JPH03205384A - 多孔質炭素材料の製造方法 - Google Patents
多孔質炭素材料の製造方法Info
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- JPH03205384A JPH03205384A JP1343038A JP34303889A JPH03205384A JP H03205384 A JPH03205384 A JP H03205384A JP 1343038 A JP1343038 A JP 1343038A JP 34303889 A JP34303889 A JP 34303889A JP H03205384 A JPH03205384 A JP H03205384A
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Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軽量構造材、断熱材等に好適な多孔質炭素材
料の製造方法に関する。
料の製造方法に関する。
フェノール樹脂又はフェノール樹脂を含む組或物を発泡
させて得られたフェノール樹脂発泡体を炭化して多孔質
炭素材料を製造することは、特開昭６０−７１， ５０
８号公報、特開平１−１９７， ３７６号公報あるいは
ＵＳＰ ３， １２１， ０５０号公報等で知られてい
る。
させて得られたフェノール樹脂発泡体を炭化して多孔質
炭素材料を製造することは、特開昭６０−７１， ５０
８号公報、特開平１−１９７， ３７６号公報あるいは
ＵＳＰ ３， １２１， ０５０号公報等で知られてい
る。
これらの方法では炭化を電気炉等の加熱炉でｌ，０００
℃あるいは２，０００°Ｃ以上に加熱することによって
行っている。
℃あるいは２，０００°Ｃ以上に加熱することによって
行っている。
しかしながら、発泡体を加熱して炭化する際、その断熱
特性のゆえに内部と外部の間に大きな温度差が生じ、昇
温時あるいは炭化時に割れが発生しやすいという問題が
あった。
特性のゆえに内部と外部の間に大きな温度差が生じ、昇
温時あるいは炭化時に割れが発生しやすいという問題が
あった。
本発明は、製造時に割れ等の発生が少ない多孔質炭素材
料の製造方法を提供することを目的とする。
料の製造方法を提供することを目的とする。
本発明はフェノール樹脂発泡体をマイクロ波又は高周波
を用いて加熱して部分的に炭化させたのち、従来の加熱
炉で炭化を完了させる多孔質炭素材料の製造方法である
。
を用いて加熱して部分的に炭化させたのち、従来の加熱
炉で炭化を完了させる多孔質炭素材料の製造方法である
。
フェノール樹脂発泡体は、フェノール樹脂にフロン、メ
チレンクロライド、水等の発泡剤を加えて発泡、硬化さ
せることにより得られるものであり、フェノール樹脂は
フェノール類、例えばフェノール、クレゾール、キシレ
ノール、Ｉノゾルシノールあるいはこれらの混合物とホ
ルマリンを縮合させて得られるものであればよく、レゾ
ール型、ノボラック型いずれでもよいが、レゾール型が
好ましい。フェノール樹脂発泡体はフェノール樹脂のみ
からなるものであってもよいことはもちろんであるが、
他の樹脂、例えばフラン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニ
ルアルコール等を配合したものであっても、繊維あるい
は粉末等のフィラーを配合したものであってもよい。
チレンクロライド、水等の発泡剤を加えて発泡、硬化さ
せることにより得られるものであり、フェノール樹脂は
フェノール類、例えばフェノール、クレゾール、キシレ
ノール、Ｉノゾルシノールあるいはこれらの混合物とホ
ルマリンを縮合させて得られるものであればよく、レゾ
ール型、ノボラック型いずれでもよいが、レゾール型が
好ましい。フェノール樹脂発泡体はフェノール樹脂のみ
からなるものであってもよいことはもちろんであるが、
他の樹脂、例えばフラン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニ
ルアルコール等を配合したものであっても、繊維あるい
は粉末等のフィラーを配合したものであってもよい。
フェノール樹脂発泡体は必要により所定の形状に成形あ
るいは加工されて、炭化される。本発明においては最初
に生ずる炭化をマイクロ波又は高周波を用いて行う。炭
化は通常４００℃前後から生ずるので、その温度付近の
加熱をマイクロ波又は高周波を用いて行う。常温から炭
化温度の４００℃以上までの加熱をマイクロ波又は高周
波を用いて行ってもよいが、炭化が生ずる前の３００℃
前後までの加熱は通常の加熱炉を使用し、それ以降マイ
クロ波又は高周波を用いて加熱してもよい。
るいは加工されて、炭化される。本発明においては最初
に生ずる炭化をマイクロ波又は高周波を用いて行う。炭
化は通常４００℃前後から生ずるので、その温度付近の
加熱をマイクロ波又は高周波を用いて行う。常温から炭
化温度の４００℃以上までの加熱をマイクロ波又は高周
波を用いて行ってもよいが、炭化が生ずる前の３００℃
前後までの加熱は通常の加熱炉を使用し、それ以降マイ
クロ波又は高周波を用いて加熱してもよい。
しかしながら、マイクロ波又は高周波を用いて行う加熱
では５００°Ｃ以上にまで上げることは困難３ ー であるので、それ以降の加熱は通常の加熱炉を用いて行
う。マイクロ波又は高周波を用いて加熱を行うとフェノ
ール樹脂発泡体は内部から加熱され、均一に加熱され外
部と内部の温度差が小さくなる。
では５００°Ｃ以上にまで上げることは困難３ ー であるので、それ以降の加熱は通常の加熱炉を用いて行
う。マイクロ波又は高周波を用いて加熱を行うとフェノ
ール樹脂発泡体は内部から加熱され、均一に加熱され外
部と内部の温度差が小さくなる。
部分的に炭化が生じたのちは、ガスの発生や収縮等がお
さまってくるので、通常の加熱炉で加熱を行っても大き
な問題は生じない。
さまってくるので、通常の加熱炉で加熱を行っても大き
な問題は生じない。
通常の加熱炉による加熱は、部分的に炭化が生じたのち
行うが、マイクロ波又は高周波を用いての昇温か進まな
くなってから行うことが好ましい。
行うが、マイクロ波又は高周波を用いての昇温か進まな
