JPH03194933A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH03194933A JPH03194933A JP33358889A JP33358889A JPH03194933A JP H03194933 A JPH03194933 A JP H03194933A JP 33358889 A JP33358889 A JP 33358889A JP 33358889 A JP33358889 A JP 33358889A JP H03194933 A JPH03194933 A JP H03194933A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウニ／％等の被処理体をプロセスガス
により処理する処理装置に関する。
により処理する処理装置に関する。
（従来の技術）
第２図は、例えば半導体ウエノ＼にアニール処理を施す
ための処理装置の従来例を示す概略説明図である。
ための処理装置の従来例を示す概略説明図である。
同図に示す処理装置は、プロセスチューブ１、このプロ
セスチューブ１の周囲に配置されたヒータ２および前記
プロセスチューブ１を支持するマニホールド１ｄ等から
構成されており、前記プロセスチューブ１内部の均熱ゾ
ーン１ａにはウェハＷを水平状態で複数枚縦方向に所定
間隔で配置支持したボート１ｂが配置され、このボート
１ｂは保温筒ＩＣによって支持固定されている。そして
、この装置においては、プロセスチューブ１の上部に設
けられた導入管Ｐ１からアニール処理用のプロセスガス
を導入しマニホールド１ｄに設けられた排出管Ｐ２から
該プロセスガスを排出するように構成されている。
セスチューブ１の周囲に配置されたヒータ２および前記
プロセスチューブ１を支持するマニホールド１ｄ等から
構成されており、前記プロセスチューブ１内部の均熱ゾ
ーン１ａにはウェハＷを水平状態で複数枚縦方向に所定
間隔で配置支持したボート１ｂが配置され、このボート
１ｂは保温筒ＩＣによって支持固定されている。そして
、この装置においては、プロセスチューブ１の上部に設
けられた導入管Ｐ１からアニール処理用のプロセスガス
を導入しマニホールド１ｄに設けられた排出管Ｐ２から
該プロセスガスを排出するように構成されている。
（発明が解決しようとする課題）
アニール処理は、通常、均熱ゾーン１ａの温度が５００
〜６００℃という高温雰囲気中で行われ、しかも前記プ
ロセスガスは４％前後の濃度の水素ガスを含んでいるこ
とから、プロセスチューブ１に何等かの原因でクラック
等が生じ、内部のプロセスガスが外部にリークした場合
には、大気中の酸素と反応して爆発事故を生ずるおそれ
がある。
〜６００℃という高温雰囲気中で行われ、しかも前記プ
ロセスガスは４％前後の濃度の水素ガスを含んでいるこ
とから、プロセスチューブ１に何等かの原因でクラック
等が生じ、内部のプロセスガスが外部にリークした場合
には、大気中の酸素と反応して爆発事故を生ずるおそれ
がある。
また、上述のようなアニール処理に限らず、塩素ガス等
の毒性の強いプロセスガスを用いたエツチング処理等に
おいても、これらのプロセスガスが外部にリークするこ
とを防止する必要がある。
の毒性の強いプロセスガスを用いたエツチング処理等に
おいても、これらのプロセスガスが外部にリークするこ
とを防止する必要がある。
本発明は、上述のような問題点を解決し、その目的とす
るところは、水素ガス等の活性プロセスガスや塩素ガス
等の毒性の強いプロセスガスのリークを防止し、爆発事
故や大気汚染等の事故の発生を確実に防止することがで
きる処理装置を提供することにある。
るところは、水素ガス等の活性プロセスガスや塩素ガス
等の毒性の強いプロセスガスのリークを防止し、爆発事
故や大気汚染等の事故の発生を確実に防止することがで
きる処理装置を提供することにある。
［発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
本発明は、プロセスチューブ内において被処理体をプロ
セスガスによって処理する処理装置において、 上記プロセスチューブに対して間隙を有しかつ気密な状
態で外部チューブを配置したことを特徴とする。
セスガスによって処理する処理装置において、 上記プロセスチューブに対して間隙を有しかつ気密な状
態で外部チューブを配置したことを特徴とする。
（作 用）
上記の構成の装置においては、プロセスチューブの外周
に配設された外部チューブを有するので、活性プロセス
ガスまたは有毒ガスがプロセスチューブよりリークした
としても、これが外部に漏れることがない。このように
構成することにより、プロセスチューブ内にプロセスガ
スに対して例えば不活性なガスを連続的に流すことによ
って、プロセスチューブ内の活性プロセスガスや有毒プ
ロセスガスが何等かの原因で外部にリークしたとしても
、これらのプロセスガスは不活性ガス等によって希釈さ
れた状態で排出されるため、大気中に漏れ出すことがな
い。従って、水素ガス等の活性ガスによる爆発事故や、
塩素ガス等の有毒ガスによる大気汚染を確実に防止する
ことができる。
に配設された外部チューブを有するので、活性プロセス
ガスまたは有毒ガスがプロセスチューブよりリークした
としても、これが外部に漏れることがない。このように
構成することにより、プロセスチューブ内にプロセスガ
スに対して例えば不活性なガスを連続的に流すことによ
って、プロセスチューブ内の活性プロセスガスや有毒プ
ロセスガスが何等かの原因で外部にリークしたとしても
、これらのプロセスガスは不活性ガス等によって希釈さ
れた状態で排出されるため、大気中に漏れ出すことがな
い。従って、水素ガス等の活性ガスによる爆発事故や、
塩素ガス等の有毒ガスによる大気汚染を確実に防止する
ことができる。
（実施例）
以下、本発明をアニール処理装置に適用した一実施例に
ついて、第１図を参照して具体的に説明する。
ついて、第１図を参照して具体的に説明する。
第１図は、プロセスガスとして水素ガスを用いるアニー
ル処理装置の概略断面図である。
ル処理装置の概略断面図である。
同図に示す装置においては、プロセスチューブ１０の外
周に該プロセスチューブ１０に対して間隙を有する状態
でこれを気密に包囲する外部チューブ２０を設け、さら
にこの外部チューブ２０の外側にヒータ４０を配置して
構成されている。そして、前記プロセスチューブ１０お
よび外部チューブ２０の下端は、マニホールド３０によ
って支持固定されている。
周に該プロセスチューブ１０に対して間隙を有する状態
でこれを気密に包囲する外部チューブ２０を設け、さら
にこの外部チューブ２０の外側にヒータ４０を配置して
構成されている。そして、前記プロセスチューブ１０お
よび外部チューブ２０の下端は、マニホールド３０によ
って支持固定されている。
前記マニホールド３０は、筒状の本体３２と、前記本体
３２の内周面に沿って形成されたフランジ部３２ａとか
ら構成されている。そして、このフランジ部３２ａには
プロセスチューブ１０の下端が支持固定され、前記本体
３２の上端面３２ｂには外部チューブ２０の下端が固定
支持され、従ってプロセスチューブ１０と外部チューブ
２０とは同心筒状にて二重管構造をなしている。尚、前
記マニホールド３０の下端開口部は、プロセス時にあっ
ては、後述するボート１４．保温筒体１２を載置して上
下動可能なボートエレベータ（図示せず）のシャッタ３
４により閉鎖される。また、前記マニホールド３０の本
体３２には、プロセスチューブ１０内に連通したプロセ
スガス排出管３８と、外部チューブ２０内に連通した不
活性ガス導入管３６とが接続されている。
３２の内周面に沿って形成されたフランジ部３２ａとか
ら構成されている。そして、このフランジ部３２ａには
プロセスチューブ１０の下端が支持固定され、前記本体
３２の上端面３２ｂには外部チューブ２０の下端が固定
支持され、従ってプロセスチューブ１０と外部チューブ
２０とは同心筒状にて二重管構造をなしている。尚、前
記マニホールド３０の下端開口部は、プロセス時にあっ
ては、後述するボート１４．保温筒体１２を載置して上
下動可能なボートエレベータ（図示せず）のシャッタ３
４により閉鎖される。また、前記マニホールド３０の本
体３２には、プロセスチューブ１０内に連通したプロセ
スガス排出管３８と、外部チューブ２０内に連通した不
活性ガス導入管３６とが接続されている。
前記プロセスチューブ１０においては、その下部に、断
熱効果を有しヒータ４０の熱がマニホールド３０付近に
伝達されることを防止するための保温筒体１２が設置さ
れ、この保温筒体１２の上端部に、ウェハＷを水平状態
で複数枚縦方向に所定間隔で配列したボート１４が支持
固定されている。そして、前記プロセスチューブ１０の
上部にはプロセスガス導入管１６ａが接続され、この導
入管１６ａ１はプロセスチューブ１０内の処理に応じて
複数のプロセスガスを選択的に供給することが可能なプ
ロセスガス供給系１６に接続されている。
熱効果を有しヒータ４０の熱がマニホールド３０付近に
伝達されることを防止するための保温筒体１２が設置さ
れ、この保温筒体１２の上端部に、ウェハＷを水平状態
で複数枚縦方向に所定間隔で配列したボート１４が支持
固定されている。そして、前記プロセスチューブ１０の
上部にはプロセスガス導入管１６ａが接続され、この導
入管１６ａ１はプロセスチューブ１０内の処理に応じて
複数のプロセスガスを選択的に供給することが可能なプ
ロセスガス供給系１６に接続されている。
前記外部チューブ２０は、前記プロセスチューブ１０の
底部を除く外周を包囲する筒体から構成され、その下部
にはマニホールド３０の本体３２を介して前記不活性ガ
ス供給管３６が接続され、その上部には不活性ガス排出
管２２が接続されている。この外部チューブ２０は、十
分な耐熱性を有ししかも化学的にも安定な材質、例えば
石英や炭化ケイ素等から構成されることが好ましい。ま
た、外部チューブ２０内には、図示はしないが、プロセ
スガスのリークを検出するためのガス検知器を設けてお
くことが好ましい。
底部を除く外周を包囲する筒体から構成され、その下部
にはマニホールド３０の本体３２を介して前記不活性ガ
ス供給管３６が接続され、その上部には不活性ガス排出
管２２が接続されている。この外部チューブ２０は、十
分な耐熱性を有ししかも化学的にも安定な材質、例えば
石英や炭化ケイ素等から構成されることが好ましい。ま
た、外部チューブ２０内には、図示はしないが、プロセ
スガスのリークを検出するためのガス検知器を設けてお
くことが好ましい。
本実施例においては、アニール処理のためのプロセスガ
スとしては低濃度の水素ガスが用いられ、不活性ガスと
しては窒素ガスが用いられている。
スとしては低濃度の水素ガスが用いられ、不活性ガスと
しては窒素ガスが用いられている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、外部チューブ２０内に不活性ガス導入管３６を介
して窒素ガスを導入すると共に不活性ガス排出管２２を
介して排出し、外部チューブ２０内において所定流量の
窒素ガスを通過させる。
