JPH03191524A - 酸化シリコン膜の製造方法 - Google Patents
酸化シリコン膜の製造方法Info
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- JPH03191524A JPH03191524A JP33220089A JP33220089A JPH03191524A JP H03191524 A JPH03191524 A JP H03191524A JP 33220089 A JP33220089 A JP 33220089A JP 33220089 A JP33220089 A JP 33220089A JP H03191524 A JPH03191524 A JP H03191524A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、テトラエトキンシランとオゾンとを反応ガ
スとするＣＶＤ法により、半導体基板上に酸化シリコン
膜を製造する方法の改良に関する。
スとするＣＶＤ法により、半導体基板上に酸化シリコン
膜を製造する方法の改良に関する。
（ロ）従来の技術
一般に、テトラエトキンシラン（以下ＴＥＯＳＳ ｉ（
０−ＣｔＨｓ）ａ）は、約６００°Ｃ以上の高温にして
初めて、分解ＣＳ ｒ （０−ＣｔＨ５）４→ＳｉＯ，
＋２０ （ＣｔＨｓ）＊〕シ、酸化シリコン（ＳｉＯｘ
）膜を生成する。しかしここにオゾン（以下０３）の補
助があれば、約４００℃という低温でも分解し凹凸のあ
る半導体基板上にもコンフォーマルにＳｉＯｘ膜を形成
することができる。１従ってこれを利用して、半導体基
板上に酸化シリコン膜を形成する方法として、ＴＥＯＳ
と０．とを用いたＣＶＤ法により成膜する方法が知られ
ている。
０−ＣｔＨｓ）ａ）は、約６００°Ｃ以上の高温にして
初めて、分解ＣＳ ｒ （０−ＣｔＨ５）４→ＳｉＯ，
＋２０ （ＣｔＨｓ）＊〕シ、酸化シリコン（ＳｉＯｘ
）膜を生成する。しかしここにオゾン（以下０３）の補
助があれば、約４００℃という低温でも分解し凹凸のあ
る半導体基板上にもコンフォーマルにＳｉＯｘ膜を形成
することができる。１従ってこれを利用して、半導体基
板上に酸化シリコン膜を形成する方法として、ＴＥＯＳ
と０．とを用いたＣＶＤ法により成膜する方法が知られ
ている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記方法により得られるＳｉＯｘ膜はそ
の膜質が不安定であり、膜中に多量の０−Ｈ結合成分を
含み、その後に約９００℃の窒素（Ｎ、）アニール処理
を行うと、膜厚が約１３％も減少（膜収縮）する。この
膜収縮によって膜付けが行われた半導体基板にも結晶欠
陥等のダメージが生じる。
の膜質が不安定であり、膜中に多量の０−Ｈ結合成分を
含み、その後に約９００℃の窒素（Ｎ、）アニール処理
を行うと、膜厚が約１３％も減少（膜収縮）する。この
膜収縮によって膜付けが行われた半導体基板にも結晶欠
陥等のダメージが生じる。
そのため、このＴＥＯＳ−０１による低温でのＳｉＯｘ
膜は、例えばＭＯＳ）ランジスタのゲート部のサイドウ
オオール形成材料としては不適となる。
膜は、例えばＭＯＳ）ランジスタのゲート部のサイドウ
オオール形成材料としては不適となる。
しかしながら、ウェーハ１枚当りの処理能力、量産性を
考慮した場合、このＴＥＯＳ−０，によろＳｉＯｘ膜を
ゲート部のサイドウォオール形成材料に適用することは
、現在使用されている他の材料、例えばＨＴＯ膜（ｓ
ｌ Ｈａ ＋ Ｎ ！ Ｏ）、ＴＥＯＳを７００〜８０
０℃で用いた減圧ＣＶＤ法によるＳｉＯｘ膜等、と比べ
てその膜成長速度が、約２０〜３０倍速いというメリッ
トがあり、その価値は大きい。
考慮した場合、このＴＥＯＳ−０，によろＳｉＯｘ膜を
ゲート部のサイドウォオール形成材料に適用することは
、現在使用されている他の材料、例えばＨＴＯ膜（ｓ
ｌ Ｈａ ＋ Ｎ ！ Ｏ）、ＴＥＯＳを７００〜８０
０℃で用いた減圧ＣＶＤ法によるＳｉＯｘ膜等、と比べ
