JPH01142717A - 光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置 - Google Patents
光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置Info
- Publication number
- JPH01142717A JPH01142717A JP62302106A JP30210687A JPH01142717A JP H01142717 A JPH01142717 A JP H01142717A JP 62302106 A JP62302106 A JP 62302106A JP 30210687 A JP30210687 A JP 30210687A JP H01142717 A JPH01142717 A JP H01142717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- frequency
- optical fiber
- signal light
- fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 14
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本願発明は、光ファイバの誘導ブリュアン効果を用いて
信号光を増幅する光ファイバ内ブリユアン増幅方法およ
びそれを実施するための装置忙関する。
信号光を増幅する光ファイバ内ブリユアン増幅方法およ
びそれを実施するための装置忙関する。
(従来の技術)
近年、光通信システムの長距離化を目的として、信号光
を光の状態で直接増幅する光増幅に関する研究開発が活
発に行なわれている。その光増幅の有力な一手段として
、光ファイバの誘導散乱効果を用いる方式がある(オプ
ティカル・エンジニアリング(0ptical En
gineering)、第24巻、1985年、600
〜608ページ)。使用する誘導散乱効果としては、誘
導ラマン効果、誘導ブリユアン効果、誘導四光子混合効
果などが知られている。その中でも、誘導ブリユアン効
果は、その増幅利得係数が非常に大きいことから励起入
力パワーが小さくても増幅度を大きく取れるという特徴
があシ、最も有用である。
を光の状態で直接増幅する光増幅に関する研究開発が活
発に行なわれている。その光増幅の有力な一手段として
、光ファイバの誘導散乱効果を用いる方式がある(オプ
ティカル・エンジニアリング(0ptical En
gineering)、第24巻、1985年、600
〜608ページ)。使用する誘導散乱効果としては、誘
導ラマン効果、誘導ブリユアン効果、誘導四光子混合効
果などが知られている。その中でも、誘導ブリユアン効
果は、その増幅利得係数が非常に大きいことから励起入
力パワーが小さくても増幅度を大きく取れるという特徴
があシ、最も有用である。
この誘導ブリユアン効果を用いて信号光を増幅するには
、信号光とともにその周波数よりもブリユアンシフト量
だけ周波数の大きな励起光を、信号光とは逆方向に伝搬
する様に光ファイバに入射させる。このときに得られる
増幅度Gば、次式で表される。
、信号光とともにその周波数よりもブリユアンシフト量
だけ周波数の大きな励起光を、信号光とは逆方向に伝搬
する様に光ファイバに入射させる。このときに得られる
増幅度Gば、次式で表される。
α
ただし、ga はピークの誘導ブリユアン利得係数(4
,6X10 m/W)、Pは光ファイバへの励起入力
パワー、Aはコア実効断面積、αは光ファイバの伝送損
失、Iはファイバ長である。ここで、L、、は増幅に寄
与する正味のファイバ長を与え、実効長と呼ばれている
。
,6X10 m/W)、Pは光ファイバへの励起入力
パワー、Aはコア実効断面積、αは光ファイバの伝送損
失、Iはファイバ長である。ここで、L、、は増幅に寄
与する正味のファイバ長を与え、実効長と呼ばれている
。
(発明が解決しようとする問題点)
誘導ブリユアン効果を用いた光ファイバ内ブリユアン増
幅では、前述のように低い励起入力で大きな増幅度が得
られるという特徴がある。しかしながら、その利得帯域
幅(ブリユアン利得帯域幅)は100 M馬 程度以下
で狭い。このために、ブリユアン増幅を長時間に渡って
安定に行なうためには、励起光と信号光との相対的な周
波数変動量をブリユアン利得帯域幅よシも十分に小さく
するすなわち数10 Mu2以下にする必要がある。し
かしながら、半導体レーザではその発振周波数が通常1
00Hz/℃程度の温度依存性を有するた度が容易に変
動するので、増幅度の安定化が重要な技術課題となって
いた。
幅では、前述のように低い励起入力で大きな増幅度が得
られるという特徴がある。しかしながら、その利得帯域
幅(ブリユアン利得帯域幅)は100 M馬 程度以下
で狭い。このために、ブリユアン増幅を長時間に渡って
安定に行なうためには、励起光と信号光との相対的な周
波数変動量をブリユアン利得帯域幅よシも十分に小さく
するすなわち数10 Mu2以下にする必要がある。し
かしながら、半導体レーザではその発振周波数が通常1
00Hz/℃程度の温度依存性を有するた度が容易に変
動するので、増幅度の安定化が重要な技術課題となって
いた。
この増幅度を安定化させる方法としては、第1に、信号
光と励起光を干渉させて両者の差周波数を検出し、その
差周波数がブリユアンシフト量と等しくなるように信号
光源あるいは励起光源の発振周波数をフィードバック制
御する方式が考えられる。しかしながら、ブリユアンシ
フト量は、波長L3−15μmにおいてはl0GH,程
度であるために、差周波数もl0GH,程度となる。仁
の結果、この方式では、超高速な光検出器および電気回
路が必要であるとともに高度な技術が要求され、高価に
なるという欠点があった。
光と励起光を干渉させて両者の差周波数を検出し、その
差周波数がブリユアンシフト量と等しくなるように信号
光源あるいは励起光源の発振周波数をフィードバック制
御する方式が考えられる。しかしながら、ブリユアンシ
フト量は、波長L3−15μmにおいてはl0GH,程
度であるために、差周波数もl0GH,程度となる。仁
の結果、この方式では、超高速な光検出器および電気回
路が必要であるとともに高度な技術が要求され、高価に
なるという欠点があった。
その他の方法としては、励起光源および信号光源の雰囲
気温度を制御する方法が考えられる。しかしながら、こ
の場合には10 ℃程度以下の超精密な温度制御を必要
とするが、このような超精密な温度制御は現状の技術で
は十分に行なうことができない。
気温度を制御する方法が考えられる。しかしながら、こ
の場合には10 ℃程度以下の超精密な温度制御を必要
とするが、このような超精密な温度制御は現状の技術で
は十分に行なうことができない。
また、この方式では根本的に信頼性に乏しいという欠点
があった・ 本願発明の目的は、以上述べたような従来の欠点を除去
し、従来に比べて低価格でかつ信頼性の高いブリユアン
増幅度を安定化させた光ファイバ内ブリユアン増幅方法
およびそれを実施するための装置を提供することにある
。
があった・ 本願発明の目的は、以上述べたような従来の欠点を除去
し、従来に比べて低価格でかつ信頼性の高いブリユアン
増幅度を安定化させた光ファイバ内ブリユアン増幅方法
およびそれを実施するための装置を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段)
本願の第1の発明の光ファイバ内ブリユアン増幅方法は
、励起光と信号光を逆方向に伝搬するようにそれぞれ光
ファイバに入射させ、前記光ファイバの誘導ブリユアン
効果によって前記信号光を増幅する光ファイバ内ブリユ
アン増幅方法において、前記信号光が参照光を随伴し、
前記励起光と前記参照光との差周波数を検出して前記励
起光または信号光の周波数を前記差周波数に基づきフィ
ードバック制御することによシ、ブリユアン増幅度を安
定化させることを特徴とする。
、励起光と信号光を逆方向に伝搬するようにそれぞれ光
ファイバに入射させ、前記光ファイバの誘導ブリユアン
効果によって前記信号光を増幅する光ファイバ内ブリユ
アン増幅方法において、前記信号光が参照光を随伴し、
前記励起光と前記参照光との差周波数を検出して前記励
起光または信号光の周波数を前記差周波数に基づきフィ
ードバック制御することによシ、ブリユアン増幅度を安
定化させることを特徴とする。
本願の第2の発明の光ファイバ内ブリユアン増幅装置は
、光ファイバと、参照光と信号光とを出射する信号光源
と、励起光を出射する励起光源と、この励起光を前記信
号光とは逆方向に伝搬するようにそれぞれ前記光ファイ
バに入射させる手段と、前記光ファイバの誘導ブリユア
ン効果によって増幅された前記信号光を前記励起光から
