JPH03173117A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents
荷電ビーム描画方法Info
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- JPH03173117A JPH03173117A JP1311391A JP31139189A JPH03173117A JP H03173117 A JPH03173117 A JP H03173117A JP 1311391 A JP1311391 A JP 1311391A JP 31139189 A JP31139189 A JP 31139189A JP H03173117 A JPH03173117 A JP H03173117A
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- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを
用いて半導体ウェハ若しくはマスク基板等に微細パター
ンを形成する技術に係わり、特に可変線状ビームをラス
ク走査してパターンを描画する荷電ビーム描画方法に関
する。
用いて半導体ウェハ若しくはマスク基板等に微細パター
ンを形成する技術に係わり、特に可変線状ビームをラス
ク走査してパターンを描画する荷電ビーム描画方法に関
する。
（従来の技術）
従来、ＬＳＩを製造する場合、微細な回路パターンを複
数層に形成する必要があり、且つ各層毎の高精度な位置
合わせが必要となる。実際４ＭビットのＤＲＡＭ以上の
超ＬＳＩでは、１μｍ以下の微細加工と共に、Ｑ、１μ
ｍ以下の位置合わせ精度が要求されている。このような
サブミクロンの微細加工及び位置合わせには、従来の光
露光法では限界があり、最近では電子ビーム描画方法が
用いられている。
数層に形成する必要があり、且つ各層毎の高精度な位置
合わせが必要となる。実際４ＭビットのＤＲＡＭ以上の
超ＬＳＩでは、１μｍ以下の微細加工と共に、Ｑ、１μ
ｍ以下の位置合わせ精度が要求されている。このような
サブミクロンの微細加工及び位置合わせには、従来の光
露光法では限界があり、最近では電子ビーム描画方法が
用いられている。
電子ビーム描画方法では、−括露光ではなく直接描画で
あることから、描画スルーブツト小さい。このため、こ
れを改善するため様々な可変成形ビーム方式の電子ビー
ム描画装置が開発されている。その一つに、可変線状ビ
ームラスフ走査方式の装置がある。この装置では、第１
ノアバーチヤを通した電子ビームを第２のアパーチャ上
に投影し、２つのアパーチャ像の重なり合った開口部を
経た矩形ビーム（線状ビーム）を形成すると共に、この
矩形ビームの長辺の長さを可変にし、該ビームを長辺方
向と直交する方向にラスク走査して所望パターンを描画
する方法を採用している。
あることから、描画スルーブツト小さい。このため、こ
れを改善するため様々な可変成形ビーム方式の電子ビー
ム描画装置が開発されている。その一つに、可変線状ビ
ームラスフ走査方式の装置がある。この装置では、第１
ノアバーチヤを通した電子ビームを第２のアパーチャ上
に投影し、２つのアパーチャ像の重なり合った開口部を
経た矩形ビーム（線状ビーム）を形成すると共に、この
矩形ビームの長辺の長さを可変にし、該ビームを長辺方
向と直交する方向にラスク走査して所望パターンを描画
する方法を採用している。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、２つのアパーチャ像の光学均相なりか
らなる矩形ビームの長辺の長さを、１回のビーム走査で
描画すべき領域のビーム走査方向と直交する方向の長さ
（描画幅）に合わせて描画するが、その際にレジスト材
料が異なることによってパターン形成状況に差が生じる
。具体的には、ポジ型レジストを用いた場合、抜きパタ
ーンのつなぎ部が細り、ビームのつなぎ部で“離れ°に
よるラフネスが生じる。
があった。即ち、２つのアパーチャ像の光学均相なりか
らなる矩形ビームの長辺の長さを、１回のビーム走査で
描画すべき領域のビーム走査方向と直交する方向の長さ
（描画幅）に合わせて描画するが、その際にレジスト材
料が異なることによってパターン形成状況に差が生じる
。具体的には、ポジ型レジストを用いた場合、抜きパタ
ーンのつなぎ部が細り、ビームのつなぎ部で“離れ°に
よるラフネスが生じる。
一方、ネガ型レジストを用いた場合、残しパターンのつ
なぎ部が太り、ビームのつなぎ部で“重なり′によるラ
フネスが生じる。これらの誤差は、ビーム長及び描画幅
を１．６μｍとしたとき０．１５μｍもあり、設計寸法
０．５μｍに対して許容できる範囲ではなかった。
なぎ部が太り、ビームのつなぎ部で“重なり′によるラ
フネスが生じる。これらの誤差は、ビーム長及び描画幅
を１．６μｍとしたとき０．１５μｍもあり、設計寸法
０．５μｍに対して許容できる範囲ではなかった。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来、可変線状ビームをラスク走査シて所望
パターンを描画すると、レジスト材料によりビームのつ
なぎ部で“重なり“或いは“離れ“が生じ、ビームつな
ぎ部のレジストパターンが太る。このため、所望のパタ
ーン寸法に対して仕上り寸法ｚ１差が大きくなり、高粘
度のパターン形成が困難になる問題があった。また、こ
の問題は電子ビーム描画方法に限らず、イオンビーム描
画方法についても同様に言えることである。
パターンを描画すると、レジスト材料によりビームのつ
なぎ部で“重なり“或いは“離れ“が生じ、ビームつな
ぎ部のレジストパターンが太る。このため、所望のパタ
ーン寸法に対して仕上り寸法ｚ１差が大きくなり、高粘
度のパターン形成が困難になる問題があった。また、こ
の問題は電子ビーム描画方法に限らず、イオンビーム描
画方法についても同様に言えることである。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、ビームのつなぎ部における“重なり
”や“離れ°による寸法誤差が発生するのを防止するこ
とができ、高精度のパターン形成を行い得る荷電ビーム
描画方法を提供することにある。
的とするところは、ビームのつなぎ部における“重なり
”や“離れ°による寸法誤差が発生するのを防止するこ
とができ、高精度のパターン形成を行い得る荷電ビーム
描画方法を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、レジスト材料に応じて線状ビームの長
さを設計寸法よりも長（又は短くすることにある。
さを設計寸法よりも長（又は短くすることにある。
即ち本発明は、２つのアパーチャの光学均相なりからな
る長さ可変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交
する方向に走査して、ポジ型レジストに所望パターンを
描画する荷電ビーム描画方法において、前記線状ビーム
の長さを、１回のビーム走査で描画すべき領域のビーム
走査方向と直交する方向の長さよりも長く設定するよう
にした方法である。
る長さ可変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交
する方向に走査して、ポジ型レジストに所望パターンを
描画する荷電ビーム描画方法において、前記線状ビーム
の長さを、１回のビーム走査で描画すべき領域のビーム
走査方向と直交する方向の長さよりも長く設定するよう
にした方法である。
また本発明は、２つのアパーチャの光学均相なりからな
る長さ可変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交
する方向に走査して、ネガ型レジストに所望パターンを
描画する荷電ビーム描画方法において、前記線状ビーム
の長さを、１回のビーム走査で描画すべき領域のビーム
走査方向と直交する方向の長さよりも短く設定するよう
にした方法である。
る長さ可変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交
する方向に走査して、ネガ型レジストに所望パターンを
描画する荷電ビーム描画方法において、前記線状ビーム
の長さを、１回のビーム走査で描画すべき領域のビーム
走査方向と直交する方向の長さよりも短く設定するよう
にした方法である。
（作用）
本発明によれば、レジスト材料が異なった場合、即ちポ
ジ型レジスト或いはネガ型レジストであってもビームの
つなぎ部で“重なり”や“離れ°等が生じることはなく
、所望パターンに忠実なパターンを形成することが可能
となり、パターン寸法精度を向上させることができる。
ジ型レジスト或いはネガ型レジストであってもビームの
つなぎ部で“重なり”や“離れ°等が生じることはなく
、所望パターンに忠実なパターンを形成することが可能
となり、パターン寸法精度を向上させることができる。
ここで、線状ビームの長さを設計寸法、即ち１回のビー
ム走査で描画すべき描画幅と等しくした場合、ビームの
つなぎ部で“重なり”や“離れ”が生じるのは、次のよ
うな理由によると考えられる。即ち、ポジ型レジストを
用いた場合にビームのつなぎ部で“離れ”が生じるのは
、線状ビームの端のビーム強度が中央部よりも弱いため
、ビームのつなぎ部でレジストの露光量が少なく （ア
ンダー露光に）なるためと考えられる。また、ネガ型レ
ジストを用いた場合にビームのつなぎ部で“重なり２が
生じるのは、レジストが現像時に膨潤するためと考えら
れる。
ム走査で描画すべき描画幅と等しくした場合、ビームの
つなぎ部で“重なり”や“離れ”が生じるのは、次のよ
うな理由によると考えられる。即ち、ポジ型レジストを
用いた場合にビームのつなぎ部で“離れ”が生じるのは
、線状ビームの端のビーム強度が中央部よりも弱いため
、ビームのつなぎ部でレジストの露光量が少なく （ア
ンダー露光に）なるためと考えられる。また、ネガ型レ
ジストを用いた場合にビームのつなぎ部で“重なり２が
生じるのは、レジストが現像時に膨潤するためと考えら
れる。
そこで本発明のように、ポジ型レジストの場合は線状ビ
ームの長さを設計寸法よりも長く、ネガ型レジストの場
合は線状ビームの長さを設計寸法よりも短く設定するこ
とにより、ビームのつなぎ部における“離れ゛や“重な
り゛等を防止することが可能となる。
ームの長さを設計寸法よりも長く、ネガ型レジストの場
合は線状ビームの長さを設計寸法よりも短く設定するこ
とにより、ビームのつなぎ部における“離れ゛や“重な
り゛等を防止することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図である。図中１１は電子銃、１
２ （１２ａ、１２ｂ、１２ｅ、１２ｄ）はレンズ、１
３ （１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）は偏向器、１４（１４
ａ、１４ｂ）はアパーチャマスク、１５は試料面を示し
ており、この装置自体は従来の可変線状ビームラスタ走
査方式の電子ビーム描画装置と同様である。
画装置を示す概略構成図である。図中１１は電子銃、１
２ （１２ａ、１２ｂ、１２ｅ、１２ｄ）はレンズ、１
３ （１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）は偏向器、１４（１４
ａ、１４ｂ）はアパーチャマスク、１５は試料面を示し
ており、この装置自体は従来の可変線状ビームラスタ走
査方式の電子ビーム描画装置と同様である。
この装置においては、第２図（ａ）に示す如く第１アパ
ーチヤ２１と第２アパーチヤ２２との光学的重なりによ
り、矩形ビーム２３を形成することができる。つまり、
即ち２つのアパーチャ像の重なり合った長さ可変の可変
線状ビーム２３を形成することができる。そして、この
ビーム２３をビーム長方向と直交する方向に走査すると
共に、ビームをオン・オフして所望パターンを描画する
。例えば、第２図（ｂ）に示す如くビーム２３を走査し
、図中に示すように■。
ーチヤ２１と第２アパーチヤ２２との光学的重なりによ
り、矩形ビーム２３を形成することができる。つまり、
即ち２つのアパーチャ像の重なり合った長さ可変の可変
線状ビーム２３を形成することができる。そして、この
ビーム２３をビーム長方向と直交する方向に走査すると
共に、ビームをオン・オフして所望パターンを描画する
。例えば、第２図（ｂ）に示す如くビーム２３を走査し
、図中に示すように■。
■、・・・、■の順に描画し、ライン＆スペースのパタ
ーンを形成する。
ーンを形成する。
次に、上記装置を用いた描画方法について、第３図及び
第４図を参照して説明する。第３図はポジ型レジストを
用いた場合のレジストパターン形成状況を示す模式図で
あり、第４図はネガ型レジストを用いた場合のレジスト
パターン形成状況を示す模式図であり、共にライン＆ス
ペースのパターンを描画している。また、図中３１．４
１は矩形ビーム、３２はポジ型レジスト、４２はネガ型
レジスト、３３．４３は被加工膜、３４は抜きパターン
、４４は残しパターン、３５．４５はラフネスを示して
いる。
第４図を参照して説明する。第３図はポジ型レジストを
用いた場合のレジストパターン形成状況を示す模式図で
あり、第４図はネガ型レジストを用いた場合のレジスト
パターン形成状況を示す模式図であり、共にライン＆ス
ペースのパターンを描画している。また、図中３１．４
１は矩形ビーム、３２はポジ型レジスト、４２はネガ型
レジスト、３３．４３は被加工膜、３４は抜きパターン
、４４は残しパターン、３５．４５はラフネスを示して
いる。
まず、従来方法と同様に、ビーム３１の長辺の長さａを
設計寸法、即ち１回のビーム走査で描画される領域の幅
（描画幅）に等しくシ（ａ−ｂ−１，８μｍ）、ポジ型
レジスト３２に評価パターンを描画した。このとき、ビ
ームの加速電圧は５０ｋｅＶ 、 ビーム電流は４０
０Ａ／ Ｃｍ２． ビーム照射量は８０μＣ／ａｍ２
とした。ポジ型レジスト３２としてはＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリレート）を用い、このレジスト３２を１μ
ｍ厚さで塗布した。評価パターンとしては、０．５μｍ
のライン＆スペースを選択的に描画した。現像液にはＩ
ＡＡ（イソアミルアセテート）を用い、現像温度は２４
℃とした。また、リンス液にはＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）を用いて、室温処理を行った。
設計寸法、即ち１回のビーム走査で描画される領域の幅
（描画幅）に等しくシ（ａ−ｂ−１，８μｍ）、ポジ型
レジスト３２に評価パターンを描画した。このとき、ビ
ームの加速電圧は５０ｋｅＶ 、 ビーム電流は４０
０Ａ／ Ｃｍ２． ビーム照射量は８０μＣ／ａｍ２
とした。ポジ型レジスト３２としてはＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリレート）を用い、このレジスト３２を１μ
ｍ厚さで塗布した。評価パターンとしては、０．５μｍ
のライン＆スペースを選択的に描画した。現像液にはＩ
ＡＡ（イソアミルアセテート）を用い、現像温度は２４
℃とした。また、リンス液にはＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）を用いて、室温処理を行った。
この条件で得られたレジストパターンをＳＥＸで観察し
たところ、第３図（ａ）に示す結果が得られた。即ち、
描画幅すとビーム長ａとが１．６μｍと同一寸法である
にも拘らず、抜きパターン３４が部分的に細くなり、ビ
ームのつなぎ部で設計寸法０．５μｍに対して“離れ゛
によるラフネスがＸ＋−０，１５μｍ程度生じた。
たところ、第３図（ａ）に示す結果が得られた。即ち、
描画幅すとビーム長ａとが１．６μｍと同一寸法である
にも拘らず、抜きパターン３４が部分的に細くなり、ビ
ームのつなぎ部で設計寸法０．５μｍに対して“離れ゛
によるラフネスがＸ＋−０，１５μｍ程度生じた。
そこで本実施例方法では、矩形ビーム３１の長辺ａを設
計値１．８μｍに対して０．０１５μｍ長めの１．８１
５μｍに設定し、上記と同じ条件でポジ型レジスト３２
にライン＆スペースのパターンを描画した。この条件で
得られたレジストパターンをＳＥＭで観察し、ビームの
つなぎ部の重なり”或いは″離れ”によるラフネスを寸
法測定した結果、第３図（ｂ）に示す結果が得られた。
計値１．８μｍに対して０．０１５μｍ長めの１．８１
５μｍに設定し、上記と同じ条件でポジ型レジスト３２
にライン＆スペースのパターンを描画した。この条件で
得られたレジストパターンをＳＥＭで観察し、ビームの
つなぎ部の重なり”或いは″離れ”によるラフネスを寸
法測定した結果、第３図（ｂ）に示す結果が得られた。
即ち、描画幅すである設計寸法１．６μｍに対して、矩
形ビーム３１の長辺の長さａが１．６１５μｍとやや長
めにも拘らず、ビームのつなぎ部での“重なり”或いは
“離れ”によるう７ ＊ スハ０．０３μｍ以内にあり
、設計寸法０，５μｍに対して十分な精度をｉすること
ができた。
形ビーム３１の長辺の長さａが１．６１５μｍとやや長
めにも拘らず、ビームのつなぎ部での“重なり”或いは
“離れ”によるう７ ＊ スハ０．０３μｍ以内にあり
、設計寸法０，５μｍに対して十分な精度をｉすること
ができた。
パターン精度が改善された理由は、矩形ビームノ長すを
設計寸法よりも長くしているので、ビームの端における
アンダー露光部が隣接する描画領域で重なることになり
、ビームのつなぎ部においてもレジストの露光量を十分
にできるためである。
設計寸法よりも長くしているので、ビームの端における
アンダー露光部が隣接する描画領域で重なることになり
、ビームのつなぎ部においてもレジストの露光量を十分
にできるためである。
次に、従来方法と同様に、ビーム４１の長辺の長さａを
設計寸法、即ち１回のビーム走査で描画される領域の幅
（描画幅）に等しくしくａ−ｂ −１，６μｍ） 、ネ
ガ型レジスト４２にｉｔ ｔｉｔパターンを描画した。
設計寸法、即ち１回のビーム走査で描画される領域の幅
（描画幅）に等しくしくａ−ｂ −１，６μｍ） 、ネ
ガ型レジスト４２にｉｔ ｔｉｔパターンを描画した。
このとき、ビームの条件は先と同様に、加速電圧５０ｋ
ｅＶ 、 ビーム電流４００Ａ／ ｃ＋ｓ２． ビ
ーム照射量８０μＣＩＣ１１２とした。
ｅＶ 、 ビーム電流４００Ａ／ ｃ＋ｓ２． ビ
ーム照射量８０μＣＩＣ１１２とした。
ネガ型レジスト４２としてはＣＭ Ｓ −Ｅ Ｘ （Ｒ
）（クロロメチル化スチレン）を用い、このレジスト４
２を０．５μｍ厚さで塗布した。評価パターンとしては
、０．５μｍのライン及スペースを選択的に描画した。
）（クロロメチル化スチレン）を用い、このレジスト４
２を０．５μｍ厚さで塗布した。評価パターンとしては
、０．５μｍのライン及スペースを選択的に描画した。
現像液にはＩＡＡとＥＣ（エチルセロソルブ）の混合液
を用い、リンス液にはＩＰＡを用た。
を用い、リンス液にはＩＰＡを用た。
この条件で得られたレジストパターンをＳＥＭで観察し
たところ、第４図（ａ）に示す結果が１ｉＩられた。即
ち、描画幅すとビーム長ａとか１．６μｍと同一寸法で
あるにも拘らず、残しパターン４４が部分的に太くなり
、ビームのつなぎ部で設計寸法０．５μｍに対して“重
なり“によるラフネスがＸ２−０．１５μｍ程度生じた
。
たところ、第４図（ａ）に示す結果が１ｉＩられた。即
ち、描画幅すとビーム長ａとか１．６μｍと同一寸法で
あるにも拘らず、残しパターン４４が部分的に太くなり
、ビームのつなぎ部で設計寸法０．５μｍに対して“重
なり“によるラフネスがＸ２−０．１５μｍ程度生じた
。
そこで本実施例方法では、矩形ビーム４１の長辺ａを設
計値１．６μｍにλ・１して０．Ｃ１１５μｍ短めの１
．５８５μｍに設定し、上記と同じ条件でネガ型レジス
ト４２にライン及スペースのパターンを描画した。この
条件で得られたレジストパターンをＳ Ｅ Ｍで観察し
、ビームのつなぎ部の重なり６或いは“離れ“によるラ
フネスを寸法測定した結果、第４図（ｂ）に示す結果か
得られた。即ち、描画幅すである設計寸法り、Ｓμｍに
対して、矩形ビーム４１の長辺の長さａが１．５８５μ
ｍとやや短いにも拘らず、ビームのつなぎ部での“重な
り″或いは“離れ“によるラフネスは０．０３μｍ以内
にあり、設計寸法０．５μｍに対して十分な精度を得る
ことができた。
計値１．６μｍにλ・１して０．Ｃ１１５μｍ短めの１
．５８５μｍに設定し、上記と同じ条件でネガ型レジス
ト４２にライン及スペースのパターンを描画した。この
条件で得られたレジストパターンをＳ Ｅ Ｍで観察し
、ビームのつなぎ部の重なり６或いは“離れ“によるラ
フネスを寸法測定した結果、第４図（ｂ）に示す結果か
得られた。即ち、描画幅すである設計寸法り、Ｓμｍに
対して、矩形ビーム４１の長辺の長さａが１．５８５μ
ｍとやや短いにも拘らず、ビームのつなぎ部での“重な
り″或いは“離れ“によるラフネスは０．０３μｍ以内
にあり、設計寸法０．５μｍに対して十分な精度を得る
ことができた。
パターン精度が改善された理由は、矩形ビームの長さを
設計寸法よりも短くして、ビームのつなぎ部でレジスト
がアンダー露光となるが、ネガ型レジストの場合には材
料特有の現像時における膨潤があり、この膨潤によって
レジストがスムーズにつながるためである。
設計寸法よりも短くして、ビームのつなぎ部でレジスト
がアンダー露光となるが、ネガ型レジストの場合には材
料特有の現像時における膨潤があり、この膨潤によって
レジストがスムーズにつながるためである。
かくして本実施例方法によれば、レジスト材料に応じて
矩形ビームの寸法を設計寸法より長く或いは短く設定す
ることにより、ビームのつなぎ部で“重なり°や“離れ
”等が生じるのを未然に防止することができる。このた
め、所望パターンに忠実なパターンを形成することが可
能となり、レジストパターンのパターン寸法精度を向上
させることができる。
矩形ビームの寸法を設計寸法より長く或いは短く設定す
ることにより、ビームのつなぎ部で“重なり°や“離れ
”等が生じるのを未然に防止することができる。このた
め、所望パターンに忠実なパターンを形成することが可
能となり、レジストパターンのパターン寸法精度を向上
させることができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、ビームの形状は必ずしも矩形に限るもので
はなく、長さ可変の線状ビームであればよい。また、線
状ビームの長さの設計寸法からの増減量は実施例に同等
限定されるものではなく、ビーム条件及び使用するレジ
ストに応じて適宜室めればよい。但し、ポジ型レジスト
の場合は設計寸法よりも長く、ネガ型レジストの場合は
設計寸法よりも■くする必要がある。また、電子ビーム
の代わりにイオンビームを用いたイオンビーム描画方法
に適用することも可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することかできる
。
い。例えば、ビームの形状は必ずしも矩形に限るもので
はなく、長さ可変の線状ビームであればよい。また、線
状ビームの長さの設計寸法からの増減量は実施例に同等
限定されるものではなく、ビーム条件及び使用するレジ
ストに応じて適宜室めればよい。但し、ポジ型レジスト
の場合は設計寸法よりも長く、ネガ型レジストの場合は
設計寸法よりも■くする必要がある。また、電子ビーム
の代わりにイオンビームを用いたイオンビーム描画方法
に適用することも可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することかできる
。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によ゛れば、矩形ビームの長
辺の長さをレジスト材料により、予めやや長め或いは短
めに設定して描画することにより、ビームのつなぎ部で
の重なり或いは疏れによるラフネスを低減し、高精度パ
ターンを形成することができる。
辺の長さをレジスト材料により、予めやや長め或いは短
めに設定して描画することにより、ビームのつなぎ部で
