JPS59669A - 光フアイバ磁界センサ - Google Patents
光フアイバ磁界センサInfo
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- JPS59669A JPS59669A JP10913982A JP10913982A JPS59669A JP S59669 A JPS59669 A JP S59669A JP 10913982 A JP10913982 A JP 10913982A JP 10913982 A JP10913982 A JP 10913982A JP S59669 A JPS59669 A JP S59669A
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- JP
- Japan
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- light
- magnetic field
- optical fiber
- wavelengths
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁界の変化に応じて偏光面が回転を行う磁気光
学効果を利用した高電圧領域における電流計測などに応
用される光フアイバ磁界センサの改良に関するものであ
る。
学効果を利用した高電圧領域における電流計測などに応
用される光フアイバ磁界センサの改良に関するものであ
る。
光源から発した光を偏光子手段によシ一定の偏光状態と
した後これを鉛ガラス等の磁気光学効果素子の1つであ
るいわゆるファラデー効果素子の内部を透過させると9
周囲の磁界に対応した偏光の変調をうけるため、その光
を検光子手段を通過させると、この偏光の変化に応じた
光電力の変化がある。これを更にフォトダイオ−ド等の
光検出手段で電気信号に変換することにより、逆に磁界
を求められるという計測法は広く知られている。光フア
イバ磁界センサはこの計測法を電気的絶縁性の高い光フ
ァイバと組合わせて構成したもので、数十万ないし百方
ボルトの超高圧の電力設備の計測が可能であるため古く
から研究が行われ成る程度実用化されている。
した後これを鉛ガラス等の磁気光学効果素子の1つであ
るいわゆるファラデー効果素子の内部を透過させると9
周囲の磁界に対応した偏光の変調をうけるため、その光
を検光子手段を通過させると、この偏光の変化に応じた
光電力の変化がある。これを更にフォトダイオ−ド等の
光検出手段で電気信号に変換することにより、逆に磁界
を求められるという計測法は広く知られている。光フア
イバ磁界センサはこの計測法を電気的絶縁性の高い光フ
ァイバと組合わせて構成したもので、数十万ないし百方
ボルトの超高圧の電力設備の計測が可能であるため古く
から研究が行われ成る程度実用化されている。
しかし乍ら上記のような光ファイバ磁界センサにおいて
は、出力信号が検光子手段の出力光電力であるため、各
構成要素間における光結合損失や光フアイバ内の光伝送
損失などが温度変動や光ファイバの屈曲その他により変
化すると直ちに測定誤差となり、正確な結果が得られず
長期的な測定信頼性に乏しいという欠点があった。
は、出力信号が検光子手段の出力光電力であるため、各
構成要素間における光結合損失や光フアイバ内の光伝送
損失などが温度変動や光ファイバの屈曲その他により変
化すると直ちに測定誤差となり、正確な結果が得られず
長期的な測定信頼性に乏しいという欠点があった。
したがって本発明の目的は光フアイバ磁界センサにおけ
る上記の測定誤差を可及的に小さくした信頼性の高い光
フアイバ磁界センサを得ようとするものである。
る上記の測定誤差を可及的に小さくした信頼性の高い光
フアイバ磁界センサを得ようとするものである。
本発明は前述の偏光の変調が伝波光波長により異ること
に着目し、同一の光路内に互いに波長の異る複数の光を
伝搬させ、これらの光が磁界Hにより受ける影響の差異
を演算処理することにより磁界を求めようとするもので
ある。
に着目し、同一の光路内に互いに波長の異る複数の光を
伝搬させ、これらの光が磁界Hにより受ける影響の差異
を演算処理することにより磁界を求めようとするもので
ある。
すなわち本発明によれば、複数の波長で極大出力点を持
つ偏光を出力する光送出手段と、外股と、光フアイバ手
段と、この光フアイバ手段からの光を波長毎に検出する
光検出手段と、この光検出手段の出力電気信号を演算処
理して前記磁界を求める演算手段とを順次配設して成る
光−yアイバ磁界センサが得られる。また前記の光送出
手段から光検出手段までのほかに、前記光送出手段の出
力光またはその内部における光の一部を分岐する光分岐
手段と9分岐された一部の光を検出するモニタ光検出手
段と、このモニタ光検出手段の検出した出力電気信号と
前記光検出手段の出力電気信号を用いて演算処理して前
記磁界を求める演算手段とを有する光ファ、イバ磁界セ
ンサが得られる。
つ偏光を出力する光送出手段と、外股と、光フアイバ手
段と、この光フアイバ手段からの光を波長毎に検出する
光検出手段と、この光検出手段の出力電気信号を演算処
理して前記磁界を求める演算手段とを順次配設して成る
光−yアイバ磁界センサが得られる。また前記の光送出
手段から光検出手段までのほかに、前記光送出手段の出
力光またはその内部における光の一部を分岐する光分岐
手段と9分岐された一部の光を検出するモニタ光検出手
段と、このモニタ光検出手段の検出した出力電気信号と
前記光検出手段の出力電気信号を用いて演算処理して前
記磁界を求める演算手段とを有する光ファ、イバ磁界セ
ンサが得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第1図は従来の光フアイバ磁界センサの41署造構成全
示した図である。第1図において。
示した図である。第1図において。
レーザダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)
等の光源1から発した光を光ファイバ2および偏光子3
を介して鉛ガラス等の磁気光学効果手段4に導き、その
出力光を検光子手段5および光ファイバ6を介し、光検
出手段7により電気信号に変換出力する。いま磁気光学
効果手段4の長さ2tとし、これが光線と平行な磁界成
分Hi有する磁界内に置かれているとすると、偏光子3
によシ直線偏光とされた光はいわゆるファラデー効果に
より α=VHt ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・(1)で表される角度αだけの偏
光面回転をうける。
等の光源1から発した光を光ファイバ2および偏光子3
を介して鉛ガラス等の磁気光学効果手段4に導き、その
出力光を検光子手段5および光ファイバ6を介し、光検
出手段7により電気信号に変換出力する。いま磁気光学
効果手段4の長さ2tとし、これが光線と平行な磁界成
分Hi有する磁界内に置かれているとすると、偏光子3
によシ直線偏光とされた光はいわゆるファラデー効果に
より α=VHt ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・(1)で表される角度αだけの偏
光面回転をうける。
ここで■はベルデ定数と呼ばれるもので、材料により異
なる磁気光学効果の影響の強さを表わす定数である。(
1)式から分るように、磁界Hの変化に対するαの関係
は直線の関係となる。この回転の結果検光子手段5の出
力光レベルP。
なる磁気光学効果の影響の強さを表わす定数である。(
1)式から分るように、磁界Hの変化に対するαの関係
は直線の関係となる。この回転の結果検光子手段5の出
力光レベルP。
は、磁気光学効果手段4への入力すなわち偏光子手段3
の出力光の偏波面方向と、検光子手段5の偏光方向との
設定により、磁界Hの変化に対し特異な関係を示す。
の出力光の偏波面方向と、検光子手段5の偏光方向との
設定により、磁界Hの変化に対し特異な関係を示す。
第2図は上に説明した偏光回転角αと出力光レベルP。
の磁界Hに対する関係すなわち磁界センサの磁気光学効
果音あられした図である。これらの関係を用いて超高圧
の電流Iが生起する磁界Hの中にこのセンサを配置すれ
ば、出力光レベルP。を測定することにより磁界H従っ
て電流■を測定することが可能である。この構成では通
常絶縁のために光ファイバ2および6が用いられる。こ
こで偏光子手段3ば、もし光源1がLDやHe−Neレ
ーザ等で既に十分な偏光特性を有しておシその偏光が例
えばファイバ2を用いないで直接磁気光学効果素子4に
導入可能である場合、或いは特殊な偏光保存ファイバ等
の利用により十分に偏光が維持されている場合にに無く
て済むものであるが9通常は必要となるものである。
果音あられした図である。これらの関係を用いて超高圧
の電流Iが生起する磁界Hの中にこのセンサを配置すれ
ば、出力光レベルP。を測定することにより磁界H従っ
て電流■を測定することが可能である。この構成では通
常絶縁のために光ファイバ2および6が用いられる。こ
こで偏光子手段3ば、もし光源1がLDやHe−Neレ
ーザ等で既に十分な偏光特性を有しておシその偏光が例
えばファイバ2を用いないで直接磁気光学効果素子4に
導入可能である場合、或いは特殊な偏光保存ファイバ等
の利用により十分に偏光が維持されている場合にに無く
て済むものであるが9通常は必要となるものである。
さて、上記のような構成の光フアイバ磁界センサにおい
ては、出力信号が出力光レベルそのものであるため、先
に簡単に説明したように。
ては、出力信号が出力光レベルそのものであるため、先
に簡単に説明したように。
例えば光ファイバ6が屈曲や温度変化をうけて伝搬損失
に変化がでたり各手段の間での結合損失が変動したりす
ると、それはただちに測定誤差となる欠点があったので
ある。
