JPH0481132B2 - - Google Patents
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- JPH0481132B2 JPH0481132B2 JP60029407A JP2940785A JPH0481132B2 JP H0481132 B2 JPH0481132 B2 JP H0481132B2 JP 60029407 A JP60029407 A JP 60029407A JP 2940785 A JP2940785 A JP 2940785A JP H0481132 B2 JPH0481132 B2 JP H0481132B2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0014—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation from gases, flames
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0014—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation from gases, flames
- G01J5/0018—Flames, plasma or welding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/58—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using absorption; using extinction effect
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
- H05H1/0012—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/59—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using polarisation; Details thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、プラズマ物性を光学的に測定する装
置に関するものである。
置に関するものである。
（従来の技術）
MHD発電は、磁界と直交する方向に高温度の
燃料ガスプラズマを流し、フアラデイ効果により
磁界方向及びプラズマの流れの方向にそれぞれ直
交する方向に起電力を発生させる新規な発電方式
であり、高温流体が有するエネルギーを電気エネ
ルギーに直接変換できる大きな利点を有してい
る。このMHD発電ではプラズマを常に所定の状
態に維持しなければならず、このためプラズマの
温度、電子密度、導電率等の物理量を正確に測定
できる装置の開発が強く要請されている。
燃料ガスプラズマを流し、フアラデイ効果により
磁界方向及びプラズマの流れの方向にそれぞれ直
交する方向に起電力を発生させる新規な発電方式
であり、高温流体が有するエネルギーを電気エネ
ルギーに直接変換できる大きな利点を有してい
る。このMHD発電ではプラズマを常に所定の状
態に維持しなければならず、このためプラズマの
温度、電子密度、導電率等の物理量を正確に測定
できる装置の開発が強く要請されている。
従来のプラズマ温度を光学的に測定する方法と
してラインリバーサルの原理を用いた方法が用い
られている。このラインリバーサルの原理は、基
準光源から種々の光源温度の光束をプラズマに投
射し、プラズマに入射した光束がプラズマにより
吸収されず且つプラズマ発光による光の強度上昇
を発生しない光源温度を検出し、この光源温度が
プラズマ温度と等しいものとみなしプラズマ温度
を検出している。このラインリバーサルの原理を
用いた方法では数百度から3000〓程度のプラズマ
温度を測定でき、具体的には波長掃引法、マツチ
ング法、チヨツパ法及びナイフエツジ法がある。
してラインリバーサルの原理を用いた方法が用い
られている。このラインリバーサルの原理は、基
準光源から種々の光源温度の光束をプラズマに投
射し、プラズマに入射した光束がプラズマにより
吸収されず且つプラズマ発光による光の強度上昇
を発生しない光源温度を検出し、この光源温度が
プラズマ温度と等しいものとみなしプラズマ温度
を検出している。このラインリバーサルの原理を
用いた方法では数百度から3000〓程度のプラズマ
温度を測定でき、具体的には波長掃引法、マツチ
ング法、チヨツパ法及びナイフエツジ法がある。
第５図は波長掃引法を利用したプラズマ温度測
定装置の構成を示す線図である。白色光源１を基
準電源２に接続し、基準電源２の出力を変えて白
色光源１から種々の光源温度の光束を集光レンズ
３を経てプラズマ４に投射する。プラズマ４を通
過した光束はスリツト５及び集光レンズ６を経て
分光光度計７に入射し、プラズマ４を通過した光
束の分光特性が検出され、増巾器８を経てレコー
ダ９に記録される。プラズマ４を通過した光束
は、プラズマ４により光源温度Teに応じて共鳴
波長域において発光又は吸収作用を受け、第６図
に示すように光源温度Teがプラズマ温度Tpより
低い場合には共鳴波長域付近において発光作用に
より光強度上昇を呈し、光源温度Teがプラズマ
温度Tpより高い場合には吸収作用を受け、更に
光源温度Teとプラズマ温度Tpとが等しい場合に
は発光及び吸収が生じない。従つて、白色光源１
の光源温度を変えながらプラズマ４を通過した光
束の分光光度特性を測定すればプラズマ温度Tp
が測定されることになる。
定装置の構成を示す線図である。白色光源１を基
準電源２に接続し、基準電源２の出力を変えて白
色光源１から種々の光源温度の光束を集光レンズ
３を経てプラズマ４に投射する。プラズマ４を通
過した光束はスリツト５及び集光レンズ６を経て
分光光度計７に入射し、プラズマ４を通過した光
束の分光特性が検出され、増巾器８を経てレコー
ダ９に記録される。プラズマ４を通過した光束
は、プラズマ４により光源温度Teに応じて共鳴
波長域において発光又は吸収作用を受け、第６図
に示すように光源温度Teがプラズマ温度Tpより
低い場合には共鳴波長域付近において発光作用に
より光強度上昇を呈し、光源温度Teがプラズマ
温度Tpより高い場合には吸収作用を受け、更に
光源温度Teとプラズマ温度Tpとが等しい場合に
は発光及び吸収が生じない。従つて、白色光源１
の光源温度を変えながらプラズマ４を通過した光
束の分光光度特性を測定すればプラズマ温度Tp
が測定されることになる。
また、第７図はナイフエツジ法によるプラズマ
温度測定装置の構成を示す線図である。このナイ
フエツジ法では、光源１とプラズマ４との間に２
個の集光レンズ１０及び１１を配置すると共に、
２個の集光レンズ１０と１１との間にナイフ１２
を配置し、このナイフ１２により紙面の光軸より
下側の空間を通過する光束だけをプラズマ４に投
射する。プラズマ４の射出側に集光レンズ１３、
スリツト１４及びフイルタ１５経て紙面の上下方
向にそれぞれライドガイド１６及び１７を配置す
ると共に、各ライトガイド１６及び１７の出射端
に光検出器１８及び１９を配置し、各光検出器１
８及び１９の出力をそれぞれレコーダ２０及び２
１に記録する。光源１から発した光束は、紙面の
光軸より上側空間を通過する光束はナイフ１２に
より遮断されるから、光検出器１６にはプラズマ
幅場から輻射された光束だけが検出され、光検出
器１７には光源１から発した光束とプラズマ輻射
場から輻射された光束とが検出される。そして、
光検出器１６及び１７の出力信号に基いてプラズ
マ温度Tpが測定される。
温度測定装置の構成を示す線図である。このナイ
フエツジ法では、光源１とプラズマ４との間に２
個の集光レンズ１０及び１１を配置すると共に、
２個の集光レンズ１０と１１との間にナイフ１２
を配置し、このナイフ１２により紙面の光軸より
下側の空間を通過する光束だけをプラズマ４に投
射する。プラズマ４の射出側に集光レンズ１３、
スリツト１４及びフイルタ１５経て紙面の上下方
向にそれぞれライドガイド１６及び１７を配置す
ると共に、各ライトガイド１６及び１７の出射端
に光検出器１８及び１９を配置し、各光検出器１
８及び１９の出力をそれぞれレコーダ２０及び２
１に記録する。光源１から発した光束は、紙面の
光軸より上側空間を通過する光束はナイフ１２に
より遮断されるから、光検出器１６にはプラズマ
幅場から輻射された光束だけが検出され、光検出
器１７には光源１から発した光束とプラズマ輻射
場から輻射された光束とが検出される。そして、
光検出器１６及び１７の出力信号に基いてプラズ
マ温度Tpが測定される。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した波長掃引法では、白色光源の光源温度