てその膜成長速度が、約２０〜３０倍速いというメリッ
トがあり、その価値は大きい。
この発明はかかる状況に鑑み為されたものであり、ＴＥ
ＯＳと０．とを反応ガスとして用いたＣＶＤ法により得
られるＳｉＯｘ膜の膜質を管理しなから成膜しうる酸化
ノリコン膜の製造方法を提供しようとするものである。
ＯＳと０．とを反応ガスとして用いたＣＶＤ法により得
られるＳｉＯｘ膜の膜質を管理しなから成膜しうる酸化
ノリコン膜の製造方法を提供しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段
かくしてこの発明によれば、テトラニドキシンランとオ
ゾンとを反応ガスとして用いるＣＶＤ法により、酸化シ
リコン膜を形成する方法において、上記酸化シリコン模
のＯ−Ｈ結合成分及びＳｉ０結合成分についての赤外吸
光分析により得られる吸光度Ａ ｏ −ｏ及びＡＳｉ−
ｏの比（ＡＯ−ｈ／ＡＳｉ−ｏ）に基づいて上記酸化シ
リコン膜の成長をモニタリングし、上記吸光度比が０．
０６以下となる酸化シリコン膜を成長させることを特徴
とする酸化シリコン模の製造方法が提供される。
ゾンとを反応ガスとして用いるＣＶＤ法により、酸化シ
リコン膜を形成する方法において、上記酸化シリコン模
のＯ−Ｈ結合成分及びＳｉ０結合成分についての赤外吸
光分析により得られる吸光度Ａ ｏ −ｏ及びＡＳｉ−
ｏの比（ＡＯ−ｈ／ＡＳｉ−ｏ）に基づいて上記酸化シ
リコン膜の成長をモニタリングし、上記吸光度比が０．
０６以下となる酸化シリコン膜を成長させることを特徴
とする酸化シリコン模の製造方法が提供される。
この発明は、テトラニドキシンラン（以下ＴＥＯＳ）と
オゾン（以下０３）を反応ガスとして使用するＣＶＤ法
により製造されろ酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜について
、該膜中に含まれる〇−Ｈ結合成分の生成量が成膜後の
アニール処理によって発生する膜収Ｎｌを決定しており
、従ってこの０−Ｈ結合成分の生成量を少なくすれば、
アニール処理による膜収縮量を小さくでき、その結果酸
化シリコン膜の膜質の信頼性を向上することができると
共に、半導体基板に与える結晶欠陥等のダメージの発生
も減少できるという知見に基づくものである。
オゾン（以下０３）を反応ガスとして使用するＣＶＤ法
により製造されろ酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜について
、該膜中に含まれる〇−Ｈ結合成分の生成量が成膜後の
アニール処理によって発生する膜収Ｎｌを決定しており
、従ってこの０−Ｈ結合成分の生成量を少なくすれば、
アニール処理による膜収縮量を小さくでき、その結果酸
化シリコン膜の膜質の信頼性を向上することができると
共に、半導体基板に与える結晶欠陥等のダメージの発生
も減少できるという知見に基づくものである。
この発明の方法において、成膜されるＳｉＯｘ膜を赤外
吸光分析によりモニタリングし、この結果に基づいて成
膜条件を調節する以外は、ＴＥＯＳとＯｌとを反応ガス
として用いる当該分野で公知のＣＶＤ法がそのまま用い
られる。
吸光分析によりモニタリングし、この結果に基づいて成
膜条件を調節する以外は、ＴＥＯＳとＯｌとを反応ガス
として用いる当該分野で公知のＣＶＤ法がそのまま用い
られる。
上記赤外吸光分析による成膜条件の調節は、成長するＳ
ｉＯｘ膜を一定時間毎にモニタリングし、その都度得ら
れろ結果をＣＶＤの成膜条件にフィードバックしてリア
ルタイムで連続的に調節するものであってもよく、また
生産ロット部に、試験的にＳｉＯｘ膜を成膜してはこの
とき得られる膜を赤外吸光分析して成膜条件の適否を判
断するという、回分式に成膜条件を調節するものであり
もよい。この発明の方法は上記いずれのらのにも適用で
きろ。
ｉＯｘ膜を一定時間毎にモニタリングし、その都度得ら
れろ結果をＣＶＤの成膜条件にフィードバックしてリア
ルタイムで連続的に調節するものであってもよく、また
生産ロット部に、試験的にＳｉＯｘ膜を成膜してはこの
とき得られる膜を赤外吸光分析して成膜条件の適否を判
断するという、回分式に成膜条件を調節するものであり
もよい。この発明の方法は上記いずれのらのにも適用で
きろ。
この発明の方法に用いる赤外吸光分析の手法は、通常の
分析の分野で用いられるいずれの手法であってもよいが
、ことに上記連続的に調節する場合は、フーリエ変換赤
外分光分Ｆｒ（ＦＴ−［Ｒ）の手法を用いることが好ま
しい。上記ＦＴ−ＩＨには、通常分析の分野で用いられ
る公知の装置がそのまま用いら゛れる。
分析の分野で用いられるいずれの手法であってもよいが
、ことに上記連続的に調節する場合は、フーリエ変換赤
外分光分Ｆｒ（ＦＴ−［Ｒ）の手法を用いることが好ま
しい。上記ＦＴ−ＩＨには、通常分析の分野で用いられ
る公知の装置がそのまま用いら゛れる。
この発明の方法において、赤外吸光分析で得られる吸光
度のうち、Ｏ−Ｈ結合成分に由来ずろ吸光度及び５ｉ−
０結合成分に由来する吸光度が用いられろ。すなわち、
成膜されるＳｉＯｘ膜の膜中には、５ｉ−０−Ｈ結合成
分が含まれているが、膜質の信頼性を向上させるにはＯ
−Ｈ結合成分量を小さく押さえることにより、成膜後の
アニール処理に伴う膜収縮率を押さえることができるが
、この膜収縮率を所定の値以下に押さえる目安として、
上記特定の吸光度が用いられる。
度のうち、Ｏ−Ｈ結合成分に由来ずろ吸光度及び５ｉ−
０結合成分に由来する吸光度が用いられろ。すなわち、
成膜されるＳｉＯｘ膜の膜中には、５ｉ−０−Ｈ結合成
分が含まれているが、膜質の信頼性を向上させるにはＯ
−Ｈ結合成分量を小さく押さえることにより、成膜後の
アニール処理に伴う膜収縮率を押さえることができるが
、この膜収縮率を所定の値以下に押さえる目安として、
上記特定の吸光度が用いられる。
具体的には、赤外吸光分析において得られる、０−Ｈ結
合成分を示す特定波長における吸光度のピーク値（ＡＯ
−ｏ）と、５ｉ−０結合成分を示す特定波長における吸
光度のピーク値（ＡＳｉ−ｏ）との比（ＡＯ−Ｈ／ Ａ
Ｓｉ−ｏ）をパラメータとして用いることができる。実
際には、上記Ａ。−Ｈ及びＡＳｉ−０はそれぞれの特定
波長域におけるピーク高さａ。
合成分を示す特定波長における吸光度のピーク値（ＡＯ
−ｏ）と、５ｉ−０結合成分を示す特定波長における吸
光度のピーク値（ＡＳｉ−ｏ）との比（ＡＯ−Ｈ／ Ａ
Ｓｉ−ｏ）をパラメータとして用いることができる。実
際には、上記Ａ。−Ｈ及びＡＳｉ−０はそれぞれの特定
波長域におけるピーク高さａ。
ｂで代用することができる。上記０−Ｈ結合成分を示す
特定波長域としては、３３４０ｃｍ−’付近が選択され
、上記５ｉ−０結合成分を示す特定波長域としては１０
７１０７Ｏ’付近が選択される。
特定波長域としては、３３４０ｃｍ−’付近が選択され
、上記５ｉ−０結合成分を示す特定波長域としては１０
７１０７Ｏ’付近が選択される。
具体例として、例えば赤外吸光分Ｆｆｒ（ここではＦＴ
−ｒＲ分析）によりモニタリングされた吸光度が第２図
示されるような場合、各特定波長域におけるピーク高さ
ａ、ｂはそれぞれ、該図に示されるように計測でき（こ
こではａ ＝６．１ｍｍ、 ｂ −６０，７ｍｍ） 、
従ってパラメータ（ａ／ｂ）は所定値（０，１００）と
なる。このピーク高さの比でらって表されろパラメータ
は、第３図に示すごとく、形成される酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）膜の膜厚に対して影響を受けず、パラメータと
して最適なものであることが示される。
−ｒＲ分析）によりモニタリングされた吸光度が第２図
示されるような場合、各特定波長域におけるピーク高さ
ａ、ｂはそれぞれ、該図に示されるように計測でき（こ
こではａ ＝６．１ｍｍ、 ｂ −６０，７ｍｍ） 、
従ってパラメータ（ａ／ｂ）は所定値（０，１００）と
なる。このピーク高さの比でらって表されろパラメータ
は、第３図に示すごとく、形成される酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）膜の膜厚に対して影響を受けず、パラメータと
