JPH03188235A - 電子部品用銅合金およびその製造方法 - Google Patents
電子部品用銅合金およびその製造方法Info
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- JPH03188235A JPH03188235A JP32756289A JP32756289A JPH03188235A JP H03188235 A JPH03188235 A JP H03188235A JP 32756289 A JP32756289 A JP 32756289A JP 32756289 A JP32756289 A JP 32756289A JP H03188235 A JPH03188235 A JP H03188235A
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子部品用銅合金およびその製造方法に関する
。
。
さらに詳述すれば、トランジスターおよびICリードフ
レーム等に代表される電子部品用の銅合金およびその製
造方法に関する。
レーム等に代表される電子部品用の銅合金およびその製
造方法に関する。
[従来技術]
半導体分野における機器性能の向上及びコストの低下の
要求により、42合金の替りに、高強度の銅合金が使用
され、セラミック封止の替りに、樹脂封止が使用される
等、種々の量産技術が生み出された。その結果、この半
導体分野において熱放散性が優れた銅系材料が使用され
るに至っている。
要求により、42合金の替りに、高強度の銅合金が使用
され、セラミック封止の替りに、樹脂封止が使用される
等、種々の量産技術が生み出された。その結果、この半
導体分野において熱放散性が優れた銅系材料が使用され
るに至っている。
ところで、最近の半導体分野においては、半導体素子の
高集積化が急速に進み、P LCC(Plastic
Leaded Chip Carrier)及びsop
(Small 0utline Package) 、
F P P (Flat PlasticPacka
ge)等の表面実装型の集積回路(IC)が開発されて
いる。
高集積化が急速に進み、P LCC(Plastic
Leaded Chip Carrier)及びsop
(Small 0utline Package) 、
F P P (Flat PlasticPacka
ge)等の表面実装型の集積回路(IC)が開発されて
いる。
特に、このような集積回路に使用されるリードフレーム
の材料としては、素子で発生するジュール熱を高効率で
放散させるために、熱伝導度が一層高いことが要求され
ると共に、導電率で75%lAC3(純銅焼鈍材の導電
率を100%とした場合の値)以上という要求が出され
ている。
の材料としては、素子で発生するジュール熱を高効率で
放散させるために、熱伝導度が一層高いことが要求され
ると共に、導電率で75%lAC3(純銅焼鈍材の導電
率を100%とした場合の値)以上という要求が出され
ている。
また、集積回路の高密度実装化による半導体装置が小型
化しつつあり、このため、リードフレームが薄板化して
いる。従って、リードフレーム用材料としては、強度を
更に一層高めることが要求されており、具体的には、引
張強さが55kgf/ m m ’以上であることが求
められている。しかも、このリードフレーム用材料とし
ては、耐熱性、リードフレームの耐繰り返し曲げ性、並
びに錫及びはんだの密着性が優れていることも必要であ
る。
化しつつあり、このため、リードフレームが薄板化して
いる。従って、リードフレーム用材料としては、強度を
更に一層高めることが要求されており、具体的には、引
張強さが55kgf/ m m ’以上であることが求
められている。しかも、このリードフレーム用材料とし
ては、耐熱性、リードフレームの耐繰り返し曲げ性、並
びに錫及びはんだの密着性が優れていることも必要であ
る。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来、半導体リードフレーム用材料とし
ては、この導電率及び引張強さの双方の要求を低コスト
で満足するものはなかった。例えば、従来の半導体リー
ドフレーム用材料としては、CDA194合金(Cu−
Fe−P−Zn系合金)、CDA19210合金(Cu
−Fe−P系合金)、Cu−Mg−Zr系合金又はCu
−Mg−P−Ag系合金等がある。
ては、この導電率及び引張強さの双方の要求を低コスト
