CN205790002U - 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 - Google Patents
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205790002U CN205790002U CN201620656893.XU CN201620656893U CN205790002U CN 205790002 U CN205790002 U CN 205790002U CN 201620656893 U CN201620656893 U CN 201620656893U CN 205790002 U CN205790002 U CN 205790002U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gaas
- layer
- substrate
- thickness
- temperature buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本实用新型涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本实用新型通过对Si衬底500‑850℃高温热处理，并且在500‑750℃生长GaAs低温缓冲层，在600‑750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，属于光电子技术领域。
背景技术
太阳能电池(Solar Cell)可大致分为三代，第一代为硅晶电池，又可大致分为单晶硅与多晶硅两种，商业应用之历史最悠久，已被广泛应用于家庭与消费性商品；第二代产品为薄膜太阳能电池，主要构成材料为非晶硅(Amorphous)与二六族化合物半导体，常被运用于建筑涂料；第三代即为砷化镓三五族太阳能电池，砷化镓(GaAs)被运用于太空作为发电用途已有很长的历史，主要因为砷化镓具有良好的耐热、耐辐射等特性，因此被广泛利用在太空发电用途，唯价格过于高昂，故过去未被使用于地面及家庭消费性用途。然而随着人类对半导体材料的认识益深，搭配上聚光光学组件，如今砷化镓电池之转换效率已可高达40％，制造成本亦大幅降低。在全球热切寻找永续替代能源的今日，高效率砷化镓太阳能电池将是光能发电的另一项重要选择。
太阳电池是一种能量转换的光电元件，它是经由太阳光照射后，把光的能量转换成电能，此种光电元件称为太阳电池(Solar Cell)。从物理学的角℃来看，有人称之为光伏电池(Photovoltaic，简称PV)，其中的photo就是光(light)，而voltaic就是电力(electricity)。太阳电池的种类繁多，若依材料的种类来区分，可分为单晶硅(singlecrystal silicon)、多晶硅(polycrystal silicon)、非晶硅(amorphous silicon，简称a-Si)、III-Ⅴ族[包括：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓铟(InGaP)]、II-Ⅵ族[包括：碲化镉(CdTe)、硒化铟铜(CuInSe 2)]等。太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。太阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。
其原理是当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结。
当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P区移动，而P区中的电子往N区移动，从而形成从N区到P区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。如图1所示。由于半导体不是电的良导体，电子在通过PN结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖PN结，以增加入射光的面积。
GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5％(一般在19.5％左右)，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。使用Si衬底，用MOCVD技术制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。在Si衬底上进行生长GaAs太阳能电池具有极大的市场前景和技术潜力，Si衬底价格便宜面积大，并且对比其他太阳能常用衬底如Ge衬底资源丰富，对于GaAs衬底处理时不会产生毒类物质，实用意义更大。但是由于Si衬底与GaAs材料禁带系数、热膨胀系数等技术因素有关，目前的技术一直在进行研发探索。
中国专利文献CN101859814A公开了一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1－x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/GexSi1－x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本专利主要是提供直接在Si衬底上通过变温生长GaAs过渡层然后进行生长单结太阳能电池的方法，两者目的一样，但是实现的手段与方法不尽相同。
中国专利文献CN103346190A公开了一种Si衬底的四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGaAsP/InGaAs双结电池、GaInP/GaAs双结电池在Si衬底上形成串联。本实用新型还提供这种太阳能电池的制备方法。本实用新型采用Si衬底作为支撑衬底具有良好的机械强度。同时，采用了键合后再正装生长薄层的双结电池的方式，且GaAs与InP薄层键合方法实现了四结电池的晶格匹配生长。但是，该专利存在以下缺陷：没有根本解决材料结构之间的禁带和热膨胀系数问题，多次键合后对材料质量和光电转换效率有一定影响。
中国专利文献CN103311354A公开了一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本实用新型采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。但是，该专利存在以下缺陷：该结构增加了生产制造成本，并且无法实现从Si衬底直接向GaAs材料过渡形成单结电池的优势，增加了产品的不稳定性。
综上所述，现有的单晶、多晶硅、有机物太阳能电池转化效率不高，而使用Ge衬底生长GaAs单结太阳能电池，由于Ge衬底自身价格较高且来源不丰富、成本较高。
发明内容
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构；
本实用新型利用MOCVD技术通过温度等手段直接在Si衬底上生长GaAs材料，通过热处理以及GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层解决Si衬底与GaAs单结太阳能电池的禁带和热膨胀系数问题，通过调整结构中Al组分实现最大光电转换效率，为实现大规模量产民用铺平了道路。
术语解释
1、MOCVD：金属有机化学气相沉积技术，MOCVD设备是半导体化合物生长的常用设备，广泛用于半导体电子器件制造行业。
2、掺杂浓度：单位1E19个原子/cm3就是指每单位立方厘米中有1*1019个原子。
3、AMO：AM为大气质量，AMO即大气质量为0，代表空间应用环境。
4、AM1：表示阳光垂直穿透大气，即0°入射。
5、AM1.5：表示阳光以45°入射。
本实用新型的技术方案为：
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述GaAs低温缓冲层的厚度为20-100nm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-3um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3。
通过对Si衬底500-850℃高温热处理，并且在500-750℃生长GaAs低温缓冲层，在600-750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。AlGaAs背场层因为其禁带宽度比较高，降低背面的电子复合，起到阻止电子流失的作用；GaAs基层为电子聚集提供了场所；GaAs发射层为空穴聚集提供了场所；AlGaAs窗口层，因为其禁带宽度最高，所以能起到钝化表面，降低非辐射复合，为空穴能在发射层聚集起到阻止作用；位于最上层的GaAs电极接触层，则是起到接通电极的作用。
采用Si衬底代替了传统的Ge衬底和GaAs衬底，其作用就是降低太阳能电池生产成本，提高生产的单片面积。
AlGaAs背场层采用AlXGa1-XAs材料，X的取值范围为0-0.5；进一步优选的，X的取值范围为0.1-0.45；特别优选的，X＝0.35。
AlGaAs窗口层采用AlYGa1-YAs材料，Y的取值范围为0.5-1；进一步优选的，Y的取值范围为0.45-0.95；特别优选的，Y＝0.65。
通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％以上。
根据本实用新型优选的，所述GaAs低温缓冲层的厚度为50-100nm，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-2um，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；
特别优选的，所述GaAs低温缓冲层的厚度为80nm，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.6um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3。
根据本实用新型优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为2-5um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；
所述GaAs发射层的厚度为0.05-1.0um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
所述AlGaAs窗口层的厚度为0.03-0.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
所述GaAs电极接触层的厚度为0.1-1.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
进一步优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.25-0.35μm，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3-5um，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.06-0.9um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.05-0.5um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；
所述GaAs电极接触层的厚度为0.2-1um，掺杂浓度为1E19-1E20个原子/cm3；
特别优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.27um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3.2um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.2um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.15um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述GaAs电极接触层的厚度为0.5um，掺杂浓度为8E19个原子/cm3。
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，包括采用MOCVD方法在Si衬底上生长外延层，具体步骤包括：
(1)在500-850℃温度下，通入H2，对所述Si衬底高温清洗；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至500-750℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底上生长所述GaAs低温缓冲层；
(3)升温至600-750℃，在所述GaAs低温缓冲层上生长所述GaAs高温缓冲层；
(4)保持步骤(3)的温度，通入TMAl，在所述GaAs高温缓冲层上生长所述AlGaAs背场层；
(5)降温至550-700℃，在所述AlGaAs背场层上生长所述GaAs基层；
(6)在550-750℃温度下，在所述GaAs基层上依次生长所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层；
(7)降温至500-600℃，在所述AlGaAs窗口层上生长所述GaAs电极接触层。
所述Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备过程中，MOCVD设备的压力为50-200mbar。
所述GaAs低温缓冲层、所述GaAs高温缓冲层、所述AlGaAs背场层的N型掺杂源为Si2H6；所述GaAs基层、所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层、所述GaAs电极接触层的P型掺杂源为CBr4或DEZn。
所述H2的流量为25000－40000sccm；所述TMGa的纯度大于等于99.99％，所述TMGa的恒温槽的温度为(-5)-15℃；所述TMAl的纯度大于等于99.99％，所述TMAl的恒温槽的温度为10-28℃；所述AsH3的纯度大于等于99.99％；所述Si2H6的纯度大于等于99.99％；所述CBr4的纯度大于等于99.99％，所述CBr4的恒温槽的温度为0-25℃；所述DEZn的纯度大于等于99.99％，所述DEZn的恒温槽的温度为0-25℃。
所述TMGa的纯度为99.9999％，所述TMAl的纯度为99.9999％，所述AsH3的纯度为99.9999％，所述Si2H6的纯度为99.9999％，所述CBr4的纯度为99.9999％，所述DEZn的纯度为99.9999％。
本实用新型的有益效果为：
1、本实用新型通过对Si衬底500-850℃高温热处理，并且在500-750℃生长GaAs低温缓冲层，在600-750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。Si衬底的热导率(145.7W/m.K)是GaAs衬底热导率的3倍，极大地提高了电流工作能力。
2、本实用新型采用Si衬底代替了传统的Ge衬底和GaAs衬底，降低了太阳能电池生产成本，提高生产的单片面积。
3、通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％以上，达到了17％的转换效率，为使用Si衬底大规模量产提供了技术基础。
附图说明
图1为PN结的原理图。
图2为本实用新型Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的示意图。
1、太阳光，2、P区，3、N区，4、电流方向，5、Si衬底，6、GaAs低温缓冲层，7、GaAs高温缓冲层，8、AlGaAs背场层，9、GaAs基层，10、GaAs发射层，11、AlGaAs窗口层，12、GaAs电极接触层。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本实用新型作进一步限定，但不限于此。
实施例1
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的Si衬底5、GaAs低温缓冲层6、GaAs高温缓冲层7、AlGaAs背场层8、GaAs基层9、GaAs发射层10、AlGaAs窗口层11、GaAs电极接触层12。如图2所示。
所述GaAs低温缓冲层6的厚度为80nm，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层7的厚度为0.6um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3。
AlGaAs背场层8采用GaAs材料；AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.5。
通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％。
所述AlGaAs背场层8厚度为0.27um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs基层9的厚度为3.2um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs发射层10的厚度为0.2um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层11的厚度为0.15um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述GaAs电极接触层12的厚度为0.5um，掺杂浓度为8E19个原子/cm3。
实施例2
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.5。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝1。GaAs低温缓冲层6的厚度为100nm，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为3um，掺杂浓度为6E18个原子/cm3。
实施例3
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.1。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.45。GaAs低温缓冲层6的厚度为20nm，掺杂浓度为1E17个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为0.3um，掺杂浓度为1E17个原子/cm3。