して最適なものであることが示される。
この発明の方法において、上記のごときパラメータを用
いた場合、このパラメータが０．０６以下となるように
成膜条件が選択される。上記パラメータが０．０６以下
であれば、０−）１結合成分の生成量を小さく押さえて
成膜後のアニール処理に伴う膜収縮率を８．５％以下に
することができる。
いた場合、このパラメータが０．０６以下となるように
成膜条件が選択される。上記パラメータが０．０６以下
であれば、０−）１結合成分の生成量を小さく押さえて
成膜後のアニール処理に伴う膜収縮率を８．５％以下に
することができる。
この発明の方法はまた、上述したごとき赤外吸光分析、
ことにＦＴ−ｒＲ分析で得られるパラメータを用いるこ
とにより、半導体製造工程においてら、半導体基板上に
成膜されるＳｉＯｘ膜に対する前記ＣＶＤの最適成膜条
件を設定でき、これによってＳｉＯｘ膜の膜質を管理で
き、さらにこの膜が膜付けされた半導体基板における結
晶欠陥等のダメージの発生をなくするよう管理すること
ができる利点を有する。
ことにＦＴ−ｒＲ分析で得られるパラメータを用いるこ
とにより、半導体製造工程においてら、半導体基板上に
成膜されるＳｉＯｘ膜に対する前記ＣＶＤの最適成膜条
件を設定でき、これによってＳｉＯｘ膜の膜質を管理で
き、さらにこの膜が膜付けされた半導体基板における結
晶欠陥等のダメージの発生をなくするよう管理すること
ができる利点を有する。
（ホ）作用
この発明によれば、テトラエトキシシランとオゾンとを
反応ガスとして用いるＣＶＤ法により、酸化シリコン膜
を形成する際、成膜される酸化シリコン膜が赤外吸光分
析によりモニタリングされ、このとき得られる膜中のＯ
−Ｈ結合成分及び５ｉ−０結合成分に関する吸光度から
得られる吸光度比（Ａ、 ｏ−ｏ／ Ａ ５ｌ−ｏ）が
０．０６以下に設定されることにより、上記酸化シリコ
ン膜中でのＯ−Ｈ結合成分の生成量が押さえられること
となる。
反応ガスとして用いるＣＶＤ法により、酸化シリコン膜
を形成する際、成膜される酸化シリコン膜が赤外吸光分
析によりモニタリングされ、このとき得られる膜中のＯ
−Ｈ結合成分及び５ｉ−０結合成分に関する吸光度から
得られる吸光度比（Ａ、 ｏ−ｏ／ Ａ ５ｌ−ｏ）が
０．０６以下に設定されることにより、上記酸化シリコ
ン膜中でのＯ−Ｈ結合成分の生成量が押さえられること
となる。
以下実施例によりこの発明の詳細な説明するが、これに
よりこの発明は限定されるものではない。
よりこの発明は限定されるものではない。
（へ）実施例
下記ＣＶＤ装置及び下記ＣＶＤ条件により、ベアシリコ
ン基板上に、酸化ノリコン（ＳｉＯｘ）膜の形成を試み
た。このとき成膜（堆積）されるＳｉＯｘ膜を下記ＦＴ
−ｒＲ装置によりモニタリングし、このＦＴ−ＩＲで得
られる３３４０ｃｍ−’付近の吸光度ピーク値（ＡＯ−
Ｉ＋）及び１０７１０７Ｏ’付近の吸光度ビークｆｍ（
Ａｓ、−ｏ）との比（ＡＯ−ｓ／ Ａｓ＋−ｏ）と、堆
積されたＳ１０、膜を９００℃のＮ、雰囲気中で２０分
アニール処理した際の膜収縮率との関係を調べ、第１図
こ示ず結果を得た。なお、上記膜収縮率は屈折率ｎ＝１
．４６で求めた。
ン基板上に、酸化ノリコン（ＳｉＯｘ）膜の形成を試み
た。このとき成膜（堆積）されるＳｉＯｘ膜を下記ＦＴ
−ｒＲ装置によりモニタリングし、このＦＴ−ＩＲで得
られる３３４０ｃｍ−’付近の吸光度ピーク値（ＡＯ−
Ｉ＋）及び１０７１０７Ｏ’付近の吸光度ビークｆｍ（
Ａｓ、−ｏ）との比（ＡＯ−ｓ／ Ａｓ＋−ｏ）と、堆
積されたＳ１０、膜を９００℃のＮ、雰囲気中で２０分
アニール処理した際の膜収縮率との関係を調べ、第１図
こ示ず結果を得た。なお、上記膜収縮率は屈折率ｎ＝１
．４６で求めた。
ＣＶＤ装置（型番Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ５０００ＣＶＤ
