JPH03183755A - 酸化物―セラミック材料の加熱吹付プロセス - Google Patents
酸化物―セラミック材料の加熱吹付プロセスInfo
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- JPH03183755A JPH03183755A JP2217988A JP21798890A JPH03183755A JP H03183755 A JPH03183755 A JP H03183755A JP 2217988 A JP2217988 A JP 2217988A JP 21798890 A JP21798890 A JP 21798890A JP H03183755 A JPH03183755 A JP H03183755A
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Classifications
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- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
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-
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- H10N60/0492—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by thermal spraying, e.g. plasma deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化物−セラミック超伝導体の総組酸に一致す
る総組酸を有する酸化物−セラミック材料を加熱吹付す
るプロセスであって、粉状材料をバーナーの加熱炎中に
供給し、粉状材料を最初にまたは完全に溶融させて、吹
付はジェットとして支持材料に衝突させるプロセスに関
する。
る総組酸を有する酸化物−セラミック材料を加熱吹付す
るプロセスであって、粉状材料をバーナーの加熱炎中に
供給し、粉状材料を最初にまたは完全に溶融させて、吹
付はジェットとして支持材料に衝突させるプロセスに関
する。
酸化物−セラミック超伝導性材料の場合には、加熱吹付
を特に成形プロセスとして利用する。加熱吹付中に、材
料はそれらの超伝導性を失うかまたは超伝導性が失われ
ないとしても、著しく劣化する。それ故、吹付は沈@I
Iの超伝導性を形成または改良するために、吹付は作業
後に吹付は層の熱後処理が必要になる。
を特に成形プロセスとして利用する。加熱吹付中に、材
料はそれらの超伝導性を失うかまたは超伝導性が失われ
ないとしても、著しく劣化する。それ故、吹付は沈@I
Iの超伝導性を形成または改良するために、吹付は作業
後に吹付は層の熱後処理が必要になる。
熱後処理では、吹付は層を酸素中で酸素が吸収される温
度まで加熱し、次に酸素雰囲気中で徐冷する。このプロ
セスでは、熱後処理が幾つかの加熱冷却工程を含む、こ
れは時間を要し、コストが非常にかかることである。さ
らに、熱後処理は材料が支持材料から吹f=tけ層中に
拡散するかまたは吹付は層と化学的に反応するならば、
吹付は層中に好ましくない汚染物質をもたらすことにな
る。
度まで加熱し、次に酸素雰囲気中で徐冷する。このプロ
セスでは、熱後処理が幾つかの加熱冷却工程を含む、こ
れは時間を要し、コストが非常にかかることである。さ
らに、熱後処理は材料が支持材料から吹f=tけ層中に
拡散するかまたは吹付は層と化学的に反応するならば、
吹付は層中に好ましくない汚染物質をもたらすことにな
る。
本発明の目的は、支持材料上にすでに超伝導性であるか
または熱後処理なしに良好な超伝導性を有する酸化物−
セラミック吹付は層を形成する、序文に述べたようなプ
ロセスを提供することである。
または熱後処理なしに良好な超伝導性を有する酸化物−
セラミック吹付は層を形成する、序文に述べたようなプ
ロセスを提供することである。
本発明の目的は請求項1に述べた方法によって達成され
る。
る。
形成される吹付は層の酸素含量が主として吹付はプロセ
ス中に供給される!!12素量に依存することが判明し
ている1元素分析は通常の空気中で吹付けられたBi2
5r2CaCu20x層が低い酸素含量を有しくB+z
SrzCaCuzOt、i)、本発明によって補充酸素
を供給する場合(BizS「zCaCuzO*−n;T
c = 84 K )よりも劣った超伝導性(Tc
=80K〉を有することを示す、同じことが例えばYB
azCu30xのような、他の酸化物−セラミック超伝
導性材料の渇きにも該当する。本発明によるプロセスで
は、ft加的な酸素、酸化二窒素またはオゾンを供給せ
ずに続けて熱後処理を行う通常の加熱吹f1の場合より
も簡単、迅速に、かつ超伝導性層の断面にわたって均一
に酸素富化が達成される。加熱吹(=f条件下で、酸化
二窒素が分解して、原子状高反応性酸素と窒素酸化物と
が生ずる。
ス中に供給される!!12素量に依存することが判明し
ている1元素分析は通常の空気中で吹付けられたBi2
5r2CaCu20x層が低い酸素含量を有しくB+z
SrzCaCuzOt、i)、本発明によって補充酸素
を供給する場合(BizS「zCaCuzO*−n;T
c = 84 K )よりも劣った超伝導性(Tc
=80K〉を有することを示す、同じことが例えばYB
azCu30xのような、他の酸化物−セラミック超伝
導性材料の渇きにも該当する。本発明によるプロセスで
は、ft加的な酸素、酸化二窒素またはオゾンを供給せ
ずに続けて熱後処理を行う通常の加熱吹f1の場合より
も簡単、迅速に、かつ超伝導性層の断面にわたって均一
に酸素富化が達成される。加熱吹(=f条件下で、酸化
二窒素が分解して、原子状高反応性酸素と窒素酸化物と
が生ずる。
本発明によるプロセスでは、加熱吹付条件下で加熱され
る時に酸素を放出するが可逆的に再び酸素を吸収するこ
とのできる例えばMBa2Cu=Ot−x(Mはイツト
リウムまたはCe、Pr、Nd以外の希土類元素、0’
−x≦1)1例えばB 12(S r、Ca)2Cuo
x。
る時に酸素を放出するが可逆的に再び酸素を吸収するこ
とのできる例えばMBa2Cu=Ot−x(Mはイツト
リウムまたはCe、Pr、Nd以外の希土類元素、0’
−x≦1)1例えばB 12(S r、Ca)2Cuo
x。
B i z (S r 、 Ca ) s CL120
xおよびB 1z(S r、Ca)<Cu30x、の
ようなり1−5r−Ca−Cu−0,ならびにTl−B
a−Ca−Cu−0である酸化物−セラミック材料をす
べて用いることができる0本発明によって用いる酸化物
−セラミック材料は酸化物セラミック超伝導体の総組酸
に一致する総組酸を有するかまたは、酸素欠乏の結果と
して超伝導性ではなくなるが、他の点で酸化物−セラミ
ック超伝導体の総組酸を有する材料である0本発明によ
るプロセスでは、銅とイツトリウムを酸化物として含む
かまたは銅、ビスマス、ストロンチウムおよびカルシウ
ムを酸化物として含む酸化物−セラミック材料を用いる
のが好ましい。
xおよびB 1z(S r、Ca)<Cu30x、の
ようなり1−5r−Ca−Cu−0,ならびにTl−B
a−Ca−Cu−0である酸化物−セラミック材料をす
べて用いることができる0本発明によって用いる酸化物
−セラミック材料は酸化物セラミック超伝導体の総組酸
に一致する総組酸を有するかまたは、酸素欠乏の結果と
して超伝導性ではなくなるが、他の点で酸化物−セラミ
ック超伝導体の総組酸を有する材料である0本発明によ
るプロセスでは、銅とイツトリウムを酸化物として含む
かまたは銅、ビスマス、ストロンチウムおよびカルシウ
ムを酸化物として含む酸化物−セラミック材料を用いる
のが好ましい。
加熱吹f寸プロセスの中で、本発明によるプロセスは特
に溶射(fla輸e Spraying)およびDI
N32530に記載されている変形(variant)
によるプラズマジェット吹付けを用いる。溶射では粉状
材料が燃料ガス、/酸素火炎中で最初にまたは完全に溶
融してから、膨張性燃焼ガスのみによってまたはアトマ
イジングガス(atmizing gas)(例えば
圧縮空気)によって同時に補助された膨張性燃焼ガスに
よって支持材料上に推し進められる。酸素は燃料ガスを
燃焼させるために充分な量で燃料ガスに供給される。燃
料ガスとしてのアセチレンによると、3.150℃以下
の温度が得られる。プラズマジェット吹付けの場合には
、20,000℃以下の実質的に高い温度が得られる。
に溶射(fla輸e Spraying)およびDI
N32530に記載されている変形(variant)
によるプラズマジェット吹付けを用いる。溶射では粉状