分離して取り出す手段と、前記励起光と前記参照光との
差周波数を検出する光検出器と、ブリユアン増幅度が一
定になるように前記信号光源または励起光源の発振周波
数を前記差周波数に基づき制御する制御回路とを含むこ
とを特徴とする。
、光ファイバと、参照光と信号光とを出射する信号光源
と、励起光を出射する励起光源と、この励起光を前記信
号光とは逆方向に伝搬するようにそれぞれ前記光ファイ
バに入射させる手段と、前記光ファイバの誘導ブリユア
ン効果によって増幅された前記信号光を前記励起光から
分離して取り出す手段と、前記励起光と前記参照光との
差周波数を検出する光検出器と、ブリユアン増幅度が一
定になるように前記信号光源または励起光源の発振周波
数を前記差周波数に基づき制御する制御回路とを含むこ
とを特徴とする。
(作 用)
本願発明の光ファイバ内ブリユアン増幅方法およびそれ
を実施するための装置では、信号光と所定の値だけ周波
数が異なる参照光を利用して、この参照光と励起光の差
周波数を検出し、ブリユアン増幅度が安定になるように
励起光あるいは信号光の周波数をフィードバック制御し
ている。即ち、信号光の周波数をf 1参照光の周波数
をfr、励起光の周波数をf、で表わすと、あらかじめ
If8−frl=定数である参照光を用いて、1fp−
frl の値が所定値になるようにフィードバック制
御している。したがって、本願発明では、If3−f、
l の値がブリユアンシフト量にほぼ等しくなるよう
に設定しておけば、励起光と参照光の差周波elfp−
frl’&−数百MH2以下にできるので、高速な光検
出器や電気回路が不要になる。その結果、フィードバッ
ク制御系が簡単でかつ低価格で構成できる。ここで、上
述の様な信号光および参照光は例えば、半導体レーザを
2値周波数偏移変調し、一方の周波数成分を信号光とし
、他方を参照光として用いることによシ容易に得ること
ができる。
を実施するための装置では、信号光と所定の値だけ周波
数が異なる参照光を利用して、この参照光と励起光の差
周波数を検出し、ブリユアン増幅度が安定になるように
励起光あるいは信号光の周波数をフィードバック制御し
ている。即ち、信号光の周波数をf 1参照光の周波数
をfr、励起光の周波数をf、で表わすと、あらかじめ
If8−frl=定数である参照光を用いて、1fp−
frl の値が所定値になるようにフィードバック制
御している。したがって、本願発明では、If3−f、
l の値がブリユアンシフト量にほぼ等しくなるよう
に設定しておけば、励起光と参照光の差周波elfp−
frl’&−数百MH2以下にできるので、高速な光検
出器や電気回路が不要になる。その結果、フィードバッ
ク制御系が簡単でかつ低価格で構成できる。ここで、上
述の様な信号光および参照光は例えば、半導体レーザを
2値周波数偏移変調し、一方の周波数成分を信号光とし
、他方を参照光として用いることによシ容易に得ること
ができる。
(実施例)
次に図面を参照して、本願発明による光ファイバ内ブリ
ユアン増幅方法および装置について詳細に説明する。
ユアン増幅方法および装置について詳細に説明する。
第1図は、本願の第2の発明による光ファイバ内ブリユ
アン増幅装置の一実施例を示す構成図である。本図を参
照して本願の第1の発明の一実施例を併せて以下に説明
する。この図において、信号光源1および励起光源2は
、いずれも発振波長が1.55μm帯のInGaAsP
/InP 分布帰還型半導体レーザ、光ファイバ5はコ
ア径が10μm。
アン増幅装置の一実施例を示す構成図である。本図を参
照して本願の第1の発明の一実施例を併せて以下に説明
する。この図において、信号光源1および励起光源2は
、いずれも発振波長が1.55μm帯のInGaAsP
/InP 分布帰還型半導体レーザ、光ファイバ5はコ
ア径が10μm。
波長155μmでの伝送損失が0.2dB/km、長さ
が1100kの単一モードシリカファイバ、光検出器6
1,62はI n Ga Asアバランシフォトダイオ
ード(APD)である。ファイバカップラ41は、分岐
比が10対1の単一モードファイバカップラであり、フ
ァイバ端411への入力光のうちの約90%がファイバ
端413に結合される。また、ファイバカップラ42は
、分岐比が1対1の単一モードファイバカップラである
。ここで、ファイバカップラ41のファイバ端414に
はアルミニウムが蒸着されており反射率90%の反射鏡
