JPH0317535A - 光学的薄膜評価装置 - Google Patents
光学的薄膜評価装置Info
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- JPH0317535A JPH0317535A JP15178189A JP15178189A JPH0317535A JP H0317535 A JPH0317535 A JP H0317535A JP 15178189 A JP15178189 A JP 15178189A JP 15178189 A JP15178189 A JP 15178189A JP H0317535 A JPH0317535 A JP H0317535A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（友 光メモリー材料などの薄膜に光を照射する
ことにより、温度上昇に伴う薄膜の結晶化を、光学的に
検出する光学的薄膜評価装置に関するものであも 従来の技術 従来の光学的薄膜評価装置として（よ 例えば特願昭５
９−７０２．２９号出願に示されている。
ことにより、温度上昇に伴う薄膜の結晶化を、光学的に
検出する光学的薄膜評価装置に関するものであも 従来の技術 従来の光学的薄膜評価装置として（よ 例えば特願昭５
９−７０２．２９号出願に示されている。
第４図はこの従来の光学的薄膜評価装置のブロック図と
光学系をしめすものであり、 １は石英などからなる透
明基坂 ２は基板１上に作戊された薄汰 ３は耐熱性と
熱伝導性が良い基板と、ヒータと熱電対から構或された
加熱部で、基板Ｉと薄Ｍ２を加熱すａ ４は発光ダイオ
ーく 半導体レーザなどの光ｉ５、 ６はそれぞれ薄膜
２を透過及び反射した光を検出するフォトダイオードな
どの光センサー ７は光を一部透過し一部反射するハー
フミラー． ８は加熱部３のヒータと熱電対に接続され
る温度制御装置で、任意の速度で加熱できるように ヒ
ータに流す電流を制御すム ９は光センサー５、 ６の
出力と、温度制御装置８から出力される温度を示す信号
を記録するペンレコーダ、 １０は光源４の光を平行先
にするレンズであも 以上の様に構戒された従来の光学的薄膜評価装置におい
て（よ 光源４からの光はレンズ１０よって平行光にな
りハーフミラー７を透過し薄膜２に人射すも 薄膜２を
反射した光はハーフミラー７を反射し光センサー６に入
射すも 薄膜２を透過した光は光センサー５に入射すも
加熱部３と温度制御装置８を作動して基板ｌと薄膜２
を一定速度で昇温すると、薄′膜の昇温過程における温
麗透過風 反射率をモニターすることができも 従って
、温度上昇に伴う薄膜の結晶化を、薄膜の透過率と反射
率を通して、連続的に観測できることになん 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の様な構成でζよ 観測光として１つ
の波長しか用いることができなＬ１ 従って、実際に
は薄膜が結晶化していてＬ この波長の光では検出でき
ないことがあも また 薄膜の透過率は波長によって異なり、透過率が低
下し始める波長を吸収端と呼ぶと、この吸収端は薄膜の
相状態によって変化するので、観測光として１つの波長
しか用いない場合、この吸収端の変化を把握できな（℃ この現象を防ぐために 光源として白色光を用いると、
結晶化に全く反応しない波長の光を多量に含むことにな
るの玄 検出感度が大幅に落ちも又 波長の異なる複数
の光源を用いると、各光源間のクロストークが大きくな
り、この場合も検出感度が大幅に落ちも そこ玄 本発明は 複数の波長の光で温度上昇に伴う薄
膜の結晶化を連続的に観測でき、各波長間のクロストー
クがなく、検出感度が高く、 しかも吸収端の変化も把
握できる光学的薄膜評価装置を提供することを目的とす
も 課題を解決するための手段 本発明｛上 透明基板上に設けられた薄膜からなる試料
をある一定昇温速度で昇温させる加熱手段と、発光波長