材料が燃料ガス、/酸素火炎中で最初にまたは完全に溶
融してから、膨張性燃焼ガスのみによってまたはアトマ
イジングガス(atmizing gas)(例えば
圧縮空気)によって同時に補助された膨張性燃焼ガスに
よって支持材料上に推し進められる。酸素は燃料ガスを
燃焼させるために充分な量で燃料ガスに供給される。燃
料ガスとしてのアセチレンによると、3.150℃以下
の温度が得られる。プラズマジェット吹付けの場合には
、20,000℃以下の実質的に高い温度が得られる。
プラズマジェット吹付は中に、粉状材料はバーナーの内
側または外側でプラズマ火炎によって最初にまたは完全
に溶融してから、加速されて、支持材料上に推し進めら
れる。プラズマはカソードとアノードとの間の電気アー
ク衝突によって生ずる。プラズマガスとしては、例えば
アルゴン、ヘリウム、窒素またはこれらの混合物が用い
られる。電気的に中性のプラズマジェットが高速度およ
、び高温でプラズマバーナーから放出される。
側または外側でプラズマ火炎によって最初にまたは完全
に溶融してから、加速されて、支持材料上に推し進めら
れる。プラズマはカソードとアノードとの間の電気アー
ク衝突によって生ずる。プラズマガスとしては、例えば
アルゴン、ヘリウム、窒素またはこれらの混合物が用い
られる。電気的に中性のプラズマジェットが高速度およ
、び高温でプラズマバーナーから放出される。
酸素含量を例外として、超伝導体の総組酸に一致する総
組酸を有する酸化物−セラミック材料を粉末形としてキ
ャリヤーガスによって、バーナーの内側好ましくは外側
において加熱炎に供給する。
組酸を有する酸化物−セラミック材料を粉末形としてキ
ャリヤーガスによって、バーナーの内側好ましくは外側
において加熱炎に供給する。
粉状材料は加熱炎の高温によって溶融する、すなわち粉
末粒子の表面で最初に溶融する。最初にまたは完全に溶
融した材料を吹付はジェットとして支持材料上に吹付け
ると、溶融材料は吹付は層として支持材料上に沈着する
。加熱吹付の場合には、酸化物−セラミック材料は酸素
を失い、超伝導性の損失または低下が生ずる0本発明に
よるプロセスは吹付はジェットが支持材料上に衝突する
まで吹付はジェットに酸素を再び富化し、その結果良好
な超伝導性を有する吹付は層が得られる。
末粒子の表面で最初に溶融する。最初にまたは完全に溶
融した材料を吹付はジェットとして支持材料上に吹付け
ると、溶融材料は吹付は層として支持材料上に沈着する
。加熱吹付の場合には、酸化物−セラミック材料は酸素
を失い、超伝導性の損失または低下が生ずる0本発明に
よるプロセスは吹付はジェットが支持材料上に衝突する
まで吹付はジェットに酸素を再び富化し、その結果良好
な超伝導性を有する吹付は層が得られる。
f1加的な酸素、酸化二窒素またはオゾンを好ましζは
バーナーの外側において特にバーナーの出口に才3いて
加熱炎および/または吹付ジェットに供給する。酸素富
化空気を用いることができるが、純粋な酸素を供給する
ことが好ましい、粉状材料を加熱炎中にバーナーの外側
で供給する場合には、粉状材料と同じ個所から酸素、酸
化二窒素またはオゾンを供給することができる。しかし
、酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付はジェット中に
逐次にのみ供給することもできる。
バーナーの外側において特にバーナーの出口に才3いて
加熱炎および/または吹付ジェットに供給する。酸素富
化空気を用いることができるが、純粋な酸素を供給する
ことが好ましい、粉状材料を加熱炎中にバーナーの外側
で供給する場合には、粉状材料と同じ個所から酸素、酸
化二窒素またはオゾンを供給することができる。しかし
、酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付はジェット中に
逐次にのみ供給することもできる。
加熱炎または吹付ジェットの周囲に複数個の供給管また
はノズルを配置することが好ましい、酸化物−セラミッ
ク材料を酸素、酸化二窒素またはオゾンと共にあらゆる
面から均一に供給するために、加熱炎または吹付はジェ
ットの周囲に配置した環状ノズルによって供給を実施す
ることが好ましい、供給管またはノズルは酸素、酸化二
窒素またはオゾンが吹付ジェットの流れの方向に対して
垂直に供給されるように配置する。他の好ましい実施態
様では、酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付はジェッ
