JPH03171645A - Ｔａｂテープキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、実装される半導体集積回路素子（以下、ＩＣ
素子という）接合用のデバイスＪ−　　＋１．九卆一イ
土Ａ＋リマ小毒工古向じ対して佃けて配設したＴＡＢテ
ープキャリアに関する。

く従来の技術〉 従来、プリント基板等の電子部品搭載用の基板は、プラ
スチックパッケージおよびセラミックパッケージ型のＩ
Ｃを基板の回路上に半田等にて取付けられる構造となっ
ている。　しかし、この方法はパッケージが大型のため
基板も大型となり、かつ八一ドボード型の基板であるこ
とが必要であった。

一方、近年までＩＣ素子側の微細化が益々進む中にあっ
て、それを取付ける側の基板の微細化に限界があった。

　ハイブリッドＩＣ基板等の様に薄膜蒸着の基板はすで
に世の中にあるが、リジッド基板の為に機器への収納方
法に制限があったり、多くがセラミック基板の為、重く
、またテープキャリア方式でない為に連続実装に不向き
等の問題があった。　このため、近年　１缶ｉ量社の宥
洟フノルムトＬ一直Ｉ会Ｌ−　ＴΔＲ（　Ｔａｐｅ　Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法によりＩＣ素
子を取付けたＴＡＢテープキャリアが実用化されている
。

このＴＡＢ方法は半導体素子の実装技術において、一定
水準以上の性能を持つ製品を高速で量産するために開発
されたものの一つであって、送り穴（パーフオレーショ
ンホールまたはスプロケットホール）付き長尺テープキ
ャリアにワイヤレスボンデイングによりＩＣ素子を連続
的に組み込んでゆくテープキャリア方法をとっている。

すなわち、このテープキャリア方法は、ＩＣ素子上に形
成された微小の電極にテープキャリア上の対応する電気
回路を構成するインナーリードを、加熱されたボンデイ
ングツールにより熱圧着し、インナーリードボンデイン
グ［　Ｇ　Ｂ　（Ｇａｎｇ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）　：ギャ
ングボンデイング］を行う。　この熱圧着操作は、ボン
デイングツールの上下運動、テープキャリアの送りおよ
びＩＣ素子を列状に配置したＩＣ素子ホルグーの送り等
を連動させることにより、連続的に行われる。

このテープキャリア方法に用いられるテープキャリアは
、通常ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の可どう性
の絶縁フィルムの長尺テーブにデバイスホールや送り穴
等の必要な貫通孔を打ち抜きにより形成し、そのテープ
に銅箔を接着剤を介して貼着し、次いで該銅箔にホトレ
ジストを塗布、乾燥し所定パターンのホトマスクを通し
て露光し、現像して所定のパターン形状のホトレジスト
層を形成した後、前記ホトレジスト層をマスクとしてエ
ッチングを行い、所望の銅箔パターンによる電気回路形
威のためのリードを形成する方法により製造される。

このＴＡＢテープキャリアの一例を第２図および第３図
に示す。

ところで、従来のＴＡＢテープキャリア１０には次の様
な問題点がある。

（１）第２図および第３図に示すように、絶縁性有機フ
ィルム２の上に接着剤層１２を介してエッチングにより
所望の銅箔パターンによるリード１４が形成されるが、
一般に各デバイスホールｌ３における２組のりード１４
についてテープキャリア１０の長手方向（Ｘ方向）に対
向するりード１４に比べてテープキャリア１０の幅方向
（Ｙ方向）に対向するりード１４は短絡による切断の発
生が多い。

特に、圧延銅箔を用いる場合に前記Ｘ方向が銅箔の圧延
方向となるため、Ｘ方向とＹ方向でのケミカルエッチン
グ性が異なり、とりわけ微細パターンの形成に際して大
きな問題となっている。

例えば、３５μｍ厚の銅箔を用いる場合に、Ｘ方向のリ
ードは導体幅５０μｍ１間隔５０μｍにおいて切断の発
生が多くなるのに対し、Ｙ方内のリードは導体幅７０μ
ｍ、間隔７０μｍが限界でありこれより微細になると使
用できない。

このことは、エッチングの進行が銅箔の圧延方向（Ｘ方
向）では側面への食いこみ、即ちサイドエッチがＹ方向
に比べて小さいことに基づいていると考えられる。

（２）ボッテイングレジンとの熱膨張耐久性を調べるた
めの温度サイクル試験において、前記Ｘ方内のリードに
比べＹ方内のリードの耐久寿命が短いという問題がある
。

これは、銅箔の結晶組織がＸ方向に長く配列しているた
め、Ｙ方向に比べ疲労切断耐久性が高くなるものと考え
られる． く発明が解決しようとする課題〉 本発明は上記従来技術の問題点を解消し、各デバイスホ
ールにおける２組の対向するリード間の寿命の差をなく
し均等化することによって製品の寿命を延長できるＴＡ
Ｂテープキャリアを堤供することを目的としている。