くなってから行うことが好ましい。
すなわち、炭化がすすむとフェノール樹脂の分解等によ
って生ずる水分又は水酸基がなくなり、昇温かとまるの
でそこで通常の加熱炉に移すことがよい。通常の加熱炉
としては、電気炉、燃焼炉等があり１，０００℃前後ま
で加熱して完全に炭化する。また、必要によっては２，
０００°Ｃ以上にまで加熱して黒鉛化まで行う。
って生ずる水分又は水酸基がなくなり、昇温かとまるの
でそこで通常の加熱炉に移すことがよい。通常の加熱炉
としては、電気炉、燃焼炉等があり１，０００℃前後ま
で加熱して完全に炭化する。また、必要によっては２，
０００°Ｃ以上にまで加熱して黒鉛化まで行う。
以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を具体的に
説明する。
説明する。
− ４ −
実施例１〜２
平均分子量２００又は３００のフェノールレゾール樹脂
を発泡、硬化、乾燥させて得られたフェノール樹脂発泡
体（２００ Ｘ ２００ Ｘ ６０ｍｍ、かさ密度０．
１６）を、市販の電子レンジ（高周波出力５００Ｗ）
に入れ、１５分間加熱したところ、色の変化により部分
的に炭化が起こったことが確認された。次いで、これを
電気炉にいれ、１，１００℃にまで昇温しで完全に炭化
した。得られた多孔質炭素材料（かさ密度０． １４）
には割れは認められなかった。
を発泡、硬化、乾燥させて得られたフェノール樹脂発泡
体（２００ Ｘ ２００ Ｘ ６０ｍｍ、かさ密度０．
１６）を、市販の電子レンジ（高周波出力５００Ｗ）
に入れ、１５分間加熱したところ、色の変化により部分
的に炭化が起こったことが確認された。次いで、これを
電気炉にいれ、１，１００℃にまで昇温しで完全に炭化
した。得られた多孔質炭素材料（かさ密度０． １４）
には割れは認められなかった。
比較例１〜２
最初の炭化を電気炉で表面が炭化するまで行った他は、
実施例と同様にして炭化を行った。得られた多孔質炭素
材料には多数の割れが認められた。
実施例と同様にして炭化を行った。得られた多孔質炭素
材料には多数の割れが認められた。
実施例の電子レンジによる加熱結果と比較例の結果を第
１表に示す。
１表に示す。
第
■
表
〔発明の効果〕
本発明の製造方法によれば、割れのない多孔質炭素材料
を容易に製造することができる。
を容易に製造することができる。
Claims (1)
- （１）フェノール樹脂発泡体をマイクロ波又は高周波を
用いて加熱して部分的に炭化させたのち、従来の加熱炉
で炭化を完了させることを特徴とする多孔質炭素材料の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343038A JPH03205384A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多孔質炭素材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343038A JPH03205384A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多孔質炭素材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205384A true JPH03205384A (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=18358462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343038A Pending JPH03205384A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多孔質炭素材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205384A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036236A3 (en) * | 1998-12-14 | 2000-11-16 | David A Zornes | Building structures |
| CN106334801A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-01-18 | 常州大学 | 一种微波辅助制备多孔炭负载纳米金属的方法 |
| CN107697913A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-16 | 四川理工学院 | 一种基于核桃壳的高电容性能的分级多孔炭的制备方法 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1343038A patent/JPH03205384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036236A3 (en) * | 1998-12-14 | 2000-11-16 | David A Zornes | Building structures |
| US6631603B2 (en) | 1998-12-14 | 2003-10-14 | Hexablock, Inc. | Building structures |
| CN106334801A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-01-18 | 常州大学 | 一种微波辅助制备多孔炭负载纳米金属的方法 |
| CN107697913A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-16 | 四川理工学院 | 一种基于核桃壳的高电容性能的分级多孔炭的制备方法 |
| CN107697913B (zh) * | 2017-11-17 | 2020-06-23 | 四川理工学院 | 一种基于核桃壳的高电容性能的分级多孔炭的制备方法 |
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