JPH03202476A - 無機絶縁皮膜の形成方法 - Google Patents
無機絶縁皮膜の形成方法Info
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- JPH03202476A JPH03202476A JP34139489A JP34139489A JPH03202476A JP H03202476 A JPH03202476 A JP H03202476A JP 34139489 A JP34139489 A JP 34139489A JP 34139489 A JP34139489 A JP 34139489A JP H03202476 A JPH03202476 A JP H03202476A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
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- C23C18/1225—Deposition of multilayers of inorganic material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、耐熱性電線・コイル等、耐放射線性電線・
コイル等、および真空機器内電線・コイル等に用いるこ
とのできる無機絶縁電線・コイル等の無機絶縁皮膜の形
成方法に関するものである。
コイル等、および真空機器内電線・コイル等に用いるこ
とのできる無機絶縁電線・コイル等の無機絶縁皮膜の形
成方法に関するものである。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］耐熱
電線等としては、Ｍ１ケーブルや、ガラス編組線、およ
びセラミクスの筒で被覆した電線などがあるが、これら
の耐熱性電線はスペース的に不利なものであり、コイル
としては電流の密度が小さくなり使用しにくいものであ
る。
電線等としては、Ｍ１ケーブルや、ガラス編組線、およ
びセラミクスの筒で被覆した電線などがあるが、これら
の耐熱性電線はスペース的に不利なものであり、コイル
としては電流の密度が小さくなり使用しにくいものであ
る。
また、耐熱性の有機塗料で被覆した耐熱有機電線なども
知られているが、これらの耐熱有機電線は、耐熱温度が
たかだか３００℃程度であり、分解ガスの放出や、吸着
ガスの放出などがあり問題がある。
知られているが、これらの耐熱有機電線は、耐熱温度が
たかだか３００℃程度であり、分解ガスの放出や、吸着
ガスの放出などがあり問題がある。
また、セラミクス粒子をシリコーン樹脂中に混合したも
のを電線等の表面に塗布した後加熱焼成する方法は、電
線等の表面が凹凸状になって粗くなり、こすりに対して
弱くなるという問題がある。
のを電線等の表面に塗布した後加熱焼成する方法は、電
線等の表面が凹凸状になって粗くなり、こすりに対して
弱くなるという問題がある。
また可撓性の面でも問題を有している。
この発明の目的は、かかる従来の問題を解消し、絶縁性
および耐酸化性において優れており、ガス放出の問題な
どを解消することのできる無機絶縁皮膜の形成方法を提
供することにある。
および耐酸化性において優れており、ガス放出の問題な
どを解消することのできる無機絶縁皮膜の形成方法を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明の無機絶縁皮膜の形成方法は、導体表面に、シ
リコーン樹脂とセラミクス粒子および／またはセラミク
ス繊維等を混合したものを塗布後、シリコーン樹脂がセ
ラミクス化しない温度範囲で焼付けて皮膜とし、そのま
まもしくはこれを所望の形状に加工した後、皮膜が９０
％以上セラミクス化する条件で加熱処理し、加熱処理後
の皮膜の上に金属アルコキシドまたは金属アシレートの
１種もしくは２種以上から調製されたセラミクス前駆体
の溶液を、塗布し、加熱してセラミクス化することを特
徴としている。
リコーン樹脂とセラミクス粒子および／またはセラミク
ス繊維等を混合したものを塗布後、シリコーン樹脂がセ
ラミクス化しない温度範囲で焼付けて皮膜とし、そのま
まもしくはこれを所望の形状に加工した後、皮膜が９０
％以上セラミクス化する条件で加熱処理し、加熱処理後
の皮膜の上に金属アルコキシドまたは金属アシレートの
１種もしくは２種以上から調製されたセラミクス前駆体
の溶液を、塗布し、加熱してセラミクス化することを特
徴としている。
この発明においては、セラミクス前駆体溶液の塗布は溶
液への浸漬によることが好ましい。
液への浸漬によることが好ましい。
さらに、この発明において、導体は、Ｃｕの外周にＮｉ
５Ｐｔ、またはステンレス等の耐酸化性金属を被覆した
導体であることが好ましい。