が形成されている。
が1100kの単一モードシリカファイバ、光検出器6
1,62はI n Ga Asアバランシフォトダイオ
ード(APD)である。ファイバカップラ41は、分岐
比が10対1の単一モードファイバカップラであり、フ
ァイバ端411への入力光のうちの約90%がファイバ
端413に結合される。また、ファイバカップラ42は
、分岐比が1対1の単一モードファイバカップラである
。ここで、ファイバカップラ41のファイバ端414に
はアルミニウムが蒸着されており反射率90%の反射鏡
が形成されている。
この実施例において、信号光源である分布帰還型半導体
レーザ1は電気信号入力端子1oからのビットレート3
2Mb/3の情報信号パルス変調電流によってその注入
電流が微小に変調され、2値周波数偏移変調されている
。この周波数個移変ルによる2種の周波数成分子、およ
びfrは、以降で説明する櫟に、f8の成分を信号光、
frの成分を参照光として用いている。ここで、この実
施例では周波数偏移量を10.9 GH7に設定してい
る。このときの分布帰還型半導体レーザへのバイアス電
流は8 Q mA sパルス変調電流の振幅は7mAで
あった。
レーザ1は電気信号入力端子1oからのビットレート3
2Mb/3の情報信号パルス変調電流によってその注入
電流が微小に変調され、2値周波数偏移変調されている
。この周波数個移変ルによる2種の周波数成分子、およ
びfrは、以降で説明する櫟に、f8の成分を信号光、
frの成分を参照光として用いている。ここで、この実
施例では周波数偏移量を10.9 GH7に設定してい
る。このときの分布帰還型半導体レーザへのバイアス電
流は8 Q mA sパルス変調電流の振幅は7mAで
あった。
上述の周波数偏移変調された光は、光アイソレータ31
を通過した後にファイバカップラ41に結合されてその
約90%が光ファイバ5へ送出されている。一方、励起
光源2から出射された励起光は、光アイソレータ32お
よびファイバカップラ42を通じて信号光とは異なる一
端から光ファイバ5に入射されている。ここで、単一モ
ードシリカファイバ5への励起入力パワーは6 mWで
ある。
を通過した後にファイバカップラ41に結合されてその
約90%が光ファイバ5へ送出されている。一方、励起
光源2から出射された励起光は、光アイソレータ32お
よびファイバカップラ42を通じて信号光とは異なる一
端から光ファイバ5に入射されている。ここで、単一モ
ードシリカファイバ5への励起入力パワーは6 mWで
ある。
本実施例では、ファイバ端414に反射鏡す形成するこ
とによって前記の2値周波数偏移変調光の一部とファイ
バ伝搬後の励起光の一部をI nGaAs−APD62
で受光する構成となっている。このとき、InGaAs
−A P Dには周波数偏移変調光と励起光との差周
波数の電流が流れるが、この電流は電気アンプ7によっ
て増幅された後に周波数弁別画路8に入力されている。
とによって前記の2値周波数偏移変調光の一部とファイ
バ伝搬後の励起光の一部をI nGaAs−APD62
で受光する構成となっている。このとき、InGaAs
−A P Dには周波数偏移変調光と励起光との差周
波数の電流が流れるが、この電流は電気アンプ7によっ
て増幅された後に周波数弁別画路8に入力されている。
本実施例では、周波数弁別回路8の弁別周波数は100
MH,K設定されており、差周波数が1001■H2
から外れると誤差信号を発生し制御回路9を動作させる
ようになつ℃いる。そして、制御回路9では、半導体レ
ーザ1の注入電流を変えることによってその発振周波数
をフィードバック制御している。
MH,K設定されており、差周波数が1001■H2
から外れると誤差信号を発生し制御回路9を動作させる
ようになつ℃いる。そして、制御回路9では、半導体レ
ーザ1の注入電流を変えることによってその発振周波数
をフィードバック制御している。
第2図は、本実施例での励起光と2個周波数変調光の周
波数の関係な示した図である。この実施例では、2個周
波数変調光の周波数frの成分を励起光から100 M
H2だけ低周波数側になるように設定している。このと
き、周波数偏移量は前述のように10.9 GH,なの
で、周波数f、の成分は励起光からブリユアンシフト量
に等しいIIGH。
波数の関係な示した図である。この実施例では、2個周
波数変調光の周波数frの成分を励起光から100 M