に変化がでたり各手段の間での結合損失が変動したりす
ると、それはただちに測定誤差となる欠点があったので
ある。
第5図は本発明の詳細な説明する図である。
第6図において、簡単のために入射側でのλ1゜λ2の
2つの波長の光のレベルが同図(A)の様に共にP。で
あるとすると、出射側では通常短波長側(λ1)の方が
ベルデ定数が犬なため、λ1側の方が磁界の影響をうけ
易く同図(B)の様な結果を得る。いま波長λ1.λ2
に対するベルデ定数k v+ +V2とし、さらに P= f(d)−Po= f (VH4)・P。
2つの波長の光のレベルが同図(A)の様に共にP。で
あるとすると、出射側では通常短波長側(λ1)の方が
ベルデ定数が犬なため、λ1側の方が磁界の影響をうけ
易く同図(B)の様な結果を得る。いま波長λ1.λ2
に対するベルデ定数k v+ +V2とし、さらに P= f(d)−Po= f (VH4)・P。
の関係があるとすれば、 V、t=に、、 V2t=に
2として。
2として。
P、−f(αx)”Po”=f(V+H4)’Po=f
(K+・H)・P。
(K+・H)・P。
P2=f(α2)・Po=f(V2)(t)・Po=f
(K2H)・P。
(K2H)・P。
から9両出力の比Y三P、/P2Fi
Y = f (K、 H)/ f (K2H) ・
・・・・・・・・・・・・・・(2)であられされる。
・・・・・・・・・・・・・・(2)であられされる。
通常f(ハ))は正弦又は余弦関数であるので、成る測
定範囲では、(2)式のYの値はHに対し1価の非線形
関数となシ、YとHに1対1の関係をとることができ、
従って両川力の比Yi測測定ることにより磁界Hを求め
ることができる。而もこの場合ファイバ系およびその結
合部の損失変動に起因する誤差は除去できるので、従来
より精度よく磁界Hi求めることが可能である。
定範囲では、(2)式のYの値はHに対し1価の非線形
関数となシ、YとHに1対1の関係をとることができ、
従って両川力の比Yi測測定ることにより磁界Hを求め
ることができる。而もこの場合ファイバ系およびその結
合部の損失変動に起因する誤差は除去できるので、従来
より精度よく磁界Hi求めることが可能である。
第4図は本発明の一実施例の構成を示した図である。は
じめに概要について説明すると、11はλ1.λ2の2
波長にピークを有する光源手段。
じめに概要について説明すると、11はλ1.λ2の2
波長にピークを有する光源手段。
12〜16は第1図の従来例と同様に光ファイバ。
偏光子手段、磁気光学効果手段、検光子手段および光フ
アイバ手段をそれぞれあられしている。
アイバ手段をそれぞれあられしている。
この系において、光源11から発した光λ1.λ2はそ
れぞれレベル変化をうけて光電力p1.p2として光検
出手段17に入射する。光検出手段17はλ1.λ2の
2つの波長を分波してそれぞれのレベルを独立に検出し
、その結果をアナログまたはマイクロコンピュータなど
のデジタル演算手段18で演算処理することにより磁界
Hを求めることができる。
れぞれレベル変化をうけて光電力p1.p2として光検
出手段17に入射する。光検出手段17はλ1.λ2の
2つの波長を分波してそれぞれのレベルを独立に検出し
、その結果をアナログまたはマイクロコンピュータなど
のデジタル演算手段18で演算処理することにより磁界
Hを求めることができる。
次に部分的に説明すると、光源手段11は波長λ0.λ
2をそれぞれ発するLED、LD等の光源21a。
2をそれぞれ発するLED、LD等の光源21a。
21b’i光結合器22により結合し光ファイバ12に
結合するようになっている。
結合するようになっている。
第5図は光源手段11の他の例を示した図であって、
LEDあるいは白色光等ある程度広い波長域をもつ光源
26の出力を二つのピーク透過波長λ1.λ2をもつフ
ィルタ24ヲ介して光ファイバ12に結合するものであ
る。以上2つの例は現状では実用的である。将来的には
発光波長の異なるLED又はLD會並列または直列に配
置する方法も可能であろう。
LEDあるいは白色光等ある程度広い波長域をもつ光源
26の出力を二つのピーク透過波長λ1.λ2をもつフ
ィルタ24ヲ介して光ファイバ12に結合するものであ
る。以上2つの例は現状では実用的である。将来的には
発光波長の異なるLED又はLD會並列または直列に配
置する方法も可能であろう。
ここで第4図に戻って、光検出手段17は光ファイバ1
6の出力端に結合された波長λ1.λ2に対する波長分
波器手段31と2つの光検出手段32a、 32bを用
いてレベルP+−P2に検出するようになっている。そ
してこの光検出手段の出力はアナログまたはマイクロコ
ンピュータ等のデジタル演算手段18により演算処理さ
れ、磁界Hが求められる。
6の出力端に結合された波長λ1.λ2に対する波長分
波器手段31と2つの光検出手段32a、 32bを用
いてレベルP+−P2に検出するようになっている。そ
