JPH03166785A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH03166785A JPH03166785A JP1307339A JP30733989A JPH03166785A JP H03166785 A JPH03166785 A JP H03166785A JP 1307339 A JP1307339 A JP 1307339A JP 30733989 A JP30733989 A JP 30733989A JP H03166785 A JPH03166785 A JP H03166785A
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- semiconductor laser
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、歪量子井戸半導体レーザ素子の改良に関する
ものである． 〔従来の技術〕 Ｉ ｎ．Ｇ ａ Ｉ−．Ａ ｓ （ ｘ ＝０．１ 〜
０．５）歪量子井戸層及びＧａＡｓ障壁層からなる歪量
子井戸構造の活性層をＧａＡｓ基板上に形成した歪量子
井戸半導体レーザ素子は、従来のＧａＡｓ／ＡＩＧａＡ
ｓおよびＧａｌｎＡｓＰ／ＩｎＰ等の格子整合系レーザ
ではちょうど谷間となっていた波長０．９〜１．１−の
光源として期待されている．ところで、半導体レーザ素
子は、活性層にキャリアおよび光を閉じ込めるために、
発振波長の光に対して透明で、活性層（または活性層近
傍の光閉じ込め層）よりも屈折率が小さく、またエネル
ギー・ギャップが大きい半導体をクラッドとして用いる
必要がある。
ものである． 〔従来の技術〕 Ｉ ｎ．Ｇ ａ Ｉ−．Ａ ｓ （ ｘ ＝０．１ 〜
０．５）歪量子井戸層及びＧａＡｓ障壁層からなる歪量
子井戸構造の活性層をＧａＡｓ基板上に形成した歪量子
井戸半導体レーザ素子は、従来のＧａＡｓ／ＡＩＧａＡ
ｓおよびＧａｌｎＡｓＰ／ＩｎＰ等の格子整合系レーザ
ではちょうど谷間となっていた波長０．９〜１．１−の
光源として期待されている．ところで、半導体レーザ素
子は、活性層にキャリアおよび光を閉じ込めるために、
発振波長の光に対して透明で、活性層（または活性層近
傍の光閉じ込め層）よりも屈折率が小さく、またエネル
ギー・ギャップが大きい半導体をクラッドとして用いる
必要がある。
従来１ ｎ ｘＧ ａ ｌ−１１Ａ ｓ歪量子井戸半導
体レーザ素子では、Ｙ＞０．３のＡ ｌ ｙＧ ａ ＋
−ｙＡ Ｓがクラッドとして用いられている。
体レーザ素子では、Ｙ＞０．３のＡ ｌ ｙＧ ａ ＋
−ｙＡ Ｓがクラッドとして用いられている。
従来例を第３図を用いて説明する．１は約３５０μ厚の
ｎ型ＧａＡｓ基板であり、この上にＭＢＥあるいはＭＯ
ＣＶＤ等のエピタキシャル威長により２以下の層を積層
する。２は０．５ｎ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層であり
、３は、Ｌ５ｎ厚のｎ型Ａ ｊ！ ａ． ｓＧ ａ ｌ
？Ａ Ｓクラッド層である．４は、Ｉ ｎ ｅ． ｓ
ｓＧ ａ ＠． ６ＳＡ Ｓ歪量子井戸、ＧａＡｓ障壁
層等からなる活性層および光閉じ込め層である． ５は、１．５戸厚のｐ型ＡＩｔ．１Ｇａｏ．，Ａｓクラ
ッド層であり、６は０．２一厚のｐ型コンタクト層であ
る． ４の詳細は、第４図を用いて説明する．７は、上下それ
ぞれ１５００人厚のＧａＡｓ光閉じ込め層であり、８は
各々１００人厚のＧａＡｓ障壁層であり、９は各々４０
人厚のＩ ｎｏ．ｚｓＧ ａ ｏ．ｉｓＡ Ｓ歪董子井
戸層である． 以上のＧａＡｓ基板上に一様に形戒したダブルへテロ構
造に、電流狭窄層形戒、電極形或、素子分離等の微細加
工を施してレーザ・チップを得る．なお、以上は、従来
例の一例であり混晶の組或比、量子井戸の層数、各層の
膜厚等はさまざまである．また、光閉じ込め層としては
、Ａｌの組戊比をパラボリックに変化させたＡＩＧａＡ
ｓを用いたＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造も良く用いられる．（
発明が解決しようとする課題〕 従来のＩｎｘＧａ＋−ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造を
活性層とするレーザ・ダイオード用ダブルヘテロ構造は
、常にＧａＡｓ基板よりも格子定数の大きな半導体層を
積層して或るものである。すなわち、ＧａＡｓ基板の格
子定数は５．６５人である。
ｎ型ＧａＡｓ基板であり、この上にＭＢＥあるいはＭＯ
ＣＶＤ等のエピタキシャル威長により２以下の層を積層
する。２は０．５ｎ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層であり
、３は、Ｌ５ｎ厚のｎ型Ａ ｊ！ ａ． ｓＧ ａ ｌ
？Ａ Ｓクラッド層である．４は、Ｉ ｎ ｅ． ｓ
ｓＧ ａ ＠． ６ＳＡ Ｓ歪量子井戸、ＧａＡｓ障壁
層等からなる活性層および光閉じ込め層である． ５は、１．５戸厚のｐ型ＡＩｔ．１Ｇａｏ．，Ａｓクラ
ッド層であり、６は０．２一厚のｐ型コンタクト層であ
る． ４の詳細は、第４図を用いて説明する．７は、上下それ
ぞれ１５００人厚のＧａＡｓ光閉じ込め層であり、８は
各々１００人厚のＧａＡｓ障壁層であり、９は各々４０
人厚のＩ ｎｏ．ｚｓＧ ａ ｏ．ｉｓＡ Ｓ歪董子井
戸層である． 以上のＧａＡｓ基板上に一様に形戒したダブルへテロ構
造に、電流狭窄層形戒、電極形或、素子分離等の微細加
工を施してレーザ・チップを得る．なお、以上は、従来
例の一例であり混晶の組或比、量子井戸の層数、各層の
膜厚等はさまざまである．また、光閉じ込め層としては
、Ａｌの組戊比をパラボリックに変化させたＡＩＧａＡ
ｓを用いたＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造も良く用いられる．（
発明が解決しようとする課題〕 従来のＩｎｘＧａ＋−ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造を
活性層とするレーザ・ダイオード用ダブルヘテロ構造は
、常にＧａＡｓ基板よりも格子定数の大きな半導体層を
積層して或るものである。すなわち、ＧａＡｓ基板の格
子定数は５．６５人である。
これに、対して、Ａ Ｉ！ ，Ｇ ａ ．−，Ａ ｓは
、０．１４ｙ％大きな格子定数を持つ．また、Ｉ ｎｘ
Ｇ ａ ＋−ｇＡ ｓは、７．３Ｘ％大きな格子定数を
持つ．例えば、Ｉｎ．Ｇａ．−ＸＡｓ，Ａｊ！，Ｇａ，
−，Ａｓの組威をそれぞれ、ｘ−０．３５、７−０．３
とするとＧａＡｓとの格子不整合率はそれぞれ＋２．５
６％、＋０．０４％となる． ＡＬＧａ．−，ＡｓのＧａＡｓとの格子不整合率は、小
さな値ではあるが、この層のｗＡ厚は、３Ｒ（約１万原
子層）と厚いために、１２０人（約４０原子層）と薄い
ながらも格子不整の大きいＩｎ．Ｇａ ．−．Ａ ｓ層
と併せて基板の格子から圧縮応力を受け、この圧縮応力
により、高注入、高励起のレーザ動作時に、歪量子井戸
活性層に転移やすべりが発生し、Ｄ Ｌ Ｄ （ｄａｒ
ｋ ｌｉｎｅ ｄｅｆｅｃｔ）が生じ易くなり、レーザ
発振の寿命が低下するという問題があった． 〔課題を解決するための手段と作用〕 本発明は上記問題点を解決した半導体レーザ素子を提供
するもので、Ｉ ｎ ＩＩＧ ａ １−ｘＡ ｓを量子
井戸層とし、ＧａＡｓを障壁層とする歪量子井戸構造の
活性層と、この活性層の上下に配置されるクラフド層と
が、Ｇ ａ Ａ Ｓ基板上にエビタヰシャル威長によっ
て形成された半導体レーザ素子において、活性層に隣接
する上下のクラッド層と活性層との間にＩ ｎ．．Ｇａ
．Ｐ （ただし、Ｚ ＞０．５１）からなる応力緩和層
を介在させることを特徴とするものである． Ｉｎ＋−＠ＧａｇＰの格子定数は、ベガード則によれば
、１式で与えられ、Ｚ＝０．５１でＧａＡｓに格子整合
し、Ｚ＞０．５１のときにＧａＡｓよりも小さな格子定
