JPH03184331A - 複数真空処理装置 - Google Patents
複数真空処理装置Info
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- JPH03184331A JPH03184331A JP1321441A JP32144189A JPH03184331A JP H03184331 A JPH03184331 A JP H03184331A JP 1321441 A JP1321441 A JP 1321441A JP 32144189 A JP32144189 A JP 32144189A JP H03184331 A JPH03184331 A JP H03184331A
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- JP
- Japan
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- vacuum
- samples
- chamber
- treatment
- treating
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- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料を真空で連続して複数処理する真空処理
装置に係り、特に半導体製造装置に関するものである。
装置に係り、特に半導体製造装置に関するものである。
従来の複数処理装置は、例えば、セミ・コンダクタ・ワ
ールド（Ｓｅｍ１ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｌｄ ）
１９８９ ８ ３８〜４０頁に記載されているよう
に各処理室は、真空にされた搬送室等で連結されていた
。
ールド（Ｓｅｍ１ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｌｄ ）
１９８９ ８ ３８〜４０頁に記載されているよう
に各処理室は、真空にされた搬送室等で連結されていた
。
上記従来技術の放射状連結は、各処理室が放射状に連結
されているため、試料の大口径化に伴う設置場所の拡が
り、又は、連結される処理室の数にも制限があった。
されているため、試料の大口径化に伴う設置場所の拡が
り、又は、連結される処理室の数にも制限があった。
また、上記従来技術の直線状連結は、各処理室が放射状
に連結されているため、処理前後の試料の位置が離れ操
作性が悪く、各処理室の大きさにより、各室の標準化が
困難であった。
に連結されているため、処理前後の試料の位置が離れ操
作性が悪く、各処理室の大きさにより、各室の標準化が
困難であった。
さらに、上記従来技術は、各処理室が真空の搬送室等で
常に連結されているため、各処理室の保守スペースが不
十分で移動等も困難であり、また、各真空処理空間が連
結されるための相互汚染も問題があった。
常に連結されているため、各処理室の保守スペースが不
十分で移動等も困難であり、また、各真空処理空間が連
結されるための相互汚染も問題があった。
本発明の目的は、各処理室の相互汚染がなく、保守性が
良い連続で複数の処理が行えるようにする二とにある。
良い連続で複数の処理が行えるようにする二とにある。
上記目的を達成するために、移動可能な真空室で、試料
の真空状態を保持し、各真空室の真空を独立させたもの
である。
の真空状態を保持し、各真空室の真空を独立させたもの
である。
真空に保持された各真空室を独立させ、その間を移動可
能な真空室により、試料を必要な時、真空に保持し搬出
入できるようになるので、各処理室の保守性が向上し、
各真空処理室の真空レベルを単独に構成、制御可能であ
るため、各処理室間の相互汚染が防止することができる
。
能な真空室により、試料を必要な時、真空に保持し搬出
入できるようになるので、各処理室の保守性が向上し、
各真空処理室の真空レベルを単独に構成、制御可能であ
るため、各処理室間の相互汚染が防止することができる
。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説
明する。
明する。
第１図において、システムの構成は、試料を大気中から
真空中へ、および真空中から大気中へ戻すため、ロード
アンロード装置ｌｌと、そこから試料を真空保持の状態
で受は取り又は受は渡し可能な真空移動装置２と、その
真空移動装置２との間で試料を真空保持状態で振出人可
能な一つ以上の処理モジュール３ａ〜３Ｃでなる。
真空中へ、および真空中から大気中へ戻すため、ロード
アンロード装置ｌｌと、そこから試料を真空保持の状態
で受は取り又は受は渡し可能な真空移動装置２と、その
真空移動装置２との間で試料を真空保持状態で振出人可
能な一つ以上の処理モジュール３ａ〜３Ｃでなる。
第２図において、真空移動装置２と一つの処理モジュー
ルの構成について説明する。
ルの構成について説明する。
まず、真空移動装置２は、試料を真空状態に保持する移
動真空室４と、試料振出人時開くゲートバルブ５ａとで
真空室を形成する。その移動真空室４には、試料の搬出
入時に稼動する試料搭載袋［１０が取り付けられている
。また、真空移動ｉｔ２がロードアンロード装［ｌおよ
び各処理モジュール３８〜３Ｃ間を移動するために移動
装置ｎが設けられると共に、移動真空室４に設けられた
ロック室６ａを処理モジュール３又はロードアンロード
装置の真空室のロック室６ｂと連結する結合！１９が設
けられている。
動真空室４と、試料振出人時開くゲートバルブ５ａとで
真空室を形成する。その移動真空室４には、試料の搬出
入時に稼動する試料搭載袋［１０が取り付けられている
。また、真空移動ｉｔ２がロードアンロード装［ｌおよ
び各処理モジュール３８〜３Ｃ間を移動するために移動
装置ｎが設けられると共に、移動真空室４に設けられた
ロック室６ａを処理モジュール３又はロードアンロード
装置の真空室のロック室６ｂと連結する結合！１９が設
けられている。
各処理モジュール３は、試料の処理を行う処理室８と、
搬送アーム１６の収納される真空保持のバッファ室７と
、真空移動装置２のロック室６ａと連結されるロック室
６ｂより真空室が形成され、各室は、ゲートバルブ５ｂ