５Ｐｔ、またはステンレス等の耐酸化性金属を被覆した
導体であることが好ましい。
［作用］
この発明の製造方法では、セラミクス樹脂とセラミクス
粒子および／またはセラミクス繊維等を混合したものか
らなる皮膜の上にセラミクス前駆体溶液か塗布されてい
るので、皮膜の凹凸にこのセラミクス前駆体溶液が埋込
まれ、平滑化され、こすりに対して弱いという問題や、
ガス放出の問題などが改善される。
粒子および／またはセラミクス繊維等を混合したものか
らなる皮膜の上にセラミクス前駆体溶液か塗布されてい
るので、皮膜の凹凸にこのセラミクス前駆体溶液が埋込
まれ、平滑化され、こすりに対して弱いという問題や、
ガス放出の問題などが改善される。
シリコーン樹脂とセラミクス粒子および／またはセラミ
クス繊維等との混合物を塗布した後、加熱処理してセラ
ミクス絶縁層を形成する方性では、容易に厚い皮膜を形
成することができるので、この発明の方法によればシリ
コーン樹脂塗布による従来の方法を改善しつつ、厚膜化
を図ることができる。
クス繊維等との混合物を塗布した後、加熱処理してセラ
ミクス絶縁層を形成する方性では、容易に厚い皮膜を形
成することができるので、この発明の方法によればシリ
コーン樹脂塗布による従来の方法を改善しつつ、厚膜化
を図ることができる。
［実施例コ
実施例］
シリコーン樹脂の３０％トルエン溶液に、ＡｆＬ、０３
の粒径１μｍの微粒子を均一にシリコーン樹脂に対し３
０重量部混合した液を調製し、この戒を外径０．５ｍｍ
のＮｉクラッドＣｕ線に連続的に塗布し、炉内の温度が
５００℃である連続焼付は炉で加熱して、シリコーン樹
脂の塗膜をセラミクス化した。この電線のセラミクス層
の厚みは約１５μｍであり、絶縁破壊電圧は３５０ｖで
あった。
の粒径１μｍの微粒子を均一にシリコーン樹脂に対し３
０重量部混合した液を調製し、この戒を外径０．５ｍｍ
のＮｉクラッドＣｕ線に連続的に塗布し、炉内の温度が
５００℃である連続焼付は炉で加熱して、シリコーン樹
脂の塗膜をセラミクス化した。この電線のセラミクス層
の厚みは約１５μｍであり、絶縁破壊電圧は３５０ｖで
あった。
この状態では、曲げに対して、粉状もしくは粒状にセラ
ミクス被覆層が脱離しやすくなっており、取扱いに困難
を伴なった。
ミクス被覆層が脱離しやすくなっており、取扱いに困難
を伴なった。
この電線の上に、さらに、テトラエトキシシランのイソ
プロピルアルコール溶液と水と微量の硝酸を加えて調製
した溶液を連続的に塗布した後、温度６００℃の加熱炉
内で加熱して、見かけ上の厚みの合計が１８μｍである
絶縁層を有する電線を作成した。この電線の表面は平滑
なものであった。さらにこの電線は曲げに対して、セラ
ミクスの剥離や脱離が発生しにくかった。さらに、絶縁
破壊電圧（Ｂ、Ｄ、Ｖ、） は７００Ｖ−０，つｔ：。
プロピルアルコール溶液と水と微量の硝酸を加えて調製
した溶液を連続的に塗布した後、温度６００℃の加熱炉
内で加熱して、見かけ上の厚みの合計が１８μｍである
絶縁層を有する電線を作成した。この電線の表面は平滑
なものであった。さらにこの電線は曲げに対して、セラ
ミクスの剥離や脱離が発生しにくかった。さらに、絶縁
破壊電圧（Ｂ、Ｄ、Ｖ、） は７００Ｖ−０，つｔ：。
実施例２
シリコーン樹脂のパラキシレン５０％溶液に粒径０，７
μｍの５ｉ０２粉末をシリコーン樹脂に対して２０重量
部で均一に混合し、これを直径１ｍｍのＮｉめっきＣｕ
線に塗布し、１５０℃で３０分加熱し、コイルに加工し
た後、４００℃で３０分さらに加熱した。
μｍの５ｉ０２粉末をシリコーン樹脂に対して２０重量
部で均一に混合し、これを直径１ｍｍのＮｉめっきＣｕ
線に塗布し、１５０℃で３０分加熱し、コイルに加工し
た後、４００℃で３０分さらに加熱した。
トリブトキシアルミニウム：トリエタノールアミン：水
：イソプロビルアルコール−５：１０：５：８０のモル
比で混合した溶液を温度５０℃で１時間加熱し撹拌して
セラミクス前駆体溶液を調製し、このセラミクス前駆体
溶液を上記のコイルの表面上に塗布し、４００℃で３０
分間加熱した。
：イソプロビルアルコール−５：１０：５：８０のモル
比で混合した溶液を温度５０℃で１時間加熱し撹拌して
セラミクス前駆体溶液を調製し、このセラミクス前駆体
溶液を上記のコイルの表面上に塗布し、４００℃で３０
分間加熱した。
このようにしてセラミクス前駆体溶液を塗布し焼付けた
コイルと、セラミクス前駆体溶液を塗布する前の状態の
コイルとを以下のようにして真空中で磁場を発生する実
験に供した。
コイルと、セラミクス前駆体溶液を塗布する前の状態の
コイルとを以下のようにして真空中で磁場を発生する実
験に供した。
９．４鉦の真空容器中にコイルを設置し、容器内の排気
を行ない、１Ｏ−８Ｔｏｒｒに達したところで、コイル
に直流２ＯＡを通電して２時間ベーキングを行なった。
