JPH0318954Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0318954Y2
JPH0318954Y2 JP1982023848U JP2384882U JPH0318954Y2 JP H0318954 Y2 JPH0318954 Y2 JP H0318954Y2 JP 1982023848 U JP1982023848 U JP 1982023848U JP 2384882 U JP2384882 U JP 2384882U JP H0318954 Y2 JPH0318954 Y2 JP H0318954Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
circuit
power supply
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1982023848U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58127371U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2384882U priority Critical patent/JPS58127371U/en
Publication of JPS58127371U publication Critical patent/JPS58127371U/en
Application granted granted Critical
Publication of JPH0318954Y2 publication Critical patent/JPH0318954Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は集積回路装置の出力回路に関する。[Detailed explanation of the idea] The present invention relates to an output circuit of an integrated circuit device.

一般に使途が明確な集積回路装置の入出力回路
は、その使途に見合つた特性を持つように設計さ
れることは周知の如くであるがその結果、特に出
力回路において、その特性が数種類にもなつたり
あるいはドライブ能力が極端に小さいものになつ
た場合、前記集積回路装置のテスト時におけるテ
スト項目やテスト時間が増大し製造上量産能力の
低下を来たす。また高速で動作する内部回路のテ
ストがドライブ能力の小さい出力回路を介してし
か不可能な場合、テスト時に用いる測定器の入力
インピーダンスのため高速でのテストが出来ず十
分なテスト結果が得られない等の問題があつた。
It is well known that the input/output circuits of integrated circuit devices that have a clear purpose are generally designed to have characteristics commensurate with that purpose. Or, if the drive capability becomes extremely small, test items and test time when testing the integrated circuit device increase, resulting in a reduction in mass production capacity. In addition, if testing of internal circuits that operate at high speeds is only possible through output circuits with low drive capacity, the input impedance of the measuring instrument used during the test makes it impossible to test at high speeds and sufficient test results cannot be obtained. There were other problems.

本考案は、これらの点に鑑みなされたもので、
テスト時においてのみ、出力回路の特性、特にド
ライブ能力を向上させたり、特性を一様に揃える
様に構成された集積回路装置の出力回路を提供す
ることにある。
The present invention was developed in consideration of these points.
It is an object of the present invention to provide an output circuit of an integrated circuit device configured to improve the characteristics of the output circuit, especially the drive ability, or to make the characteristics uniform only during testing.

本考案では、一定の電位差の電源端子間に接続
され動作入力信号に基づいて出力端子を駆動する
出力用トランジスタ回路を有する出力回路に対
し、少なくとも前記出力端子と一方の電源端子と
の間にトランジスタを設けるとともに、少なくと
もテスト信号を受ける制御手段であつて、非テス
ト時には前記トランジスタを遮断状態とせしめ、
テスト時には前記出力用トランジスタ回路が少な
くとも前記出力端子と前記一方の電源端子との間
に電流通路を形成する期間前記トランジスタを導
通状態とせしめて前記出力端子と前記一方の電源
端子との間に前記トランジスタを介する電流通路
を形成せしめる制御手段を設けたことを特徴とす
る。したがつて、本考案による出力回路ではテス
ト時のテスト項目やテスト時間を短縮できるばか
りでなく高速動作を要求されている内部のテスト
も測定器の入力インピーダンスの影響をあまり考
慮することなく十分なテスト結果が得られる。ま
た本考案は、電子式卓上計算機用集積回路装置の
キースキヤン信号出力回路のようにダブルキー
(2重打)対策等のためドライブ能力の上限が定
められている場合等において特に前記の効果が大
きい。
In the present invention, for an output circuit having an output transistor circuit connected between power supply terminals having a constant potential difference and driving the output terminal based on an operational input signal, a transistor is provided between at least the output terminal and one power supply terminal. and control means for receiving at least a test signal, the transistor being in a cut-off state during non-testing,
During a test, the output transistor circuit conducts at least a period during which a current path is formed between the output terminal and the one power supply terminal, and the output transistor circuit is made conductive between the output terminal and the one power supply terminal. The present invention is characterized in that it includes a control means for forming a current path through the transistor. Therefore, the output circuit according to the present invention can not only shorten test items and test time, but also perform internal tests that require high-speed operation without taking into account the influence of the input impedance of the measuring instrument. Test results are available. Furthermore, the present invention has the above-mentioned effects particularly in cases where an upper limit of the drive capacity is set to prevent double keys, such as the key scan signal output circuit of an integrated circuit device for an electronic desktop calculator. .