および５Ｃにより連通となる。ロック室６ｂには、ロッ
ク室６ａおよび６ｂを大気に戻すためにＮ２ガス元１４
がバルブ巧を介して接続され、また、真空引きをするた
めに真空ポンプＵがバルブ１３を介して接続されている
。
搬送アーム１６の収納される真空保持のバッファ室７と
、真空移動装置２のロック室６ａと連結されるロック室
６ｂより真空室が形成され、各室は、ゲートバルブ５ｂ
および５Ｃにより連通となる。ロック室６ｂには、ロッ
ク室６ａおよび６ｂを大気に戻すためにＮ２ガス元１４
がバルブ巧を介して接続され、また、真空引きをするた
めに真空ポンプＵがバルブ１３を介して接続されている
。
またロードアンロード装置ｌにも上記の処理モジュール
３と同様の機構が設けられる。
３と同様の機構が設けられる。
以上、本実施例によれば、ロードアンロード装置および
各処理モジュールの真空室を単独で切り離して配置して
いても、試料は、各処理の開始から終了まで真空状態で
連続で処理することができる。
各処理モジュールの真空室を単独で切り離して配置して
いても、試料は、各処理の開始から終了まで真空状態で
連続で処理することができる。
本発明によれば、各処理モジュールを単独で切り離して
いても、試料は各処理の開始から終了もしくは一部を真
空状態で連続処理できるので、各真空室間の相互汚染の
問題がなく、各処理モジュールが切り離されているので
保守性が良い。
いても、試料は各処理の開始から終了もしくは一部を真
空状態で連続処理できるので、各真空室間の相互汚染の
問題がなく、各処理モジュールが切り離されているので
保守性が良い。
また、各処理の真空レベル、真空の質および制御は完全
に独立できるので、各処理モジュール間の制御が容易に
なる。
に独立できるので、各処理モジュール間の制御が容易に
なる。
第１図は、本発明の一実施例の複数真空処理装置の構成
を表わした平面図、第２図は、第１図の処理モジュール
部の縦断面図である。
を表わした平面図、第２図は、第１図の処理モジュール
部の縦断面図である。
Claims (1)
- １、試料を処理開始から終了まで、又は一つ以上の処理
の間、真空に保持し、複数の真空室で処理を行う装置に
おいて、前記真空室間の前記試料の移動を、前記真空室
間を移動および結合できる真空室を介して行うことを特
徴とする複数真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32144189A JP2901672B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 複数真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32144189A JP2901672B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 複数真空処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6496998A Division JP2974995B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 試料搬出入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184331A true JPH03184331A (ja) | 1991-08-12 |
| JP2901672B2 JP2901672B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=18132596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32144189A Expired - Fee Related JP2901672B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 複数真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901672B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7874781B2 (en) | 2003-09-01 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134946A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Carrying device for semiconductor substrate |
| JPS60238134A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61231166A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 複合超高真空装置 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32144189A patent/JP2901672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134946A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Carrying device for semiconductor substrate |
| JPS60238134A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61231166A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 複合超高真空装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7874781B2 (en) | 2003-09-01 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2901672B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |