JPH0320454U - - Google Patents

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JPH0320454U
JPH0320454U JP1990067182U JP6718290U JPH0320454U JP H0320454 U JPH0320454 U JP H0320454U JP 1990067182 U JP1990067182 U JP 1990067182U JP 6718290 U JP6718290 U JP 6718290U JP H0320454 U JPH0320454 U JP H0320454U
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solar cell
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photovoltaic solar
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に従つた二接合電池、第２図は
本考案に従つた三接合電池、第３図は幾つかの光
電池に対する電流対電圧曲線、第４図は太陽電池
効率対積層電池数、第５図は太陽のセペクトル照
射量対波長および光子エネルギ、そして、第６図
は本考案の光電池を製造する成長室の概略的ダイ
アグラムを示す。 １０……ゲルマニウム基板、１２……電極表面
、１３……半導体電池、１７……電極、２０……
透明反射防止外側表面被覆。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 集光素子を用いて使用する高効率、マルチ
    接合光起電太陽電池において、 (a) 内部に光応答接合を持たない単結晶の単
    一元素基板で、太陽光領域に応答する Ｇａ０．８８Ｉｎ０．１２Ａｓ半導体材料に±
    １％以内で格子整合可能な前記基板と、 (b) 前記基板上に付着して格子整合し、 １．２５ｅＶの半導体バンドギヤツプを持ち約
    Ｇａ０．８８Ｉｎ０．１２Ａｓ組成を有しそして
    第１の波長で太陽光エネルギを吸収する半導体材
    料の第１の均質層と、 (c) 前記第１均質層上に格子整合して付着さ
    れ１．５ｅＶの半導体バンドギヤツプを持つＧａ
    ０．６９Ｉｎ０．３１Ａｓ０．５Ｐ０．５の組成
    を有しそして第２の波長で太陽光エネルギを吸収
    する半導体材料の第２の均質層と、 (d) 前記第２均質上に格子整合して付着され
    １．８５ｅＶの半導体バンドキヤツプを持つ約Ｉ
    ｎ０．５Ｇａ０．５Ｐの組成を有しそして第３の
    波長で可視光エネルギを吸収する半導体材料の第
    ３の均質層とを含み、 (e) 前記第１、第２および第３の均質層の各
    々は前記単結晶基板と±１％以内で実質的に同一
    格子定数を持ち、 (f) 前記第１、第２および第３の均質層の各
    々は光に応答するＰ／ｎホモ接合を包含しそして
    各層は自体とその直接上部および下部の均質層と
    で形成されるトンネル短絡へテロ接合を有し、 (g) 前記第１、第２及び第３の均質層の各々
    は実質的に他の均質層と同一のゼロ電圧光発生電
    流を本質的に発生することを特徴とするマルチ接
    合光起電太陽電池。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
    前記基板層がゲルマニウムであることを特徴とす
    るマルチ接合光起電太陽電池。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
    最後に付着した半導体層上に付着された酸化イン
    ジウム錫の外側表面層を付加することを特徴とす
    るマルチ接合光起電太陽電池。 (4) 実用新案登録請求の範囲第３項において、
    前記外側表面層が０．２より２．０ミクロン間の
    厚さを有することを特徴とするマルチ接合光起電
    太陽電池。 (5) 実用新案登録請求の範囲第４項において、
    前記外側表面層が約１ミクロンの厚さを有するこ
    とを特徴とするマルチ接合光起電太陽電池。 (6) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
    基板層が２００と３００ミクロン間の厚さを有す
    ることを特徴とするマルチ接合光起電太陽電池。 (7) 実用新案登録請求の範囲第６項において、
    基板層が約２５０ミクロンの厚さを有することを
    特徴とするマルチ接合光起電太陽電池。 (8) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
    前記付着半導体層の各々が２より６ミクロン間の
    厚さを有することを特徴とするマルチ接合光起電
    太陽電池。 (9) 実用新案登録請求の範囲第８項において、
    前記付着半導体層の各々が約４ミクロンの厚さを
    有することを特徴とするマルチ接合光起電太陽電
    池。 (10) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
    ５．６６Åから層間な格子定数最大変動が±１．
    ０％であることを特徴とするマルチ接合光起電太
    陽電池。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009060106A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Boeing Co:The 光電池およびその製造方法
JP2010531064A (ja) * 2007-06-20 2010-09-16 ローズストリート ラブズ エナジー， インコーポレイテッド 単ｐ−ｎ接合タンデム型光起電力デバイス

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JPS56112764A (en) * 1979-12-31 1981-09-05 Chevron Res Multiilayer photoelectric solar cell

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