を行ない、１Ｏ−８Ｔｏｒｒに達したところで、コイル
に直流２ＯＡを通電して２時間ベーキングを行なった。
セラミクス前駆体溶液を塗布する前の状態のコイルの場
合には、１Ｏ−９Ｔｏｒｒに達するのに約１時間要した
のに対し、前駆体溶液を塗布し調製したコイルの場合は
約５分であった。このことから、前駆体溶液を塗布し焼
結したコイルの表面は非常に平滑であり、真空特性の優
れていることがわかる。
合には、１Ｏ−９Ｔｏｒｒに達するのに約１時間要した
のに対し、前駆体溶液を塗布し調製したコイルの場合は
約５分であった。このことから、前駆体溶液を塗布し焼
結したコイルの表面は非常に平滑であり、真空特性の優
れていることがわかる。
［発明の効果］
この発明の方法によれば、シリコーン樹脂とセラミクス
粒子および／またはセラミクス繊維等の混合物の皮膜の
上にセラミクス前駆体溶液を塗布しているので、表面を
平滑化することができる。
粒子および／またはセラミクス繊維等の混合物の皮膜の
上にセラミクス前駆体溶液を塗布しているので、表面を
平滑化することができる。
したがって、耐熱性、耐酸化性および可撓性等を従来よ
り優れたものに改善することができる。
り優れたものに改善することができる。
Claims (3)
- （１） 導体表面に、シリコーン樹脂とセラミクス粒子
および／またはセラミクス樹脂等を混合したものを塗布
後、シリコーン樹脂がセラミクス化しない温度範囲で焼
付けて皮膜とし、そのままもしくはこれを所望の形状に
加工した後、 前記皮膜が９０％以上セラミクス化する条件で加熱処理
し、 前記加熱処理後の皮膜上に、金属アルコキシドまたは金
属アシレートの１種もしくは２種以上から調製されたセ
ラミクス前駆体の溶液を塗布し、加熱してセラミクス化
することを特徴とする、無機絶縁皮膜の形成方法。 - （２） 前記セラミクス前駆体の塗布が、溶液への浸漬
による、請求項１に記載の無機絶縁皮膜の形成方法。 - （３） 前記導体がＣｕであり、Ｃｕの外周にＮｉ、Ｐ
ｔ、またはステンレス等の耐酸化性金属を被覆した導体
である、請求項１に記載の無機絶縁皮膜の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34139489A JPH03202476A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 無機絶縁皮膜の形成方法 |
| DE69033019T DE69033019T2 (de) | 1989-12-28 | 1990-12-26 | Anorganisches isolierungsherstellungsverfahren |
| PCT/JP1990/001701 WO1991010239A1 (en) | 1989-12-28 | 1990-12-26 | Method of manufacturing inorganic insulator |
| US07/743,429 US5296260A (en) | 1989-12-28 | 1990-12-26 | Method of manufacturing inorganic insulation |
| EP91901537A EP0461267B1 (en) | 1989-12-28 | 1990-12-26 | Method of manufacturing inorganic insulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34139489A JPH03202476A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 無機絶縁皮膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202476A true JPH03202476A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=18345727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34139489A Pending JPH03202476A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 無機絶縁皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03202476A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34139489A patent/JPH03202476A/ja active Pending
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