で満足するものはなかった。例えば、従来の半導体リー
ドフレーム用材料としては、CDA194合金(Cu−
Fe−P−Zn系合金)、CDA19210合金(Cu
−Fe−P系合金)、Cu−Mg−Zr系合金又はCu
−Mg−P−Ag系合金等がある。
しかし、CDA194合金は、上記特性の双方を満足す
ることはできない、また、CDA19210合金、Cu
−Mg−Zr系合金及びCu−Mg−P−Ag系合金は
、導電率が75%I AC3以上であるけれども、引張
強さは52kgf/mm2以下であり、強度が低い。
ることはできない、また、CDA19210合金、Cu
−Mg−Zr系合金及びCu−Mg−P−Ag系合金は
、導電率が75%I AC3以上であるけれども、引張
強さは52kgf/mm2以下であり、強度が低い。
なお、高強度及び高導電性の双方を具備した銅合金とし
て、Cu−Cr−Zr系合金が公知であるが、この合金
は大気中での造塊が困難であり、真空又は不活性ガス雰
囲気中で溶解する必要がある。このため、高価な鋳造設
備を必要とするので、製造コストが高い。しかも、合金
中にCrを含有するため、製造上、公害面での制約を受
けるという欠点もある。このように従来の銅合金では、
特に高集積化された半導体装置用のリードフレームに要
求される特性を低コストで十分に満足することはできな
い。
て、Cu−Cr−Zr系合金が公知であるが、この合金
は大気中での造塊が困難であり、真空又は不活性ガス雰
囲気中で溶解する必要がある。このため、高価な鋳造設
備を必要とするので、製造コストが高い。しかも、合金
中にCrを含有するため、製造上、公害面での制約を受
けるという欠点もある。このように従来の銅合金では、
特に高集積化された半導体装置用のリードフレームに要
求される特性を低コストで十分に満足することはできな
い。
従って、引張強さが55kgf/mm”以上と高く、導
電率が75%lAC3以上と高いと共に、低置のリード
フレーム用銅合金の開発が要望されている。
電率が75%lAC3以上と高いと共に、低置のリード
フレーム用銅合金の開発が要望されている。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、引
張強さが55kgf/mm”以上、導電率が75%lA
C3以上と、高強度且つ高導電率を有し、しかも、耐熱
性、耐繰り返し曲げ性、並びに錫及びはんだの密着性が
優れた半導体リードフレーム等の電子部品用銅合金およ
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
張強さが55kgf/mm”以上、導電率が75%lA
C3以上と、高強度且つ高導電率を有し、しかも、耐熱
性、耐繰り返し曲げ性、並びに錫及びはんだの密着性が
優れた半導体リードフレーム等の電子部品用銅合金およ
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
[問題点を解決するための手段]
[作用]
本発明に係る電子部品用鋼合金は、Fe:0.05〜0
.15wt%、P:0.05〜0.15wt%、Mg
: 0.05〜0. 15wt%、Zn : 0.01
〜0.1wt%を含み、尚かつ(Fe+Mg)/p=1
.e 〜l、9で残部がCuおよび不可避的不純物から
なることを特徴とする。本発明に係る電子部品用銅合金
の製造方法は、Fe : 0.05〜0.15wt%、
P:0.05〜0.15wt%、Mg:0.05〜0.
15wt%、Zn : 0.01〜0.1wt%を含み
、尚かつ(Fe+Mg)/P=1.6〜1.9で残部が
Cuおよび不可避的不純物からなる銅合金を、大気造塊
した鋳塊を熱間圧延後、650℃以上の温度から200
℃以下まで25℃/ s e c以上の速度で冷却し、
その後冷間圧延の途中で350〜475℃以上の温度で
30分以上の焼鈍を少なくとも2回以上行ない、最終冷
間圧延加工率を70%以上として、最終製品にて250
〜450℃の温度で5秒以上の焼鈍を行なうことを特徴
とする特 本発明に係る電子部品用銅合金およびその製造方法につ
いて以上詳細に説明する。
.15wt%、P:0.05〜0.15wt%、Mg
: 0.05〜0. 15wt%、Zn : 0.01
〜0.1wt%を含み、尚かつ(Fe+Mg)/p=1
.e 〜l、9で残部がCuおよび不可避的不純物から
なることを特徴とする。本発明に係る電子部品用銅合金
の製造方法は、Fe : 0.05〜0.15wt%、
P:0.05〜0.15wt%、Mg:0.05〜0.
