KR840001544B1 - Test circuit for mos deuices - Google Patents

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KR840001544B1
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드라하임 피터
하푸케 프리드리히
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엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
디. 제이. 삭커스
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Abstract

A test circuit for use in an MOS device includes two inputs, a first input which is responsive to a test signal of opposite polarity to that of the supply voltage, and a second ouput which is responsive to a test signal of the same polarity as that of supply voltage but of a substantially higher magnitude than that of the supply voltage.

Description

MOS 장치용 테스트 회로Test circuit for MOS device

제1도는 본 발명에 따른 테스트 회로의 제1게이트 회로에 대한 구체적 실시예의 회로도.1 is a circuit diagram of a specific embodiment of a first gate circuit of a test circuit according to the present invention.

제2도는 본 발명에 따른 테스트 회로의 구체적 실시예에 대한 블록선도.2 is a block diagram of a specific embodiment of a test circuit according to the present invention.

본 발명은 제1MOS트랜지스터로 이루어진 테스트회로와 동일기판상의 최소한 한개의 제2MOS트랜지스터 회로를 구비한 집적 MOS 트랜지스터에 관한 것으로, 테스트 회로와 제2MOS트랜지스터 회로는 공통으로 이용되는 한개 이상의 외부입력 접속단자를 가지며, 테스트회로의 출력은 제2MOS회로에 연결되며, 상기 제2MOS회로의 출력은 외부출력 접속단자에 연결되며, 정상공급전압(VB)의 극성과 반대극성을 갖는 테스트 신호가 테스트회로의 제1게이트회로의 입력접속 단자에 인가되면 제2MOS트랜지스터 회로는 테스트 모드상태로 되어 제2MOS회로는 완전히 또는 부분적으로 태스트된다. 따라서, 상기 제2MOS회로는 출력접속단자에 출력신호를 발생시키게 되는데, 이 신호는 상기 제2MOS회로가 정확한 동작을 하는지 부정확한 동작을 하는지를 지시한다.The present invention relates to an integrated MOS transistor having a test circuit comprising a first MOS transistor and at least one second MOS transistor circuit on the same substrate, wherein the test circuit and the second MOS transistor circuit have one or more external input connection terminals commonly used. The output of the test circuit is connected to a second MOS circuit, the output of the second MOS circuit is connected to an external output connection terminal, and a test signal having a polarity opposite to that of the normal supply voltage V B is provided to the first circuit of the test circuit. When applied to the input connection terminal of the one-gate circuit, the second MOS transistor circuit is brought into a test mode and the second MOS circuit is fully or partially tested. Accordingly, the second MOS circuit generates an output signal at an output connection terminal, which indicates whether the second MOS circuit performs correct or incorrect operation.

공지된 바와같이, 직접도 및 그에 따른 직접화회로의 복잡성이 증대됨에 따라, 제조동안 상기 직적화회로에 발생되는 결함이 검출되도록 소위 초기테스팅(pretesting)이라 불리우는 테스트를 하는 것이 필요하다. 테스트회로뿐만 아니라 테스트되어질 MOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로를 설계하는 것이 미합중국 특허원 제4,253,059호에 공지되어 있다. 그러나, 집적도가 증가하여 직접회로의 복잡성이 증가한다고 하지만 그에 따른 외부접속단자의 수가 따라서 증가하는 것이 아니기 때문에, 그와같은 회로를 테스트한다는 것이 점점 더 어려워진다는 것은 명백한 사실이다. 집적회로의 각 접속단자간(그리고 다른 집적회로 단자와의 사이에 부정합에 발생됨에 따라, 회로의 정상동작중에도 정상신호의 극성과 반대극성에 의한 전압과도 현상 및 정상공급전압에 의한 전압과도 현상이 발생되어 테스트회로가 정상동작동안 우연하게 턴온 되는 현상이 발생되었다. 그와같은 테스트 모드의 변화는 정상동작동안 회로의 오동작을 유발시키며, 결국 시스템을 파괴시키는 결과를 초래하게 되는 것이다.As is known, as the degree of directivity and hence the complexity of the directing circuitry is increased, it is necessary to carry out a test called so called pretesting so that defects which occur in the integrated circuit during manufacture are detected. Design of integrated circuits having MOS transistors to be tested as well as test circuits is known from US Pat. No. 4,253,059. However, it is obvious that testing such a circuit becomes increasingly difficult because the integration increases the complexity of the integrated circuit but does not increase accordingly. As a result of mismatch between each connection terminal of the integrated circuit (and between other integrated circuit terminals), the voltage transient due to the polarity and the reverse polarity of the normal signal and the voltage due to the normal supply voltage are generated during the normal operation of the circuit. A phenomenon occurred that caused the test circuit to turn on accidentally during normal operation, such a change in test mode would cause the circuit to malfunction during normal operation and eventually destroy the system.

