JPH0317633A - 光インバータ - Google Patents

光インバータ

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JPH0317633A
JPH0317633A JP1150403A JP15040389A JPH0317633A JP H0317633 A JPH0317633 A JP H0317633A JP 1150403 A JP1150403 A JP 1150403A JP 15040389 A JP15040389 A JP 15040389A JP H0317633 A JPH0317633 A JP H0317633A
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JP
Japan
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optical
input
light
signal
output
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JP1150403A
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English (en)
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Shinji Sakano
伸治 坂野
Naoki Kayane
茅根 直樹
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/509Wavelength converting amplifier, e.g. signal gating with a second beam using gain saturation

Landscapes

  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は,光通信や光情報処理において、光信号の強弱
を反転させる機能を有する光インパータに関するもので
ある. 〔従来の技術〕 光通信方式においては、光信号を遠距離に伝送する場合
に、従来、弱まった光信号を一度電気信号に戻して波形
整形を加えたのちに、再度強い光信号に変換して送信す
る方法の光中継を行っていた.これに対し、近年,半導
体レーザ増幅器が注目されてきた。例えば、アイ・イー
・イー・イー・ジャーナル・オブ・ライトウエーブ・テ
クノロジー、第6巻第11号(1 9 8 8年)(I
EEEJournal of Lightwave T
echnology, Vol. 6,No. 1 1
 (1 9 8 8))第1656頁から第1664頁
において、半導体レーザ増幅器を用いて直接,光信号を
増幅することにより、中継器の寸法が小さくなり、デー
タ速度が信号波形等によらないなどのメリットがあり、
増幅特性や雑音特性について論じられている.特に増幅
光出力が高くなると利得飽和がおこり、これが信号の歪
に結びつくために、より高い利得飽和を得る条件が述べ
られている.また、波長が異なる光を入力すると利得飽
和の影響で増幅出力が高い領域において,クロストーク
(漏話)を発生することが述べられている。
さらにエレクトロニクス・レターズ、第23巻、第12
号(1 9 8 7年) (Electronics 
Letters,Vol. 2 3, No. 1 2
 (1 9 8 7))第649頁から第651頁に記
載のように、半導体レーザ増幅器を一方向の光信号増幅
に利用するのではなく、再方向増幅器として利用する場
合には,やはり一定の光入力以上でクロストークが発生
する。
〔発明が解決しようとするilM) 上記従来技術では、光信号を電気信号に変えたのちに増
幅を行っており、光信号を光のままで、直接光強度の変
換を行なうような配慮はされていなかった. 本発明は,光信号の強弱を逆転させ,光信号処理を光の
ままで行える機能をもたせるための光インバータを得る
ことを第1の目的とする.上記光インバータ機能を用い
、立上りおよび立下りが速い光信号発生器を得ることを
第2の目的とする。
また、上記光インバータ機能を利用して、光制御により
光信号出力を任意に下げる光信号消去器を得ることを第
3の目的とする。
また,上記光インバータの利用により、異なる波長への
信号を、信号強弱が反転する形で信号伝達できることを
第4の目的とする. さらに,上記光インバータを高い信頼性を有する構或で
小型化することを第5の目的とする.〔課題を解決する
ための手段〕 上記第1−の目的は、光入力信号が大きくなると光出力
信号が小さくなるという現象を、利用することによって
達成できる。
光増幅器では、通常、少なくとも1つの光信号入力を増
