JPH03206614A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03206614A JPH03206614A JP227490A JP227490A JPH03206614A JP H03206614 A JPH03206614 A JP H03206614A JP 227490 A JP227490 A JP 227490A JP 227490 A JP227490 A JP 227490A JP H03206614 A JPH03206614 A JP H03206614A
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- contaminants
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Links
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、半導体製造装置に関するもので、特に、基
板表面をスパッタエッチングにより清浄化する装置に関
するものである。
板表面をスパッタエッチングにより清浄化する装置に関
するものである。
［従来の技術１
半導体装置の電極配線として主に用いられるＡ４系合金
やタングステンシリサイド（ＷＳ ｌ ｘ ） ＋モリ
ブデンシリサイド（ＭｏＳｉｚ）などの高融点金属合金
の薄膜は、主としてスパッタリング法により形成されて
いる。上記薄膜をスパッタリング法により基板上に形成
する場合、基板下地表面が自然酸化膜や汚染物により被
われていると、形成された膜と下地との密着性が悪く剥
がれが生じたり、電気抵抗が増大する等の障害が発生す
る。このため、スパッタリングによる薄膜形成の前に、
Ａｒイオンの衝撃によるスパッタエッチングによる基板
下地表面の清浄化は、非常に重要な技術となっている。
やタングステンシリサイド（ＷＳ ｌ ｘ ） ＋モリ
ブデンシリサイド（ＭｏＳｉｚ）などの高融点金属合金
の薄膜は、主としてスパッタリング法により形成されて
いる。上記薄膜をスパッタリング法により基板上に形成
する場合、基板下地表面が自然酸化膜や汚染物により被
われていると、形成された膜と下地との密着性が悪く剥
がれが生じたり、電気抵抗が増大する等の障害が発生す
る。このため、スパッタリングによる薄膜形成の前に、
Ａｒイオンの衝撃によるスパッタエッチングによる基板
下地表面の清浄化は、非常に重要な技術となっている。
第２図は従来のスパッタエッチング室の模式図である。
この図において、１はエッチング電極、２はこのエッチ
ング電極１上に支持された基板である。エッチング電極
１と向い合わせに対向電極３が設けられており、エッチ
ング電極１と対向電極３間に高周波電源４により高周波
電圧が印加される。スパッタエッチング室内に数ｍＴｏ
ｒｒのＡｒガスを導入し、高周波電源４により整合器８
を介して、両電極１，３間に高周波電圧が印加さされる
と、プラズマ放電５が発生する。このプラズマ放電５中
のＡｒ＋イオン６の衝撃により、基板２上の汚染物７は
除去される。
ング電極１上に支持された基板である。エッチング電極
１と向い合わせに対向電極３が設けられており、エッチ
ング電極１と対向電極３間に高周波電源４により高周波
電圧が印加される。スパッタエッチング室内に数ｍＴｏ
ｒｒのＡｒガスを導入し、高周波電源４により整合器８
を介して、両電極１，３間に高周波電圧が印加さされる
と、プラズマ放電５が発生する。このプラズマ放電５中
のＡｒ＋イオン６の衝撃により、基板２上の汚染物７は
除去される。
上記のようなスパッタエッチング室でスパッタエッチン
グされ、基板２より除去された汚染物７は、第３図に示
すように、対向電極３に付着し皮膜９となる。
グされ、基板２より除去された汚染物７は、第３図に示
すように、対向電極３に付着し皮膜９となる。
〔発明が解決しようとする課題１
上記のように従来の半導体製造装置によるスパッタエッ
チングで基板表面の洗浄化を行うと、基板２より除去さ
れた汚染物７が対向電極３に付着し被膜９となるが、こ
の被膜９と対向電極３との密着性は弱く、極めて剥がれ
易い。したがって、剥がれ落ちた被膜９は基板２上に異
物１０として再付着する。スパッタエッチング直後にス
パッタリング法により所望の薄膜が形成されるため、基
板２上に付着した異物１０は、金属薄膜に埋め込まれ、
除去不可能となる。このような異物１０は半導体装置の
歩留りを大幅に低下せしめる要因となる。
チングで基板表面の洗浄化を行うと、基板２より除去さ
れた汚染物７が対向電極３に付着し被膜９となるが、こ
の被膜９と対向電極３との密着性は弱く、極めて剥がれ
易い。したがって、剥がれ落ちた被膜９は基板２上に異
物１０として再付着する。スパッタエッチング直後にス
パッタリング法により所望の薄膜が形成されるため、基
板２上に付着した異物１０は、金属薄膜に埋め込まれ、
除去不可能となる。このような異物１０は半導体装置の
歩留りを大幅に低下せしめる要因となる。
この発明は、上記のような従来の問題点を除去するため
になされたもので、異物発生の極めて少ないスパッタエ
ッチング電極を有する半導体製造装置を提供することを
目的とする。
になされたもので、異物発生の極めて少ないスパッタエ
ッチング電極を有する半導体製造装置を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体製造装置は、基板を支持するエッ
チング電極と、このエッチング電極に対向した対向電極
と、この対向電極を加熱するための加熱ヒータとを備え
たものである。
チング電極と、このエッチング電極に対向した対向電極
と、この対向電極を加熱するための加熱ヒータとを備え
たものである。
［作用］
この発明においては、スパッタエッチングにより基板よ
り除去された汚染物は、加熱された対向電極に付着し被
膜を形成する。加熱された対向電極上に付着した汚染物
の分子は、電極表面を十分マイグレートし、安定な位置
におさまるため、対向電極に形成される被膜と電極との
密着性が強固なものとなり、剥がれにくくなる。
り除去された汚染物は、加熱された対向電極に付着し被
膜を形成する。加熱された対向電極上に付着した汚染物
の分子は、電極表面を十分マイグレートし、安定な位置
におさまるため、対向電極に形成される被膜と電極との
密着性が強固なものとなり、剥がれにくくなる。
［実施例１
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明によるスパッタエッチング室の概略図
である。第１図において、第２図と同一符号は同一構成
部分を示し、１１は前記対向電極３の裏面側に設置され
た加熱ヒータで、対向電極３を所定温度に加熱する。対
向電極３の温度は、クロメールアルメル熱電対１２によ
りモニタされ、一定の温度に調節される。
である。第１図において、第２図と同一符号は同一構成
部分を示し、１１は前記対向電極３の裏面側に設置され
た加熱ヒータで、対向電極３を所定温度に加熱する。対
向電極３の温度は、クロメールアルメル熱電対１２によ
りモニタされ、一定の温度に調節される。
スパッタエッチング室内に数ｍＴｏｒｒのＡｒガスを導
入し、高周波電源４により整合器８を介して両電極１，
３間に高周波電圧を印加すると、プラズマ放電５が発生
する。プラズマ放電５中のＡ ｒ ”イオン６の基板２
への衝突により基板２上の汚染物７が叩き出される。叩
き出された汚染物７は対向電極３に付着する。対向電極
３は、加熱ヒータ１１により加熱されているため、付着
した汚染物７は対向電極３上を充分に動きまわり、安定
な位置で凝着し被膜９を形成する。
入し、高周波電源４により整合器８を介して両電極１，
３間に高周波電圧を印加すると、プラズマ放電５が発生
する。プラズマ放電５中のＡ ｒ ”イオン６の基板２
への衝突により基板２上の汚染物７が叩き出される。叩
き出された汚染物７は対向電極３に付着する。対向電極
３は、加熱ヒータ１１により加熱されているため、付着
した汚染物７は対向電極３上を充分に動きまわり、安定
な位置で凝着し被膜９を形成する。
上記のような過程で形成される被膜９と対向電極３の密
着性は極めて高く、従来のように剥がれ落ちて基板２上
に異物として付着することはなくなる。
着性は極めて高く、従来のように剥がれ落ちて基板２上
に異物として付着することはなくなる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、基板を支持するエッ
チング電極と、このエッチング電極に対向した対向電極
と、この対向電極を加熱するための加熱ヒータとを備え
たので、対向電極に付着した被膜の剥離がおさえられる
ため、スパッタエッチング室の低発塵化を計ることがで
きる。
チング電極と、このエッチング電極に対向した対向電極
と、この対向電極を加熱するための加熱ヒータとを備え
たので、対向電極に付着した被膜の剥離がおさえられる
ため、スパッタエッチング室の低発塵化を計ることがで
きる。
このため、異物付着による半導体装置のパターン欠陥等
を低減させることが可能となり、半導体装置の高信頼度
をはかることができる。
を低減させることが可能となり、半導体装置の高信頼度
をはかることができる。
第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
略図、第２図は従来の半導体製造装置の概略図、第３図
は、第２図の電極間の拡大図である。 図において、１はエッチング電極、２は基板、３は対向
電極、４は高周波電源、５はプラズマ放電、６はＡｒ”
イオン、７は汚染物、８は整合器、９は被膜、１１は加
熱ヒータ、１２はクロメ一ルアルメル熱電対である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
略図、第２図は従来の半導体製造装置の概略図、第３図
は、第２図の電極間の拡大図である。 図において、１はエッチング電極、２は基板、３は対向
電極、４は高周波電源、５はプラズマ放電、６はＡｒ”
イオン、７は汚染物、８は整合器、９は被膜、１１は加
熱ヒータ、１２はクロメ一ルアルメル熱電対である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板を支持するエッチング電極と、このエッチング電
極に対向して配置された対向電極間に高周波電圧を印加
し、前記両電極間にプラズマ放電を発生させて前記基板
表面を清浄化した後、スパッタリング法により前記基板
上に金属薄膜を形成するスパッタエッチング装置におい
て、前記対向電極を所定温度に加熱するための加熱ヒー
タを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP227490A JPH03206614A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP227490A JPH03206614A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206614A true JPH03206614A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11524788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP227490A Pending JPH03206614A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206614A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021515095A (ja) * | 2018-02-19 | 2021-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 厚膜内の結晶化の開始を停めるためのスパッタエッチングを使用したｐｖｄ二酸化チタン形成 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP227490A patent/JPH03206614A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021515095A (ja) * | 2018-02-19 | 2021-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 厚膜内の結晶化の開始を停めるためのスパッタエッチングを使用したｐｖｄ二酸化チタン形成 |
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