따라서, 본 발명의 목적은외 부접속판을 감소시키면서도 회로를 테스트하는데 어떠한 문제도 야기시키지 않는 집적회로를 제공하는 것이다. 그러므로, 본 발명에 의한 집적트랜지스터 장치는 제1, 제2입력(CO)(C′) 및 출력(A)을 가진 제1게이트회로(G1)와, 3개의 래치회로(L1)(L2)(L3)와 디코더로 이루어진 테스트회로(G1, L1, L3, L3, DEC)이다. 상기 게이트회로의 입력(CO),(C′)에는 래치회로의 입력단자(C1)(C2)(C3)와 마찬가지로 외부입력단자(테스트 되어질 회로의 단자)가 접속될 수 있는데, 제1입력(CO)은 정상전압(VB)의 극성과 반대의 극성을 갖는 테스트 신호를 수신하며, 제2입력(C′)은 상기 공급전압(VB)과 극성은 같으나 더 큰 진폭을 갖는 테스트신호를 수신한다. 그 후 제1게이트회로(G1)는 출력단자(A)에 이네이블(enable) 신호(E1, E2, E3)를 발생시켜 입력접속단자(C1)(C2)(C3)에 인가된 테스트회로의 테스트 신호(I1)(I2)(I3)가 테스트되어지도록 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an integrated circuit which reduces the external connection board and does not cause any problem in testing the circuit. Therefore, the integrated transistor device according to the present invention includes a first gate circuit G 1 having first and second inputs C O (C ′) and an output A, and three latch circuits L 1 ( L 2 ) (L 3 ) and the decoder consists of a test circuit (G 1 , L 1 , L 3 , L 3 , DEC). External input terminals (terminals of the circuit to be tested) may be connected to the inputs C O and C ′ of the gate circuit like the input terminals C 1 (C 2 ) and C 3 of the latch circuit. The first input C O receives a test signal having a polarity opposite to that of the normal voltage V B , and the second input C ′ has the same polarity as the supply voltage V B but with a greater amplitude. Receive a test signal having a. Thereafter, the first gate circuit G 1 generates an enable signal E 1 , E 2 , E 3 at the output terminal A, thereby providing an input connection terminal C 1 (C 2 ) (C 3 ). The test signal I 1 (I 2 ) (I 3 ) of the test circuit applied to) is tested.

본 발명에 의한 테스트 회로와 MOS 트랜지스터 회로로 이루어지며, 공통으로 외부입력 접속단자를 갖는 집적회로는 적은수의 외부입력접속 단자를 필요로하는데 이는 정상공급 전압의 극성과 반대의 극성을 갖는 테스트 신호가 사용될때만이 가능하다. 정상공급전압의 극성과 반대의 극성에 의한 전압과도 현상을 방지하기 위해 1테스트게이트 회로가 제공되는데, 이 과도현상은 제2MOS트랜지스터 회로의 정상동작동안 발생되며, 따라서 테스트회로가 우연하게 턴온되는 현상이 발생된다. 그와같은 전압 과도현상은 여러개의 집적(MOS) 트랜지스터회로의 접속단자 사이의 부정합에 의해 발생된다. 본 발명에 의한 집적회로에 있어서는 상기 전압과도 현상에 의해 우연하게 테스트회로가 턴온되지 않는다. 본 발명에 따라 테스트회로내에 제1게이트회로를 설치하므로써, 제2입력에 인가된 정상전압과는 동일한 극성을 가지나 더 큰 진폭을 갖는 테스트신호의 제어하에, 상기 게이트 회로는 테스트 단자를 테스트가 필요한 경우에만 테스트신호에 응답하도록 한다. 따라서, 회로가 우연하게 테스트모드로 세트되는 일이 없으며, 제1게이트회로에 두개의 테스트 신호를 사용하므로써 테스트모드의 잘못 선택에 대한 추가의 예방조치를 할 수 있다.An integrated circuit having a test circuit and a MOS transistor circuit according to the present invention, and in general, having an external input connection terminal, requires a small number of external input connection terminals, which is a test signal having a polarity opposite to that of a normal supply voltage. Is only possible when is used. One test gate circuit is provided to prevent voltage transients due to the opposite polarity of the normal supply voltage. This transient occurs during normal operation of the second MOS transistor circuit, and therefore the test circuit is accidentally turned on. Phenomenon occurs. Such voltage transients are caused by mismatches between the connection terminals of several integrated circuits (MOS) transistors. In the integrated circuit according to the present invention, the test circuit is not turned on accidentally by the voltage transient phenomenon. By installing the first gate circuit in the test circuit according to the present invention, under the control of a test signal having the same polarity but a larger amplitude than the normal voltage applied to the second input, the gate circuit needs to test the test terminal. Only respond to test signals. Therefore, the circuit is not set in the test mode by accident, and additional precautions for the wrong selection of the test mode can be made by using two test signals for the first gate circuit.

본 발명에 의한 테스트회로의 양호한 실시예에 있어서, 본 발명은 제1게이트회로가 제1, 제2, 제3공핍형 FET와, 제4, 제5, 제6, 제7증가형 FET를 포함하는 것을 특징으로 한다. 제1FET는 제1입력에 결합된 게이트와, 접지에 결합된 소오스를 가지며, 제2FET의 게이트와 소오스는 상호접속되어 제1FET의 드레인에 결합되며, 공급전압에 결합된 드레인을 가지며, 제5FET는 제2입력에 결합된 게이트와 공급전압에 결합된 드레인을 가지며, 제6FET는 공급전압에 결합된 게이트와 접지에 결합된 소오스와 제5FET의 소오스에 결합된 드레인을 가지며, 제7FET는 제6FET의 드레인에 결합된 게이트와 접지에 결합된 소오스를 가지며 제4FET는 제1FET의 드레인에 결합된 게이트와, 제7FET의 드레인에 결합된 소오스를 가지며, 제3FET는 제4FET의 드레이과 출력에 결합된 게이트와 소오스 및 공급전압에 결합된 드레인을 갖는다.In a preferred embodiment of the test circuit according to the present invention, the present invention provides that the first gate circuit includes first, second and third depletion FETs, and fourth, fifth, sixth and seventh incremental FETs. Characterized in that. The first FET has a gate coupled to the first input and a source coupled to ground, the gate and source of the second FET are interconnected and coupled to the drain of the first FET, and have a drain coupled to the supply voltage. A sixth FET having a gate coupled to the second input and a drain coupled to the supply voltage, a sixth FET having a gate coupled to the supply voltage and a source coupled to ground and a drain coupled to the source of the fifth FET, and the seventh FET has a The fourth FET has a gate coupled to the drain and a source coupled to ground, and the fourth FET has a gate coupled to the drain of the first FET, a source coupled to the drain of the seventh FET, and the third FET has a gate coupled to the drain and output of the fourth FET. And a drain coupled to the source and supply voltage.

예로, 제1게 이트회로의 출력신호에 의해 턴온, 턴오프되는 다른회로를 거쳐, 테스트단자에서 다른회로의 대응점으로 신호전송이 발생되므로써 테스트 단자에는 테스트신호가 차단될 수 있다.For example, the test signal may be blocked in the test terminal because signal transmission occurs from a test terminal to a corresponding point of another circuit through another circuit turned on and off by the output signal of the first gate circuit.

본 발명에 의한 상기 제1게이트 회로의 배열에 따라 바람직한 스위칭 기능이 수행된다. 즉, 제1입력상의 전압이 -3V보다 낮을때, 그리고, 제2입력상의 전압이 정상공급 전압보다 높을때만 “low”출력신호가 발생된다.According to the arrangement of the first gate circuit according to the present invention, a preferable switching function is performed. That is, a "low" output signal is generated only when the voltage on the first input is lower than -3V and when the voltage on the second input is higher than the normal supply voltage.

본 발명에 따른 테스트 회로의 더 양호한 실시예에 있어서, 본 발명에 의한 테스트 회로는 신호입력, 이네이블입력파 한쌍의 출력으로 이루어진 한개이상(n)의 래치회로와 1아웃 오브 2n(1 out of 2)n디코더를 포함한다. 각 래치 회로의 신호 입력은 테스트단자중의 하나에 결합되고 간 래치회로의 출력은 1아웃오브 2n디코더의 입력중의 하나에 결합된다. 래치회로의 이네이블 입력은 제1게이트회로의 출력에 결합되고, 1아웃 오브 2n디코더의 출력은 테스트 신호가 인가될 다른 회로의 접속점에 결합된다.In a further preferred embodiment of the test circuit according to the invention, the test circuit according to the invention comprises at least one (n) latch circuit and one out of 2 n (1 out) consisting of a signal input, an output of a pair of enable input waves. of 2) n decoder. The signal input of each latch circuit is coupled to one of the test terminals and the output of the inter latch circuit is coupled to one of the inputs of the 1 out of 2 n decoder. The enable input of the latch circuit is coupled to the output of the first gate circuit, and the output of the 1 out of 2 n decoder is coupled to the connection point of the other circuit to which the test signal is to be applied.

상기 래치회로는 다음파 같은 특성을 갖는다; 이네이블 입력이 “high”레벨에서 “low”레벨로될때, 신호 입력에 나타나는 정보(“0”‘1’)가 출력으로 전달되는데 여기에서 출력으로 전달된 값은 이네이블 입력이 다시 “high”레벨로 될때까지 유지된다. 이네이블 입력이 “high”일때 출력은 항상 “low”이다.The latch circuit has the following characteristics; When the enable input goes from the "high" level to the "low" level, the information ("0" '1') that appears at the signal input is passed to the output, where the value passed to the output is enabled again. It stays until you reach level. The output is always "low" when the enable input is "high".

본 발명에 의한 양호한 실시예인 테스트회로의 배열에 따라, 2n개의 다른 테스트모드가 n+1개의 테스트단자와 제1게이트회로의 제2입력에 의해 이루어질 수 있는데, 이때, 래치회로는 그에 인가된 특정패턴의 테스트신호를 유지하는데 작용을 한다. 이와같은 패턴은 제1게이트 회로의 출력상의 이네이블 신호는 “high”상태로 되고 다시 “low”상태로 될때만이 변화될 수 있으며, 유지된 패턴은 테스트 단자상의 전압파도 현상의의 해영향을 받지 않는다.According to an arrangement of test circuits, which is a preferred embodiment of the present invention, 2 n different test modes can be achieved by a second input of n + 1 test terminals and a first gate circuit, wherein the latch circuit is applied thereto. It serves to maintain a test signal of a specific pattern. Such a pattern can only be changed when the enable signal on the output of the first gate circuit is in the "high" state and again in the "low" state, and the retained pattern will not be affected by the voltage wave on the test terminal. Do not receive.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