15wt%、Zn : 0.01〜0.1wt%を含み
、尚かつ(Fe+Mg)/P=1.6〜1.9で残部が
Cuおよび不可避的不純物からなる銅合金を、大気造塊
した鋳塊を熱間圧延後、650℃以上の温度から200
℃以下まで25℃/ s e c以上の速度で冷却し、
その後冷間圧延の途中で350〜475℃以上の温度で
30分以上の焼鈍を少なくとも2回以上行ない、最終冷
間圧延加工率を70%以上として、最終製品にて250
〜450℃の温度で5秒以上の焼鈍を行なうことを特徴
とする特 本発明に係る電子部品用銅合金およびその製造方法につ
いて以上詳細に説明する。
(含有成分の限定理由)
先ず、本発明に係る電子部品用銅合金の含有成分および
成分割合について詳説する。
成分割合について詳説する。
Fe、Mg、PをCuに添加するのは、Cu中にFe、
PとMgs P2を析出させ、強度、耐熱性および導電
率を著しく向上させるためである。
PとMgs P2を析出させ、強度、耐熱性および導電
率を著しく向上させるためである。
Feは添加量が0.05wt%未満ではPが添加されて
いても、強度向上は望まれず、また0、15wt%を越
えると、Pが0.15wt%添加されていてもCu母相
中にFeが固溶して残るため、導電率が低下してしまう
、このためFe含有量は0.05〜0.15wt%とす
る。
いても、強度向上は望まれず、また0、15wt%を越
えると、Pが0.15wt%添加されていてもCu母相
中にFeが固溶して残るため、導電率が低下してしまう
、このためFe含有量は0.05〜0.15wt%とす
る。
Mgは、添加量が0.05wt%未満では、Pが添加さ
れていても、強度、耐熱性の向上効果は少なく、0.1
5wt%を越えると、渇流れ性が悪化し、大気造塊が困
難となる。したがって、Mg含有量は0.05〜0.1
5wt%とする。
れていても、強度、耐熱性の向上効果は少なく、0.1
5wt%を越えると、渇流れ性が悪化し、大気造塊が困
難となる。したがって、Mg含有量は0.05〜0.1
5wt%とする。
Pは、FeおよびMgとそれぞれりん化合物(Fe2
P、Mgs P2 )を形成して強度、耐熱性、導電率
を向上させる効果がある。
P、Mgs P2 )を形成して強度、耐熱性、導電率
を向上させる効果がある。
Feを0.05〜0.15wt%添加されている銅合金
中にFe2Pの化合物を析出させるためにはPは0.0
2〜0.05wt%必要である。
中にFe2Pの化合物を析出させるためにはPは0.0
2〜0.05wt%必要である。
同時にMgを0.05〜0.15wt%添加されている
銅合金中に、Mgs P2の化合物を析出させるために
は、Pは0.06〜0.18wt%必要となる。
銅合金中に、Mgs P2の化合物を析出させるために
は、Pは0.06〜0.18wt%必要となる。
しかし、Pを多量に添加し、母相に固溶して残留するよ
うになると、導電率の低下が大きくなる。したがってP
含有量は0.05〜0.15wt%とする。
うになると、導電率の低下が大きくなる。したがってP
含有量は0.05〜0.15wt%とする。
さらに、(Fe+Mg)/Pを1.6〜1.9と限定し
たのは、FezPならびにMg5P2を十分に析出させ
るためであり、(Fe+Mg)/Pが1.6未満の場合
、余剰のPがCu母相中に固溶し、導電率の低下をきた
す。
たのは、FezPならびにMg5P2を十分に析出させ
るためであり、(Fe+Mg)/Pが1.6未満の場合
、余剰のPがCu母相中に固溶し、導電率の低下をきた
す。
また、(Fe+Mg)/Pが1.9を越えてしまうと余
剰のFeおよび/またはMgがCu母相中に固溶してし
まうため導電率は低下する。
剰のFeおよび/またはMgがCu母相中に固溶してし
まうため導電率は低下する。
したがって(F e + M g ) / Pを1.6
〜1.9とする。
〜1.9とする。
Znは錫およびはんだの密着性を向上させる元素である
。
。
近年の半導体機器の高信頼性の要求は、増々厳しくなっ
ており、ICリードフレームの外装リードの錫およびは
んだの密着性は、150℃で1000F(r後も良好な
密着性を要求されている。
ており、ICリードフレームの外装リードの錫およびは
んだの密着性は、150℃で1000F(r後も良好な
密着性を要求されている。
本発明に係る電子部品用銅合金もその例外ではない。
Znは、添加量が0.01wt%未満では上記の効果は
少ない。
少ない。
また、0.1wt%を越えて含有されると導電率の低下
をきたす、したが)て、Zn含有量は0.01〜0.1
wt%とする。
をきたす、したが)て、Zn含有量は0.01〜0.1
wt%とする。
(製造方法)
次に本発明に係る電子部品用銅合金の製造方法について
説明する。
説明する。