して窒素ガスを導入すると共に不活性ガス排出管２２を
介して排出し、外部チューブ２０内において所定流量の
窒素ガスを通過させる。
そして、プロセスチューブ１０内をＮ２パージし、それ
と共にヒータ４０を駆動してプロセスチューブ１０の均
熱ゾーンＵを所定のプロセス温度（約５００〜６００℃
）に設定する。均熱ゾーンＵ内の温度が安定した後に、
プロセスガス供給系１６を駆動させ、プロセスガス導入
管１６ａを介して所定濃度の水素ガスを含むアニール用
プロセスガスをプロセスチューブ１０内に導入し、さら
にプロセスガス排出管３８を介して排出することにより
、プロセスチューブ１０内に所定量のプロセスガスが通
過することとなり、ウェハＷのアニール処理が達成され
る。
と共にヒータ４０を駆動してプロセスチューブ１０の均
熱ゾーンＵを所定のプロセス温度（約５００〜６００℃
）に設定する。均熱ゾーンＵ内の温度が安定した後に、
プロセスガス供給系１６を駆動させ、プロセスガス導入
管１６ａを介して所定濃度の水素ガスを含むアニール用
プロセスガスをプロセスチューブ１０内に導入し、さら
にプロセスガス排出管３８を介して排出することにより
、プロセスチューブ１０内に所定量のプロセスガスが通
過することとなり、ウェハＷのアニール処理が達成され
る。
このように、プロセスチューブ１０の外囲に外部チュー
ブ２０を設け、この外部チューブ２０内に窒素ガスを連
続的に流すことにより、仮にプロセスチューブ１０にク
ラック等が生じ、内部のプロセスガス（水素ガス）がリ
ークしたとしても、この水素ガスは不活性な窒素ガスと
混合され希釈化された状態で排出管２２より排出される
。さらに、水素ガスのリークがガス探知機によって検知
されると、その時点でプロセスガスの供給が停止され、
プロセス処理が停止される。
ブ２０を設け、この外部チューブ２０内に窒素ガスを連
続的に流すことにより、仮にプロセスチューブ１０にク
ラック等が生じ、内部のプロセスガス（水素ガス）がリ
ークしたとしても、この水素ガスは不活性な窒素ガスと
混合され希釈化された状態で排出管２２より排出される
。さらに、水素ガスのリークがガス探知機によって検知
されると、その時点でプロセスガスの供給が停止され、
プロセス処理が停止される。
従って、爆発性の高い高温水素ガスが大気中にリークす
ることが確実に防止され、かかる水素ガスと酸素との反
応による爆発事故の発生を防止することができる。
ることが確実に防止され、かかる水素ガスと酸素との反
応による爆発事故の発生を防止することができる。
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は
これに限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の改変
が可能である。
これに限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の改変
が可能である。
例えば、第１図に示した実施例においては、縦型処理装
置を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されず
横型処理装置についても同様に適用することができる。
置を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されず
横型処理装置についても同様に適用することができる。
また、前記実施例においては、プロセスとしてアニール
処理の場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定
されず、他のプロセス例えば腐蝕性の大きいＨｃｌ等を
用いたエツチング処理等に適用することもでき、この場
合には有毒のプロセスガスのリークを防止し、大気汚染
の発生を防止することができる。
処理の場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定
されず、他のプロセス例えば腐蝕性の大きいＨｃｌ等を
用いたエツチング処理等に適用することもでき、この場
合には有毒のプロセスガスのリークを防止し、大気汚染
の発生を防止することができる。
さらに、前記実施例においては、不活性ガスとして窒素
ガスを用いた例を説明したが、不活性ガスはプロセスガ
スに対して反応性を有しないものであればよく、例えば
アルゴンガス等の希ガスを用いることもできる。また、
外部チューブ２０に流されるガスは、不活性ガスに限定
されず、例えば環境を汚染しない反応ガス等であっても
よい。
ガスを用いた例を説明したが、不活性ガスはプロセスガ
スに対して反応性を有しないものであればよく、例えば
アルゴンガス等の希ガスを用いることもできる。また、
外部チューブ２０に流されるガスは、不活性ガスに限定
されず、例えば環境を汚染しない反応ガス等であっても
よい。
また、前記実施例では外部チューブ２０を含めて二重管
構造としたが、プロセスチューブ１０をインナーチュー
ブおよびアウターチューブから成る二重管とした場合に
は、さらにその周囲に外部チューブ２０を配置した三重
管構造とすればよい。
構造としたが、プロセスチューブ１０をインナーチュー
ブおよびアウターチューブから成る二重管とした場合に
は、さらにその周囲に外部チューブ２０を配置した三重
管構造とすればよい。
なお、プロセスガスおよび不活性ガスの配管は、用いる
ガスの種類、特性等により種々設計変更が可能なことは
もちろんのことである。
ガスの種類、特性等により種々設計変更が可能なことは
もちろんのことである。
