JPH03197400A - 有機薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は有機超薄膜に係り、特に反応性基を有し高度に
配向したことにより、光記録材料等に好適な有機超薄膜
に関するものである。

（従来の技術〕 ラングミュア−プロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ　Ｂｌ
ｏｄｇｅｔｔ）法（以下ＬＢ法という）等によって形成
した単分子膜（Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）および累積膜（Ｍ
ｕｌｔｌｌａｙｅｒ）は、有機分子が一次元的配向を持
ち且つ高密度に充填された超薄膜という性質を有し、こ
の性質がもたらす特徴的な機能が広い分野で利用されて
いる。

単分子膜形成には、親水性基と疎水性基を分子中に同時
に持つ両親媒性の界面活性型化合物が用いられる。この
ような化合物を発揮性有機溶液から水面上に展開した後
適当な表面圧力に圧縮する操作により、親水性基を水面
下に向は疎水性基を水面上に向けた状態で分子が配向し
最密にバックされた単分子膜を形成することができる。

単分子膜は膜表面がすべて特定の親水性基もしくは疎水
性基の群で占められている。この点が配向をもたないキ
ャスト膜等と大きく異なる特徴である。この特徴によっ
て単分子膜は親水性もしくは疎水性の表面をもった基板
上に１層ずつ被覆していくことが可能となり、こうして
できる基板上の累積膜も最上層の表面が特定の親水性も
しくは疎水基の群で占められることになる。

このような有機超薄膜は通常、分子もしくは官能基の表
面密度が１単分子層当たり１０”−１０１′分子／ｄに
達し、膜の厚さを最小２０人程度の単位で任意に制御す
ることができるという特徴を有する。

しかしながら、このような有機超薄膜は構造上の欠陥を
有すること及び低分子化合物の分子集合体であることか
ら、溶剤処理などによって容易に膜がはがれてしまう、
すなわち膜強度が低いという２つの問題点を有している
ことが指摘されている。これら問題点を解決する手段と
して重合性基や二量化基を分子内に組み込んで光又は熱
によって重合や架橋反応をさせて膜強度を向上させる方
法が種々検討されている。

これらの重合性基や二量化基としてはたとえばジアセチ
レン基、ビニル基、ジエン基、ケイ皮酸誘導体、ジスチ
リルピラジン基等の導入及び他の重合法としてアミノ酸
エステルを用いてポリアミド化する方法やチオールを酸
化させてＳ−３結合で連結する方法などがたとえばジャ
ーナル・オプ・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミ
ストリー・エデイジョン（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｏ
１ｙｓ＋ｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ　。

Ｐｏｌｙｍｅｒ　　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　　Ｅｄｄｉｔ
ｉｏｎ）、１　７　巻、　　１６３１頁（１９７９年）
、欧州特許０．０５７，２０７号、ポリマー・コミユニ
ケージ四ン（ＰｏｌｙｍｅｒＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎ　　）　　％　　２　７　巻、　２３８　頁　（１９
８６年）、デイ−・マクロモレキエラー・ヘミ−（Ｄｉ
ｅＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ　　Ｃｈｅｗｉｅ　　
）　　、　１８７巻、　　１８４３頁（１９８６年）、
ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテ４
　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍ
ｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）　、１０９４！！ｘ　４４
１９頁（１９８７年）、米国特許４，８３０，９５２号
、特開昭６２−２０１８７４号などに示されている。

しかしながらこれらの方法では、膜構造上の欠陥除去及
び膜強度の向上をともに解決することができず、将来光
記録材料などの実用デバイスに適用できるような上記問
題点を共に解決した有機超薄膜の提供が望まれている。

【発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、構造的欠陥がなく、かつ膜強度の高い
配向性の有機超薄膜を提供することにある。

〔発明が解決する手段〕

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、
少なくとも、分子内に下記一般式〔Ｉ〕で表わされる基
を有する両親媒性有機分子の少なくとも一種を含むこと
を特徴とする単分子膜もしくは累積膜を用いることで上
記目的を達成することができた。