トの流れの方向と鋭角をなす流れで供給する。加熱炎ま
たは吹付はジェットを酸素、酸化二窒素またはオゾン供
給で包囲するために、ロード型アタッチメント(f u
nne l−5hapedaLtacl+輪ent)を
供給管またはノズルからの酸素、酸化二窒素またはオゾ
ンの出口の下流で加熱炎および/または吹付はジェット
の周囲に配置することができる0例えば、ロード型アタ
ッチメントを環状ノズル上にねじで留めることができる
。これによって加熱炎と吹付はジェットは酸素、酸化二
窒素またはオゾンによって包囲される。酸素、酸化二窒
素またはオゾンをキャリヤーガスに加え、キャリヤーガ
スと共に粉状酸化物−セラミック材料をバーナーの加熱
炎に供給することによって、酸素、酸化二窒素またはオ
ゾンを粉状材料と共に供給することができる。キャリヤ
ーガスとして酸素のみを用いることも可能である。
はノズルを配置することが好ましい、酸化物−セラミッ
ク材料を酸素、酸化二窒素またはオゾンと共にあらゆる
面から均一に供給するために、加熱炎または吹付はジェ
ットの周囲に配置した環状ノズルによって供給を実施す
ることが好ましい、供給管またはノズルは酸素、酸化二
窒素またはオゾンが吹付ジェットの流れの方向に対して
垂直に供給されるように配置する。他の好ましい実施態
様では、酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付はジェッ
トの流れの方向と鋭角をなす流れで供給する。加熱炎ま
たは吹付はジェットを酸素、酸化二窒素またはオゾン供
給で包囲するために、ロード型アタッチメント(f u
nne l−5hapedaLtacl+輪ent)を
供給管またはノズルからの酸素、酸化二窒素またはオゾ
ンの出口の下流で加熱炎および/または吹付はジェット
の周囲に配置することができる0例えば、ロード型アタ
ッチメントを環状ノズル上にねじで留めることができる
。これによって加熱炎と吹付はジェットは酸素、酸化二
窒素またはオゾンによって包囲される。酸素、酸化二窒
素またはオゾンをキャリヤーガスに加え、キャリヤーガ
スと共に粉状酸化物−セラミック材料をバーナーの加熱
炎に供給することによって、酸素、酸化二窒素またはオ
ゾンを粉状材料と共に供給することができる。キャリヤ
ーガスとして酸素のみを用いることも可能である。
バーナーと支持材料との間の吹付け¥Ir!llを大き
くするならば、特に酸素富化吹付は層すなわち特に良好
な超1云導性が得られる。しかし、距離が大きくなると
共に吹11け損失を増大するために、過度に大きい距離
を選択することはできない。それ故、通常用いる吹(=
fけ距離の範囲内でできるかぎり大きい吹f・tit距
離を選択する。
くするならば、特に酸素富化吹付は層すなわち特に良好
な超1云導性が得られる。しかし、距離が大きくなると
共に吹11け損失を増大するために、過度に大きい距離
を選択することはできない。それ故、通常用いる吹(=
fけ距離の範囲内でできるかぎり大きい吹f・tit距
離を選択する。
次に、本発明によるプロセスを図面と具体的な実施態様
に関連してさ?、に訂細に説明する。
に関連してさ?、に訂細に説明する。
プラズマバーナー]の内側の中央にロッド様カソード2
を配置する。バーナー出口には、環状アノード3を配置
する。カソード2とアノード3には冷却水チャンネル4
を備える。高エネルギー密度の電気アークをカソード2
とアノード3との間て衝突させる。電気アークはその然
エネルギーの大部分をプラズマガス5に供給し、その結
果としてプラズマガス5は部分的にイオン化される。2
原子ガス(diatomie gas)が最初に解離し
て、プラズマバーナー1の外側で再び吸収される熟エネ
ルギーを供給する。酸化物−セラミック材料は粉末穴「
コアから高速度でバーナー出口から出るプラズマ火炎6
中にバーナー出口にわいて送給される。
を配置する。バーナー出口には、環状アノード3を配置
する。カソード2とアノード3には冷却水チャンネル4
を備える。高エネルギー密度の電気アークをカソード2
とアノード3との間て衝突させる。電気アークはその然
エネルギーの大部分をプラズマガス5に供給し、その結
果としてプラズマガス5は部分的にイオン化される。2
原子ガス(diatomie gas)が最初に解離し
て、プラズマバーナー1の外側で再び吸収される熟エネ