してこの光検出手段の出力はアナログまたはマイクロコ
ンピュータ等のデジタル演算手段18により演算処理さ
れ、磁界Hが求められる。
第6図は光検出手段17の他の例を示した図であって、
光フアイバ分岐64の出力をそれぞれ波長λ1.λ2に
対応する帯域フィルタ35a、 35b全介して光検出
手段36a、 56bにそれぞれ結合するようになって
いる。
光フアイバ分岐64の出力をそれぞれ波長λ1.λ2に
対応する帯域フィルタ35a、 35b全介して光検出
手段36a、 56bにそれぞれ結合するようになって
いる。
ここで再度第4図に戻って、この第4図の装置には偏光
子16が設けられているが、もし光源11がLDのよう
な一定の偏光特性を有し且つ光ファイノS12が偏光保
全性光ファイバであって磁気光学効果素子に送られる光
が偏光であるときは、偏光子16はなくてもよいもので
ある。
子16が設けられているが、もし光源11がLDのよう
な一定の偏光特性を有し且つ光ファイノS12が偏光保
全性光ファイバであって磁気光学効果素子に送られる光
が偏光であるときは、偏光子16はなくてもよいもので
ある。
第7図は本発明の他の実施例の構成を示す図である。こ
の装置は特に測定精度の向上を達成するためのものであ
る。すなわち、前記の第4図の実施例では2つの波長の
光の磁気光学効果手段14への入射レベルを共にP。と
じで同一としていたが、これは実質的に調整ががなり困
難であり、さらに光ファイバ12についても光ファイバ
16と同様温度変化で伝搬特性の変動をうける。この場
合単に光信号レベルの変化については2つの波長がある
程度近似していればその影響は相殺的に働くため問題は
少いといえるが。
の装置は特に測定精度の向上を達成するためのものであ
る。すなわち、前記の第4図の実施例では2つの波長の
光の磁気光学効果手段14への入射レベルを共にP。と
じで同一としていたが、これは実質的に調整ががなり困
難であり、さらに光ファイバ12についても光ファイバ
16と同様温度変化で伝搬特性の変動をうける。この場
合単に光信号レベルの変化については2つの波長がある
程度近似していればその影響は相殺的に働くため問題は
少いといえるが。
光ファイバ12における偏波面の回転等の影響は測定結
果に直接影響する。従ってこの第7図の実施例ではこう
した問題を排除するために。
果に直接影響する。従ってこの第7図の実施例ではこう
した問題を排除するために。
磁気光学効果手段4の入力側にて入射光を分岐41で分
岐し、そのレベルをモニタするモニタ光検出手段42を
取付け、このデータを演算手段43に入力し、ここで光
検出手段17の出力をモニタ検出手段42の出方で割っ
てこれを正規化し、この正規化した値から磁界Hを求め
るようにしたものである。ここでモニタ光検出手段42
としては光検出手段17と同様の構成にょる2波長λ1
.λ2を独立に検出できるものが望ましいが、要求され
る測定精度によってはλ1.λ2のいずれか一波長かあ
るいはその和のレベルを検出して用いることも可能であ
る。
岐し、そのレベルをモニタするモニタ光検出手段42を
取付け、このデータを演算手段43に入力し、ここで光
検出手段17の出力をモニタ検出手段42の出方で割っ
てこれを正規化し、この正規化した値から磁界Hを求め
るようにしたものである。ここでモニタ光検出手段42
としては光検出手段17と同様の構成にょる2波長λ1
.λ2を独立に検出できるものが望ましいが、要求され
る測定精度によってはλ1.λ2のいずれか一波長かあ
るいはその和のレベルを検出して用いることも可能であ
る。
第8図は本発明の更に他の実施例の構成を示した図であ
る。この種の装置全超高圧の電力設備の計測に用いると
きは、偏光子13.磁気光学効果素子14.および検光
子15は一体化して高圧部分に設置する。従って光ファ
イバ12によって生じる偏光特性の劣化全承知の上で1
分岐51を磁気光学効果手段14の入射側ではなく、光
源52の出力側に配置し、この分岐51ニモニタ光検出
手段52ヲ配置したものである。この構成は勿論測定精
度は光ファイバ12の分だけ低下するが、先に述べたよ
うに光源11自体LDのように一定の偏光特性を有し光
ファイバ12が偏光保存性を有する場合には、測定精度
の低下は僅かで済むのでこの構成は有効である。しかも
この場合は偏光子13は設けなくてもよい。
る。この種の装置全超高圧の電力設備の計測に用いると
きは、偏光子13.磁気光学効果素子14.および検光
子15は一体化して高圧部分に設置する。従って光ファ
イバ12によって生じる偏光特性の劣化全承知の上で1
分岐51を磁気光学効果手段14の入射側ではなく、光
源52の出力側に配置し、この分岐51ニモニタ光検出
手段52ヲ配置したものである。この構成は勿論測定精
度は光ファイバ12の分だけ低下するが、先に述べたよ
うに光源11自体LDのように一定の偏光特性を有し光
ファイバ12が偏光保存性を有する場合には、測定精度