数を持つ。
、０．１４ｙ％大きな格子定数を持つ．また、Ｉ ｎｘ
Ｇ ａ ＋−ｇＡ ｓは、７．３Ｘ％大きな格子定数を
持つ．例えば、Ｉｎ．Ｇａ．−ＸＡｓ，Ａｊ！，Ｇａ，
−，Ａｓの組威をそれぞれ、ｘ−０．３５、７−０．３
とするとＧａＡｓとの格子不整合率はそれぞれ＋２．５
６％、＋０．０４％となる． ＡＬＧａ．−，ＡｓのＧａＡｓとの格子不整合率は、小
さな値ではあるが、この層のｗＡ厚は、３Ｒ（約１万原
子層）と厚いために、１２０人（約４０原子層）と薄い
ながらも格子不整の大きいＩｎ．Ｇａ ．−．Ａ ｓ層
と併せて基板の格子から圧縮応力を受け、この圧縮応力
により、高注入、高励起のレーザ動作時に、歪量子井戸
活性層に転移やすべりが発生し、Ｄ Ｌ Ｄ （ｄａｒ
ｋ ｌｉｎｅ ｄｅｆｅｃｔ）が生じ易くなり、レーザ
発振の寿命が低下するという問題があった． 〔課題を解決するための手段と作用〕 本発明は上記問題点を解決した半導体レーザ素子を提供
するもので、Ｉ ｎ ＩＩＧ ａ １−ｘＡ ｓを量子
井戸層とし、ＧａＡｓを障壁層とする歪量子井戸構造の
活性層と、この活性層の上下に配置されるクラフド層と
が、Ｇ ａ Ａ Ｓ基板上にエビタヰシャル威長によっ
て形成された半導体レーザ素子において、活性層に隣接
する上下のクラッド層と活性層との間にＩ ｎ．．Ｇａ
．Ｐ （ただし、Ｚ ＞０．５１）からなる応力緩和層
を介在させることを特徴とするものである． Ｉｎ＋−＠ＧａｇＰの格子定数は、ベガード則によれば
、１式で与えられ、Ｚ＝０．５１でＧａＡｓに格子整合
し、Ｚ＞０．５１のときにＧａＡｓよりも小さな格子定
数を持つ。
ａ − ５．８６９−０．４２Ｘ Ｚ−・−＝ １ ）
そこで本発明は、ＧａＡｓ基板上に形或する歪量子井戸
半導体レーザ素子において、ＧａＡｓよりも格子定数が
小さくなるようにＺの値を選んだＩ ｎ １−＠Ｃ ａ
ｌ−Ｊを応力緩和層として歪量子井戸活性層の近傍に
設けている． Ｉｎ＋−＋＋Ｇａ１Ｐ応力緩和層は、２式で与えられる
エピタキシャル層の平均格子定数がＧａＡｓ基板の格子
定数と等しくなるように設計されていることが望ましい
． ａ一Σａ！ｔｔ ／Σ１，・・・・・・２）注）ａ！、
ｔ▲はそれぞれ各エピタキシャル或長層の格子定数およ
び層厚． このように設計されたエピタキシャル戒長層は基板に格
子整合しているので、基板とエピタキシャル威長層の界
面での応力はほぼなくなり、界面での転移発生を抑える
ことができ、従って、寿命の長い歪量子井戸半導体レー
ザ素子を得ることができる． 〔実施例〕 以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説
明する． 第１図は本発明にかかる半導体レーザ素子の一実施例の
断面図であり、３５０ｎＷＩ−のｎ型ＧａＡｓ基Ｆｉ１
１上に、ＭＢＥあるいはＭＯＣＶＤなどのエピタキシャ
ル威長により、０．５Ｘｔａ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ
層１２、１．５μ厚のｎ型Ｉ ｎｏ．ａｑＧ ａ ｏ．
ｓ＋Ｐクラッド層ｌ３、０． １２ｎ厚のＩ ｎｏ．ａ
ｔＧａｓ．ｓｓＰ応力緩和層１７、活性層および光閉じ
込め層１４、０．１２ＪｎＡ厚のＩ ｎｏ．ａｔＧ ａ
ｏ．ｓｓＰ応力緩和層１８、１．５μ厚のｌ ｎｏ．
ａｖＧ ａ ｏ．ｓ＋ Ｐクラツド層１５および０．２
μ厚のｐ型コンタクト層工６を順次積層させる。ここで
、活性層および光閉じ込め層１４は、第４図に示すよう
に、上下それぞれ１５００入厚のＧａＡｓ光閉じ込めＮ
７、それぞれｌ００人厚のＧａＡｓ障壁層８およびそれ
ぞれ４０人厚の１ｎｏ．ｓｓＧａ。．＆ＳＡＳ歪量子井
戸層９より構威されている。
そこで本発明は、ＧａＡｓ基板上に形或する歪量子井戸
半導体レーザ素子において、ＧａＡｓよりも格子定数が
小さくなるようにＺの値を選んだＩ ｎ １−＠Ｃ ａ
ｌ−Ｊを応力緩和層として歪量子井戸活性層の近傍に
設けている． Ｉｎ＋−＋＋Ｇａ１Ｐ応力緩和層は、２式で与えられる