一般式（１） 一５Ｏ８−又は−ＣＯＮ−を表わし、Ａは芳香族へテロ
環を表わし、Ｄは水素原子又はアルキル基を表わす。

Ｂは単独又はＲ２と共同して親水性を示す基を表わす、
） 本発明の有機薄膜はそれを構成する有機化合物として分
子中に活性ビニル基を２個有する芳香族へテロ環構造を
持ち、かつ親水性基と重合性基とをエステル又はアミド
連結した両親媒性化合物からなることに特徴を有する。

この活性ビニル基を２コ有する芳香族へテロ環構造は紫
外線等の活性光線の照射によって固相状態で重合するい
わゆるトポケミカル重合性の構造であり、反応性が高く
、構造欠陥が極端に少ないことが知られている。

この活性ビニル基を２コ有する芳香族へテロ環構造を有
し、かつ親水性基と重合性基とをエステ（式中、Ｒ１は
アリーレン基、 ル又はアミド連結した両親媒性化合物を用いて、これを
配向させて重合させることにより、驚くべきことに有機
薄膜の構造欠陥及び膜強度が従来知られている重合性有
機薄膜に比べて著しく向上したものである。

本発明で用いられる両親媒性有機化合物は一般式〔Ｉ〕
で表わされる重合性基を有し、下記一般式（ｎ）で表わ
される。

一般式（ＩＩ） （Ｙ−＋Ｌ’　−ｈ−Ｒ’−ＣＨ−ＣＨ−Ａ−ＣＩ＝Ｃ
１ｌ−［１”−）−ｉ−（Ｌ”±Ｔ−Ｘ以下、一般式（
１）及び（ＩＩ）について詳しく説明する。

である、これらのうち芳香環はいずれも置換基を有して
いてもよく、置換基の例としては、炭素数１〜２０のア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子（例えば、フ
ッソ原子、塩素原子、臭素原子など）、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、スルホ基、アシルアミノ基、スルホンア
ミド基、カルバモイル基、アシルオキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アシル基、アルコキシ基、アリーロキシ
基、ニトロ基、ホルミル基、アルキル及びアリールスル
ホニル基などを挙げられる。これらの置換基は複数を有
してもよい。

１ Ｒｚは−ＣＯＩ−−Ｓｏ、−又は−ＣＯＮ−を表わし、
Ｄは水素原子又はアルキル基である。Ｄとして好ましく
は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基である。Ｒｚ
　として好ましくは−ｃｏｔ−−ＣＯＩＩＩＩ−である
。

Ｌｌは２僅の連結基を表わし、−０−−ＮＲ３Ｒ１Ｒ３ ５−−ＧＯ−−５Ｏｚ−−ＣＯＮ−−Ｎ−ＣＯ−１−３
Ｏ１Ｎ−１３ −Ｎ−５Ｏ鵞−−ＣＯｔ−−０ＣＯ−−５０３−−０−
５Ｏｔ−Ｎ）Ｉ−ＣＯＩ−１−０ＣＯ−ＮＨ−を表わす
、Ｒ３は水素原子、炭素数１〜ｌＯのアルキル基、アル
ケニル基を表わし、アルキル基とアルケニル基は置換基
を有してもよく、置換基の例としてはハロゲン原子、シ
アノ基、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル芽キシ基
、アシルアミノ基、アミノ基、スルホンアミド基、アル
コキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、カルバモイル基、スルフ１モイル基、アルコキ
シカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基、アルコキシスル
ホニル基、アリーロキシスルホニル基、カルバモイルア
ミノ基、スルファモイルアミノ基、カルバモイルオキシ
基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカル
ボニルアミノ基などが挙げられる。

ａｌ及びｌはそれぞれ独自に０又は１であり、ｎは１〜
３の整数である。

３ Ｌｌとして好ましくは　−０−−Ｎ−（Ｒ’は水素原子
または置換基を有してもよい炭素数１〜３のアルキル基
を表わす）　、−ＣＯ−１−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−１３ −ＣＯ−Ｎ−（Ｒ’は水素原子または置換基を有しても
よい炭素数１〜３のアルキル基を表わす）、３ −Ｎ−Ｃ０−（Ｒ３は水素原子または置換基を有してよ
い炭素ｖＬ１〜３のアルキル基を表わす）である。

