軸方向円筒部分
２０とダイアフラム５の孔ｌ４との間のギャップは０．
１乃至０．３麿一の広さで３．０乃至９０層ａの長さで
ある。

トランスデューサの大きさが制限され（価格のため）、
磁気遮蔽により前面カバー７が可動コイル４にできるだ
け近くその円筒部分をしなければならないので、ダイア
フラムの下の容積部分と背面の容積部分との間の音響イ
ンピーダンスを形成するために利用できる空間は非常に
限定される。

この音響結合は種々のトランスデューサ構造で知られて
おり、大抵は１以上の孔を覆う繊維部材の形態であり、
或イハ米国特許４．４１Ｌ２４７号明ｍｆ！ｆに記載さ
れているように多数の方形の孔に対応する数の多数の円
形ビンを挿入して形成される。それらはいずれも理想的
なものではなく、この発明のトランスデ二−サの構成に
よって置換されるべきものである。ダイアフラムリング
９の内部部分ｌ９は外側磁極シュー２によく適合するよ
うに弾性的に作られ、多数の小さな満１２を設けられて
２つの容積部分１５．　１６間に所望の音響インピーダ
ンスを形成する。所望の数および断面積の満１２はリン
グ９をモールドするとき容易に形成することができる。

挿入体６はボリアミド或いはＡＢＳのような非磁性で電
気絶縁性を有する材料で作られ、半径方向で前面カバー
７の内側と機械的に接触する。

このトランスデューサの端子配置はまた特徴があり、０
．５　Ｘ２．８　Ｘ　　７．０麿一の標準端子を使用し
、背部カバー８の下縁により制限され、保護された非常
に小さな空間内の標やプッシュ接続を使用している。ダ
イアフラムリング９に固定された端子ｌＯは背部カバー
８を通り抜けて延び出ている。図示のように端子ＩＯが
可動コイル４と接続され、前面カバー７が背部カバー８
と結合されると、端子ｌＯの端部は曲げられ、背部カバ
ー８の下縁で保護される。

上記のこの発明の実施例の詳細な説明は単なる例示に過
ぎないものであって、この発明の技術的範囲を限定する
ものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の１実施例のトランスデューサの断面
図である。 第２図は第１図のトランスデューサに使用されている挿
入体の上面図である。 ｌ・・・磁石、２．３・・・磁極シュー、４・・・可動
コイル、 ５ ・・・ダイアフラム、 ６ ・・・挿入体、 ７ ・・・前面力 バー、８・・・背部カバー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）保護容器中に収容された可動コイルと、ダイアフ
   ラムと、磁石装置とを具備している動電型トランスデュ
   ーサにおいて、 磁石装置と容器の前面カバーとの間に配置された挿入体
   を具備していることを特徴とする動電型トランスデュー
   サ。 （２）挿入体が前面カバーの内側と内側磁極シューとの
   間において軸方向に対してクランプされていることを特
   徴とする請求項１記載のトランスデューサ。 （３）挿入体が、ダイアフラム中の孔を通って磁石装置
   と接触する同軸に配置された円筒部分を具備しているこ
   とを特徴とする請求項１記載のトランスデューサ。 （４）挿入体の同軸部分とダイアフラムの孔との間の円
   筒状ギャップが幅が０．１乃至０．３ｍｍで長さが３．
   ０乃至９．０ｍｍ程度であることを特徴とする請求項３
   記載のトランスデューサ。 （５）挿入体は前面カバーの内側と半径方向で機械的に
   接触していることを特徴とする請求項１または２記載の
   トランスデューサ。 （６）挿入体が多数の穴を具備し、それらの穴は前面カ
   バーのスロットまたは穴に対して変位されていることを
   特徴とする請求項１記載のトランスデューサ。 （７）挿入体中の穴および前面カバー中のスロットまた
   は穴が実質上放射方向に配置された孔によって相互に接
   続されていることを特徴とする請求項６記載のトランス
   デューサ。（８）孔が挿入体の上面の溝によって形成さ
   れ、その溝の上部開口が前面カバーの内面によって閉じ
   られていることを特徴とする請求項７記載のトランスデ
   ューサ。 （９）孔は、直径が０．１乃至０．３ｍｍで長さが０．
   １乃至０．４ｍｍの円形孔に対応する断面を有し、孔の
   数は３乃至８であることを特徴とする請求項７または８
   記載のトランスデューサ。 （１０）前面カバー中におけるスロットまたは穴は挿入
   体中の穴よりも小さい直径で配置されていることを特徴
   とする請求項６記載のトランスデューサ。 （１１）挿入体の中間部分は前面カバーの方向に向かっ
   て開いた漏斗状であり、ダイアフラムの中間部分および
   外側磁極シューの対応した外側部分または縁部が対応し
   た形状を有していることを特徴とする請求項１記載のト
   ランスデューサ。 （１２）挿入体はポリアミドまたはＡＢＳのような非磁
   性で電気絶縁性を有する材料で構成されていることを特
   徴とする請求項１記載のトランスデューサ。 （１３）前面カバーと磁石装置との間に挿入体により予
   め定められた組み立て圧力を規定するために、前面カバ
   ーは鉄等の金属で形成され、０．５乃至１．０ｍｍ程度
   の厚さを有していることを特徴とする請求項１記載のト
   ランスデューサ。