ルギーを供給する。酸化物−セラミック材料は粉末穴「
コアから高速度でバーナー出口から出るプラズマ火炎6
中にバーナー出口にわいて送給される。
粉状材料はプラズマ火炎6の高温によって最初にまたは
完全に融きしてから、吹イ4けジェット8としてプラズ
マガスと共に支持材料9」−に衝突し、そこで吹付は層
10として沈着する。矢印はキャリヤー物質10の進行
方向を示す。第1図の吹付は方向に見られるように、管
12から酸素を供給される環状ノズル11を粉末穴ロア
の後方に配置する。ノズル間口13は支持材料の方向を
向いており、その結果酸素は吹f′−tけジェット8の
流れの方向と鋭角をなす流れで、吹付はジェット8とプ
ラズマ火炎先端とに供給される。吹r=tけジェット8
の周囲に配置されるローl−型アタッチメント14はバ
ーナー出口に隣接する。
完全に融きしてから、吹イ4けジェット8としてプラズ
マガスと共に支持材料9」−に衝突し、そこで吹付は層
10として沈着する。矢印はキャリヤー物質10の進行
方向を示す。第1図の吹付は方向に見られるように、管
12から酸素を供給される環状ノズル11を粉末穴ロア
の後方に配置する。ノズル間口13は支持材料の方向を
向いており、その結果酸素は吹f′−tけジェット8の
流れの方向と鋭角をなす流れで、吹付はジェット8とプ
ラズマ火炎先端とに供給される。吹r=tけジェット8
の周囲に配置されるローl−型アタッチメント14はバ
ーナー出口に隣接する。
第2図の実施態様では、粉末穴ロアと酸素入口はバーナ
ー出口に同じレベルで配置される。酸素は3個の管12
から供給される。これらの管12と粉末穴ロアどは相互
に対して90”だけずれるように配置される(第3図参
照)。この実施態様では酸素をノズル13から、あらゆ
るij:j、Aに吹付はジェットの流れの方向に垂直で
ある流れでプラズマ火炎に供給される。
ー出口に同じレベルで配置される。酸素は3個の管12
から供給される。これらの管12と粉末穴ロアどは相互
に対して90”だけずれるように配置される(第3図参
照)。この実施態様では酸素をノズル13から、あらゆ
るij:j、Aに吹付はジェットの流れの方向に垂直で
ある流れでプラズマ火炎に供給される。
大晃員上
超伝導性l3izSr2CaCu20+o−x粉末(粒
度1100N未満)をプラズマジェット吹f1け系に供
給した、この吹(=tけ系では吹1・tけジェットの流
れの方向に対して垂直に純粋酸素を供給する3個の酸素
ノズルが吹付はジエツI・の周囲に配置されている(第
2図と第3図参照)。最初にまたは完全に溶融した材料
をM、O支持プレート上に1.30mmの吹f−tけ距
離で吹11′けた。形成された吹付は層は元素分析によ
って測定されたl3izSr2CaCuz0.4の組成
と、8□1にの臨界温度Tc[AC感受性測定(AC5
usceptilrility mearureme
nt)]とを有した。
度1100N未満)をプラズマジェット吹f1け系に供
給した、この吹(=tけ系では吹1・tけジェットの流
れの方向に対して垂直に純粋酸素を供給する3個の酸素
ノズルが吹付はジエツI・の周囲に配置されている(第
2図と第3図参照)。最初にまたは完全に溶融した材料
をM、O支持プレート上に1.30mmの吹f−tけ距
離で吹11′けた。形成された吹付は層は元素分析によ
って測定されたl3izSr2CaCuz0.4の組成
と、8□1にの臨界温度Tc[AC感受性測定(AC5
usceptilrility mearureme
nt)]とを有した。
比七ヱ1−
た点以外は、例1を同様にくり返した。形成された吹付
は層はB + 2 S r 2 Ca Cu 20 t
、 *の組成と80にの臨界温度(AC感受性測定)
とを有した。
は層はB + 2 S r 2 Ca Cu 20 t
、 *の組成と80にの臨界温度(AC感受性測定)
とを有した。
及止燵i
Y I3 a2CLl= Or−x (粒度1001m
未満)を例1の吹f=tけ系に超伝導性粉末として用い
た、この材料は1.30+nmの吹付は距離でZ r
O2支持プレート上にノズルから供給される酸素によっ
て沈着した。
未満)を例1の吹f=tけ系に超伝導性粉末として用い
た、この材料は1.30+nmの吹付は距離でZ r
O2支持プレート上にノズルから供給される酸素によっ
て沈着した。
形成された吹付は層はYBazCusOt−sの組成と
86にの臨界温度Tcを有した。
86にの臨界温度Tcを有した。
L艷涯止