幅するために、光信号入力以外に増幅するためのエネル
ギーを注入する.上記エネルギーの注入量に応じて増幅
出力の上限が決まる。このため、第1の光入力に対して
別に第2の光入力を加えると、上記増幅出力の限界から
2つの総合した増幅出力が限定される.その結果、上記
第1の光信号の増幅出力が低下することになる.従来の
光通信における光増幅の応用では,この現象をクロスト
ークと呼び問題にしていた。
しかし、第2の光入力の増大に対し第1の光出力が減少
するため、これら2つの入出力関係を利用すると、入力
の強弱を反転させた光出力を容易に得ることができるが
、本発明は上記現象を積極的に利用したものである. 上記第2の目的を達或するためには、光増幅器における
光信号出力の増大が応答の速い誘導放出を利用している
ため、速い立上りの光入力を信号入力として用い,光増
幅出力を減少させる光インバータを用いることにより,
立下りと立上りとを同程度に速くした光パルスを容易に
発生させることができるものである.すなわち、光イン
バータに立上りが速い光信号を用いる.立上りが速い第
1の光入力として光増幅器に入射し、第2の光入力を所
望の時間tだけ遅らせて入射する.これにより、パルス
幅がt時間で、立下りも第2の光入力の立上りに対応す
る速さで立下る光パルスを,得ることができる. 第3の目的を達成するためには、光インバータへの第1
の光入力に第1の信号を乗せて、その信号を光出力とし
て取出したくない場合に第2の光入力を加える.光イン
バータは、上記第2の光入力が加えられると第1の光入
力の増幅度が減少するため、入力信号の強弱によらず、
光出力としては一定の光出力以下に下る。このようにし
て、光信号消去機能をもたせるようにする. 第4の目的を達成するためには、光インバータへの光入
力として波長が異なる複数の光を一定のパワーで入力す
る.上記波長に信号を移したり、さらに別の光信号を入
力することにより,それらの異なる波長の増幅率が低下
する,その結果.強弱が反転した信号を異なる波長に伝
達することが可能になる. 第5の目的を達或するためには、第1の光入力を与える
光源を、光増幅器とモノリシックに接合する. 〔作用〕 光増幅器への第1の光入力は、利用すべき光出力を与え
るものであり、第2の光入力は、上記利用すべき光出力
を消滅させる働きを持っている.第1の光入力を行って
いる状態で第2の光入力に強弱の信号をのせることによ
り、上記強弱の信号が反転した光出力を発生して光イン
バータ機能が得られる. 光インバータの立下りは速い.このことを利用して立下
りも速い光パルスを発生させることができる. 光インバータに第2の信号光を入射すると、第1の光入
力の増幅率が低下し、第1の信号を出力として消すこと
ができる。このため、光によって光信号を消去すること
ができる。
また、光インバータは光出力を反転させるとき、光入力
の波長依存性が緩い.このため、反転動作を別の波長の
光へも行うことができる.光増幅器と同じような結晶層
から構成される半導体レーザを、簡単な作製工程でモノ
リシックに形成することができる。
〔実施例〕
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する.第1図
は本発明による光インバータの第1実施例および第3、
第4実施例の構或をそれぞれ示す図、第2図は光インバ
ータ動作の入出力関係を示す図,第3図は本発明の第2
実施例を示す構或図,第4図は立下りが立上りと同様に
鋭いパルス発生のための入出力関係図,第5図は光信号
消去のための入出力関係を示す図、第6図は本発明の第
5実施例における波長間信号伝達の構或図、第7図は半
導体レーザと光増幅器と逆方向の信号光入力用光カップ
ラを示す図である. 第1実施例 第1図において,発振波長が1.57μ一のファブリペ
口半導体レーザの2つの出射面に、無反射コーティング
37を行った進行波形半導体レーザ光増幅器33に,第
1の信号光入力P.を入射する.上記半導体レーザ光増
幅器33の反対の端面には光カップラ39が接続されて
いる.上記光力ップラ39のlつの入力端から第2の信
号光入力P.を入射し,半導体レーザ光増幅器33内を
上記第1の入射光P0とは逆方向に伝搬するように設定
する.光信号出力P2は光カップラ39の別の出射端か
ら取出す.上記設定において、光増幅器の長さを400
μ重とし注入電流を100mA流した時、1.55μ一
の光に対して線型利得領域のパワー人力では〜20dB
の利得が得られる.この利得値が線型領域の値から3d
B下った光出力値を飽和出力とする.この値は第1の入
力光P0の波長により多少異なるが数mW程度である。
まず,単純な光出力インバータの作動例を述べる.第2
図に光入出力の信号関係を示す.第1の信号入力光P0
としては(a)に示すように直流入力とし、その値は飽