： ＡＭＴ社製） （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ社）ＣＶＤ条件（成膜条件） 堆積温度：３９０〜４３０℃ 堆積圧カニ ６０〜９０Ｔｏｒｒ 反応ガス ＴＥＯＳ流量： １２００ＳＣＣＭ Ｏ８流！＋ ２４００〜３０００ＳＣＣＭＯ１濃度：ｏ
ｙ１０＊＝約４８０００ｐｐｍ第！図において、ドツト
（イ）は堆積温度３９０℃、Ｏ１１ｌ２４００ｓｃｃＭ
、堆積圧力６０Ｔｏｒｒのでらのであり、ドツト（［１
）は堆積温度４３０℃、０３流量３０００ＳＣＣＭ、堆
積圧力９０Ｔｏｒｒのものである。該図に得られた結果
から、パラメータとなる上記吸光度比が０．０６以下の
場合には、アニール処理後の膜収縮率は、信頼性が得ら
れる限界である８、５％以下となっている。
： ＡＭＴ社製） （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ社）ＣＶＤ条件（成膜条件） 堆積温度：３９０〜４３０℃ 堆積圧カニ ６０〜９０Ｔｏｒｒ 反応ガス ＴＥＯＳ流量： １２００ＳＣＣＭ Ｏ８流！＋ ２４００〜３０００ＳＣＣＭＯ１濃度：ｏ
ｙ１０＊＝約４８０００ｐｐｍ第！図において、ドツト
（イ）は堆積温度３９０℃、Ｏ１１ｌ２４００ｓｃｃＭ
、堆積圧力６０Ｔｏｒｒのでらのであり、ドツト（［１
）は堆積温度４３０℃、０３流量３０００ＳＣＣＭ、堆
積圧力９０Ｔｏｒｒのものである。該図に得られた結果
から、パラメータとなる上記吸光度比が０．０６以下の
場合には、アニール処理後の膜収縮率は、信頼性が得ら
れる限界である８、５％以下となっている。
したがってＣＶＤ法により形成されるＳｉＯｘ膜につい
て、上記ＦＴ−ｒ Ｒ分析でモニタリングすることによ
り、パラメータ：ＡＯ−ｏ／Ａｓ１−０が０．０６以下
となるように調節でき、これにより常にアニール処理後
の膜収縮率が８．５％以下であるＳｉＯｘ膜を形成する
ことができる。
て、上記ＦＴ−ｒ Ｒ分析でモニタリングすることによ
り、パラメータ：ＡＯ−ｏ／Ａｓ１−０が０．０６以下
となるように調節でき、これにより常にアニール処理後
の膜収縮率が８．５％以下であるＳｉＯｘ膜を形成する
ことができる。
・上記モニタリング方法を半導体製造工程に応用する場
合は、以下のように行われる。
合は、以下のように行われる。
りまず、ベアシリコン基板上に、ＴＥＯ９Ｏ１を反応ガ
スとしてＳｉＯｘ膜を形成する。
スとしてＳｉＯｘ膜を形成する。
２）上記得られたＳｉＯｘ膜を、ＦＴ−ＩＲ分析して、
上記と同一のパラメータにより、チェッりする。このパ
ラメータか所定値以下、例えば０．０６以下、であれば
上記ＣＶＤ条件は適すると判断される。次いで、生産ウ
ェハ（ＬＳＩ）に上記ＣＶＤ条件のまま、Ｓ ｉ Ｏｘ
膜を形成すればよいこととなる。このときらし、０．０
６以上であれば、装置（ハードウェアー）をチエツクし
、膜堆積温度を上昇さ仕る方向、さらにはＴＥＯＳに対
するＯ、（オゾン）の流量を上げろ方向、そして堆積圧
力を高くする方向に成膜条件を調節すると良い。
上記と同一のパラメータにより、チェッりする。このパ
ラメータか所定値以下、例えば０．０６以下、であれば
上記ＣＶＤ条件は適すると判断される。次いで、生産ウ
ェハ（ＬＳＩ）に上記ＣＶＤ条件のまま、Ｓ ｉ Ｏｘ
膜を形成すればよいこととなる。このときらし、０．０
６以上であれば、装置（ハードウェアー）をチエツクし
、膜堆積温度を上昇さ仕る方向、さらにはＴＥＯＳに対
するＯ、（オゾン）の流量を上げろ方向、そして堆積圧
力を高くする方向に成膜条件を調節すると良い。
以上のチエツクを生産ロフト毎に実施することにより、
ＳｉＯｘ膜の膜質を信頼性を有する範囲内に保守管理で
きることとなる。
ＳｉＯｘ膜の膜質を信頼性を有する範囲内に保守管理で
きることとなる。
（ト）発明の効果
この発明によれば、ＴＥＯＳと０３とを反応ガ・スとし
て用いるＣＶＤ法により形成されるＳｉＯｘ膜は、ＦＴ
−ＩＲ分析によりモニタリングすることにより、その膜
質の信頼性が管理されており、常に一定の信頼度を有す
る膜質からなるＳｉＯｘ膜を形成することができる。
て用いるＣＶＤ法により形成されるＳｉＯｘ膜は、ＦＴ