の低下は僅かで済むのでこの構成は有効である。しかも
この場合は偏光子13は設けなくてもよい。
第9図は本発明の別の実施例の構成′をあられゆ図であ
る。第9図の装置において、検光子手段61の直交する
2つの出力光を例えばV偏波光とH偏波光に分け、それ
ぞれ別の光フアイバ手段62aおよび62bで2組の光
検出手段63a。
る。第9図の装置において、検光子手段61の直交する
2つの出力光を例えばV偏波光とH偏波光に分け、それ
ぞれ別の光フアイバ手段62aおよび62bで2組の光
検出手段63a。
63bへ伝送し、λ1.λ2のそれぞれのV偏波、H偏
波成分のデータを得て演算手段64にて処理し、磁界H
が求められる。
波成分のデータを得て演算手段64にて処理し、磁界H
が求められる。
以上の説明では説明の都合上波長はλ8.λ2の2つと
したが実用に適した範囲で波長数を増大し、演算入力デ
ータを増加させることは測定精度の向上に有益であり本
発明の主旨に沿うものである。そして本発明において重
要な要素である関数f (a)の形式は、偏光子特性、
検光子特性。
したが実用に適した範囲で波長数を増大し、演算入力デ
ータを増加させることは測定精度の向上に有益であり本
発明の主旨に沿うものである。そして本発明において重
要な要素である関数f (a)の形式は、偏光子特性、
検光子特性。
および必要により挿入される位相板などによる互いの偏
光条件の関係から定まるため、測定範囲によっては5波
長又はそれ以上の波長による相関関係から求めざるを得
ない場合もある。また第4図についての説明で述べたよ
うに、偏光子は必ずしも必要としないものである。
光条件の関係から定まるため、測定範囲によっては5波
長又はそれ以上の波長による相関関係から求めざるを得
ない場合もある。また第4図についての説明で述べたよ
うに、偏光子は必ずしも必要としないものである。
なお1本発明の説明に直接関係のないレンズや光学位相
板等については記述を省略した。また1以上の説明では
磁気光学効果手段として鉛ガラスブロックを例として示
したが、これはその他の材料のものおよび光ファイバの
如く上記の例とは異った構造・形態のものであっても本
質的に本発明に含まれるものであることはいうまでもな
い。
板等については記述を省略した。また1以上の説明では
磁気光学効果手段として鉛ガラスブロックを例として示
したが、これはその他の材料のものおよび光ファイバの
如く上記の例とは異った構造・形態のものであっても本
質的に本発明に含まれるものであることはいうまでもな
い。
第1図は従来の光フアイバ磁界センサの拳曜−構成の一
例を示す図、第2図は上記の磁界1センサにおける磁気
光学効果を説明する図、第6図は本発明の詳細な説明す
る図、第4図は本発明の一実施例の構成を示す図、第5
図は本発明に適した光源手段の構成の一例を説明する図
。 第6図は本発明に適した光検出手段の構成の一例を説明
する図、第7図は本発明の他の実施例の構成を示す図、
第8図は本発明の更に他の実施例の構成を示す図、第9
図は本発明の別の実施例の構成を示す図である。 記号の説明:11ハ光源手段、12は光ファイバ、16
は偏光子、14は磁気光学効果素子。 15は検光子、16は光ファイバ、17は光検出手段、
18は演算手段、 21a、 21b tr:i光源、
22は光結合器、311i波長分波器、 32a、 3
2bは光検出器、64は分岐、 35a、 35bは帯
域フィルタ、 36a、 36bは光検出器、42はモ
ニタ光検出器、46は演算回路をそれぞれあられしてい
る。 第1図 第2図 序3図
例を示す図、第2図は上記の磁界1センサにおける磁気
光学効果を説明する図、第6図は本発明の詳細な説明す
る図、第4図は本発明の一実施例の構成を示す図、第5
図は本発明に適した光源手段の構成の一例を説明する図
。 第6図は本発明に適した光検出手段の構成の一例を説明
する図、第7図は本発明の他の実施例の構成を示す図、
第8図は本発明の更に他の実施例の構成を示す図、第9
図は本発明の別の実施例の構成を示す図である。 記号の説明:11ハ光源手段、12は光ファイバ、16
は偏光子、14は磁気光学効果素子。 15は検光子、16は光ファイバ、17は光検出手段、
18は演算手段、 21a、 21b tr:i光源、
22は光結合器、311i波長分波器、 32a、 3
2bは光検出器、64は分岐、 35a、 35bは帯
域フィルタ、 36a、 36bは光検出器、42はモ
ニタ光検出器、46は演算回路をそれぞれあられしてい
る。 第1図 第2図 序3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の波長で極太出力点を持つ偏光を出力する光送
出手段と、外部磁界の変化に対応してその内部を通過す
る偏光に変化を与える磁気光学効果手段と、検光子手段
と、光フアイバ手段と。 この光フアイバ手段からの光を波長毎に検出する光検出
手段と、この光検出手段の出力電気信号を演算処理して