の重なり或いは疏れによるラフネスを低減し、高精度パ
ターンを形成することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図はアパーチャ重なりに
よる矩形ビーム形成方法を説明するための模式図、第３
図及び第４図は上記実施例方法の作用を説明するための
模式図である。 １１・・・電子銃、 １２・・・レンズ、 １３・・・偏向器、 １４・・・アパーチャマスク、 ２１．２２・・・アパーチャ、 ２３・・・矩形ビーム（線状ビーム）、３２・・・ポジ
型レジスト、 ４２・・・ネガ型レジスト、 ３４・・・抜きパターン、 ４４・・・残しパターン、 ３５．４５・・・ラフネス。
画装置を示す概略構成図、第２図はアパーチャ重なりに
よる矩形ビーム形成方法を説明するための模式図、第３
図及び第４図は上記実施例方法の作用を説明するための
模式図である。 １１・・・電子銃、 １２・・・レンズ、 １３・・・偏向器、 １４・・・アパーチャマスク、 ２１．２２・・・アパーチャ、 ２３・・・矩形ビーム（線状ビーム）、３２・・・ポジ
型レジスト、 ４２・・・ネガ型レジスト、 ３４・・・抜きパターン、 ４４・・・残しパターン、 ３５．４５・・・ラフネス。
Claims (2)
- （１）２つのアパーチャの光学的重なりからなる長さ可
変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交する方向
に走査して、ポジ型レジストに所望パターンを描画する
荷電ビーム描画方法において、 前記線状ビームの長さを、１回のビーム走査で描画すべ
き領域のビーム走査方向と直交する方向の長さよりも長
く設定したことを特徴とする荷電ビーム描画方法。 - （２）２つのアパーチャの光学的重なりからなる長さ可
変の可変線状ビームを、ビーム長さ方向と直交する方向
に走査して、ネガ型レジストに所望パターンを描画する
荷電ビーム描画方法において、 前記線状ビームの長さを、１回のビーム走査で描画すべ
き領域のビーム走査方向と直交する方向の長さよりも短
く設定したことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311391A JP2835109B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 荷電ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311391A JP2835109B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 荷電ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173117A true JPH03173117A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2835109B2 JP2835109B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=18016621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311391A Expired - Lifetime JP2835109B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 荷電ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835109B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8970560B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-03-03 | Kotobuki & Co., Ltd. | Writing instrument |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311391A patent/JP2835109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8970560B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-03-03 | Kotobuki & Co., Ltd. | Writing instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835109B2 (ja) | 1998-12-14 |
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