以下図面により本考案を説明する。 The present invention will be explained below with reference to the drawings.

第1図はnチヤネルMOS電界効果トランジス
タ(以下単にトランジスタと略す)Q11および
Q12で構成される従来形の出力回路の一例であ
る、第2図は相補型MOS論理回路(C−MOS)
における従来形の出力回路の一例であり、その動
作はよく知られているので動作説明は省略する。
Figure 1 shows an n-channel MOS field effect transistor (hereinafter simply referred to as a transistor) Q11 and
Figure 2, which is an example of a conventional output circuit composed of Q12 , is a complementary MOS logic circuit (C-MOS).
This is an example of a conventional output circuit, and its operation is well known, so a description of its operation will be omitted.

第3図は第1図の出力回路に本考案を適用した
一実施例であり、トランジスタQ11,Q12は第1
図のそれと同一特性を有するトランジスタであ
る。電源VDDと出力端子2にソースおよびドレ
イン電極がそれぞれ接続されたトランジスタQ13
はテスト信号入力3によりテスト時のみ“ON”
となりトランジスタQ11のドライブ能力を等価的
に向上させるためのトランジスタであり、一方出
力端子と接地電位にソースおよびドレイン電極が
接続されたトランジスタQ14はテスト信号入力3
を与えられた時のみトランジスタQ12に同期して
“ON”“OFF”するトランジスタでトランジスタ
Q12のドライブ能力を等価的に向上させるもので
ある。またANDゲート回路4トランジスタQ14
トランジスタQ12に同期してテスト時のみ動作さ
せるための信号をトランジスタQ14のゲート電極
に供給するためのゲート回路である。第4図は第
2図の出力回路に本案を適用した一実施例であ
り、第2図の説明と同様にトランジスタQ23はト
ランジスタQ21のドライブ能力を、トランジスタ
Q24は同じくトランジスタQ22のドライブ能力を
テスト時においてのみ等価的に向上させるための
ものである。集積回路装置の出力回路を本案のよ
うに構成することによりテスト時において測定器
その他の入力インピータンスの影響を軽減し高速
でのテストを容易にしテスト時間の短縮や集積回
路装置内の高速動作部のテストにおいても十分良
い結果が得られるといつた効果が得られる。ま
た、第2図のトランジスタQ11とQ13による特性
およびトランジスタQ12とQ14による特性を他の
出力回路の対応するそれぞれの特性と同一になる
様にトランジスタQ13およびQ14の特性与えれば
実使用時に異なる出力特性を示す出力回路も同一
テスト条件にて一度に測定できテスト時間の短縮
が計れる。言及するまでもなく第4図の場合も同
様である。
FIG. 3 shows an embodiment in which the present invention is applied to the output circuit of FIG. 1, in which transistors Q 11 and Q 12 are
This transistor has the same characteristics as the one shown in the figure. A transistor Q 13 whose source and drain electrodes are connected to the power supply V DD and output terminal 2, respectively.
is “ON” only during testing by test signal input 3
This is a transistor to equivalently improve the drive ability of the transistor Q11 , while the transistor Q14 whose source and drain electrodes are connected to the output terminal and the ground potential is the test signal input 3.
A transistor that turns “ON” and “OFF” in synchronization with transistor Q 12 only when given
This will equivalently improve the Q 12 's drive ability. It is also a gate circuit for supplying a signal to the gate electrode of the transistor Q 14 for operating the AND gate circuit 4 transistor Q 14 only during testing in synchronization with the transistor Q 12 . FIG . 4 shows an embodiment in which the present invention is applied to the output circuit of FIG. 2, and as in the explanation of FIG.
Similarly, Q 24 is used to equivalently improve the drive ability of transistor Q 22 only during testing. By configuring the output circuit of an integrated circuit device as proposed, the influence of the input impedance of measuring instruments and other devices during testing is reduced, making high-speed testing easier, reducing test time, and improving the speed of high-speed operating parts within integrated circuit devices. The effect can be obtained by obtaining sufficiently good results in the test. Also, if the characteristics of transistors Q 13 and Q 14 are given so that the characteristics of transistors Q 11 and Q 13 and the characteristics of transistors Q 12 and Q 14 in Fig. 2 are the same as the corresponding characteristics of other output circuits, Output circuits that exhibit different output characteristics during actual use can be measured at the same time under the same test conditions, reducing test time. Needless to say, the same applies to the case shown in FIG.

