JPH03195042A - Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 - Google Patents

Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法

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JPH03195042A JP1335970A JP33597089A JPH03195042A JP H03195042 A JPH03195042 A JP H03195042A JP 1335970 A JP1335970 A JP 1335970A JP 33597089 A JP33597089 A JP 33597089A JP H03195042 A JPH03195042 A JP H03195042A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ１従来技術 り１発明が解決しようとする問題点 Ｅ１問題点を解決するための手段 Ｆ、イ乍用 Ｇ、実施例［第１図乃至第３図］ Ｈ９発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はＩＣリード検査装置、特にＩＣ載置台と該ＩＣ
載置台上に載置された被検査ＩＣのリードに検査用光を
照射しその反射光を検出して上記リードの高さを測定す
る変位センサと該変位センサを上記ＩＣ載置台に対して
相対的に移動させて上記検査用光で上記被検査ＩＣのリ
ード列を走査させる走査手段を少なくとも有するＩＣリ
ード検査装置と、それを用いてリードの寄り、リードの
浮き沈みを測定するＩＣリード検査方法に関する。
（Ｂ、発明の概要） 本発明は、上記のＩＣリード検査装置とＩＣリード検査
方法において、 リードの寄りの絶対値を検出することができるようにす
るため、 ＩＣ載置台の検査用光走査線上に基準マークを設けるよ
うにしたり、 あるいは、リードの浮き沈みの絶対値を検出することが
できるようにするため、 表面部を透明体で構成した該ＩＣ載置台の検査用光走査
線上に基準マークを設けるようにするものである。
（Ｃ，従来技術） ＱＦＰＩＣの需要の増加に伴ってＱＦＰ　ＩＣの供給量
の増大が図られているが、それに伴って製造を終えたＱ
ＦＰＩＣの検査を大量に行うことが必要である。そして
、電気的特性の検査の重要性が高いことはいうまでもな
いが、ＱＦＰＩＣのリード変形の有無を調べる検査の重
要性が非常に高まっているのである。
というのは、ＱＦＰＩＣは高集積化に伴ってリードの数
が増え、リード及びそのピッチが小さくなる傾向にあり
、僅かなリードの寄り、浮き沈みがＱＦＰＩＣとこれが
接続されるプリント配線基板の配線膜との整合性を悪く
することになるからである。従って、非常に精確に検査
する必要があり、目視検査ではその必要に応じることは
事実上不可能となる。しかも抜き取り検査では不充分で
全数検査の必要性があり、そのため大量検査が必要とな
る。
そこで、画像処理方式によるあるいは特開平１−２７２
１２６号公報、特開昭６３−２７８３４５号公報等に紹
介された光学式変位センサによるリード曲り検査装置が
開発された。
しかし、画像処理方式は信号処理時間が長（なり、大量
のＱＦＰＩＣを検査するという要求に充分に応えること
が難しい。しかも、リード間の寄りはＱＦＰＩＣの上側
からカメラで撮像して測定できるが、浮き沈みはＱＦＰ
ＩＣの側方に置いたカメラでリード端面を撮像しなけれ
ば検査ができない。そして、四辺リードの浮き沈みを検
査するには四回の検査が必要である。従って、１個のＱ
ＦＰＩＣを検査するに要する時間がきわめて長くなる。
それに対して特開平１−２７２１２６号公報等により紹
介された光学式変位センサによるリード曲り検査装置に
よれば、画像認識処理という複雑な処理が必要ではな（
、単に光学式変位センサから出力された電気信号をリア
ルタイムで処理することによって検査を行うことができ
、更に一つの変位センサでリードの浮き沈みと寄りを同
時に検査することができ検査スピードをきわめて速くす
ることができる。その点で優れているといえる。
ところで、光学式変位センサによるリード曲り検査装置
は、センサ内にレーザ光等の光を出射する光源と、該光
源から出射された光のリード（あるいは下地）での反射
光を受光する受光素子（例えばＰＳＤ）を設け、該受光
素子の出力信号を処理してリードの寄り（リードの平面
方向の曲り）、浮き沈み（リードの高さ方向の曲り）を
測定するものである。
そのリード曲りの検査原理を簡単に説明すると次の通り
である。
先ず、リードの寄り（リードの平面方向の曲り、リード
側面の欠けあるいは異物付着）は、光源からの光の反射
する高さがリードとこれを載置するＩＣ載置台とで変化
することを利用し、その高さの変化を変位センサにより
検出して検査用光の走査による変位センサの出力信号の
レベル変化のタイミングを測定することにより検査する
。
また、リードの浮き沈み（リードの高さ方向の曲り）は
、変位センサにより各リードのＩＣ載置台表面との高さ