实施例4
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.45。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.95。GaAs低温缓冲层6的厚度为100nm，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为2um，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；
实施例5
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.35。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.65。GaAs低温缓冲层6的厚度为50nm，掺杂浓度为5E17个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为0.3um，掺杂浓度为5E17个原子/cm3；
在制备的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构上经过金属蒸镀、光刻电极，并蒸镀TiO2/SiO2双层减反膜，在AMO、1sun、25℃条件下实现太阳能光电转换效率为17％。
Claims (6)
1.一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述GaAs低温缓冲层的厚度为20-100nm，所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-3um。
2.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层的厚度为50-100nm，所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-2um。
3.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层的厚度为80nm，所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.6um。
4.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.1-0.5μm，所述GaAs基层的厚度为2-5um，所述GaAs发射层的厚度为0.05-1.0um，所述AlGaAs窗口层的厚度为0.03-0.5um，所述GaAs电极接触层的厚度为0.1-1.5um。
5.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.25-0.35μm，所述GaAs基层的厚度为3-5um，所述GaAs发射层的厚度为0.06-0.9um，所述AlGaAs窗口层的厚度为0.05-0.5um，所述GaAs电极接触层的厚度为0.2-1um。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.27um，所述GaAs基层的厚度为3.2um，所述GaAs发射层的厚度为0.2um，所述AlGaAs窗口层的厚度为0.15um，所述GaAs电极接触层的厚度为0.5um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620656893.XU CN205790002U (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620656893.XU CN205790002U (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205790002U true CN205790002U (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=58127997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620656893.XU Expired - Fee Related CN205790002U (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205790002U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108269881A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺 |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201620656893.XU patent/CN205790002U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108269881A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101859813B (zh) | 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法 | |
| CN100573923C (zh) | 硅基高效多结太阳电池及其制备方法 | |
| CN101950774A (zh) | 四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法 | |
| CN101221992A (zh) | 多层膜-纳米线复合物、双面型和串联型太阳能电池 | |
| CN104300015B (zh) | AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池 | |
| WO2012174952A1 (zh) | 一种高倍聚光多结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101483202A (zh) | 单晶硅衬底多结太阳电池 | |
| CN101859814B (zh) | 在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法 | |
| CN102412337A (zh) | 一种高效四结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN109728119A (zh) | 一种石墨烯/AlGaAs/GaAs/GaInAs多异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2013152658A1 (zh) | 三结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102790117B (zh) | GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105938856B (zh) | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN110911510B (zh) | 一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池 | |
| CN103000740B (zh) | GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102790119B (zh) | GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN205790002U (zh) | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 | |
| CN109148621B (zh) | 一种双面生长的高效六结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110931593A (zh) | 一种晶格匹配的硅基无砷化合物四结太阳电池 | |
| CN105355668A (zh) | 一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法 | |
| CN103367480B (zh) | GaAs隧道结及其制备方法 | |
| CN105938855B (zh) | 一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN102544184B (zh) | 一种横向结构的pin太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101459206A (zh) | 高效多结太阳能电池的制造方法 | |
| CN104241416A (zh) | 一种含量子阱结构的三结太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161207 Termination date: 20190627 |