H2だけ低周波数側になるように設定している。このと
き、周波数偏移量は前述のように10.9 GH,なの
で、周波数f、の成分は励起光からブリユアンシフト量
に等しいIIGH。
だけ低周波側に位置しており、単一モード光ファイバ伝
搬中にブリユアン増幅される。この実施例での励起入力
パワーは6mWであるが、この励起入力条件で信号光で
ある周波数fI!成分を約40bB ブリユアン増幅す
ることができた。そして、この増幅信号光をInGaA
s−APD 61で受光することによって情報信号を電
気信号出力端子11から取シ出している。
搬中にブリユアン増幅される。この実施例での励起入力
パワーは6mWであるが、この励起入力条件で信号光で
ある周波数fI!成分を約40bB ブリユアン増幅す
ることができた。そして、この増幅信号光をInGaA
s−APD 61で受光することによって情報信号を電
気信号出力端子11から取シ出している。
この実施例でのブリユアン増幅度の安定性を確認するた
めに、半導体レーザ1,2の雰囲気を±1℃程度変化さ
せる実験を行なった。その結果、このフィードバック制
御系においては常に安定にブリユアン増幅を行なうこと
ができた。一方、フィードバック制御系を用いない場合
には、雰囲気温度がわずかに0.001℃変化すると増
幅度が変動してしまい、情報信号を取υ出すことができ
なかった。なお、この実施例で用いた光検出器62や電
気アンプの周波数応答は、せいぜい数百■与で十分であ
ったので極めて安価にフィートノ(ツク制御系を実現で
き九〇 上記においては、本願発明による光ファイノ(内プリュ
ア/増幅方法および装置について一実施例を用いて説明
したが、本願発明はこの実施例に限られることなくいく
つかの変形が考えられる。例えば、本実施例では参照光
を発生させるためICZ値周波周波数偏移変調方法を用
いたが、他のいかなる方法であっても良いことは言うま
でもない。
めに、半導体レーザ1,2の雰囲気を±1℃程度変化さ
せる実験を行なった。その結果、このフィードバック制
御系においては常に安定にブリユアン増幅を行なうこと
ができた。一方、フィードバック制御系を用いない場合
には、雰囲気温度がわずかに0.001℃変化すると増
幅度が変動してしまい、情報信号を取υ出すことができ
なかった。なお、この実施例で用いた光検出器62や電
気アンプの周波数応答は、せいぜい数百■与で十分であ
ったので極めて安価にフィートノ(ツク制御系を実現で
き九〇 上記においては、本願発明による光ファイノ(内プリュ
ア/増幅方法および装置について一実施例を用いて説明
したが、本願発明はこの実施例に限られることなくいく
つかの変形が考えられる。例えば、本実施例では参照光
を発生させるためICZ値周波周波数偏移変調方法を用
いたが、他のいかなる方法であっても良いことは言うま
でもない。
例えば、あらかじめ2個の半導体レーザの周波数間隔を
安定化させ、一方を信号光として他方を参照光として用
いることができる。あるいは、軸モード数が2本以上の
多軸モードレーザを信号光源として用いることも可能で
ある。また、本実施例では信号光源1や励起光源2とし
て、InGaA8P半導体レーザを用いたが、他の材料
の半導体レーザや固体レーザ、ガスレーザなどの他種の
レーザでもよい。さらに、光ファイバは分散シフトファ
イバをはじめとしてGe0t t p、o、などのそ
の他の組成の光ファイバを使用してもよい。それに加え
て、光検出器やファイバカップラなどは、その所要性能
を有する限りいかなる構造、種類であってもよい。
安定化させ、一方を信号光として他方を参照光として用
いることができる。あるいは、軸モード数が2本以上の
多軸モードレーザを信号光源として用いることも可能で
ある。また、本実施例では信号光源1や励起光源2とし
て、InGaA8P半導体レーザを用いたが、他の材料
の半導体レーザや固体レーザ、ガスレーザなどの他種の
レーザでもよい。さらに、光ファイバは分散シフトファ
イバをはじめとしてGe0t t p、o、などのそ
の他の組成の光ファイバを使用してもよい。それに加え
て、光検出器やファイバカップラなどは、その所要性能
を有する限りいかなる構造、種類であってもよい。
(発明の効果)
以上説明したように、本願発明の光ファイバ内ブリユア
ン増幅方法およびそれを実施するための装置では、信号
光と所定の値だけ周波数が異なる参照光を利用して、こ
の参照光と励起光の差周波数を検出しブリユアン増幅度