の違いを検出し、それによって各リードの高さを認識す
るという方法により検査する。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、上述
した従来のＩＣリード検査方式によれば、変位センサの
出力信号のダイナミックレンジが小さ（なるという問題
があった。というのは、リードの厚さが例えば０．１ｍ
ｍ以下と非常に薄（、そのため、リード表面を走査して
いるときとリード表面から外れたところ（それはとりも
直さずＩＣ載置台表面）を走査しているときとの変位セ
ンサの出力信号の差が小さくなるからである。
また、リードの寄りについてはあくまでも各リード間の
相対的位置関係を判断し、その相対的位置関係に許容で
きない異常があった場合にはじめて異常ありとするので
、ＩＣの一辺のリードすべてが平行に曲った場合には異
常と判断されないという不都合を生じてしまう問題があ
った。
尤も、変位センサの出力信号のダイナミックレンジが小
さいという問題は、ＩＣ載置台の表面部を透明体により
構成することによって解決することができる。そして、
かかる解決策は特開平１−２７２１２６号公報において
も紹介されている。しかしながら、ＩＣ載置台の表面部
を透明体により構成した場合において、浮きの判断基準
となる原点が無くなり、リードの寄りの場合と同様に各
リードの高さの比較をすることによりリードの浮き沈み
を判断せざるを得なかった。従って、−辺のリードのす
べてが浮いている場合にはそれを不良と判定することが
できないことになるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、リードの寄り、リードの浮き沈みの絶対値を検出
して不良の有無を精確に検査できるようにすることを目
的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するため、ＩＣ載置台の検査
用光の走査線上に基準マークを設けるようにすることを
特徴とする。
本発明の第２のものは、ＩＣ載置台の表面部を透明体で
構成し、該ＩＣ載置台の検査用光走査線上に基準マーク
を設けるようにしたことを特徴とする。
（Ｆ、作用） 本発明によれば、ＩＣ載置台の検査用光走査線上に基準
マークを設けるので、各リードの基準マークとの平面上
の位置関係を検圧することができる。即ち、基準マーク
を原点として各リードの絶対的な平面的位置を検出する
ことができる。
従って、１つの側辺の全リードが平行に曲っている曲り
不良であっても支障なく不良と判断することができる。
本発明の第２のものによれば、ＩＣ載置台の表面部な透
明体で構成したので、検査用光のリードを外れたときの
反射される高さをＩＣ載置台表面より低くすることがで
き、変位センサの出力信号のダイナミックレンジを広（
することができる。
そして、該ＩＣ載置台の検査用光の走査線上に基準マー
クを設けたので、基準マークを基準として各リードの絶
対的な浮きあるいは沈みの量を測定することができる。
従って、−辺のリードがすべて浮いているあるいは沈ん
でいるような不良も確実に検出することが可能になる。
（Ｇ、実施例）［第１図乃至第３図］ 以下、本発明ＩＣリード検査装置とＩＣリード検査方法
を図示実施例に従って詳細に説明する。
図面は本発明の一つの実施例を説明するためのもので、
第１図はＩＣリード検査装置の要部を示す斜視図、第２
図はＩＣ載置台の断面図、第３図はリードと、変位セン
サの出力信号との関係を示す関係図である。
図面において、１は光学式変位センサで、下面の水平な
部分にレーザ光源２が設けられ、下面の水平部分に対し
て適宜な角度傾斜した傾斜部分に光位置検出素子（ＰＳ
Ｄ）３が設けられている。
受光素子として光位置検出素子（ＰＳＤ）３を用いるの
はレーザ光源２からの検査用光のリードあるいはＩＣ載
置台で反射される高さを検出するためであり、この高さ
の検出によってリードの高さ方向のずれと共にリードの
平面方向のずれを検出することができるのである。
上記光学式変位センサ１はアーム４に取り付けられ、そ
れのレーザ光源２から出射された検査用レーザビームに
よりＩＣ，例えばＱＦＰＩＣ５のリード列６．６、・・
・上を走査するように図示しない駆動機構により移動せ
しめられる。
ところで、被検査ＱＦＰ　Ｉ　Ｃ５はＩＣ載置台７の上
に置かれて検査を受けるが、このＩＣ載置台７は例えば
白色セラミック等からなるＩＣ載置台本体７ａの表面に
所定の厚さ（例えば３ｍｍ）を有する例えばガラスから
なるガラス板８が設けられている。このようにするのは
変位センサ２の出力信号のダイナミックレンジを広くす
るためであり、このようにすることは特願平１−２７２
１２６号公報においても紹介されている。
即ち、変位センサを用いたＩＣリード検査装置によれば
、検査光レーザビームの反射される高さがリードと、Ｉ
Ｃ載置台とで異なることを利用してリードの平面方向に
おけるずれを検出することができるが、リード６．６、
・・・の厚さは現在でも例えば０．１ｍｍ程度のものが
少なくなく、将来は更に薄（なる可能性がある。従って
、リード６の表面とＩＣ載置台の表面との差が例えば０