酸素をノズルから吹付はジェットに供給しなかった点以
外は、例2を同様にくり返した。形成された吹付は層は
YBazCusOslの組成を有し、半導性であった。
外は、例2を同様にくり返した。形成された吹付は層は
YBazCusOslの組成を有し、半導性であった。
及東燵工
超伝導性材料B i2S r2c aCu20 xを例
1の吹ftけ系に供給した、この材料をノズルから供給
される酸素によって、支持プレート上に種々な吹付け次
の結果が得られた: 番 の Tc100+am
lBi25r2CaCu20t、s 60に
120mm Bi25r2CaCuzOa、z
65に130mm fli2sr2cacu
20a、s 70KX族箆工 吹付は距離1201111#によって例3で得られた超
伝導性材料に対して、下記温度ステジュールによって酸
素雰囲気において熱後処理を実施した:この材料は熱後
処理の後に熱処理の前と同じ組成すなわちB i 2
S r 2 Ca Cu 20 g 、 2を有した。
1の吹ftけ系に供給した、この材料をノズルから供給
される酸素によって、支持プレート上に種々な吹付け次
の結果が得られた: 番 の Tc100+am
lBi25r2CaCu20t、s 60に
120mm Bi25r2CaCuzOa、z
65に130mm fli2sr2cacu
20a、s 70KX族箆工 吹付は距離1201111#によって例3で得られた超
伝導性材料に対して、下記温度ステジュールによって酸
素雰囲気において熱後処理を実施した:この材料は熱後
処理の後に熱処理の前と同じ組成すなわちB i 2
S r 2 Ca Cu 20 g 、 2を有した。
第1図はプラズマバーナーの第1実施態様と最初にまた
は完全にM合した材料が支持材料上に衝突するまでの経
路との概略断面図であり;第2図はプラズマバーナーの
第2実施態様の概略断面図であり; 第3図は第2図のプラズマバーナーのラインA−Aに沿
った断面図を示す。 1・・・プラズマバーナー 2・・・カソード3・・・
アノード 4・・・冷却水チャンネル5・・・
プラズマガス 6・・・プラズマ火炎7・・・粉末
人口 8・・・吹付はジェット9・・・支持材
料 10・・・吹付は層11・・・環状ノズル 14・・・ロード型アタッチメント (外4名ン 平成 2年12月73日
は完全にM合した材料が支持材料上に衝突するまでの経
路との概略断面図であり;第2図はプラズマバーナーの
第2実施態様の概略断面図であり; 第3図は第2図のプラズマバーナーのラインA−Aに沿
った断面図を示す。 1・・・プラズマバーナー 2・・・カソード3・・・
アノード 4・・・冷却水チャンネル5・・・
プラズマガス 6・・・プラズマ火炎7・・・粉末
人口 8・・・吹付はジェット9・・・支持材
料 10・・・吹付は層11・・・環状ノズル 14・・・ロード型アタッチメント (外4名ン 平成 2年12月73日
Claims (17)
- 1.酸化物−セラミック超伝導体の総組成と、酸素含量
を除いて、一致する総組成を有する酸化物−セラミック
材料の加熱吹付プロセスであって、粉状材料をバーナー
の加熱炎中に供給して、加熱炎中で最初にまたは完全に
溶融させてから、吹付けジェットとして支持材料に衝突
させることから成り、加熱炎および/または吹付けジェ
ットに付加的に酸素、酸化二窒素またはオゾンを供給す
るプロセス。 - 2.酸素、酸化二窒素またはオゾンをバーナー出口にお
いて供給する請求項1記載のプロセス。 - 3.酸素を酸素富化空気として供給する請求項1または
2記載のプロセス。 - 4.純粋酸素を供給する請求項1または2記載のプロセ
ス。 - 5.酸素、酸化二窒素またはオゾンを粉状材料と同じ個
所から加熱炎に供給する請求項1〜4のいずれかに記載
のプロセス。 - 6.酸素、酸化二窒素またはオゾンを加熱炎および/ま
たは吹付けジェットの周囲に配置した1個以上の供給管
またはノズルから供給する請求項1〜5のいずれかに記
載のプロセス。 - 7.酸素、酸化二窒素またはオゾンを加熱炎および/ま
たは吹付けジェットの周囲に配置した環状ノズルから供
給する請求項1〜5のいずれかに記載のプロセス。 - 8.酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付けジェットの
流れの方向に垂直な方向の流れで、加熱炎および/また
は吹付けジェットに供給する請求項1〜7のいずれかに