前記磁界を求める演算手段とを順次配設して成る光フア
イバ磁界センサ。 2、複数の波長で極大出力点を持つ偏光を出力する光送
出手段と、外部磁界の変化に対応してその内部を通過す
る前記出力された偏光に変化を与える磁気光学効果手段
と、検光子手段と、光フアイバ手段と、この光ファイバ
からの光を波長毎に検出する光検出手段と、前記光送出
手段の出力光またはその内部における光の一部を分岐す
る光分岐手段と2分岐された一部の光を検出するモニタ
光検出手段と、このモニタ光検出手段の検出した出力電
気信号と前記光検出手段の出力電気信号を用いて演算処
理して前記磁界を求める演算手段とを有する光フアイバ
磁界センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10913982A JPS59669A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10913982A JPS59669A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59669A true JPS59669A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14502580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10913982A Pending JPS59669A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59669A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60213875A (ja) * | 1984-04-07 | 1985-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光応用磁界センサ |
JPS6126875A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Toshiba Corp | 磁界測定装置 |
US4675834A (en) * | 1983-05-11 | 1987-06-23 | Kabushiki Kaisha Kosumo Keiki | Pressure variation detecting type leakage inspection system with temperature compensation |
JPH04127076A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 光磁界センサ |
EP0619496A2 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-12 | Lucas Industries Public Limited Company | Magnetic field sensor |
-
1982
- 1982-06-26 JP JP10913982A patent/JPS59669A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4675834A (en) * | 1983-05-11 | 1987-06-23 | Kabushiki Kaisha Kosumo Keiki | Pressure variation detecting type leakage inspection system with temperature compensation |
JPS60213875A (ja) * | 1984-04-07 | 1985-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光応用磁界センサ |
JPS6126875A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Toshiba Corp | 磁界測定装置 |
JPH04127076A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 光磁界センサ |
EP0619496A2 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-12 | Lucas Industries Public Limited Company | Magnetic field sensor |
EP0619496A3 (en) * | 1993-03-26 | 1995-04-05 | Lucas Ind Plc | Magnetic field sensor. |
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