제1도는 3개의 궁핍형 MOSFET(T1,T2,T3)와 4개의 증가형 MOSET(T4,T5,T6,T7)를 이용한 본 발명에 따른 테스트회로이 제1게이트회로에 대우 구체적인 실시예를 나타낸다.1 shows a test circuit according to the present invention using three deficient MOSFETs (T 1 , T 2 , T 3 ) and four incremental MOSETs (T 4 , T 5 , T 6 , T 7 ). Treated specific examples are shown.

FET1에서, 게이트 테스트단자 CO인 제1입력에 결합되고, 소오스는 접지되어 있다.In the FET 1, is coupled to the first input gate test terminal C O, the source is grounded.

FET T2에서, 게이트 및 소오스는 상호 결합되어 FET T1의 드레인에 결합되며,In FET T 2 , the gate and the source are coupled to each other and to the drain of FET T 1 ,

드레인은 +VB공급전압에 결합되어 있다. FET T5에서, 게이트는 제2입력 C′에 결합되고, 드레인은 +VB공급전압에 결합되어 있다.The drain is coupled to the + V B supply voltage. In FET T 5 , the gate is coupled to the second input C ′ and the drain is coupled to the + V B supply voltage.

FET T6에서, 게이트는 +VB공급전압에 결합되고, 소오스는 접지되어 있고, 드레인도 FET T5의 소오스에 결합되어 있다.In FET T 6 , the gate is coupled to the + V B supply voltage, the source is grounded, and the drain is coupled to the source of FET T 5 .

FET T7에서, 게이트는 FET T6의 드레인에 결합되고, 소오스는 접지되어 있다.In FET T 7 , the gate is coupled to the drain of FET T 6 and the source is grounded.

FET T4에서, 게이트는 FET T1의 드레인에 결합되고, 소오스는 FET T7의 드레인에 결합되어 있다.In FET T 4 , the gate is coupled to the drain of FET T 1 , and the source is coupled to the drain of FET T 7 .

FET T3에서, 게이트 및 소오스는 각각 FET T4의 드레인파 출력(A)에 결합되며, 드레인은 +VB공급전압에 결합되어 있다.In FET T 3 , the gate and the source are respectively coupled to the drain wave output A of FET T 4 and the drain is coupled to the + V B supply voltage.

도면에서, +VB는 동작전압이다.In the figure, + V B is an operating voltage.

입력 C′는 IC의 특별한 단자로할 필요가 없으나, 정격동작 모드에 필요한 단자이다. 그러나, 상기 단자는 정격공급전압파 동일한 극성을 가지나, 더 큰 진폭을 갖는 테스트 신호를 수신한다. 집적회로의 정격공급전압의 극성파 반대의 극성을 갖는 테스트 신호가 입력 CO에 인가되고, 동시에 정격공급 전압파 동일한 극성을 가지나 정격 공급전압보다 더 큰 진폭을 갖는 테스트 신호가 입력 C′에 인가되는 경우에만, 이 회로는 테스트 모드로 세트될 것이다. 이와같은 경우, 이회로는 다음처럼 동작한다.Input C 'does not need to be a special terminal on the IC, but is a terminal required for the rated operating mode. However, the terminal receives a test signal having the same polarity as the rated supply voltage wave but having a larger amplitude. A test signal having a polarity opposite to the polarity of the rated supply voltage of the integrated circuit is applied to the input C O , and at the same time a test signal having the same polarity as the rated supply voltage but greater than the rated supply voltage is applied to the input C ′. Only if so, this circuit will be set to the test mode. In this case, this circuit works as follows.