和出力が得られる程度とする.この場合.〜80μWを
設定するが、この状態で第2の信号光として1.55μ
鳳近傍の波長の光を入射する.上記第2の信号光P1に
,第2図(b)に示すように強弱の信号を加えると、光
入力P0の増幅光出力である光出力P2は数llW程度
から100μW程度に変調され、第2図(c)に示すよ
うな信号光Pエの強弱を反転した光出力になる.その結
果、入力信号P.に対し、その強弱が反転したP2の光
出力を得ることができる。
本構或では光入力P0、P1の伝搬方向が異なるため,
波長が異なっても同じ波長の光を入射しても、第2図に
示すような出力関係が得られる。
第2実施例 本発明の第2実施例を第3図を用いて説明する.発振波
長が1.57μmのファブリペ口型半導体レーザの2つ
の端面に無反射コーティング37を行った進行波型半導
体レーザ光増幅器33の入射端に,光カップラ39の1
出力端を接合する。上記光カソプラ39の2人力端に波
長が1.54μ運である第1の信号光P0と、該信号光
P0とは異なる波長1.55μmである第2の信号光P
1とを入射する。第1の信号光P0は半導体レーザ光増
幅器33の光出力がほぼ飽和点に達するように設定して
ある。上記半導体レーザ光増幅器33の出力側には,入
力光PQの波長の光は透過するが、入力?Piの波長の
光は遮断する波長フィルタ40が設定してある。この状
態で強弱の光信号を含む入力光Pエを入射すると、入射
光P0よりP4の入射光が大きいと光の増幅率が減少す
るため.強弱を反転した光出力P2が得られ、その関係
は第2図に示したのと同様である。
第3実施例 第3実施例の構或は第1図に示す第1実施例と同様であ
る。本実施例では光パルスの立下りを鋭くする方法につ
いて説明する。通常、半導体レーザに数Gビットの高速
変調電流を加えると、立上りに対し立下りの応答が悪い
波形を発生する。この立上りが鋭い信号光を入力光P0
に加える.つぎに、この立上りが鋭い信号光の一部をP
エにtlの時間遅れを持たせて入射する。この時の入出
力光の関係を第4図に示す。入力光P。に対応する増幅
出力P2は同様の鋭い立上りをもつ.t■時間後には他
方の入力光P1に同様の鋭い立上りを持つ信号が入射す
るため.増幅率は一気に低下する。
この低下は入力光P1の立上りをそのまま反映す?ため
、立上りが速い信号光を用いただけで、立下りが速い光
パルスを形或できる。
第4実施例 本実施例は、光信号消去のために使用するときの入出力
関係を示し、構成は第1図に示す第1実施例と同様であ
る。入力光P0に強弱の信号を含んだ信号を,第5図(
a)に示すように入力する。
半導体レーザ光増幅器33の光出力P2は、上記入力信
号を増幅した形になる。光出力P2として光信号を出力
したくない場合には、光入力P■を第5図(b)に示す
ように入射すると、光信号人力P0の増幅率が光入力P
エの入射とともに低下するために,その間の信号出力は
第5図(c)に示すように消去されて出力する。
第5実施例 波長間信号伝達を行う第5実施例の構或図を第6図に示
す。複数の波長が異なる光入力P。1〜Po,lをn本
の光カップラ38の入力光ファイバに入射し,nXlの
光カップラ38で1つの光ファイバに集光する.このと
き、光入力P0■〜P.nは?べて直流入力である。あ
る波長の光入力P1に信号が乗っているとき、この波長
の光を全体で利得飽和を起す以上のパワーで、半導体レ
ーザ光増幅器33に光カップラ39を介して逆方向から
入射する。光入力P■の強度が強くなると、光入力p 
at〜POnの増幅出力P2において、それぞれの波長
の出力が低下する。その結果、光入力P8の波長の信号
を別のP0、〜Panの入力の波長に強弱を反転するが
,複写することができる。
また、波長が異なるP0、〜Ponの光入力において、
信号を含む光入力P。東(ここで、iはO ” nの任
意の1つ)以外の光入力を直流光としてP01に強弱信
号を含み、全体で半導体レーザ光増幅器33の利得飽和
を起す以上の出力強度とすることで、同様に反転した信
号の複写を別の波長の光出力に行うこともできる.さら
に、光出力P■それぞれの入力光の波長でフィルタリン
グすると波長変換器が構成できる. 第6実施例 本発明の第6実施例を第7図を用いて説明する.本実施
例の基本構或は第7図に示すように、平坦な活性領域を
有する光増幅器33に,回折格子44を有する分布帰還
型半導体レーザ41が、活性層を共通にしてモノリシッ
クに形威された集積型光インバータ42と,光カップラ
39とにより構或されている。上記集積型光インバータ
42の形或法は、n型InP基板43上の一部に回折格
子44を刻む。その後、InGaAsPよりなる活性層
等45を結晶させ、さらにp型InPとバンドギャップ
波長が上記活性M45よりも短いInGaAsPよりな