゜１ｍｍ程度と極めて僅かであり、その結果、検査用レ
ーザビームがリード６上を走査するときとＩＣ載置台７
上を走査するときの変位センサ１の出力信号の差がその
リードの厚さに見合ったきわめて小さな値にしかならな
い。つまりダイナミックレンジがきわめて狭いのである
。そして、変位センサ１の出力信号のダイナミックレン
ジが狭いとその信号を２値化するときのしきい値電圧の
設定が難しくなり、ノイズに弱く検出誤差が生じ易くな
る。
そこで、ＩＣ載置台７の表面部を透明板８で構成するこ
ととすれば、検査用レーザビームによりリード６表面を
走査するときとＩＣ載置台７を走査するときとのレーザ
ビームの反射される高さの差が透明板８の厚さ分大きく
なり、延いては出力信号のダイナミックレンジが大きく
なる。従って、その出力信号を２値化するときのしきい
値電圧の設定が容易になり、そして検出誤差が起きにく
くなり、また、耐ノイズ性が向上するのである。これが
ＩＣ載置台７の表面部を透明板８により構成する理由な
のである。
ところで、本ＩＣ載置台７は単に表面部が透明板８によ
って構成されているのみならず、該透明板８の表面に例
えば数百人程度の厚さの例えばアルミニウムからなる基
準マーク９．９．９．９が形成されているという特長を
有している。
この基準マーク９．９．９．９は検査用レーザビームが
走査する走査線上に配置され、検査の際にリード６．６
、・・・と共に基準マーク９．９、９．９、・・・もレ
ーザビームによって走査されるようになっている。そし
て、被検査ＱＦＰＩＣ５は該基準マーク９．９．９．９
に対して所定の平面的位置関係をもってＩＣ載置台７上
に載置される必要がある。というのは、各ＱＦＰＩＣ５
の各リード６．６、・・・の寄り不良の有無の判断は基
準マーク９．９．９．９を基点としてこれとリード６と
の間隔を測定しその測定値が異常か否かをもって行うよ
うにするためである。
しかし、基準マーク９．９．９．９はリード６．６、・
・・の寄り不良の判断にあたっての基準として利用する
だけでなく、リード６．６、・・・の浮き沈みの有無の
判断の前提としての高さの検出の基準としても利用する
のである。即ち、基準マーク９．９．９．９は透明板８
の表面に形成されており、これを高さの基準としこれに
対して各リード６．６、・・・がどれだけの高さを有す
るかをもって各リード６．６、・・・の絶対的な高さを
判断することができるのである。
尚、基準マーク９．９．９．９は例えばアルミニウムの
蒸着により形成するが、下地との密着性を良くするため
、基準マーク９．９．９．９を形成すべき部分に溝を形
成することにより粗面化しておき、その粗面化したとこ
ろに基準マーク９．９．９．９、・・・を形成するよう
にしている。勿論、絶対にこのようにしなけらばならな
いということはない。また、材料はアルミニウムに限ら
ず、反射性のあるものならば他のものでも良く、例えば
クロム等により基準マーク９．９．９．９を形成するよ
うにしても良いし、また、基準マーク９．９．９．９の
形状も単なる帯状体でなく、例えば十字状にする等積々
のものが考えられ得る。
第３図に従って具体的に出力信号の変化をみると、検査
用レーザビームにより走査する（１０はその走査線）と
、基準マーク９及びリード６．６、・・・をよぎる毎に
出力信号にパルス（このようにきれいなパルスになると
は限らない）が発生する。そして、検査用レーザービー
ムが基準マーク９をよぎったとき発生したパルスと、各
リード６．６、・・・をよぎったとき発生した各パルス
との発生時間差Ｔａ、Ｔｂ、・・・から各リード６．６
、・・・の基準マーク９との間隔を判断することができ
る。　従来の場合だと各リード６．６、・・・間の相対
的間隔しか判定できず、従って、第３図に示したＱＦＰ
ＩＣ５における右側の辺のようにリード６．６、・・・
が全体的に平行に寄っていた場合には不良と判断できな
かったのであるが、基準マーク９．９．９．９、・・・
を設けそれを基点とすることによって各リード６．６、
・・・の絶対的平面位置を測定することができるのでそ
のような場合も不良と正しく判断することができるので
ある。
また、各リード６．６、・・・の浮き沈みを判断すると
きは、検査用レーザビームが基準マーク９．９．９．９
をよぎったとき発生したパルスのレベルと、リード６．
６、・・・をよぎったとき発生したパルスとのレベル差
Ｓから各リード６．６、・・・の絶対的な高さを判断す
ることができる。従って、例えば１つのリード６ａが浮
き上がっていた場合にはそのリード６ａに対応するパル
スのレベルは浮き上がっている分抽のリード６．６、・
・・に対応するパルスのレベルよりも高くなり、基準マ
ーク９．９．９．９に対応するパルスとの差がＳａと大
きくなる。依って、異常と判断することができるのであ
る。
勿論、ＱＦＰＩＣ５の１つの辺のリード６．６、・・・
が全体的に浮いている場合、あるいは逆に沈んでいる場
合においても基準マーク９．９．９．９と各リード６．
６、・・・との高さの差から各リード６．６．６．６の
高さを検出して高さ不良の有無を判断することによりそ
の辺のリードを不良であると判定することができる。