すなわち、本発明に係る電子部品用銅合金は、上記に説
明した含有成分および成分割合の銅合金鋳塊を熱間圧延
後650℃以上の温度から200℃以下まで25℃/
s e c以上の速度で冷却し、その後冷間圧延の途中
で300〜500℃以上の温度で30分以上の焼鈍を少
なくとも2回以上行ない、最終冷間圧延加工率を70%
以上として最終製品にて250〜450℃の温度で5秒
以上の歪取り焼鈍を行なうことにより可能となるもので
ある。
明した含有成分および成分割合の銅合金鋳塊を熱間圧延
後650℃以上の温度から200℃以下まで25℃/
s e c以上の速度で冷却し、その後冷間圧延の途中
で300〜500℃以上の温度で30分以上の焼鈍を少
なくとも2回以上行ない、最終冷間圧延加工率を70%
以上として最終製品にて250〜450℃の温度で5秒
以上の歪取り焼鈍を行なうことにより可能となるもので
ある。
まず、熱間圧延後650℃以上の温度から冷却する理由
は、Fe、PおよびMgを母相中に強制的に固溶させる
ためである。
は、Fe、PおよびMgを母相中に強制的に固溶させる
ためである。
1冷却最終部度では、銅合金中にFe2PまたはMg5
Pzの析出物を生じないためである。
Pzの析出物を生じないためである。
この時、冷却速度を25℃/ s e c以上としたの
は、冷却速度が25℃/ s e c未満だと1、冷却
中にFe2PまたはMg5P2が析出し、冷却中に生じ
たこの析出物は、その後の強度・耐熱性等の機械的性質
の向上に寄与しないためである。
は、冷却速度が25℃/ s e c未満だと1、冷却
中にFe2PまたはMg5P2が析出し、冷却中に生じ
たこの析出物は、その後の強度・耐熱性等の機械的性質
の向上に寄与しないためである。
冷間圧延の途中で少なくとも2回以上350〜475℃
の温度で30分以上の焼鈍を行なうのは強度および導電
率の向上に寄与するFe2 PおよびMg5P2を十分
に析出するためである。
の温度で30分以上の焼鈍を行なうのは強度および導電
率の向上に寄与するFe2 PおよびMg5P2を十分
に析出するためである。
軟化が生じ、475℃を越えると、しかも、この温度で
の焼鈍を繰り返しても導電率の向上はあるものの引張強
さ55kgf/mm’以上を具備することは困難である
。
の焼鈍を繰り返しても導電率の向上はあるものの引張強
さ55kgf/mm’以上を具備することは困難である
。
350℃未満の温度では、Fe、PおよびMg5P2の
析出が不十分であり、強度向上はあるものの、導電率を
75%以上にすることは困難である。よって焼鈍温度は
350〜475℃とする。
析出が不十分であり、強度向上はあるものの、導電率を
75%以上にすることは困難である。よって焼鈍温度は
350〜475℃とする。
また、焼鈍時間を30分以上としたのは、30分未満の
焼鈍ではFe、PおよびMg5P2の析出が不十分であ
る。さらに焼鈍回数を2回以上としたのは、冷間圧延と
析出焼鈍を2回以上繰り返すことによってFe2Pおよ
びMg5P2が析出し、75%以上の導電率を具備する
ことができ、その後の冷間圧延による加工硬化により5
5kgf/mm2以上の引張強さを保有するためである
。
焼鈍ではFe、PおよびMg5P2の析出が不十分であ
る。さらに焼鈍回数を2回以上としたのは、冷間圧延と
析出焼鈍を2回以上繰り返すことによってFe2Pおよ
びMg5P2が析出し、75%以上の導電率を具備する
ことができ、その後の冷間圧延による加工硬化により5
5kgf/mm2以上の引張強さを保有するためである
。
次に、最終冷間圧延加工率を70%以上としたのは、7
0%未満の冷間加工率では、引張強さ55kgf/mm
”を具備することが困難であるためである。
0%未満の冷間加工率では、引張強さ55kgf/mm
”を具備することが困難であるためである。
さらに、最終製品にて250〜450℃の温度で5秒以
上の焼鈍を行なうのは、冷間圧延歪の除去ならびに伸び
の回復のためである。250℃未満の温度では、歪の除
去ならびに伸びの回復が不十分であり、450℃を越え
る温度では、軟化しすぎ、引張強さ55kgf/mm’
を満足しないためである。焼鈍時間を5秒以上としての
は、工業的に生産性を考慮して、連続焼鈍炉を使用する
ためである。
上の焼鈍を行なうのは、冷間圧延歪の除去ならびに伸び
の回復のためである。250℃未満の温度では、歪の除
去ならびに伸びの回復が不十分であり、450℃を越え
る温度では、軟化しすぎ、引張強さ55kgf/mm’
を満足しないためである。焼鈍時間を5秒以上としての
は、工業的に生産性を考慮して、連続焼鈍炉を使用する
ためである。
[実施例]
本発明に係る電子部品用銅合金およびその製造方法につ
いて、その実施例によって以下詳説する。
いて、その実施例によって以下詳説する。