エピタキシャル層の平均格子定数がＧａＡｓ基板の格子
定数と等しくなるように設計されていることが望ましい
． ａ一Σａ！ｔｔ ／Σ１，・・・・・・２）注）ａ！、
ｔ▲はそれぞれ各エピタキシャル或長層の格子定数およ
び層厚． このように設計されたエピタキシャル戒長層は基板に格
子整合しているので、基板とエピタキシャル威長層の界
面での応力はほぼなくなり、界面での転移発生を抑える
ことができ、従って、寿命の長い歪量子井戸半導体レー
ザ素子を得ることができる． 〔実施例〕 以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説
明する． 第１図は本発明にかかる半導体レーザ素子の一実施例の
断面図であり、３５０ｎＷＩ−のｎ型ＧａＡｓ基Ｆｉ１
１上に、ＭＢＥあるいはＭＯＣＶＤなどのエピタキシャ
ル威長により、０．５Ｘｔａ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ
層１２、１．５μ厚のｎ型Ｉ ｎｏ．ａｑＧ ａ ｏ．
ｓ＋Ｐクラッド層ｌ３、０． １２ｎ厚のＩ ｎｏ．ａ
ｔＧａｓ．ｓｓＰ応力緩和層１７、活性層および光閉じ
込め層１４、０．１２ＪｎＡ厚のＩ ｎｏ．ａｔＧ ａ
ｏ．ｓｓＰ応力緩和層１８、１．５μ厚のｌ ｎｏ．
ａｖＧ ａ ｏ．ｓ＋ Ｐクラツド層１５および０．２
μ厚のｐ型コンタクト層工６を順次積層させる。ここで
、活性層および光閉じ込め層１４は、第４図に示すよう
に、上下それぞれ１５００入厚のＧａＡｓ光閉じ込めＮ
７、それぞれｌ００人厚のＧａＡｓ障壁層８およびそれ
ぞれ４０人厚の１ｎｏ．ｓｓＧａ。．＆ＳＡＳ歪量子井
戸層９より構威されている。
また、４０人厚の１ ｎ ｏ１ｓＧ ａ Ｏ． ＆ＳＡ
Ｓ歪量子井戸層９（格子不整合率： ＋２．５６％）
と、１２００人厚のＩ ｎｏ１ｔＧａ＊．ｓｓＰ応力緩
和層１７、１８（格子不整合率：−０．１３％）の平均
格子定数はＧａＡｓ基仮にほぼ等しくなり、基板に対す
るエピタキシャル成長層の平均格子不整合率をΔＭ ／
ａ。とすれば、下記のように非常に小さい値となる．
ΔＸ／ ａ ｏ −１．２ ＸＩＯ−’なお、比較例と
して、第３図に示すように、３５０一厚のｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、０．５μ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層２、
１．５μ厚のｎ型Ａ！。，３Ｇａ＠．ｙＡ５クラッド層
３、活性層および光閉じ込め層４、１．５μ厚のｐ型Ａ
ｊ！ ＊． ｓ Ｇ ａ ＠． ？ Ａ Ｓクラッド
層５、および０．２μ厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト層６
を順次積層させた試料を製作した．ここで、活性層およ
び光閉じ込め層４は、第４図に示すように、１５００人
厚のＧａＡｓ光閉じ込め層７、１０００人厚のＧａＡｓ
障壁層８および４０人厚のＩ ｎ ｏ． ｓｓＧ ａ
＊． ｈｓＡ Ｓ歪量子井戸層９より構成されている． ダブルへテロ構造をキャビティ一長３００μの全面１ｌ
極型レーザ素子に加工し、室温パルス発振させ、発振し
きい値電流密度を測定した結果を第１表に示す． 第１表 次に他の実施例として、この全面電極型レーザ素子を加
工して、第１図に示す断面形状から第２図に示すような
りフジウェイブガイド型歪量子井戸半導体レーザ素子を
製作した． ２１． ２３は合金電極、２２はＳｉｎ．
絶縁膜、２４は電流の流れである．同様に比較例として
、前記比較例の素子を加工してリッジウェイブガイド型
歪量子井戸半導体レーザ素子を製作した．これらの素子
についてしきい値電流密度と寿命を測定した結果を第２
表に示す．第２表 以上の結果から、本発明により歪量子井戸半導体レーザ
素子のしきい値電流密度と寿命が著しく改善されている
． なお、本実施例では、クラッド層としてＩｎ＊．ａｑＧ