さらに、外部チューブ２０内のガスは必ずしも流動して
いなくてもよく、封入した状態であってもよい。
いなくてもよく、封入した状態であってもよい。
［発明の効果］
本発明によれば、プロセスチューブの外側に外部チュー
ブを設けることにより、あるいはこの外部チューブ内に
例えば不活性ガス等を封入あるいは流すことにより、プ
ロセスチューブ内のプロセスガス、特に活性の大きい水
素ガスや毒性の強い塩素ガス等のリークが生じたとして
も、外部に流出することを防止でき、また不活性ガス等
によりこれらのプロセスガスを希釈あるいは希釈しなが
ら速やかに排出することができ、大気中へのリークを防
止することができるため、爆発事故や大気汚染等の事故
の発生を確実に防止することができる。
ブを設けることにより、あるいはこの外部チューブ内に
例えば不活性ガス等を封入あるいは流すことにより、プ
ロセスチューブ内のプロセスガス、特に活性の大きい水
素ガスや毒性の強い塩素ガス等のリークが生じたとして
も、外部に流出することを防止でき、また不活性ガス等
によりこれらのプロセスガスを希釈あるいは希釈しなが
ら速やかに排出することができ、大気中へのリークを防
止することができるため、爆発事故や大気汚染等の事故
の発生を確実に防止することができる。
第１図は、本発明をアニール処理装置に適用した場合の
一実施例を示す概略断面図、第２図は、従来のアニール
処理装置の一例を示す概略説明図である。 １０・・・プロセスチューブ、１４・・・ボート、１６
・・・プロセスガス供給系、 ２０・・・外部チューブ、３０・・・マニホールド、４
０・・・ヒータ、Ｗ・・・ウェハ。
一実施例を示す概略断面図、第２図は、従来のアニール
処理装置の一例を示す概略説明図である。 １０・・・プロセスチューブ、１４・・・ボート、１６
・・・プロセスガス供給系、 ２０・・・外部チューブ、３０・・・マニホールド、４
０・・・ヒータ、Ｗ・・・ウェハ。
Claims (1)
- （１）プロセスチューブ内において被処理体をプロセス
ガスによって処理する処理装置において、上記プロセス
チューブに対して間隙を有しかつ気密な状態で外部チュ
ーブを配置したことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33358889A JPH03194933A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33358889A JPH03194933A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194933A true JPH03194933A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18267724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33358889A Pending JPH03194933A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03194933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245158A (en) * | 1991-01-17 | 1993-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| US5308955A (en) * | 1991-07-11 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means |
| NL1005963C2 (nl) * | 1997-05-02 | 1998-11-09 | Asm Int | Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244434B2 (ja) * | 1977-10-18 | 1987-09-21 | Tomuson Sa | |
| JPH01255215A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP33358889A patent/JPH03194933A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244434B2 (ja) * | 1977-10-18 | 1987-09-21 | Tomuson Sa | |
| JPH01255215A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| WO1998050606A1 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-12 | Asm International N.V. | Vertical furnace for the treatment of semiconductor substrates |
| US6225602B1 (en) | 1997-05-02 | 2001-05-01 | Advanced Semiconductor Materials International N.V. | Vertical furnace for the treatment of semiconductor substrates |
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