そして、基準マーク９．９．９．９を基準としてリード
６．６、・・・の高さを判断するようにすることは、Ｉ
Ｃ載置台７に対する変位センサｌの高さのバラツキが検
査精度を低下する要因とならないという効果をもたらす
。というのは、変位センサ１のＩＣ載置台７に対する高
さによって変位センサｌの出力信号が異なるので、基準
マーク９．９．９．９の如き高さの判断基準を設けない
場合には必然的に変位センサ１の高さのバラツキにより
誤差が生じる。従って、ＱＦＰＩＣ５の各辺のリード６
．６、・・・を異なる検査ステージ上に検査するという
方式の場合は、検査ステージ間で高さのバラツキがある
と１つのＱＦＰＩＣ５の側辺によって誤差が生じるとい
うようなことが有り得る。しかし、基準マーク９．９．
９．９の透明板８の表面に対する高さＣ本実施例におい
ては基準マーク９と透明板８の表面との高さが同一）さ
えきちんと一定にしておけば変位センサ１のＩＣ載置台
７に対する高さにバラツキがあってもそれは誤差の要因
とならない。
尚、基準マーク９は透明板８の表面に形成されていたが
、必ずしもこのようにする必要はなく、透明板８の表面
に形成しても良いし、また中間の深さのところに形成し
ても良い。
（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明の第１のものは、ＩＣ載置
台の検査用光走査線上に基準マークを設けるので、各リ
ードの基準マークとの平面上の位置関係を検出すること
ができる。即ち、基準マークを原点として各リードの絶
対的な平面的位置を検出することができる。
従って、１つの側辺の全リードが平行に曲っている曲り
不良であっても支障なく不良と判断することができる。
また１本発明の第２のものによれば、ＩＣ載置台の表面
部を透明体で構成したので、検査用光のリードを外れた
ときの反射される高さをＩＣ載置台表面よりも低くする
ことができ、変位センサの出力信号のダイナミックレン
ジを広くすることができる。そして、該ＩＣ載置台の検
査用光走査線上に基準マークを設けたので、基準マーク
を基準として各リードの絶対的な浮きあるいは沈みの量
を測定することができる。従って、−辺のリードがすべ
て浮いているあるいは沈んでいるような不良も確実に検
出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明の一つの実施例を説明するた
めのもので、第１図はＩＣリード検査装置の斜視図、第
２図はＩＣ載置台の断面図、第３図はリードと出力信号
の関係図である。 符号の説明 １・・・変位センサ、２・・・光源、 ３・・・受光素子、４・・・走査手段、５・・・被検査
ＩＣ１ ６・・・被検査ＩＣのリード、 ７・・・ＩＣ載置台、８・・・透明体、９・・・基準マ
ーク、 １０・・・検査用光の走査線。 一２″。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＩＣ載置台と、該ＩＣ載置台上に載置された被検
    査ＩＣのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
    て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
    ンサと上記ＩＣ載置台とを相対的に移動させて上記検査
    用光で上記被検査ＩＣのリード列を走査させる走査手段
    を少なくとも有するＩＣリード検査装置において、 上記ＩＣ載置台の上記検査用光の走査線上に基準マーク
    を設けてなることを特徴とするＩＣリード検査装置
  2. （２）ＩＣ載置台の表面部が透明体からなることを特徴
    とする請求項（１）記載のＩＣリード検査装置
  3. （３）ＩＣ載置台と、該ＩＣ載置台上に載置された被検
    査ＩＣのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
    て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
    ンサと上記ＩＣ載置台とを相対的に移動させて上記検査
    用光で上記被検査ＩＣのリード列を走査させる走査手段
    を少なくとも有するＩＣリード検査装置を用い、上記変
    位センサの出力信号の変化タイミングからリードの寄り
    を測定するＩＣリード検査方法において、上記ＩＣ載置
    台の上記検査用光の走査線上に基準マークを設けておき
    、該基準マークをリードの平面的位置の測定基準にする
    ことを特徴とするＩＣリード検査方法
  4. （４）ＩＣ載置台と、該ＩＣ載置台上に載置された被検
    査ＩＣのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
    て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
    ンサと上記ＩＣ載置台とを相対的に移動させて上記検査
    用光で上記被検査ＩＣのリード列を走査させる走査手段