Ｌ３は（ｎ＋１）価の連結基を表わす、ｎ−１のときは
Ｌ３は炭素数ｌ〜１６のアルキレン基を表わし、好まし
くは炭素数１〜６のアルキレン基でＹは水素原子、炭素
数１〜２５のアルキル基、アルケニル基、炭素数６〜１
８のアリール基又はこれらの基を組合せた基を表わし、
好ましくは水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、ア
ルケニル基である。

これらの基は置換基を有してもよく、アルキル基及びア
ルケニル基の置換基の例としてはＲ３の置換基の例とし
て述べたものが挙げられる。アリール基の置換基の例と
してはＲ・の芳香環の置換基として述べたものが挙げら
れる。

Ｘは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、などが好ま
しい。

Ａは芳香族へテロ環を表わし、好ましくは５〜６員の含
窒素へテロ環であり、特に好ましくはＲ１、Ｒ＋ｔ、Ｒ
１３及びＲ１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよ（
、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル
基、炭素数６〜１２のアリール基又はこれらの基を組み
合せた基を表ゎす、アルキル基、アルケニル基およびア
リール基は置換基を有していてもよく、アルキル基、ア
ルケニル基の置換基の例としてはＲ３の置換基の例とし
て述べたものが挙げられる。アリール基の置換基の例と
してはＲ１の芳香環の置換基として述べたものが挙げら
れる。

Ｒ１１、Ｒ１１、Ｒ１及びＲ１４として好ましくは水素
原子及び炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基であ
り、さらに好ましくは水素原子及び炭素数１〜４のアル
キル基である。

Ｒ４は炭素数１−１２のアルキレン基を表わし、Ｒ４は
置換基を有してもよく、置換基の例としてはＲ１の置換
基の例として述べたものがあげられる。し４として好ま
しくは炭素数１〜８のアルキレン基であり、さらに好ま
しくは炭素数１〜４のアルキレン基である。

２　はアニオンを表わし、ハロゲンイオン（Ｂｒ０、ｃ
ｉ〜ど）、ｃ　ｘ　ｏ、？　ＢＦａ。、ＰＦ６゜、Ｒ’
−Ｃｏｔ”、　Ｒ’−５０ｓ？などが好ましい、Ｘの好
ましい例としては水素原子、ヒドロキシ基、メチル基、
エチル基、プロビル基、 Φ Ｎｕｓ　Ｂｒ” Ｎ（Ｃ）Ｉｓ）ｉ　Ｂｒｅ Ｎ（ＣＩｌｓ）　ｓ　ＣＩＰ％ Ｎｏ（ＣＨりｇ　Ｂｒ”。

＼の ／Ｎ　（ＣＩｌｓ）ｔ　Ｂｒｅ ＼Φ ／ＮＨ！Ｉ” Φ −Ｎ（Ｃ山）３ＢｒＯ ■ Ｎ（ｎ−ＣｓＨｔ）ｓ　Ｂｒｅ Ｈｓ などがあげられる。

　ｅ 諏　４ ＋４−啼一一 １！　−４ 為コ　　　−一 １コ　　　Ｎ１ １コ　　Ｎ− １＾ 　− ＣＯ。

享　ω ト　　、 不　ト ロ　　八 享　ω ■　　６ ０、 一〇 ココ　　　−ノ ムコ　　　−ノ 本発明の有機薄膜は一般式ＣＭ）で表わされる両親媒性
化合物を複数用いて形成してもよいが、好ましくは一般
式（ＩＩ）の中の１種のみの両親媒性化合物から形成さ
れる。