第5図および第6図は第3図および第4図の変
形であり本案の他の実施例である。なお第3図に
おけるトランジスタQ13とQ14、第4図における
トランジスタQ23とQ24は必ずしも両者とも必要
でなく例えば第3図においてトランジスタQ12
ドライブ能力が十分大きければトランジスタQ14
は省略しても良い。同様に第4図においてトラン
ジスタQ21のドライブ能力が十分大きければトラ
ンジスタQ23は省略しても良い等、本案の目的を
逸脱しない範囲での種々の変形は可能である。
FIGS. 5 and 6 are modifications of FIGS. 3 and 4, and are other embodiments of the present invention. Note that both transistors Q 13 and Q 14 in FIG . 3 and transistors Q 23 and Q 24 in FIG .
may be omitted. Similarly, in FIG. 4, various modifications can be made without departing from the purpose of the present invention, such as the transistor Q 23 may be omitted if the drive capability of the transistor Q 21 is sufficiently large.

以上のとおり、一定の電位差の電源端子間を接
続され動作入力信号に基づいて出力端子を駆動す
る出力用トランジスタ回路を有する出力回路に対
し、少なくとも前記出力端子と一方の電源端子と
の間にトランジスタを設けるとともに、少なくと
もテスト信号を受ける制御手段であつて、非テス
ト時には前記トランジスタを遮断状態とせしめ、
テスト時には前記出力用トランジスタ回路が少な
くとも前記出力端子と前記一方の電源端子との間
に電流通路を形成する期間前記トランジスタを導
通状態とせしめて前記出力端子と前記一方の電源
端子との間に前記トランジスタを介する電流通路
を形成せしめる制御手段を設けることによつて、
テスト時のみ前記出力端子へのドライブ能力を高
められ、測定器等の入力インピーダンスの影響を
軽減し高速でのテストを容易としてテスト時間の
短縮が可能となる。
As described above, for an output circuit having an output transistor circuit connected between power supply terminals with a constant potential difference and driving the output terminal based on an operational input signal, a transistor is connected between at least the output terminal and one power supply terminal. and control means for receiving at least a test signal, the transistor being in a cut-off state during non-testing,
During a test, the output transistor circuit conducts at least a period during which a current path is formed between the output terminal and the one power supply terminal, and the output transistor circuit is made conductive between the output terminal and the one power supply terminal. By providing control means for forming a current path through the transistor,
The drive ability to the output terminal can be increased only during testing, reducing the influence of input impedance of measuring instruments, etc., facilitating high-speed testing, and shortening test time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はnチヤネルMOS電界効果トランジス
タによる従来の出力回路例、第2図は相補型
MOS論理回路による従来の出力回路例、第3図
は本考案による第1図に対する実施例、第4図は
本案による第2図に対する実施例、第5図、第6
図は本案の他の実施例を示す図である。 Q11〜Q15,Q21〜Q26……MOS電界効果トラン
ジスタ、Q21,Q23,Q25……Q22,Q24,Q26と異
なるチヤネル型を有するMOS電界効果トランジ
スタである。 1……内部動作信号入力、2……それを導出す
る出力端子、3……テスト信号入力、4……
ANDゲート回路、5……インバータ回路、6…
…OR回路、VDD……電源供給端子である。
Figure 1 is an example of a conventional output circuit using an n-channel MOS field effect transistor, and Figure 2 is a complementary type.
An example of a conventional output circuit using a MOS logic circuit, FIG. 3 is an embodiment of the present invention for FIG. 1, FIG. 4 is an embodiment of the present invention for FIG. 2, and FIGS.
The figure shows another embodiment of the present invention. Q11 to Q15 , Q21 to Q26 ...MOS field effect transistors, Q21 , Q23 , Q25 ... Q22 , Q24 , Q26 and MOS field effect transistors having a different channel type. 1...Internal operation signal input, 2...Output terminal for deriving it, 3...Test signal input, 4...
AND gate circuit, 5... Inverter circuit, 6...
...OR circuit, V DD ...power supply terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 一定の電位差の電源端子間を接続され動作入力
信号に基づいて出力端子を駆動する出力用トラン
ジスタ回路を有する出力回路において、少なくと
も前記出力端子と一方の電源端子との間にトラン
ジスタを設けるとともに、少なくともテスト信号
を受ける制御手段であつて、非テスト時には前記
トランジスタを遮断状態とせしめ、テスト時には
前記出力用トランジスタ回路が少なくとも前記出
力端子と前記一方の電源端子との間に電流通路を
形成する期間前記トランジスタを導通状態とせし
めて前記出力端子と前記一方の電源端子との間に
前記トランジスタを介する電流通路を形成せしめ
る制御手段を設け、テスト時のみ前記出力端子へ
のドライブ能力を高めたことを特徴とする出力回
路。
In an output circuit having an output transistor circuit connected between power supply terminals with a constant potential difference and driving the output terminal based on an operation input signal, a transistor is provided between at least the output terminal and one power supply terminal, and at least control means for receiving a test signal, the control means being configured to keep the transistor in a cut-off state during non-testing, and for a period during which the output transistor circuit forms a current path between at least the output terminal and the one power supply terminal during testing; A control means is provided for making the transistor conductive to form a current path through the transistor between the output terminal and the one power supply terminal, thereby increasing the drive ability to the output terminal only during testing. output circuit.
JP2384882U 1982-02-22 1982-02-22 Output circuit Granted JPS58127371U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2384882U JPS58127371U (en) 1982-02-22 1982-02-22 Output circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2384882U JPS58127371U (en) 1982-02-22 1982-02-22 Output circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58127371U JPS58127371U (en) 1983-08-29
JPH0318954Y2 true JPH0318954Y2 (en) 1991-04-22