    を少なくとも有し、上記ＩＣ載置台の表面部が透明体か
    らなるＩＣリード検査装置を用いて変位センサの出力信
    号からリードの浮き沈みを測定するＩＣリード検査方法
    において、 上記ＩＣ載置台の上記検査用光の走査線上に基準マーク
    を設けておき、該基準マークをリードの高さの測定基準
    にすることを特徴とするＩＣリード検査方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2769750B2 (ja) * 1991-04-23 1998-06-25 リックス株式会社 ワークの寸法検査装置
US5309223A (en) * 1991-06-25 1994-05-03 Cyberoptics Corporation Laser-based semiconductor lead measurement system
US5331406A (en) * 1991-06-25 1994-07-19 Cyberoptics Corporation Multi-beam laser sensor for semiconductor lead measurements
JP2913967B2 (ja) * 1991-11-14 1999-06-28 日本電気株式会社 リード平坦度測定装置
US5600150A (en) * 1992-06-24 1997-02-04 Robotic Vision Systems, Inc. Method for obtaining three-dimensional data from semiconductor devices in a row/column array and control of manufacturing of same with data to eliminate manufacturing errors
US5463227A (en) * 1992-06-24 1995-10-31 Robotic Vision Systems, Inc. Method for obtaining three-dimensional data from multiple parts or devices in a multi-pocketed tray
US5406372A (en) * 1993-04-16 1995-04-11 Modular Vision Systems Inc. QFP lead quality inspection system and method
US5402505A (en) * 1993-10-18 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device lead inspection system
US5652658A (en) * 1993-10-19 1997-07-29 View Engineering, Inc. Grid array inspection system and method
JP3842287B2 (ja) * 1994-08-11 2006-11-08 サイバーオプティックス・コーポレーション 高精度半導体部品位置合せシステム
US6118538A (en) * 1995-01-13 2000-09-12 Cyberoptics Corporation Method and apparatus for electronic component lead measurement using light based sensors on a component placement machine
US6400459B1 (en) 1995-02-24 2002-06-04 Cyberoptics Corp. Methods and apparatus for using optical sensors in component replacement heads
SG42307A1 (en) * 1996-01-09 1997-08-15 Peng Seng Toh Measurement and inspection of leads on integrated circuit packages
US5663799A (en) * 1996-01-24 1997-09-02 Competitive Technologies Of Pa, Inc. Optical diffraction method and apparatus for integrated circuit lead inspection
US5774224A (en) * 1997-01-24 1998-06-30 International Business Machines Corporation Linear-scanning, oblique-viewing optical apparatus
US6064483A (en) * 1997-08-07 2000-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Device for checking the position the coplanarity and the separation of terminals of components