また、本発明の有機薄膜は一般式（ＩＩ）で表わされる
両親媒性化合物の他に他の両親媒性化合物を有してもよ
くそれらはＧ、　１．に１ｉｎｅｓ　　Ｊｒ、著Ｉｎ５
ｏｌｕｂｌｅ　Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ　ａｔ　Ｌｉｑｕ
ｉｄ−Ｇａｓ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓノ、夏ｎｔｅｒｓ
ｃｉｅｎｃｅ、　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　（１９６６年）な
どに述へられている。たとえば長鎖アルキル（−殻皮素
数１６以上）を持ったカルボン酸、エステル、アミド、
アルコール、チオール、アルデヒド、エーテル、アミン
、アンモニウム塩あるいは金属キレートなどが挙げられ
るが、好ましくは本発明の有機薄膜は一般式（Ｉｆ）で
表わされる両親媒性化合物のみから形成される。

本発明の有機薄膜は一般式（ＩＩ）で表わされる七ツマ
−からなる単分子膜もしくは累積膜または、この単分子
膜もしくは累積膜に紫外線や可視光線などの活性光線を
照射して重合させることにより形成させたものの双方を
含む。

本発明の有機薄膜は一般式（ＩＩ）で表わされる七ツマ
−による単分子膜が水面上に形成された状態で活性光線
を照射して重合してもよいし、また基板に累積した後に
同様の方法で重合してもよい。

この場合、単分子膜又は累積膜の温度を３０〜７０℃（
七ツマー分子の融点以下の温度）に温めて光照射する方
法が重合反応を速やかに進行させる上で好ましい。

また、水面上の重合においては単分子膜中でモノマーが
十分に密に配向していることが均一な重合膜を得る上で
好ましく、この目的で単分子膜はそのπ−Ａ特性におい
て少なく七も５ｄｙｎ／ｃｍ以上、好ましくはｌ　０ｄ
ｙｎ　１５以上で且つ破壊圧力より小さい表面圧の範囲
で重合が開始されることが必要である。

本発明に使用する単分子膜用展開溶媒としては、クロロ
ホルム、ジクロルメタン、ベンゼン、トルエン、エーテ
ルなどの常用の揮発性非極性有機溶媒の他、これらとア
ルコール、水などの極性親木性溶媒との混合物も用いら
れる。

本発明の単分子膜作成用の水相（ｓｕｂｐｈａｓｅ）に
は各種のｐＨの緩衝液のほか、カルシウム、バリウム、
カドミウム、カリウム、ナトリウムなど各種の金属の塩
溶液を用いてもよい、必要に応じて水相の温度を低温あ
るいは高温に制御することもできる。また、単分子膜を
構成する分子を水相中の化合物と反応させるために水相
に攪拌等の流動を行わせるか、あるいは振動を与えるこ
ともできる。単分子膜の製造において水相上の気体をＮ
寞、Ａｒなとの不活性ガスに置換して単分子膜の酸化、
劣化を防止することもできる。

水面上の単分子膜を基板や支持体の表面上へ被覆するに
は、Ｌ−Ｂ法を含める種々の累積方法を用いることがで
きる。垂直式付着法であるＬ−Ｂ法については例えば、
ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ
（Ｊ、＾閣、　Ｃｈｅｗ、　Ｓｏｃ、）第５７巻、１０
０７頁（１９３５年）、ゲインズ（Ｇ、　Ｌ、　Ｇａ１
ａｓ、　Ｊｒ）著「インソルブル・モル−ヤーズ・アッ
ト・リキッド−ガス・インターフエイスＪ　　（Ｉｎｓ
ｏｌｕｂｌｅ　Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ　ａｔ　Ｌｉｑｕ
ｉｄ−ＧａｓＩｎＬｅｒ４ａｃｅｓ）　　Ｊ　、（Ｉｎ
ｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ）、Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　（１９６
６年）、あるいは襦田清成著、材料技術、第４巻、２６
１頁（１９８６年）などに説明されている。

被覆の方法としては、この他水平付着法、回転付着法（
例えば特開昭６０−１８９９２９号、同６１−４２３９
４号など）等の様々な方法が適用される。累積膜は、単
分子膜を基板上に被覆する操作を繰り返し行うことによ
って得られる。特開昭６０−２０９２４５号などに記載
の連続式累積法を用いることもできる。液相上の単分子
膜を基板上に移しとる場合に、膜の構造には次の３種類
のものがある。