を順次変化させ、各光源温度毎に分光特性を測定
しなければならず、測定時間がかかり過ぎるばか
りでなく、測定中にプラズマの状態が変化してし
まい同一時刻及び同一空間でプラズマ温度を測定
できない欠点があつた。また、プラズマ温度を断
点的にしか測定できず時間的に連続して測定でき
ない欠点もあつた。更に、原理的には近似した温
度を類推しているにすぎず、測定値の信頼性にも
問題があつた。また、ナイフエツジ法では光源か
ら発しプラズマ内を通過した光束とプラズマ輻射
場から放射された光束とが空間的に一致せず、プ
ラズマの状態が局所的に大きく変化している場合
には大きな測定誤差が生ずる欠点がある。
を順次変化させ、各光源温度毎に分光特性を測定
しなければならず、測定時間がかかり過ぎるばか
りでなく、測定中にプラズマの状態が変化してし
まい同一時刻及び同一空間でプラズマ温度を測定
できない欠点があつた。また、プラズマ温度を断
点的にしか測定できず時間的に連続して測定でき
ない欠点もあつた。更に、原理的には近似した温
度を類推しているにすぎず、測定値の信頼性にも
問題があつた。また、ナイフエツジ法では光源か
ら発しプラズマ内を通過した光束とプラズマ輻射
場から放射された光束とが空間的に一致せず、プ
ラズマの状態が局所的に大きく変化している場合
には大きな測定誤差が生ずる欠点がある。
このような問題点はプラズマに限らず、核融合
反応や放電現象等のように被測定対象が高速で変
化する場合の物性測定においても同様に発生する
ものである。
反応や放電現象等のように被測定対象が高速で変
化する場合の物性測定においても同様に発生する
ものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の目的は上述した欠点を解消し、同一時
刻における同一空間のプラズマ物性値を時間的に
連続して測定できるプラズマ物性測定装置を提供
するものである。
刻における同一空間のプラズマ物性値を時間的に
連続して測定できるプラズマ物性測定装置を提供
するものである。
本発明によるプラズマ物性測定装置は、物性測
定されるべきプラズマに向けて直線偏光した光を
投射する光源装置と、プラズマから出射した光束
をＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離する手段と、
これらＳ偏光成分及びＰ偏光成分の光をそれぞれ
検出する手段と、これらＳ偏光成分検出手段及び
Ｐ偏光成分検出手段からの出力信号を演算処理す
る処理回路とを具え、前記処理回路が、Teをプ
ラズマ電子温度、C1を定数、λを波長、TLを前
記光源装置の輝度温度、C2を補正係数、φPをＰ
偏光成分検出手段からの出力、φSをＳ偏光成分検
出手段からの出力、及びφを前記プラズマへの入
射光強度とした場合に、式 Te＝｛１−λTL／C1ln〔C2・φP／φ−φS＋φP〕
｝-1 に基いてプラズマ電子温度を決定することを特徴
とするものである。
定されるべきプラズマに向けて直線偏光した光を
投射する光源装置と、プラズマから出射した光束
をＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離する手段と、
これらＳ偏光成分及びＰ偏光成分の光をそれぞれ
検出する手段と、これらＳ偏光成分検出手段及び
Ｐ偏光成分検出手段からの出力信号を演算処理す
る処理回路とを具え、前記処理回路が、Teをプ
ラズマ電子温度、C1を定数、λを波長、TLを前
記光源装置の輝度温度、C2を補正係数、φPをＰ
偏光成分検出手段からの出力、φSをＳ偏光成分検
出手段からの出力、及びφを前記プラズマへの入
射光強度とした場合に、式 Te＝｛１−λTL／C1ln〔C2・φP／φ−φS＋φP〕
｝-1 に基いてプラズマ電子温度を決定することを特徴
とするものである。
（作用）
本発明では、プラズマに向けて直線偏光を投射
し、光源から放射されプラズマを通過した光束及
びこの光束が通過する部分のプラズマ輻射場から
輻射される光束を共に受光し、これらの光束中に
含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分とを分離し、そ
れぞれ光検出器により検出する。そして、これら
の検出出力を演算処理装置に入力し、時間的に連
続してプラズマ物性値を求める。
し、光源から放射されプラズマを通過した光束及
びこの光束が通過する部分のプラズマ輻射場から
輻射される光束を共に受光し、これらの光束中に