が安定になるように励起光あるいは信号光の周波数をフ
ィードバック制御している。その結果、低価格でかつ信
頼性の高いブリユアン増幅度を安定化させた光プアイノ
(内ブリユアン増幅方法およびそれを実施するための装
置Rが得られるという利点がある。
ン増幅方法およびそれを実施するための装置では、信号
光と所定の値だけ周波数が異なる参照光を利用して、こ
の参照光と励起光の差周波数を検出しブリユアン増幅度
が安定になるように励起光あるいは信号光の周波数をフ
ィードバック制御している。その結果、低価格でかつ信
頼性の高いブリユアン増幅度を安定化させた光プアイノ
(内ブリユアン増幅方法およびそれを実施するための装
置Rが得られるという利点がある。
第1図は、本願の第2の発明による光ファイバ内ブリユ
アン増幅装置の一実施例を示す構成図、第2図は、第1
図の実施例における励起光と2個周波数変調光との周波
数の関係を示す図である。 1・・・信号光源、2・・・励起光源、31.32・・
・光アイソレータ、41,42・・・ファイバカップラ
、5・・・光ファイバ、61.62・・・光検出器、7
・・・電気アンプ、8・・・周波数弁別回路、9・・・
制御回路、10・・・電気信号入力端子、11・・・電
気信号出力端子。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介
アン増幅装置の一実施例を示す構成図、第2図は、第1
図の実施例における励起光と2個周波数変調光との周波
数の関係を示す図である。 1・・・信号光源、2・・・励起光源、31.32・・
・光アイソレータ、41,42・・・ファイバカップラ
、5・・・光ファイバ、61.62・・・光検出器、7
・・・電気アンプ、8・・・周波数弁別回路、9・・・
制御回路、10・・・電気信号入力端子、11・・・電
気信号出力端子。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介
Claims (2)
- (1)励起光と信号光を逆方向に伝搬するようにそれぞ
れ光ファイバに入射させ、前記光ファイバの誘導ブリュ
アン効果によつて前記信号光を増幅する光ファイバ内ブ
リュアン増幅方法において、前記信号光が参照光を随伴
し、前記励起光を前記参照光との差周波数を検出して、
前記励起光または信号光の周波数を前記差周波数に基づ
き制御することにより、ブリュアン増幅度を安定化させ
ることを特徴とする光ファイバ内ブリュアン増幅方法。 - (2)光ファイバと、参照光と信号光とを出射する信号
光源と、励起光を出射する励起光源と、この励起光を前
記信号光とは逆方向に伝搬するようにそれぞれ前記光フ
ァイバに入射させる手段と、前記光ファイバの誘導ブリ
ュアン効果によつて増幅された前記信号光を前記励起光
から分離して取り出す手段と、前記励起光と前記参照光
との差周波数を検出する光検出器と、ブリュアン増幅度
が一定になるように前記信号光源または励起光源の発振
周波数を前記差周波数に基づき制御する制御回路とを含
む光ファイバ内ブリュアン増幅装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62302106A JPH01142717A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62302106A JPH01142717A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01142717A true JPH01142717A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17905004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62302106A Pending JPH01142717A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01142717A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101949743A (zh) * | 2010-08-09 | 2011-01-19 | 宁波诺驰光电科技发展有限公司 | 一种新型布里渊光时域分析仪 |