Family

ID=30035863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2384882U Granted JPS58127371U (en) 1982-02-22 1982-02-22 Output circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58127371U (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5537924A (en) * 1978-09-11 1980-03-17 Nec Corp Integrated circuit
JPS56119530A (en) * 1980-02-26 1981-09-19 Fujitsu Ltd Semiconductor integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5537924A (en) * 1978-09-11 1980-03-17 Nec Corp Integrated circuit
JPS56119530A (en) * 1980-02-26 1981-09-19 Fujitsu Ltd Semiconductor integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58127371U (en) 1983-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900006484B1 (en) Semiconductor intergroted circuit
JP2531827B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH0318954Y2 (en)
JP4042069B2 (en) Integral input type input circuit and test method thereof
JP3876760B2 (en) Input buffer circuit and semiconductor integrated circuit device
JPH04120484A (en) Integrated circuit device
JP2752815B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0330957B2 (en)
JPH0254546A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0329873A (en) Mode setting circuit
JP2968642B2 (en) Integrated circuit device
JP2932852B2 (en) Semiconductor integrated circuit
KR940006659Y1 (en) Boot strapping data output buffer
JPH02140947A (en) Semiconductor device
KR840001544B1 (en) Test circuit for mos deuices
JPH02280069A (en) Output buffer circuit
JPH0682534A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0737956A (en) Cmos integrated circuit and its inspection
JPH03255968A (en) Circuit for evaluating and measuring characteristic of circuit element
JPS60196954A (en) Integrated circuit
JPH05251565A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS58221174A (en) Testing method of semiconductor device
JPS59202644A (en) Semiconductor device
JPS6033067A (en) Inspecting circuit
JPH06313787A (en) Estimating circuit of semiconductor device