含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分とを分離し、そ
れぞれ光検出器により検出する。そして、これら
の検出出力を演算処理装置に入力し、時間的に連
続してプラズマ物性値を求める。
更に、本発明では、プラズマが形成する磁界に
よるフアラデイ効果を受けにくい短波長域の直線
偏光とフアラデイ効果を受け易すい長波長域の直
線偏光とを共に同一光軸上でプラズマに向けて投
射し、プラズマを透過した光束を分割し、一方の
光束からＳ偏光成分とＰ偏光成分とを各別に受光
してプラズマ温度を検出すると共に、他方の光束
に基いてプラズマが形成する磁界によるフアラデ
イ回転角を検出し電子密度、導電率等を測定し、
同一空間における諸物性値を同時に測定するよう
に構成した。
よるフアラデイ効果を受けにくい短波長域の直線
偏光とフアラデイ効果を受け易すい長波長域の直
線偏光とを共に同一光軸上でプラズマに向けて投
射し、プラズマを透過した光束を分割し、一方の
光束からＳ偏光成分とＰ偏光成分とを各別に受光
してプラズマ温度を検出すると共に、他方の光束
に基いてプラズマが形成する磁界によるフアラデ
イ回転角を検出し電子密度、導電率等を測定し、
同一空間における諸物性値を同時に測定するよう
に構成した。
（実施例）
第１図は本発明によるプラズマ物性測定装置の
一例の構成を示す線図である。本例ではプラズマ
温度を測定するものとする。光限３０を基準電源
３１に接続し、光源３０から所定の光源輝度の光
束を放射する。光源３０から発した光束をコリメ
ータレンズ３２で平行光束とし、偏光子３３を透
過させＳ成分又はＰ成分の直線偏光を取り出す。
本例ではＳ成分の直線偏光を透過させるものと
し、Ｓ成分の直線偏光を集光レンズ３４により集
光してプラズマ３５に投射する。プラズマ３５に
投射された光束は、プラズマ３５中で集束されて
から出射し、スリツト３６を経て集光レンズ３７
で集光されてデイテクター装置３８に入射する。
プラズマ３５から出射しデイスク装置３８に入射
する光束には、光源３０から放射されプラズマ３
５を通過した光束及びこの光束が通過するプラズ
マ３５内のプラズマ輻射場から輻射された光束と
が入射する。プラズマ幅射場は光学的に等方であ
りＳ偏光成分とＰ偏光成分とがそれぞれ等しく放
射するから、デイテクタ装置３８にはＳ偏光成分
として光源３０から発しプラズマ３５を通過した
成分及びプラズマ輻射場から輻射されたＳ偏向成
分とが入射し、Ｐ偏光成分としてプラズマ輻射場
から発したＰ偏光成分だけが入射することにな
る。デイテクタ装置３８に入射した光束はスリツ
ト３９を通り、コリメータレンズ４０により平行
光束とされてからビームスプリツタ４１に入射す
る。本例ではビームスプリツタ４１としてグラム
トムソンプリズムを用い、このグラムトムソンプ
リズムによりＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離す
る。分離したＳ偏光成分はフイルタ４２を透過し
特定波長の成分だけが第１の光検出器４３で受光
され、電気信号に変換され増巾器４４を経て演算
処理装置４５に入力する。一方、Ｐ偏光成分はＳ
偏光成分とは45゜ずれた方向に進みフイルタ４６
を透過し、第２光検出器４７で受光され電気信号
に変換され、増巾器４８を経て演算処理装置４５
に入力する。
一例の構成を示す線図である。本例ではプラズマ
温度を測定するものとする。光限３０を基準電源
３１に接続し、光源３０から所定の光源輝度の光
束を放射する。光源３０から発した光束をコリメ
ータレンズ３２で平行光束とし、偏光子３３を透
過させＳ成分又はＰ成分の直線偏光を取り出す。
本例ではＳ成分の直線偏光を透過させるものと
し、Ｓ成分の直線偏光を集光レンズ３４により集
光してプラズマ３５に投射する。プラズマ３５に
投射された光束は、プラズマ３５中で集束されて
から出射し、スリツト３６を経て集光レンズ３７
で集光されてデイテクター装置３８に入射する。
プラズマ３５から出射しデイスク装置３８に入射
する光束には、光源３０から放射されプラズマ３
５を通過した光束及びこの光束が通過するプラズ
マ３５内のプラズマ輻射場から輻射された光束と
が入射する。プラズマ幅射場は光学的に等方であ
りＳ偏光成分とＰ偏光成分とがそれぞれ等しく放
射するから、デイテクタ装置３８にはＳ偏光成分
として光源３０から発しプラズマ３５を通過した
成分及びプラズマ輻射場から輻射されたＳ偏向成