US8693512B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-04-08 | Jds Uniphase Corporation | Frequency referencing for tunable lasers |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62302106A patent/JPH01142717A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101949743A (zh) * | 2010-08-09 | 2011-01-19 | 宁波诺驰光电科技发展有限公司 | 一种新型布里渊光时域分析仪 |
US8693512B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-04-08 | Jds Uniphase Corporation | Frequency referencing for tunable lasers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4947134A (en) | Lightwave systems using optical amplifiers | |
US4886334A (en) | Optical amplifying repeater | |
EP0669730B1 (en) | Optical amplifier and optical communication system provided with the optical amplifier | |
US6556344B2 (en) | Monitoring of optical radiation in semiconductor devices | |
Yamamoto | Characteristics of AlGaAs Fabry-Perot cavity type laser amplifiers | |
JPH0758376B2 (ja) | 光波形整形装置 | |
US6172995B1 (en) | High power broadband source with stable and equalized spectrum output | |
JPH01142717A (ja) | 光ファイバ内ブリュアン増幅方法及び装置 | |
US6744947B2 (en) | High power, low noise, fluorescent device and methods related thereto | |
US11486706B2 (en) | Kerr effect reduction in SBS laser gyroscope | |
US20030113063A1 (en) | Method and apparatus for enhancing power saturation in semiconductor optical amplifiers | |
US6952437B1 (en) | Laser with wide operating temperature range | |
JPH0240632A (ja) | ファイバブリュアン光増幅中継装置 | |
JPS6397026A (ja) | 光通信方法及び装置 | |
JPS6153709B2 (ja) | ||
JPS59117285A (ja) | 光増幅回路 | |
Song et al. | Cross modulation of pump-signals in distributed Raman amplifiers, theory and experiment | |
JPH0218526A (ja) | 光伝送方式と光伝送装置 | |
JP2732746B2 (ja) | 光増幅器の入出力光パワーのモニタ方法 | |
JPH07202311A (ja) | 光半導体レーザ装置の波長安定化方式 | |
JPH0317633A (ja) | 光インバータ | |
JPH0117614B2 (ja) | ||
JPS61102081A (ja) | 半導体レ−ザの周波数安定化方法 | |
JPH0362638A (ja) | 光送信器 | |
JP3072124B2 (ja) | 光集積型半導体レーザ装置 |