−ＩＲ分析によりモニタリングすることにより、その膜
質の信頼性が管理されており、常に一定の信頼度を有す
る膜質からなるＳｉＯｘ膜を形成することができる。
またこの発明の方法により形成されるＳｉＯｘ膜は、ト
ランジスタ・ゲート部のサイドウオール形成材料として
用いろことができる。
ランジスタ・ゲート部のサイドウオール形成材料として
用いろことができる。
さらにこの発明の方法によれば、半導体製造工程におけ
るウェハ処理能力（スループット）を大幅に改善するこ
とができる。
るウェハ処理能力（スループット）を大幅に改善するこ
とができる。
またさらに、この発明の方法によれば、ＳｉＯｘ膜の膜
質を簡単に管理できるので、Ｓ ｉｏｘ膜の工程不良を
予防することができる。
質を簡単に管理できるので、Ｓ ｉｏｘ膜の工程不良を
予防することができる。
第１図は、この発明の方法に用いろＦＴ−Ｉ Ｒ分析に
より設定されるパラメータと、成膜されるＳｉＯｘ膜の
アニール処理後の膜収縮率との関係を示すグラフ図、第
２図はパラメータ設定用の吸光度をピーク高さで代用す
る場合のスペクトル何口、第３図はピーク高さ比が成膜
されるＳｉＯｘ膜の膜厚に依存しないことを説明するグ
ラフ図である。 笥 図 Ａ Ｏ−Ｈ／ Ａｓ１−０ 涙敷（ｃｍ”ｊ） 第 図 ５ｉｏｘの膜厚（Ａ）
より設定されるパラメータと、成膜されるＳｉＯｘ膜の
アニール処理後の膜収縮率との関係を示すグラフ図、第
２図はパラメータ設定用の吸光度をピーク高さで代用す
る場合のスペクトル何口、第３図はピーク高さ比が成膜
されるＳｉＯｘ膜の膜厚に依存しないことを説明するグ
ラフ図である。 笥 図 Ａ Ｏ−Ｈ／ Ａｓ１−０ 涙敷（ｃｍ”ｊ） 第 図 ５ｉｏｘの膜厚（Ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、テトラエトキシシランとオゾンとを反応ガスとして
用いるＣＶＤ法により、酸化シリコン膜を形成する方法
において、 上記酸化シリコン膜のＯ−Ｈ結合成分及びＳｉ−Ｏ結合
成分についての赤外吸光分析により得られる吸光度Ａ＿
Ｏ＿−＿Ｈ及びＡ＿Ｓ＿ｉ＿−＿Ｏの比（Ａ＿Ｏ＿−＿
Ｈ／Ａ＿Ｓ＿ｉ＿−＿Ｏ）に基づいて上記酸化シリコン
膜の成長をモニタリングし、上記吸光度比が０．０６以
下となる酸化シリコン膜を成長させることを特徴とする
酸化シリコン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33220089A JPH03191524A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33220089A JPH03191524A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03191524A true JPH03191524A (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=18252294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33220089A Pending JPH03191524A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03191524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059804A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP33220089A patent/JPH03191524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059804A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
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