が各々異なるＮ個（Ｎ≧２の整数）の光源ｌ１ 光源
２、 ・・ 光源ｎ１ ・・ 、光源Ｎ（２≦ｎ≦
Ｎで整数）と、発振周波数が各々異なるＮ個の発振器ｎ
と、Ｎ個の直流電源ｎと、前記直流電源ｎと前記発振器
ｎの出力を加算し前記光源ｎを駆動するＮ個の加算器ｎ
と、前記薄膜からの透過光と反射光を検出する２個の光
センサーｌ、 ２と、前記発振器ｎの出力を参照信号と
して前記光センサーｌの出力を同期検波するＮ個のロッ
クインアンプ１内と、前記発振器ｎの出力を参照信号と
して前記光センサー２の出力を同期検波するＮ個のロッ
クインアンプ２ｌ１とを備えた光学的薄膜評価装置であ
る。
光学系をしめすものであり、 １は石英などからなる透
明基坂 ２は基板１上に作戊された薄汰 ３は耐熱性と
熱伝導性が良い基板と、ヒータと熱電対から構或された
加熱部で、基板Ｉと薄Ｍ２を加熱すａ ４は発光ダイオ
ーく 半導体レーザなどの光ｉ５、 ６はそれぞれ薄膜
２を透過及び反射した光を検出するフォトダイオードな
どの光センサー ７は光を一部透過し一部反射するハー
フミラー． ８は加熱部３のヒータと熱電対に接続され
る温度制御装置で、任意の速度で加熱できるように ヒ
ータに流す電流を制御すム ９は光センサー５、 ６の
出力と、温度制御装置８から出力される温度を示す信号
を記録するペンレコーダ、 １０は光源４の光を平行先
にするレンズであも 以上の様に構戒された従来の光学的薄膜評価装置におい
て（よ 光源４からの光はレンズ１０よって平行光にな
りハーフミラー７を透過し薄膜２に人射すも 薄膜２を
反射した光はハーフミラー７を反射し光センサー６に入
射すも 薄膜２を透過した光は光センサー５に入射すも
加熱部３と温度制御装置８を作動して基板ｌと薄膜２
を一定速度で昇温すると、薄′膜の昇温過程における温
麗透過風 反射率をモニターすることができも 従って
、温度上昇に伴う薄膜の結晶化を、薄膜の透過率と反射
率を通して、連続的に観測できることになん 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の様な構成でζよ 観測光として１つ
の波長しか用いることができなＬ１ 従って、実際に
は薄膜が結晶化していてＬ この波長の光では検出でき
ないことがあも また 薄膜の透過率は波長によって異なり、透過率が低
下し始める波長を吸収端と呼ぶと、この吸収端は薄膜の
相状態によって変化するので、観測光として１つの波長
しか用いない場合、この吸収端の変化を把握できな（℃ この現象を防ぐために 光源として白色光を用いると、
結晶化に全く反応しない波長の光を多量に含むことにな
るの玄 検出感度が大幅に落ちも又 波長の異なる複数
の光源を用いると、各光源間のクロストークが大きくな
り、この場合も検出感度が大幅に落ちも そこ玄 本発明は 複数の波長の光で温度上昇に伴う薄
膜の結晶化を連続的に観測でき、各波長間のクロストー
クがなく、検出感度が高く、 しかも吸収端の変化も把
握できる光学的薄膜評価装置を提供することを目的とす
も 課題を解決するための手段 本発明｛上 透明基板上に設けられた薄膜からなる試料
をある一定昇温速度で昇温させる加熱手段と、発光波長
が各々異なるＮ個（Ｎ≧２の整数）の光源ｌ１ 光源
２、 ・・ 光源ｎ１ ・・ 、光源Ｎ（２≦ｎ≦
Ｎで整数）と、発振周波数が各々異なるＮ個の発振器ｎ
と、Ｎ個の直流電源ｎと、前記直流電源ｎと前記発振器
ｎの出力を加算し前記光源ｎを駆動するＮ個の加算器ｎ
と、前記薄膜からの透過光と反射光を検出する２個の光
センサーｌ、 ２と、前記発振器ｎの出力を参照信号と
して前記光センサーｌの出力を同期検波するＮ個のロッ
クインアンプ１内と、前記発振器ｎの出力を参照信号と
して前記光センサー２の出力を同期検波するＮ個のロッ
クインアンプ２ｌ１とを備えた光学的薄膜評価装置であ
る。
作用
本発明は前記した構或により、波長が各々異なるＮ種類
の光に 各々異なるＮ種類の周波数で強度変調をかけ、