+5V의 공급전압에서, +12V의 신호가 입력 C′에 인가된다면, 내부접속점(2)은 HIGH 상태(2.5V 이상)에서 LOW 상태(약 0V)로 된다.At a supply voltage of + 5V, if a signal of + 12V is applied to the input C ', the internal connection point 2 goes from the HIGH state (more than 2.5V) to the LOW state (about 0V).

FET T5의 드레인-소오스 저항은 FET T6의 드레인-소오스 저항보다 더 낮게 된다. 그러므로 접속점(2)은 +2.5V보다 더 높게 될 것이다. 0파 +5V 사이의 신호가 입력-C′에 인가될 경우 FET T6의 드레인-소오스 저항은 FET T6의 드레인-소오스 저항보다 더 높게 되며 접속점(2)의 전압은 거의 OV로 된다.The drain of FET T 5 - T 6 the source resistance of the drain of the FET - are lower than the source resistance. Therefore, the connection point 2 will be higher than + 2.5V. If the signal from the wave between 0 + 5V is applied to the input -C 'drain of FET T 6 - the source-drain resistance of the FET T 6 - voltage is higher than the source resistor connecting point (2) is almost OV.

3V 이하의 신호가 입력 CO에 인가된다면 내부접속점(1)은 HIGH 상태로 된다. 그러므로, 접속점(1)(2)는 -3V 이하의 부 신호가 입력 CO에 인가되고 동시에 12V 이상의 신호가 입력 C′에 인가되는 경우에만 HIGH 상태로 된다. 따라서 FET T4, T7는 ON되고 제1게이트 회로의 출력 A는 LOW상태 (거의 OV)로 된다. 만일 두개의 입력(CO또는 C′)중의 하나가 상기 조건을 충족시키지 못하는 경우에, 제1게이트 회로의 출력 A는 HIGH(+5V) 상태로 될 것이다.If 3V is applied to less than the input signal is an internal connection point C O (1) is a HIGH state. Therefore, the connection point (1) (2) only when the signal is above 12V unit signals below -3V is applied to the input C O at the same time applied to the input C 'is a HIGH state. Therefore, FETs T 4 and T 7 are turned on and the output A of the first gate circuit is turned low (almost OV). If one of the two inputs CO or C 'does not meet the above condition, the output A of the first gate circuit will be HIGH (+ 5V).

제2도는 본 발명에 의한 테스트회로의 블럭다이아 그램이다. 제1게이트회로(G1)는 두개의 입력 C0, C′와 출력 A을 가지며, 세개의 래치회로(L1,L2,L3) (따라서, 본예에서 n=3) 각각은, 신호입력(I1,I2,I3)파, 구동입력(E1,E2,E3)파 출력쌍(Q1,Q1), (Q2,Q2), (Q3,Q3)을 갖는다.2 is a block diagram of a test circuit according to the present invention. The first gate circuit G 1 has two inputs C 0 , C ′ and an output A, and the three latch circuits L 1 , L 2 , L 3 (thus n = 3 in this example) are each a signal. Input (I 1 , I 2 , I 3 ) Wave, Drive Input (E 1 , E 2 , E 3 ) Wave Output Pair (Q 1 , Q 1 ), (Q 2 , Q 2 ), (Q 3 , Q 3 Has

정격 공급전압의 극성파 반대 극성을 갖는 테스트신호가 인가되는 테스트 단자는 CO,C1,C2,C3으로 표시된다. 이들 자단는 테스트되어질 다른회로에 대한 단자로서 사용된다. 테스트단자와 다른 회로간의 접속은 S0,S1,S2,S3으로 표시된다. 테스트단자(CO)는 제1게이트회로의 제1입력을 형성하는 반면, 테스트 단자(C1,C2,C3) 각각은 관련 래치회로의 신호입력(I1,I2,I3)에 결합된다.The test terminals to which test signals with a polarity opposite to the polarity of the rated supply voltage are applied are denoted by C O , C 1 , C 2 and C 3 . These rosettes are used as terminals for the other circuits to be tested. The connection between the test terminal and other circuits is denoted by S 0 , S 1 , S 2 and S 3 . The test terminal C O forms a first input of the first gate circuit, while each of the test terminals C 1 , C 2 , C 3 has a signal input I 1 , I 2 , I 3 of the associated latch circuit. Is coupled to.

제1게이트회로의 제2입력은 단자 C′에 결합되는데, 상기 단자에는 공급전압파 동일한 극성을 가지나 공급전압보다는 더 큰 진폭을 갖는 테스트 신호가 인가되며, 접속점(S′)을 거쳐 다른 회로의 적결한 접속점이 상기 단자에 결합된다. 따라서 단자(S′)는 다른 회로에 대한 단자로서 사용될 수 있다. 래치회로(Q1,

Figure kpo00001
1,Q2,
Figure kpo00002
2,Q3,Q3)의 출력은 디코더(1 out of 23)에 결합된다. 상기 디코더의 출력(본 실시예에서는 M1내지 M8의 8개의 출력)은 테스트 신호가 인가되는 다른 회로의 접속점에 결합된다.The second input of the first gate circuit is coupled to terminal C ', which is supplied with a test signal having the same polarity as the supply voltage wave but having a larger amplitude than the supply voltage, and via the connection point S' of the other circuit. Appropriate connection points are coupled to the terminals. Thus terminal S 'can be used as a terminal for another circuit. Latch Circuit (Q 1 ,
Figure kpo00001
1 , Q 2 ,
Figure kpo00002
The outputs of 2 , Q 3 and Q 3 are coupled to a decoder 1 out of 2 3 . The output of the decoder (eight outputs of M 1 to M 8 in this embodiment) is coupled to the connection point of another circuit to which a test signal is applied.

만일 접속점 A의 신호가 LOW(OV) 상태이면, 래치회로는 테스트단자(I1,I2,I3)을 거쳐 세트될 것이다. 래치회로의 논리상태는 래치회로가 제1게이트 회로에 의해 리세트될때까지 유지된다. 그러므로, 만일 접속점 A의 신호가 HIGH 상태(+5)이며, 래치회로는 테스트단자(I1,I2,I3)를 거쳐 세트되지 않으며, 래치회로가 세트되어 있던 경우라면, 리세트 될 것이다.If the signal at connection point A is in the LOW (OV) state, the latch circuit will be set via the test terminals I 1 , I 2 , I 3 . The logic state of the latch circuit is maintained until the latch circuit is reset by the first gate circuit. Therefore, if the signal at connection point A is HIGH (+5) and the latch circuit is not set via the test terminals I 1 , I 2 and I 3 , it will be reset if the latch circuit is set. .

이와같은 경우 래치회로의 출력(Q1,Q2,

Figure kpo00003
3)은 LOW 상태로 될것이다. 이는 디코더의 출력(M1내지 M8)이 HIGH 상태로 된다는 것을 의미하며, 회로는 정격동작 모드로 된다. 그러나, 만일 접속점 A의 신호가 LOW 상태이고, 테스트 모드가 테스트 단자를 거쳐 선택되면, 디코더 출력중의 하나는 LOW 상태로 되고, 다른 7개의 디코더 출력은 HIGH로 된다. 이는 테스트 모드중의 하나가 얻어지게 되어 회로가 상기 얻어진 테스트 모드로 동작될 것이라는 것을 의미한다.In this case, the output of the latch circuit (Q 1 , Q 2 ,
Figure kpo00003
3 ) will be LOW. This means that the outputs M 1 to M 8 of the decoder go to the HIGH state, and the circuit is in the rated operation mode. However, if the signal of connection point A is in the LOW state and the test mode is selected via the test terminal, one of the decoder outputs becomes LOW and the other seven decoder outputs become HIGH. This means that one of the test modes will be obtained so that the circuit will be operated in the obtained test mode.

Claims (1)

동일기판상에 제1MOS 트랜지스터로 이루어진 테스트회로와 최소한 한개의 제2MOS트랜지스터 회로를 구비하며, 상기 테스트 회로(G1,L1L2...Ln, DEC)와 제 2MOS 트랜지스터회로는 한개 이상의 외부입력접속단자(C′,S′,CO,S0,S0,C1,S1...Cn,Sn)를 가지며, 상기 테스트 회로의 출력(M,M1,M2...M8)은 제2MOS트랜지스터 회로에 결합되며, 상기 제2MOS트랜지스터회로의 출력은 외부접속단자에 결합되며, 테스트신호는 한개 이상의 외부입력 접속단자(C′,CO,C1...Cn)에 인가되어 제2MOS트랜지스터 회로를 테스트 모드로 되게하여 제2MOS트랜지스터 회로를 부분적으로 또는 전체적으로 테스트되도록 하므로써 제2MOS트랜지스터 회로의 출력에 제2MOS트랜지스터 회로가 오동작을 하는가를 지시하는 신호가 발생하도록 구성된 집적 MOS 트랜지스터 장치에 있어서, 테스트회로(G1,L1,L2,L3,DEC)와 제2MOS트랜지스터회로는 공통으로 한개이상의 외부입력접속단자(C′,C0,C1...Cn)를 가지며, 상기 테스트회로의 제1게이트 회로는 정상공급전압(VB)의 극성과 반대의 극성을 갖는 테스트 신호를 수신하는 제1입력(CO)파, 정상공급전압의 극성과 동일한 극성을 가지나 그 보다 더 큰진폭을 갖는 부가 테스트신호를 수신하는 제2입력(C1)과, 출력(A)으로 이루어져, 상기 제1게이트 회로의 입력에 상기의 테스트신호가 수신되었을 때만 상기 제1게이트 회로(G1)는 출력(A)에 이네이블 신호(E1,E2...En)를 발생시켜 입력접속단자(C1,C2,C3...Cn)에 인가된 테스트신호(I1,I2...I3...)가 테스트되어질 제2회로로 공급되도록 한것을 특징으로하는 MOS 장치용 테스트회로.A test circuit comprising a first MOS transistor and at least one second MOS transistor circuit on the same substrate, wherein the test circuits G 1 , L 1 L 2 ... L n , DEC and the second MOS transistor circuit External input connection terminals (C ′, S ′, C O , S 0 , S 0 , C 1 , S 1 ... C n , S n ), and the outputs of the test circuit (M, M 1 , M 2) ... M 8 ) is coupled to a second MOS transistor circuit, the output of the second MOS transistor circuit is coupled to an external connection terminal, and the test signal is one or more external input connection terminals C ′, C O , C 1 .. Is applied to .C n ) to place the second MOS transistor circuit in test mode, thereby partially or fully testing the second MOS transistor circuit, thereby generating a signal indicative of a malfunction of the second MOS transistor circuit at the output of the second MOS transistor circuit. An integrated MOS transistor device configured to comprise: Root circuit (G 1, L 1, L 2, L 3, DEC) and a 2MOS transistor circuit has more than one external input connection terminals (C ', C 0, C 1 ... C n) in common, wherein The first gate circuit of the test circuit has a first input (C O ) wave for receiving a test signal having a polarity opposite to that of the normal supply voltage (V B ), having the same polarity as that of the normal supply voltage but more than that. The first gate circuit G 1 includes a second input C 1 for receiving an additional test signal having a large amplitude and an output A, and only when the test signal is received at an input of the first gate circuit. ) Generates an enable signal (E 1 , E 2 ... E n ) at the output (A) and the test signal (I) applied to the input connection terminals (C 1 , C 2 , C 3 ... C n ). A test circuit for a MOS device, characterized in that 1 , I 2 ... I 3 ...) are supplied to a second circuit to be tested.
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