（１）すべての膜分子が疎水基を基板に向け、親水基を
外側に向けて付着した膜による累積膜。

（Ｘ膜） （２）膜分子が交互に親水基同士、疎水基同士を向かい
合せた二分子層の重なりからなる累積膜（Ｙ膜） （３）すべての膜分子が親水基を基板に向け、疎水基を
外側に向けて付着した膜による累積膜（Ｚｌり 本発明の有機薄膜には先に述べた累積方法の選択によっ
て得られる上記いずれの構造の累積膜も含まれる。

本発明において、ＬＢ法によって単分子膜または累積膜
を形成する際の支持体（基板）としては、各種金属等の
導電体、ガラス状無機物（ガラス、石英など）やその他
の無機絶縁体、各種の無機および有機の結晶、無機半導
体（ＳｎＯ□、Ｉ　ｎ、ｏ、、ＺｎＯ１Ｔ　ｉ　Ｏｔ　
％Ｗ　Ｏｓ　、Ｇ　ａ　Ａ　ａ　％　Ｓ　ｉなど）、有
機半導体、有機電導体、有機重合物、および上記素材の
複合材料など各種の材料が得られる。材料は外部の電気
的回路に接続された電極やその他のセンサー（電界効果
トランスジューサーなど）であってもよい、材料の表面
は、各種の物理的、化学的処理によって親水性もしくは
疎水性に処理することができる。疎水性処理として好ま
しい方法は、たとえばアルキルシラン誘導体をカンプリ
ング剤として基板表面に反応させる方法である。

本発明の薄膜材料の構造において、基板もしくは支持体
材料の表面はそれと接触する有機物の累積膜を構成する
分子と化学的に結合していてもよい、このような結合は
基板表面の反応基（たとえば水酸基など）と累積膜構成
分子の末端の反応基（たとえば活性シランなと）と熱的
に化学反応させることによって達成できる。

本発明で液相上の単分子膜を基板に累積する工程におい
ては、より密で均一な重合膜を得る目的から、液相上の
単分子膜の表面圧力は十分に高く保つことが好ましい。

十分に高くとは、その単分子膜の表面圧カー面積（π−
Ａ）特性において、破壊圧力（πＣ）より低（かつ圧力
が顕著な立ち上りを示すいわゆる凝固体膜もしくは固体
膜の形成が開始する圧力より高い領域である。

このような圧力は分子に依存するが一般に５　ｄｙｎｅ
／ｃｖから６０ｄｙｎｅ／αの範囲である３表面圧力は
特に基板の引上げの工程で一定圧力に保持することが好
ましい、圧力のＩＩＩＩｉは表面圧力センサーの装着し
たトラフにおいて圧力のモニターと同時に圧力の変化に
対応して膜のバリアーを連動させる方法で、一定値に制
御することができる。

本発明の方法に用いる単分子膜製造用トラフとしては通
常用いられるトラフ（浮子型バリアー式、ベルトバリア
ー式のものなど）の他、特開昭６０−１８３７２４号及
び同６０−２０９２４５号に示されるような連続累積用
トラフや同６０−１９６９３４号、同６０−１９７２０
８号に示されるような振動印加型トラフ、あるいは高粘
性の膜の被覆に適したムービングウオール式（宮田の方
法）によるトラフなど各種の改良型のトラフを用いるこ
とができる。

以下に一般式（ＩＩ）で表わされる両親媒性化合物や代
表的な合成例について述べる。

合成例　　化合物例１　（Ｃ−１）の合成（１）　２−
メチル−５＋２−ヒドロキシ−３−トリクロロ）プロピ
ルピラジン（Ｄ−１）の合成市販の２．５−ジメチルピ
ラジン４０ｇ（０，３７　ｍｏｌ）クロラール１０　ｇ
　（０，０６ＥＩ＋ｏｌ）をピリジン１５０ａｉに溶解
させ、９０〜９５℃にて７００時間反応せた０反応後ピ
リジン及び過剰の２，５−ジメチルピラジンを減圧下に
留去して除き、残金を水から２回再結晶した。