ａ＊．％＋Ｐを用いたが、ｙ ＞０．３のＡｆｆｉ，Ｇ
ａ ．，Ａ ｓを用いてもよい． また、エピタキシャル層の平均格子定数は、ＧａＡｓ基
板と等しいことが望ましいが、１Δ’ｉ ／ ａ ＊
Ｉ ＜ ２ ｘｔｏ−’程度の不整合率は許容範囲で
ある． さらに、各層の層厚、組或、歪量子井戸の暦数は実施例
に限らず、光閉じ込め層にＧＲＩＮ構造を用いてもよい
． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、活性層に隣接して
応力緩和層としてＩ ｎ＋−ｇＧａ，Ｐ （ただし、Ｚ
＞０．５１）を介在させることにより、長寿命の歪量
子井戸半導体レーザ素子が得られるという優れた効果が
ある．
Ｓ歪量子井戸層９（格子不整合率： ＋２．５６％）
と、１２００人厚のＩ ｎｏ１ｔＧａ＊．ｓｓＰ応力緩
和層１７、１８（格子不整合率：−０．１３％）の平均
格子定数はＧａＡｓ基仮にほぼ等しくなり、基板に対す
るエピタキシャル成長層の平均格子不整合率をΔＭ ／
ａ。とすれば、下記のように非常に小さい値となる．
ΔＸ／ ａ ｏ −１．２ ＸＩＯ−’なお、比較例と
して、第３図に示すように、３５０一厚のｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、０．５μ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層２、
１．５μ厚のｎ型Ａ！。，３Ｇａ＠．ｙＡ５クラッド層
３、活性層および光閉じ込め層４、１．５μ厚のｐ型Ａ
ｊ！ ＊． ｓ Ｇ ａ ＠． ？ Ａ Ｓクラッド
層５、および０．２μ厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト層６
を順次積層させた試料を製作した．ここで、活性層およ
び光閉じ込め層４は、第４図に示すように、１５００人
厚のＧａＡｓ光閉じ込め層７、１０００人厚のＧａＡｓ
障壁層８および４０人厚のＩ ｎ ｏ． ｓｓＧ ａ
＊． ｈｓＡ Ｓ歪量子井戸層９より構成されている． ダブルへテロ構造をキャビティ一長３００μの全面１ｌ
極型レーザ素子に加工し、室温パルス発振させ、発振し
きい値電流密度を測定した結果を第１表に示す． 第１表 次に他の実施例として、この全面電極型レーザ素子を加
工して、第１図に示す断面形状から第２図に示すような
りフジウェイブガイド型歪量子井戸半導体レーザ素子を
製作した． ２１． ２３は合金電極、２２はＳｉｎ．
絶縁膜、２４は電流の流れである．同様に比較例として
、前記比較例の素子を加工してリッジウェイブガイド型
歪量子井戸半導体レーザ素子を製作した．これらの素子
についてしきい値電流密度と寿命を測定した結果を第２
表に示す．第２表 以上の結果から、本発明により歪量子井戸半導体レーザ
素子のしきい値電流密度と寿命が著しく改善されている
． なお、本実施例では、クラッド層としてＩｎ＊．ａｑＧ
ａ＊．％＋Ｐを用いたが、ｙ ＞０．３のＡｆｆｉ，Ｇ
ａ ．，Ａ ｓを用いてもよい． また、エピタキシャル層の平均格子定数は、ＧａＡｓ基
板と等しいことが望ましいが、１Δ’ｉ ／ ａ ＊
Ｉ ＜ ２ ｘｔｏ−’程度の不整合率は許容範囲で
ある． さらに、各層の層厚、組或、歪量子井戸の暦数は実施例
に限らず、光閉じ込め層にＧＲＩＮ構造を用いてもよい
． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、活性層に隣接して
応力緩和層としてＩ ｎ＋−ｇＧａ，Ｐ （ただし、Ｚ
＞０．５１）を介在させることにより、長寿命の歪量
子井戸半導体レーザ素子が得られるという優れた効果が
ある．
第１図は本発明にかかる半導体レーザ素子の一実施例の
断面説明図、第２図は他の実施例の断面説明図、第３図
は従来例の断面説明図、第４図は第３図の部分拡大図で
ある． １．１１−ＧａＡｓ基板、 ２．１２・・・バッファ層
、３． ５， １３． １５・・・クラッド層、 ４