記載のプロセス。 - 9.酸素、酸化二窒素またはオゾンを吹付けジェットの
流れの方向と鋭角をなす流れで、加熱炎および/または
吹付けジェットに供給する請求項1〜7のいずれかに記
載のプロセス。 - 10.酸素、酸化二窒素またはオゾンを供給管またはノ
ズルから出た後に、加熱炎および/または吹付けジェッ
トの周囲に配置したロード型アタッチメントを通して流
れさせる請求項9記載のプロセス。 - 11.粉状材料をバーナーの加熱炎中に供給するために
用いるキャリヤーガスに、酸素、酸化二窒素またはオゾ
ンを添加する請求項1〜10のいずれかに記載のプロセ
ス。 - 12.粉状材料を加熱炎中に供給するためのキャリヤー
ガスとして酸素を用いる請求項1〜10のいずれかに記
載のプロセス。 - 13.酸化物−セラミック材料が銅を酸化物形で含む請
求項1〜10のいずれかに記載のプロセス。 - 14.酸化物−セラミック材料がビスマスまたはイット
リウムを酸化物形で含む請求項13記載のプロセス。 - 15.酸化物−セラミック材料がビスマス、ストロンチ
ウムおよびカルシウムを酸化物形で含む請求項13記載
のプロセス。 - 16.溶射またはプラズマジェット吹付けを用いる請求
項1〜15のいずれかに記載のプロセス。 - 17.バーナーと支持材料との間に通常用いられる吹付
け距離の範囲内でできるかぎり大きい吹付け距離を選択
する請求項1〜16のいずれかに記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3927168.4 | 1989-08-17 | ||
DE3927168A DE3927168A1 (de) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | Verfahren zum thermischen spritzen von oxidkeramischen supraleitenden materialien |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03183755A true JPH03183755A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=6387296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2217988A Pending JPH03183755A (ja) | 1989-08-17 | 1990-08-17 | 酸化物―セラミック材料の加熱吹付プロセス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0413296A1 (ja) |
JP (1) | JPH03183755A (ja) |
DE (1) | DE3927168A1 (ja) |
IE (1) | IE902972A1 (ja) |
PT (1) | PT95010A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136782A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-07-19 | Tocalo Co Ltd | 白色酸化イットリウム溶射皮膜表面の改質方法および酸化イットリウム溶射皮膜被覆部材 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035030A1 (de) * | 1990-09-27 | 1992-04-02 | Hoechst Ag | Thermisch gespritzte dickschichten |
EP0960955A1 (en) | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Universiteit Gent | Method and apparatus for flame spraying to form a tough coating |
JP2003129212A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-05-08 | Fujimi Inc | 溶射方法 |