白色粉末　　収量　１２．５ｇ（収率７２％）化学構造
はＮＭＲ，ＩＲ１元素分析にて確認した。

（２）β＋２−メチル−５−ピラジン）アクリルＭ（Ｄ
−２）の合成 化合物Ｄ−１１２ｇ（０，０４７ｍｏｌ）をエタノール
６０Ｍ１に溶解させ、５０％水酸化ナトリウム水溶液２
０ｍを加えて、室温で１時間攪拌した。このとき反応温
度は７０°Ｃまで発熱した。

反応後、エタノールを減圧留去し、残金に希塩酸を加え
てｐＨ−４〜５とした。この溶液を活性炭処理した後、
目的物をベンゼンで抽出した。

（２００ｓｏｌＸ３）さらに活性炭処理した後、残金に
石油エーテルを加えて析出した結晶を集めた。

収量　４．７ｇ（収率５９．５％） 化学構造はＮＭＲ，ＩＲ１元素分析にてｉ１認した。

（３）　　Ｃ−１の合成 化合物Ｄ−２４，７ｇ　（０，０２８＊ｏｌ）、ｐ−ブ
チルベンズアルデヒド１０　ｇ　（０，０５６＊ｏｌ）
及び５％水酸化ナトリウム水溶液１Ｍ１をエタノール４
０−に溶解し、窒素ガス雰囲気下６０〜７０℃で７２時
間反応させた０反応後、溶媒を減圧留去し、残金をクロ
ロホルム／メタノール混合溶媒にてシリカゲルカラム処
理にて目的物を得た。

収量　　４．０ｇ（収率４６％） 化学構造はＮＭＲ，ＩＲ１元素分析、マススペクトルに
て確認した。

〔実施例〕

以下、実施例を用いて詳細に説明するが、これらに限定
されるものではない。

実施例！ 化合物例１　（Ｃ−１）をクロロホルムに溶解し、１０
−’Ｍ溶液とし、これを６Ｘ１０−’Ｍの塩化カドミウ
ム及びｌＸｌ０”４Ｍの炭酸水素ナトリウムを含む水溶
液上に展開して単分子膜を作成した。

水面上の単分子膜をベルトドライブ式バリアーで徐々に
圧縮し、表面圧−分子占有面積（π−Ａ）特性を測定し
た結果、第１図のような曲線が得られた。

別に作製した化合物例１　（Ｃ−１）の単分子膜を３０
ｄｙｎ　／ｃｓまで圧縮して表面圧を一定に制御した後
、この膜を垂直式付着法によって、シリコンウェハー基
板（２，６Ｘ２．６Ｃ１ｌ）上にＹ膜を形成するように
４層移し取った。基板は十分に自然乾燥させた。

こうして累積膜を形成した基板を３０℃に保温し、基板
に対して２０°の傾きを持たせ、１０ｃｍの距離から４
００Ｗ高圧水銀灯を１０分間照射して重合有機薄膜■を
得た。

またシリコンウェハー基板を石英基板に変更した他は上
述の方法と全く同様にして重合有機薄膜■を得た。

この重合有機薄膜■のスペクトルを測定したところ、吸
収最大波長（λ−ａｘ）は４７５ｎｍであった。

また光照射前のλ■ａｘは５６０ｎ−であった。

比較例として米国特許４，８３０．９５２号に記載され
ている下記の化合物（Ｄ−１）の重合体からなる重合有
機薄膜■（シリコンウェハース基板）、■（石英基板）
を得た。

（Ｄ−１） この有機薄膜■のλ−ａｘは２８６ｎ−であった。

さらに比較例としてポリマー・コミエニケーシツ　ン　
（Ｐｏｌｙｍｅｒ　　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　　
）　　、　２　７　＠、　　２　３８買（１９８６年）
に記載されている化合物（Ｄ−２）の重合体からなる重
合有機薄膜■（シリコンウェハー基盤）、■（石英基板
）を得た。

（Ｄ−２） この重合有機薄膜■のλｗａｘは２９５ｆｌ−であうた
。

このようにして得た有機薄膜の構造上の欠陥及び膜強度
について以下に示す方法で評価した。

（１）構造上の欠陥 得られた有機薄膜■、■、■について走査型電子顕微ｍ
（以下ＳＥＭと略す）を用いて目視にて膜の構造欠陥（
亀裂、不均一性など）を以下の４段階に分けて評価した
。

Ａ、はとんど膜の欠陥が認められない。

Ｂ、多少の欠陥が認められる。

Ｃ０かなり欠陥が認められる。

Ｄ、著しく多くの欠陥が認められる。

（２）膜強度 得られた有機薄膜■、■、■を濃塩酸１ｄを含むエタノ
ール５０ａｆ中に３０°Ｃで２０分間浸漬し、エタノー
ル次いでクロロホルムで洗浄した後、十分に自然乾燥し
た。こうして溶媒処理した有Ｉｉ薄膜について吸収スペ
クトルを測定し、そのλ−ａｘにおける吸光度を溶媒処
理前のものと比較した。

なお、吸収スペクトルは各薄膜について５点測定し、各
吸光度の平均値をもって評価した。結果を表１に示す。

表１かられかるように、本発明の実施例１の重合有機薄
膜■及び■は比較例■〜■に比べて構造上の欠陥が同等
または少なく、かつ溶媒処理に対する膜強度が優れてい
ることが明らかである。

実施例２ 実施例１の化合物例１　（Ｃ−１）のかわりに化合物例
３　（Ｃ−３）を使用した以外は実施例１と全く同様に
して重合有機薄膜■、■を得た。

また、比較としてジャーナル・オブ・ポリマー・サイエ
ンス・ポリマー・ケミストリー・エデイシラン（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ＋　
ＰｏｌｙｍｅｒＣｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｅｄｄｉｔｉｏｎ
）　、１７巻、１６３１頁（１９７９年）に記載されて
いる以下の化合物（Ｄ−３）について実施例１と同様に
して重合有機薄膜■、■を得た。

（Ｄ−３） Ｃ１□Ｈｚｓ　　　Ｃ＝ＣＣ＝Ｃ＋Ｃ［Ｉ寥−）−画−
Ｃ０ＯＨさらに、比較として特開昭６２−２０１８７４
号に記載されている以下の化合物（Ｄ−４）についても
実施例１と同様にして重合有機薄膜■、■を得た。

（Ｄ−４） このようにして得られた有機薄膜について実施例１と同
様にして構造上の欠陥及び膜強度を評価した。結果を表
２に示した。

表２かられかるように本発明の実施例２の重合有機薄膜
■及び■は比較例■、■、■、■に比べて構造上の欠陥
がきわめて少ないのが明らかである。

〔発明の効果〕

本発明によると、構造上の欠陥がほとんどなく、かつ膜
強度も優れた有機薄膜を得ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１の塩化カドミウム及び炭酸水素ナトリ
ウムを含む水溶液上に展開された化合物例１　（Ｃ−１
）の単分子膜の２０℃における表面圧−分子占有面積特
性を表わす。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）分子内に下記一般式〔 I 〕で表わされる基を有
   する両親媒性有機化合物の少なくとも一種を含む単分子
   膜もしくは累積膜からなる有機薄膜。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１はアリ−レン基、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 −ＣＯ＿２−又は−ＳＯ＿３−を表わし、Ｒ＾２は−Ｃ
   Ｏ＿２−、−ＳＯ＿３−又は−ＣＯＮ−を表わし、Ａは
   芳香族ヘテロ環を表わし、Ｄは水素原子又はアルキル基
   を表わす。 Ｂは単独又はＲ＾２と共同して親水性を示す基を表わす
   。）
2. （２）請求項１記載の単分子膜もしくは累積膜を重合し
   てなる有機薄膜。