(実施例1)
第1表に示す組成の銅合金を、クリブトル炉を使用し、
木炭被覆下において大気中で溶解した。
木炭被覆下において大気中で溶解した。
次いで、この溶湯を、鋳鉄製のブックモールドを用いて
、厚さが50mm、幅が80 mm、長さが200mm
の鋳塊に鋳造した。そして、この鋳塊の表裏正面を5m
mずつ面側した後、鋳塊を850℃の温度で15mmの
厚さになるまで熱間圧延し、水中に投入して急冷した。
、厚さが50mm、幅が80 mm、長さが200mm
の鋳塊に鋳造した。そして、この鋳塊の表裏正面を5m
mずつ面側した後、鋳塊を850℃の温度で15mmの
厚さになるまで熱間圧延し、水中に投入して急冷した。
次いで、熱間圧延後の試料の酸化スケールを除去した後
、冷間圧延により3.0mmの厚さの板材に加工し、そ
の後、460℃の温度に2時間加熱して焼鈍した。次い
で、再度冷間圧延して試料を1.0mmの厚さの板材に
加工し、400℃の温度で2時間加熱して焼鈍した。焼
鈍後、仕上げ冷間圧延して、試料を厚さが0.25mm
の板材に調整した。その後、歪を除去するために、硝石
炉を使用し、試料を300℃の温度に20秒間加熱して
低温焼鈍した。
、冷間圧延により3.0mmの厚さの板材に加工し、そ
の後、460℃の温度に2時間加熱して焼鈍した。次い
で、再度冷間圧延して試料を1.0mmの厚さの板材に
加工し、400℃の温度で2時間加熱して焼鈍した。焼
鈍後、仕上げ冷間圧延して、試料を厚さが0.25mm
の板材に調整した。その後、歪を除去するために、硝石
炉を使用し、試料を300℃の温度に20秒間加熱して
低温焼鈍した。
これらの試料について、引張試験、硬度測定、導電率測
定、繰り返し曲げ試験およびはんだの密着性試験を実施
した。
定、繰り返し曲げ試験およびはんだの密着性試験を実施
した。
その結果を第2表に示す。
第2表より明らかなように、本発明に係る電子部品用銅
合金N011〜3は、いずれも、引張強さが55kgf
/mm2以上あり、導電率も75%IACS以上を有し
ており、繰り返し曲げ性ならびにはんだの密着性も良好
である。
合金N011〜3は、いずれも、引張強さが55kgf
/mm2以上あり、導電率も75%IACS以上を有し
ており、繰り返し曲げ性ならびにはんだの密着性も良好
である。
これに対して比較合金No、4〜9は、それぞれFe、
PおよびMg含有が本発明範囲をはずれており、引張強
さあるいは導電率点で本発明合金より劣っている。しか
も、伸び特性および繰り返し曲げ性はいずれの比較合金
も本発明合金より劣りている。
PおよびMg含有が本発明範囲をはずれており、引張強
さあるいは導電率点で本発明合金より劣っている。しか
も、伸び特性および繰り返し曲げ性はいずれの比較合金
も本発明合金より劣りている。
また、比較合金No、10およびNo、11は(F e
+ M g ) / p比が本発明範囲をはずれてお
り、引張強さあるいは導tNAの点で特性が低下してい
ることが分る。
+ M g ) / p比が本発明範囲をはずれてお
り、引張強さあるいは導tNAの点で特性が低下してい
ることが分る。
比較合金No、12はZn含有量が0.01wt%未満
であり、はんだ密着性試験において、150℃X100
0Hr後、一部剥離を生じている。
であり、はんだ密着性試験において、150℃X100
0Hr後、一部剥離を生じている。
また、各試験条件は以下のとおりである。
(1)引張試験においては、圧延方向に平行に切り出し
たJIS13号B試験片を使用した。
たJIS13号B試験片を使用した。
(2)硬度は、マイクロビッカーズ硬度計により、荷重
500gの条件で測定した。
500gの条件で測定した。
(3)導電率は幅が10mm、長さが300mmの試験
片を使用し、ダブルブリッジにより測定した。
片を使用し、ダブルブリッジにより測定した。
(4)繰り返し曲げ性の試験においては、プレスで打ち
抜いた0、5mm幅のリードを試験片とし、その一端に
227gの錘りを吊して一方向往復で90°曲げを行っ
た。そして、往復を1回と数えて、破断までの回数を数
え、この回数を10個の試験片について平均化して破断
までの繰り返し曲げ回数を求めた。なお、曲げ軸は圧延
方向に直交させた。
抜いた0、5mm幅のリードを試験片とし、その一端に
227gの錘りを吊して一方向往復で90°曲げを行っ
た。そして、往復を1回と数えて、破断までの回数を数
え、この回数を10個の試験片について平均化して破断
までの繰り返し曲げ回数を求めた。なお、曲げ軸は圧延
方向に直交させた。
(5)はんだの密着試験においては、弱活性フラックス
を使用して、温度が230℃のはんだ浴(Sn60−P
b40合金)で試料をはんだ付けした。そして、この試
料を、150℃の温度に1000時間加熱し、この加熱