分とが入射し、Ｐ偏光成分としてプラズマ輻射場
から発したＰ偏光成分だけが入射することにな
る。デイテクタ装置３８に入射した光束はスリツ
ト３９を通り、コリメータレンズ４０により平行
光束とされてからビームスプリツタ４１に入射す
る。本例ではビームスプリツタ４１としてグラム
トムソンプリズムを用い、このグラムトムソンプ
リズムによりＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離す
る。分離したＳ偏光成分はフイルタ４２を透過し
特定波長の成分だけが第１の光検出器４３で受光
され、電気信号に変換され増巾器４４を経て演算
処理装置４５に入力する。一方、Ｐ偏光成分はＳ
偏光成分とは45゜ずれた方向に進みフイルタ４６
を透過し、第２光検出器４７で受光され電気信号
に変換され、増巾器４８を経て演算処理装置４５
に入力する。
次に、解析方法について説明する。
第２図はプラズマ温度を光学的に測定する場合
の原理を示す模式図である。プラズマ輻射場の観
測孔をプラズマより充分小さいとみなし、輻射場
合を一次元的に取り扱う。局所熱平衡を仮定する
と次式が成立する。
の原理を示す模式図である。プラズマ輻射場の観
測孔をプラズマより充分小さいとみなし、輻射場
合を一次元的に取り扱う。局所熱平衡を仮定する
と次式が成立する。
dl1（ｘ）／dx＝εp（λ、Tp）−kp（λ、Tp）Iλ（ｘ
） ……(1) ここで、 Tp：プラズマ温度 εp：プラズマの輻射率 kp：プラズマの吸収係数 プラズマが均質であるとすると、(1)式は光源強
度ｌを用いて次式で表わされる。
） ……(1) ここで、 Tp：プラズマ温度 εp：プラズマの輻射率 kp：プラズマの吸収係数 プラズマが均質であるとすると、(1)式は光源強
度ｌを用いて次式で表わされる。
Iλ（ｌ）＝Iλ（ｏ）e-k〓l＋εp（λ）／kp（λ）
｛ｌ−e-k〓l｝ ………(2)
ここで、k〓：光学系の吸収による補正係数キルヒ
ホツホの法則より εp（λ）／kp（λ）＝Bλ（Te）……(3
) ここで、 Te：プラズマの電子温度 Bλ：プラズマの発光強度 光源の輝度温度をTLとし、輝度温度を較正し
た光源を用いると、入射光Iλ（Ｏ）は次式で表わ
される。
ホツホの法則より εp（λ）／kp（λ）＝Bλ（Te）……(3
) ここで、 Te：プラズマの電子温度 Bλ：プラズマの発光強度 光源の輝度温度をTLとし、輝度温度を較正し
た光源を用いると、入射光Iλ（Ｏ）は次式で表わ
される。
Iλ（Ｏ）＝Bλ（TL） ……(4)
測定しようとする波長領域を可視光領域に選択
すればウイーン近似が適用でき、次式が成立す
る。
すればウイーン近似が適用でき、次式が成立す
る。
Ｂ（Ｔ）＝C1λ-5・ｅ−C2／λT ……(5)
C1：1.191×10-5erg・cm2／sec
C2：1.438cm・Ｋ
従つて、(2)式は光源の輝度温度TL、プラズマ
の電子温度Te、光源強度ｌを用いて次式で表わ
すことができる。
の電子温度Te、光源強度ｌを用いて次式で表わ
すことができる。
Iλ（ｌ）＝Ｂ（TL）・e-k〓l＋Bλ（Te）
｛１−e-k〓l｝ ……(6)
本発明では自然光を発する光源３０から偏光子
３３によりＳ偏光成分だけをプラズマ３５に投射
する構成としているから、光源３０から発しプラ
ズマ３５に入射するＳ偏光成分の入射光強度′LS
は次式で表わされる。
３３によりＳ偏光成分だけをプラズマ３５に投射
する構成としているから、光源３０から発しプラ
ズマ３５に入射するＳ偏光成分の入射光強度′LS
は次式で表わされる。
φ′LS＝ξ・η・φL
＝ξ・η・K1・Bλ（TL） ……(7)
φL：光源から発した光束の強度
η：偏光子による変換効率
ξ：偏光子の直線偏光の透過係数
K1：光源からプラズマまでの光学補正係数
そして、この光束がプラズマ３５を通過し光検
出器４３で受光されるときの光強度φLSは次式で
表わされる。
出器４３で受光されるときの光強度φLSは次式で
表わされる。
φLS＝ξ2・η・K1・K2・Bλ（TL）・e-k〓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 物性測定されるべきプラズマに向けて直線偏
光した光を投射する光源装置と、プラズマから出
射した光束をＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離す