JP3965103B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2007-08-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 高速フレーム溶射機及びそれを用いた溶射方法 |
DE10331664B4 (de) * | 2003-07-12 | 2006-11-02 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zum Plasmaspritzen sowie dazu geeignete Vorrichtung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2155217A1 (de) * | 1971-11-06 | 1973-05-10 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung dielektrischer und/oder photoleitfaehiger schichten fuer den elektrostatischen druck bzw. elektrophotographie |
EP0286135A3 (en) * | 1987-04-10 | 1990-12-19 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for producing ceramic oxide superconductor |
EP0288711B1 (en) * | 1987-04-28 | 1995-02-22 | International Business Machines Corporation | Rapid, large area coating of high-Tc superconductors |
KR910007382B1 (ko) * | 1987-08-07 | 1991-09-25 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법 |
DE3744144A1 (de) * | 1987-12-24 | 1989-07-06 | Asea Brown Boveri | Supraleiter und verfahren zu seiner herstellung |
JPH01172220A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Tokai Univ | 超電導材の製造方法 |
CN1036286A (zh) * | 1988-02-24 | 1989-10-11 | 珀金·埃莱姆公司 | 超导陶瓷的次大气压等离子体喷涂 |
-
1989
- 1989-08-17 DE DE3927168A patent/DE3927168A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-08-14 EP EP90115548A patent/EP0413296A1/de not_active Withdrawn
- 1990-08-16 IE IE297290A patent/IE902972A1/en unknown
- 1990-08-16 PT PT95010A patent/PT95010A/pt not_active Application Discontinuation
- 1990-08-17 JP JP2217988A patent/JPH03183755A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136782A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-07-19 | Tocalo Co Ltd | 白色酸化イットリウム溶射皮膜表面の改質方法および酸化イットリウム溶射皮膜被覆部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PT95010A (pt) | 1991-04-18 |
IE902972A1 (en) | 1991-02-27 |
DE3927168A1 (de) | 1991-02-21 |
EP0413296A1 (de) | 1991-02-20 |
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