期間中250時間毎に90°曲げ試験を実施して試料に
対するはんだの密着性、つまり剥離の有無を調査した。
を使用して、温度が230℃のはんだ浴(Sn60−P
b40合金)で試料をはんだ付けした。そして、この試
料を、150℃の温度に1000時間加熱し、この加熱
期間中250時間毎に90°曲げ試験を実施して試料に
対するはんだの密着性、つまり剥離の有無を調査した。
(実施例2)
第1表に示すNo、1の成分割合の3.0mmtの中間
材を使用して第3表に示す条件で、試験材を調整した。
材を使用して第3表に示す条件で、試験材を調整した。
最終板厚を0.25mmとし、引張強さ、伸び、硬さ、
導電率および90°曲げ加工性を調査した。その結果を
第3表に示す。
導電率および90°曲げ加工性を調査した。その結果を
第3表に示す。
第3表から明らかなように、本発明に係る電子部品用鋼
合金の製造方法による実施例はいずれも、引張強さが5
5kgf/mm2以上、導電率が75%I AC5以上
あり、90”曲げ加工性も優れていることが分る。
合金の製造方法による実施例はいずれも、引張強さが5
5kgf/mm2以上、導電率が75%I AC5以上
あり、90”曲げ加工性も優れていることが分る。
これに対して、比較例NO33は、冷間圧延途中の2回
の焼鈍温度がいずれも本発明範囲の上限を越えており、
引張強さが低下している。
の焼鈍温度がいずれも本発明範囲の上限を越えており、
引張強さが低下している。
比較例No、4は、冷間圧延途中の2回の焼鈍温度が本
発明範囲の下限を満足しておらず、引張強さは55kg
f/mm2以上保有するが導電率、90°曲げ加工性が
低下している。
発明範囲の下限を満足しておらず、引張強さは55kg
f/mm2以上保有するが導電率、90°曲げ加工性が
低下している。
比較例No、5は最終冷間圧延加工率が本発明範囲を満
足しておらず、また比較例No、6は最終歪取り焼鈍温
度が本願特許請求の範囲の上限を越えており、N075
およびN016いずれも引張強さが低下している。
足しておらず、また比較例No、6は最終歪取り焼鈍温
度が本願特許請求の範囲の上限を越えており、N075
およびN016いずれも引張強さが低下している。
比較例No、7は最終歪取り焼鈍温度が本発明範囲の下
限を満足しておらず、引張強さを導電率は優れているも
のの90°曲げ加工性の面で問題となる。
限を満足しておらず、引張強さを導電率は優れているも
のの90°曲げ加工性の面で問題となる。
比較例No、8は、焼鈍回数が1回であり、温度も50
0℃と高いため導電率が優れるものの、引張強さ、90
°曲げ性が低下している。
0℃と高いため導電率が優れるものの、引張強さ、90
°曲げ性が低下している。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明に係る電子部品用銅合金と
その製造方法によって、引張強さが55kgf/mm”
以上、導電率が75%I ACS以上であり、且つ、優
れた繰返し曲げ性、90°曲げ性ならびに錫およびはん
だの密着性等を具備することが可能となる。
その製造方法によって、引張強さが55kgf/mm”
以上、導電率が75%I ACS以上であり、且つ、優
れた繰返し曲げ性、90°曲げ性ならびに錫およびはん
だの密着性等を具備することが可能となる。
したがって、例えば半導体リードフレーム等の材料とし
て極めて信頼性が高く、集積回路の高密度化および電子
部品の小型化に多大に貢献するものである。
て極めて信頼性が高く、集積回路の高密度化および電子
部品の小型化に多大に貢献するものである。
弗
1
表
第
表
Claims (2)
- (1)Fe:0.05〜0.15wt%、P:0.05
〜0.15wt%、Mg:0.05〜0.15wt%、
Zn:0.01〜0.1wt%を含み、尚かつ(Fe+
Mg)/P=1.6〜1.9で残部がCuおよび不可避
的不純物からなることを特徴とする電子部品用銅合金。 - (2)Fe:0.05〜0.15wt%、P:0.05
〜0.15wt%、Mg:0.05〜0.15wt%、
Zn:0.01〜0.1wt%を含み、尚かつ(Fe+
Mg)/P:1.6〜1.9で残部がCuおよび不可避
的不純物からなる銅合金を、大気造塊した鋳塊を熱間圧
延後、650℃以上の温度から200℃以下まで25℃
/sec以上の速度で冷却し、その後冷間圧延の途中で
350〜475℃以上の温度で30分以上の焼鈍を少な
くとも2回以上行ない、最終冷間圧延加工率を70%以
上として、最終製品にて250〜450℃の温度で5秒
以上の焼鈍を行なうことを特徴とする電子部品用銅合金