る手段と、これらＳ偏光成分及びＰ偏光成分の光
をそれぞれ検出する手段と、これらＳ偏光成分検
出手段及びＰ偏光成分検出手段からの出力信号を
演算処理する処理回路とを具え、前記処理回路
が、Teをプラズマ電子温度、C1を定数、λを波
長、TLを前記光源装置の輝度温度、C2を補正係
数、φPをＰ偏光成分検出手段からの出力、φSを
Ｓ偏光成分検出手段からの出力、及びφを前記プ
ラズマへの入射光強度とした場合に、式 Te＝｛１−λTL／C1ln〔C2・φP／φ−φS＋φP〕
｝-1 に基いてプラズマ電子温度を決定することを特徴
とするプラズマ物性測定装置。 ２ 前記Ｓ偏光成分検出手段とＰ偏光成分検出手
段とを演算処理装置に接続し、時間的に連続して
プラズマ電子温度を測定するように構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズ
マ物性測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029407A JPS61189440A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | プラズマ物性測定装置 |
| US06/815,071 US4707147A (en) | 1985-02-19 | 1985-12-30 | Device for measuring plasma properties |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029407A JPS61189440A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | プラズマ物性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189440A JPS61189440A (ja) | 1986-08-23 |
| JPH0481132B2 true JPH0481132B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=12275277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029407A Granted JPS61189440A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | プラズマ物性測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707147A (ja) |
| JP (1) | JPS61189440A (ja) |
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| US5788374A (en) * | 1996-06-12 | 1998-08-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Method and apparatus for measuring the temperature of a liquid medium |
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| US4020695A (en) * | 1975-09-18 | 1977-05-03 | Jones & Laughlin Steel Corporation | Method and apparatus for measurement of surface temperature |
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-
1985
- 1985-02-19 JP JP60029407A patent/JPS61189440A/ja active Granted
- 1985-12-30 US US06/815,071 patent/US4707147A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4707147A (en) | 1987-11-17 |
| JPS61189440A (ja) | 1986-08-23 |
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