KR100234122B1 (ko) * 1997-08-30 1999-12-15 윤종용 Ic 패키지 리드핀 검사장치 및 그 제어방법과 레이저센서의포커스 검출장치 및 그 포커스검출방법
US5929459A (en) * 1997-09-23 1999-07-27 Synergistech, Inc. Methods and apparatus for inspecting a workpiece with edge and co-planarity determination
US6518997B1 (en) * 1998-08-05 2003-02-11 National Semiconductor Corporation Grid array inspection system and method
SE514859C2 (sv) 1999-01-18 2001-05-07 Mydata Automation Ab Förfarande och anordning för undersökning av objekt på ett substrat genom att ta bilder av substratet och analysera dessa
US7034272B1 (en) 1999-10-05 2006-04-25 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for evaluating integrated circuit packages having three dimensional features
US7155299B2 (en) * 2004-06-01 2006-12-26 Manufacturing Integration Technology Ltd Method and apparatus for precise marking and placement of an object
WO2008115532A1 (en) 2007-03-20 2008-09-25 Cyberoptics Corporation Method for measuring center of rotation of a nozzle of a pick and place machine using a collimated laser beam
WO2008153885A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-18 Cyberoptics Corporation Component sensor for pick and place machine using improved shadow imaging
CN106058626B (zh) * 2007-06-13 2020-04-28 斯特罗布公司 锁定至回音壁模式谐振腔的可调谐激光器
CN110095472B (zh) * 2019-05-08 2019-12-13 湖北工业大学 基于hdri的高反光金属表面缺陷检测方法及系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4379175A (en) * 1979-02-06 1983-04-05 The Pro-Mark Companies Preparation of low fat imitation cream cheese
JPS57198627A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Fujitsu Ltd Reticle
DE3306194A1 (de) * 1982-02-25 1983-09-08 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zur pruefung von schraubenoberflaechen auf fehler und vorrichtung zu seiner durchfuehrung
JPH0731047B2 (ja) * 1985-04-09 1995-04-10 松下電器産業株式会社 電子部品リード検査方法
JPS63278345A (ja) * 1987-05-11 1988-11-16 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の検査装置
JP2676780B2 (ja) * 1988-04-25 1997-11-17 ソニー株式会社 半導体装置のリード曲り検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2890578B2 (ja) 1999-05-17
KR910013499A (ko) 1991-08-08
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