光センサーの出力をＮ個のロックインアンプによって分
離すも このＮ個のロックインアンプの出力力（Ｎ種類
の波長に対するお互いにクロストークのない透過率又は
反射率を示す信号となも Ｎ種類の波長を用いて検出するので、 １つの波長を用
いた時に検出できなかった結晶化に伴う光学的変化も検
出できも 更に 相状態の変化による吸収端の変化ＬＮ
種類の波長に対する透過率の比の変化から検出できも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例における光学的薄膜評価装置
のブロック図を示すものであム 第２図は第１図に示す
各部の波形を表わす波形図であも第２図の時間軸ｔは十
分小さい時間を表わす、すなわちここに示す期間におい
て薄膜の温度は変化しないものとすも 第３図（よ 温
度上昇に伴って変化する第２図の信号Ｓ３−、３３ｍを
示した波形図であん な耘 本実施例はＮ＝２の場合で
あも第１図において、 １， ２、 ３、５、６、７
、８、９はそれぞれ従来例に示した透明基板 薄風 加
熱敵 光センサコ ハーフミラー、温度制御装置ペンレ
コーダと同様のものであも ４●、４ｂはそれぞれ発光
波長がλ１、λ２（≠λ１）の発光ダイオードまたは半
導体レーザなどの発光源、１６●，１６ｂはそれぞれ発
振周波数がｆ＋，ｆａ（≠ｆ＋）の発振器、１２．，１
２ｋは直流電源、１３●は直流電源１２．と発振器１６
●の出力を加算し発光源４●を駆動する加算１ｉ１３ｍ
は直流電源１２ｍと発振器１６ｂの出力を加算し発光源
４−を駆動する加算ａ １４●は発振器１６●の信号を
参照信号とし光センサー６の出力を同期検波するロック
インアンズ １４−は発振器１６ｂの信号を参照信号と
し光センサー６の出力を同期検波するロックインアンズ
１５−は発振器１６●の信号を参照信号とし光センサ
ー５の出力を同期検波するロックインアン″７１５ｂは
発振器１６ｂの信号を参照信号とし光センサー５の出力
を同期検波するロックインアンプ、 ９はロックインア
ンプ１４−，１４ｈ，１５−，１５−の出力を記録する
ペンレコーダー、 １０＝，１０ｂはそれぞれ光源４●
， ４ｂの光を平行光にするレンＸ １ｌはハーフミ
ラーであも 以上の様に構或された本実施例の光学的薄膜評価装置に
ついて、第２、 ３図を用いてその動作を以下に説明す
も この第２、 ３図（よ 発光源４●，４ｂとして、
λ＋＝８９０ｎｍ，λ＊＝６８０ｎｍの発光ダイオー
ド、光センサー５、 ６として５ｍｍ角のシリコンフォ
トダイオードを用いＮ ｆ ＋ ＝４．５ＫＨＺＮ ｆ
ａ＝３ＫＨｚの時の波形図であん な抵 簡単のた吹
透過光信号（光センサー５の出力）の処理に関してのみ
説明すも 反射光信号（光センサー６の出力）の処理も
全く同様に行なわれていもＳＩＮ， Ｓ＋ｂはそれぞ
れ発光源４−，４ｂに印加されている信号で、それぞれ
の直流電源の出力レベルＤＣ●，Ｄｃｋ４，， それ
ぞれの発振器の出力である振幅ＡＣ●．ＡＣ．、周波数
ｆ＋，ｆａの正弦波が重畳された信号であも 発光源が
発する光の強度はこのＳ１●＋ Ｓ＋ｂに比例すも 発光源ｌ●，ｌｍを発し薄膜２を透過した光は光センサ
ー５に入射Ｌ． ３ａに示すようなＳ１．とＳ１−を
重畳した信号になム ここで図に示したα、 βは一定
の係数であも Ｓ２をロツクインアンプｌ５●、１５ｂにより同期検波
すも これによって、Ｓ２のｆ＋，ｌ２或分の振幅を分
離して取り出すことができ、それぞれＳｈ，Ｓｓｂにな
も このＳｔ＠， Ｓｓｂはそれぞれ薄膜２を透過し
た波長λ１、λ２の光の強度振幅を示す。
の光に 各々異なるＮ種類の周波数で強度変調をかけ、
光センサーの出力をＮ個のロックインアンプによって分
離すも このＮ個のロックインアンプの出力力（Ｎ種類
の波長に対するお互いにクロストークのない透過率又は
反射率を示す信号となも Ｎ種類の波長を用いて検出するので、 １つの波長を用
いた時に検出できなかった結晶化に伴う光学的変化も検
出できも 更に 相状態の変化による吸収端の変化ＬＮ
種類の波長に対する透過率の比の変化から検出できも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例における光学的薄膜評価装置
のブロック図を示すものであム 第２図は第１図に示す
各部の波形を表わす波形図であも第２図の時間軸ｔは十
分小さい時間を表わす、すなわちここに示す期間におい
て薄膜の温度は変化しないものとすも 第３図（よ 温
度上昇に伴って変化する第２図の信号Ｓ３−、３３ｍを
示した波形図であん な耘 本実施例はＮ＝２の場合で
あも第１図において、 １， ２、 ３、５、６、７
、８、９はそれぞれ従来例に示した透明基板 薄風 加
熱敵 光センサコ ハーフミラー、温度制御装置ペンレ
コーダと同様のものであも ４●、４ｂはそれぞれ発光
波長がλ１、λ２（≠λ１）の発光ダイオードまたは半
導体レーザなどの発光源、１６●，１６ｂはそれぞれ発
振周波数がｆ＋，ｆａ（≠ｆ＋）の発振器、１２．，１
２ｋは直流電源、１３●は直流電源１２．と発振器１６
●の出力を加算し発光源４●を駆動する加算１ｉ１３ｍ
は直流電源１２ｍと発振器１６ｂの出力を加算し発光源
４−を駆動する加算ａ １４●は発振器１６●の信号を
参照信号とし光センサー６の出力を同期検波するロック
インアンズ １４−は発振器１６ｂの信号を参照信号と
し光センサー６の出力を同期検波するロックインアンズ
１５−は発振器１６●の信号を参照信号とし光センサ
ー５の出力を同期検波するロックインアン″７１５ｂは
発振器１６ｂの信号を参照信号とし光センサー５の出力
を同期検波するロックインアンプ、 ９はロックインア
ンプ１４−，１４ｈ，１５−，１５−の出力を記録する
ペンレコーダー、 １０＝，１０ｂはそれぞれ光源４●
， ４ｂの光を平行光にするレンＸ １ｌはハーフミ
ラーであも 以上の様に構或された本実施例の光学的薄膜評価装置に
ついて、第２、 ３図を用いてその動作を以下に説明す
も この第２、 ３図（よ 発光源４●，４ｂとして、
λ＋＝８９０ｎｍ，λ＊＝６８０ｎｍの発光ダイオー
ド、光センサー５、 ６として５ｍｍ角のシリコンフォ
トダイオードを用いＮ ｆ ＋ ＝４．５ＫＨＺＮ ｆ
ａ＝３ＫＨｚの時の波形図であん な抵 簡単のた吹
透過光信号（光センサー５の出力）の処理に関してのみ
説明すも 反射光信号（光センサー６の出力）の処理も
全く同様に行なわれていもＳＩＮ， Ｓ＋ｂはそれぞ
れ発光源４−，４ｂに印加されている信号で、それぞれ
の直流電源の出力レベルＤＣ●，Ｄｃｋ４，， それ
ぞれの発振器の出力である振幅ＡＣ●．ＡＣ．、周波数
ｆ＋，ｆａの正弦波が重畳された信号であも 発光源が
発する光の強度はこのＳ１●＋ Ｓ＋ｂに比例すも 発光源ｌ●，ｌｍを発し薄膜２を透過した光は光センサ
ー５に入射Ｌ． ３ａに示すようなＳ１．とＳ１−を
重畳した信号になム ここで図に示したα、 βは一定
の係数であも Ｓ２をロツクインアンプｌ５●、１５ｂにより同期検波
すも これによって、Ｓ２のｆ＋，ｌ２或分の振幅を分
離して取り出すことができ、それぞれＳｈ，Ｓｓｂにな
も このＳｔ＠， Ｓｓｂはそれぞれ薄膜２を透過し
た波長λ１、λ２の光の強度振幅を示す。
ＳＫＩ， Ｓｓｂをペンレコーダー９などで記録する
ことにより、第３図に示す様に薄膜の昇温過程における
温嵐 波長λ１、λ２の光に対する透過取反射率をモニ
ターすることができも 以上の様に構或された本実施例によれ（ヱ 波長がλ１
、λ２の光に周波数ｆ＋，ｆ＊で強度変調をか（ナ、波
長λ１、λ２の光に対する透過叉は反射率信号が混ざっ
ている光センサーの出力を２台のロックインアンプで分
離することにより、 ２つの波長に対する透過叉は反射
率が得られも これは従来の光学的薄膜評価装置を使用
した時に 観測できなかった結晶化に伴う光学的変化を
観測できることを意味していも 更に 相状態の変化に
よる吸収端の変化を把握できも な耘 本実施例はロックインアンプで同期検波すること
により、ごく狭い帯域の信号を取り出しているので、各
種ドリフト、輻射ノイズなどの影響を受けにくく、Ｓ／
Ｈの良い信号が得られも従って、検出感度が大幅に向上
しているので、 １つの波長のみを用いた観測でｋ 従
来例では観測できなかった極微少な変化も観測できも発
明の効果 以上説明した様に 本発明によれば Ｎ種類の波長の光
に対する薄膜の昇温過程における透過率及び反射率の変
化をモニターすることができも従って、 １つの波長を
用いて観測した時に検出できなかった結晶化に伴う光学
的変化を検出できも更に 相状態の変化による薄膜の吸
収端の変化板Ｎ種類の波長に対する透過率の比の変化か
ら検出できも しかし 従来例よりもはるかにＳ／Ｎが
良い信号が得られるので、極微少な変化も検出できも
従って、本発明は薄膜の評価などに大きな実用的効果を
もたらす。
ことにより、第３図に示す様に薄膜の昇温過程における
温嵐 波長λ１、λ２の光に対する透過取反射率をモニ
ターすることができも 以上の様に構或された本実施例によれ（ヱ 波長がλ１
、λ２の光に周波数ｆ＋，ｆ＊で強度変調をか（ナ、波
長λ１、λ２の光に対する透過叉は反射率信号が混ざっ
ている光センサーの出力を２台のロックインアンプで分
離することにより、 ２つの波長に対する透過叉は反射
率が得られも これは従来の光学的薄膜評価装置を使用
した時に 観測できなかった結晶化に伴う光学的変化を
観測できることを意味していも 更に 相状態の変化に
よる吸収端の変化を把握できも な耘 本実施例はロックインアンプで同期検波すること
により、ごく狭い帯域の信号を取り出しているので、各
種ドリフト、輻射ノイズなどの影響を受けにくく、Ｓ／
Ｈの良い信号が得られも従って、検出感度が大幅に向上
しているので、 １つの波長のみを用いた観測でｋ 従
来例では観測できなかった極微少な変化も観測できも発
明の効果 以上説明した様に 本発明によれば Ｎ種類の波長の光
に対する薄膜の昇温過程における透過率及び反射率の変
化をモニターすることができも従って、 １つの波長を
用いて観測した時に検出できなかった結晶化に伴う光学
的変化を検出できも更に 相状態の変化による薄膜の吸
収端の変化板Ｎ種類の波長に対する透過率の比の変化か
ら検出できも しかし 従来例よりもはるかにＳ／Ｎが
良い信号が得られるので、極微少な変化も検出できも
従って、本発明は薄膜の評価などに大きな実用的効果を
もたらす。
第１図は本発明における一実施例の光学的薄膜評価装置
を示すブロックは 第２、 ３図は本実施例の動作を示
す波形は 第４図は従来の光学的薄膜評価装置を示すブ
ロック図である。 ｌ・・・透明基坂 ２・ ・薄［３・・・加熱Ｒ． ４
−，４Ｐ・・発光＃ ５、 ６・・・光センサー、 ７
、 １１ ・・ハーフミラー、 ８・・温度制御装置
９・ ・ペンレコーダーＳ １０．，ｌ０１・・レンｇ
１２−，１２１ ・直流電温１３＠，１３ｂ・・・
加算徴 ｌ４●．１４ｂ，１５−，１５ｂ・・・ロック
インアンプ、 １６●，１６＊・・・発振複
を示すブロックは 第２、 ３図は本実施例の動作を示
す波形は 第４図は従来の光学的薄膜評価装置を示すブ
ロック図である。 ｌ・・・透明基坂 ２・ ・薄［３・・・加熱Ｒ． ４
−，４Ｐ・・発光＃ ５、 ６・・・光センサー、 ７
、 １１ ・・ハーフミラー、 ８・・温度制御装置
９・ ・ペンレコーダーＳ １０．，ｌ０１・・レンｇ
１２−，１２１ ・直流電温１３＠，１３ｂ・・・
加算徴 ｌ４●．１４ｂ，１５−，１５ｂ・・・ロック
インアンプ、 １６●，１６＊・・・発振複
Claims (1)
- 透明基板上に設けられた薄膜からなる試料をある一定
昇温速度で昇温させる加熱手段と、発光波長が各々異な
るＮ個（Ｎ≧２の整数）の光源１、光源２、・・・、光
源ｎ、・・・、光源Ｎ（２≦ｎ≦Ｎで整数）と、発振周
波数が各々異なるＮ個の発振器（ｎ）と、Ｎ個の直流電
源（ｎ）と、前記直流電源（ｎ）と前記発振器（ｎ）の
出力を加算し前記光源（ｎ）を駆動するＮ個の加算器（
ｎ）と、前記薄膜からの透過光と反射光を検出する２個
の第１、２光センサーと、前記発振器（ｎ）の出力を参
照信号として前記第１光センサーの出力を同期検波する
Ｎ個のロックインアンプ（１ｎ）と、前記発振器（ｎ）
の出力を参照信号として前記第２光センサーの出力を同
期検波するＮ個のロックインアンプ（２ｎ）とを備えた
ことを特徴とする光学的薄膜評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15178189A JPH0317535A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光学的薄膜評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15178189A JPH0317535A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光学的薄膜評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317535A true JPH0317535A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15526162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15178189A Pending JPH0317535A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光学的薄膜評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0317535A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5249072A (en) * | 1989-09-26 | 1993-09-28 | Research Development Corporation Of Japan | Heterodyne receptor system and arrangement for visualizing optical transmission images |
| JP2009031294A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Ivoclar Vivadent Ag | 部材の表面上で進行する物理および／または化学プロセスの経過を光学的に検査する方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215444A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の活性化エネルギ測定方法 |
| JPS6298235A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-07 | Tokyo Gas Co Ltd | 気体の分布量測定方法 |
| JPS6356015A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Sankusu Kk | 多光軸式光電スイツチ |
| JPS6475903A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Ricoh Kk | Method for measuring refractive index and film thickness |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15178189A patent/JPH0317535A/ja active Pending
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