く課題を解決するための手段〉 本発明者は、ＴＡＢテープキャリアの対向する２組のリ
ードがテープキャリアの長平方向（Ｘ方向）と幅方向（
Ｙ方向）で寿命差を生ずる要因がデバイスホールのテー
プキャリアの長手方向に対する傾きにあるとの観点によ
り解決した。

即ち、上記目的を達成するために本発明によれば、有機
絶縁フィルムに金属箔を貼り合わせてのちホトエッチン
グ法によりリードを形成してなるＩＣ接合用のＴ　Ａ　
Ｂ　（　Ｔａｐｅ　ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ
　）テープキャリアにおいて、ＩＣ素子接合用のデバイ
スホールをテープの長手方向に対して４０〜５０度の角
度に傾けて配置したことを特徴とするＴＡＢテープキャ
リアが提供される。

以下に本発明をさらに詳細に説明する。

第１図は本発明のＴＡＢテープキャリアの部分正面図で
ある。　第１図に示すように本発明のＴＡＢテープキャ
リア１のデバイスホール１３は、テープキャリア１の長
手方向（Ｘ方向）に対し同一平面上にて４５度傾斜して
設けてある。

即ち、正方形のデバイスホール１３の各辺はＸ方向に対
していずれも４５度傾斜しており、従って対向する２組
のリード１４はいずれもＸ方向およびＹ方向に対して４
５度傾斜しているか゛ら、各リードｌ４はいずれも銅箔
の異方性を打ち消すようにエッチングされるとともにオ
ーバーエッチの異方性も打ち消す方向にエッチングする
ことができる。

ｒ（お、傾斜角は４５度に限るものではなく４０〜５０
度の範囲であればよい。　上記範囲外の角度ではＸ，Ｙ
方向の異方性が解消しない。

本発明のＴＡＢテープキャリア１は、前記デバイスホー
ル１３およびリード１４の位置が従来のものと異なるほ
かは、従来のものとすべて同様である。

く実施例〉 以下に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。

（実施例１） １０．０ピンのリードを持つＴＡＢテープを次の仕様で
試作した。　また、比較のために従来法の試作も同時に
おこなった。

（１）銅箔：圧延銅箔、３５μｍ厚さ （２）フィルム＝３５■幅、 ７５μｍ厚さのポリイミド （３）接着剤＝１９μｍ厚さのエボキシ系接着剤 （４）インナーリード幅：６０μｍ （５）インナーリード間隔二６０μｍ （６）インナーリードビツチ：ｌ２０μｍ（幅＋間隔） （７）めっき：電気半田めっき（０．８μｍ、Ｓｎ８０
％＋Ｐｂ２０％） （８）ＩＣ接合＝（ａ）金バンブ素子接続（ｂ）ボッテ
イングレジン封止 （エボキシ系） 試作品のテスト結果として表１＝インナーリート短絡発
生率（ケミカルエッチングでの切れが悪いことによるシ
ョートの発生率）と表２：疲労破断の試験結果をまとめ
て示した。

疲労破断試験は低温側（−５０℃×１．５ｈ）と高温側
（１５０℃ｘｉ．　　５ｈ）とのくり返しにより各１０
０個のＩＣの中リードの破断した個数で示した。

表２に示す破断品はいずれもＹ方内のり一ドであった。

表　　”　′゜−１発生率（単位％） 表 ２ 〈発明の効果〉 本発明は以上説明したように構成されているので，ＴＡ
Ｂテープキャリアにおけるリードの方向がテープキャリ
アの長手方向に対していずれも４０〜５０度に傾斜して
いるため各リードの寿命が均等になり簡単に製品の寿命
を延長することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るＴＡＢテープキャリアの一実施
例の概略部分正面図である．第２図は、従来のＴＡＢテ
ープキャリアの断面図である。 ′！３３図は、従来のＴＡＢテープキャリアの部分正面
図である。 符号の説明 １・・・ＴＡＢテープキャリア、 ２・・・絶縁性有機フィルム、 ４・・・送り穴（パーフォレーションホール）、１０・
・・ＴＡＢテープキャリア、 １ ２・・・接着剤層、 １ ３・・・デバイスホール、 １ ４・・・リード ＦＩＧ，１ Ｆ　Ｉ　Ｇ．２ １０ ＦＩＧ．３ １０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）有機絶縁フィルムに金属箔を貼り合わせてのちホ
   トエッチング法によりリードを形成してなるＩＣ接合用
   のＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ
   ）テープキャリアにおいて、ＩＣ素子接合用のデバイス
   ホールをテープの長手方向に対して４０〜５０度の角度
   に傾けて配置したことを特徴とするＴＡＢテープキャリ
   ア。