．１４・・・活性層および光閉じ込め層、 ６．１６
・・・コンタクト層、７・・・光閉じ込め層、 ８・・
・障壁層、 ９・・・歪量子井戸層、 １７． １８・
・・応力緩和層、 ２１． ２３・・・合金電極、 ２
２・・・Ｓ ｉ Ｏ ｚ絶縁膜、 ２４・・・電流の流
れ。 特許出廟人 古河電気工業株式会社 第 １ 図 第２図
断面説明図、第２図は他の実施例の断面説明図、第３図
は従来例の断面説明図、第４図は第３図の部分拡大図で
ある． １．１１−ＧａＡｓ基板、 ２．１２・・・バッファ層
、３． ５， １３． １５・・・クラッド層、 ４
．１４・・・活性層および光閉じ込め層、 ６．１６
・・・コンタクト層、７・・・光閉じ込め層、 ８・・
・障壁層、 ９・・・歪量子井戸層、 １７． １８・
・・応力緩和層、 ２１． ２３・・・合金電極、 ２
２・・・Ｓ ｉ Ｏ ｚ絶縁膜、 ２４・・・電流の流
れ。 特許出廟人 古河電気工業株式会社 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- Ｉｎ＿ＸＧａ＿１＿−＿ＸＡｓを量子井戸層とし、Ｇ
ａＡｓを障壁層とする歪量子井戸構造の活性層と、この
活性層の上下に配置されるクラッド層が、ＧａＡｓ基板
上にエピタキシャル成長によって形成された半導体レー
ザ素子において、活性層に隣接する上下のクラッド層と
活性層との間にＩｎ＿１＿−＿ＺＧａ＿ＺＰ（ただし、
Ｚ＞０．５１）よりなる応力緩和層を介在させたことを
特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30733989A JP2786276B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体レーザ素子 |
| ES90311854T ES2109231T3 (es) | 1989-10-31 | 1990-10-30 | Elementos laser de semi-conductores y metodo de fabricacion. |
| EP90311854A EP0426419B1 (en) | 1989-10-31 | 1990-10-30 | Semiconductor laser elements and method for the production thereof |
| DE69031415T DE69031415T2 (de) | 1989-10-31 | 1990-10-30 | Halbleiterlaser-Elemente und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| CA002028899A CA2028899C (en) | 1989-10-31 | 1990-10-30 | Semiconductor laser elements and method for the production thereof |
| KR1019900017624A KR940005001B1 (ko) | 1989-10-31 | 1990-10-31 | 반도체 레이저소자와 그 제조방법 |
| US07/606,812 US5155738A (en) | 1989-10-31 | 1990-10-31 | Semiconductor laser elements |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1989
- 1989-11-27 JP JP30733989A patent/JP2786276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175598A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
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