るキャップ層46を結晶或長させる6その後、活性層下
が平坦な領域と回折格子44がある領域との間を電気的
に分離するために溝を設け、分布帰還型半導体レーザの
p電極47,増幅領域のp電極48と、n電tiii4
9とをそれぞれ形威する.特に活性層下が平坦な領域側
のへき開端面には無反射コーティングを行い、この端面
がレーザ発振に影響しないようにする。回折格子44を
有する領域が分布帰還型半導体レーザ4lになる.そし
て活性層下の平坦な領域が増幅領域33になる.上記分
布反射型半導体レーザ41は回折格子44が存在するた
め、この領域だけでレーザ発振する。上記分布帰還型半
導体レーザを直流でレーザ発振させると,その増幅出力
が無反射コーティング端面に出射し、光カップラ39を
介して出力光P2になる.このレーザ発振光のパワーP
0を調節して増幅器の飽和点になるように設定する.光
カップラ39を介して,別の強弱を含む光入力P1を集
積型光インバータ42に入射すると,分布帰還型半導体
レーザ41の出力光P6にその強弱を反転した信号が伝
達され,出力光P2として取り出される.本実施例の構
或のように第1の光の光源を集積化することにより、光
インバータの構成を容易にし、信頼性を高めることがで
きる。さらに,光カップラをモノリシックに形成し結合
することにより、より信頼性を高めることができる.上
記実施例ではいずれも光カップラを用いたが、その機能
からはビームスプリッタを用いてもよい. 〔発明の効果〕 上記のように本発明による光インバータは,光増幅器と
、少なくともlつの所望波長を有する第1の入力光,お
よび上記光増幅器の増幅作用を示す波長域内の波長を有
し,少なくとも1つの強弱信号を有する第2の入力光を
、上記光増幅器に結合し、上記第1の入力光により光増
幅器から出射する光出力の一部を上記第2の入力光の光
路から分離する手段とを備えたことにより、光の信号強
弱が反転できるので、光通信や光情報処理の分野に新し
い機能を提供することができる。すなわち,パルス特性
を良くしたり、光一光信号処理を可能にしたり、波長変
換機能等をもたらすことができ、高速性を高め、波長多
重通信の自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光インバータの第1実施例および
第3、第4実施例の構或をそれぞれ示す図,第2図は光
インバータ動作の入出力関係を示す図、第31!lは本
発明の第2実施例を示す構成図、第4図は立下りが立上
りと同様に鋭いパルスを発生するための入出力関係図,
第5図は光信号消去のための入出力関係を示す図、第6
図は本発明の第5実施例における波長間信号伝達の構或
図、第7図は半導体レーザと光増幅器と逆方向の信号光
入力用光カップラの接続を示す図である.33・・・半
導体レーザ増幅器 38、39・・・光カップラ 41・・・分布反射型半導体レーザ Po・・・第1の入力光  Pエ・・・第2の入力光P
2・・・出力光

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光増幅器と、少なくとも1つの所望波長を有する第
    1の入力光、および上記光増幅器の増幅作用を示す波長
    域内の波長を有し、少なくとも1つの強弱信号を有する
    第2の入力光を、上記光増幅器に結合し、上記第1の入
    力光により光増幅器から出射する光出力の一部を上記第
    2の入力光の光路から分離する手段とを備えた光インバ
    ータ。 2、光増幅器と、少なくとも1つの所望波長を有する第
    1の入力光、および上記光増幅器で増幅された第1の入
    力光とは異なる波長を有し光強度の信号を含む、少なく
    とも1つの第2の入力光を、同一光路を経て光増幅器に
    入力する手段と、上記光増幅器から所望の波長の光出力
    を取出す光フィルタとを備えた光インバータ。 3、特許請求の範囲第1項または第2項において、上記
    第1の入力光と第2の入力光との光路をそれぞれ分離す
    る手段としては、光カップラまたはビームスプリッタを
    用いたことを特徴とする光インバータ。 4、光増幅器に立ち上りが速い第1の光信号を入力し、
    所望の時間経過後に立ち上りが速い第2の光信号を入力
    することにより、立ち上りおよび立ち下りが速い光パル
    スを発生する光インバータ。 5、信号を含む第1の入力光を入射した光増幅器に、第
    2の入力光を入射して、上記第1の入力光の光出力を低
    下させる光インバータ。 6、光増幅器と、入力光の1つの光源として上記光増幅
    器とモノリシックに結合した半導体レーザとからなる光
    インバータ。
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