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32756289A JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32756289A JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03188235A true JPH03188235A (ja) | 1991-08-16 |
JP2733117B2 JP2733117B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=18200452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32756289A Expired - Lifetime JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2733117B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1482063A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-01 | Fisk Alloy Wire, Inc. | Processing copper-magnesium alloys and improved copper alloy wire |
EP1803829A1 (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Copper alloy plate for electric and electronic parts having bending workability |
JP2009215570A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Kobe Steel Ltd | ダイシング加工性に優れるqfnパッケージ用銅合金板 |
CN115747558A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-07 | 安徽鑫科铜业有限公司 | 一种集成电路引线框架用铜合金带及其制造方法和应用 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32756289A patent/JP2733117B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1482063A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-01 | Fisk Alloy Wire, Inc. | Processing copper-magnesium alloys and improved copper alloy wire |
EP1803829A1 (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Copper alloy plate for electric and electronic parts having bending workability |
EP1803829A4 (en) * | 2004-08-17 | 2009-09-30 | Kobe Steel Ltd | COPPER ALLOY PLATE FOR ELECTRICAL AND ELECTRONIC PARTS TO BE WORKED IN TORSION |
US8715431B2 (en) | 2004-08-17 | 2014-05-06 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy plate for electric and electronic parts having bending workability |
JP2009215570A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Kobe Steel Ltd | ダイシング加工性に優れるqfnパッケージ用銅合金板 |
CN115747558A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-07 | 安徽鑫科铜业有限公司 | 一种集成电路引线框架用铜合金带及其制造方法和应用 |
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JP2733117B2 (ja) | 1998-03-30 |
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