JPH03164484A - 超高真空用セラミック材 - Google Patents
超高真空用セラミック材Info
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- JPH03164484A JPH03164484A JP30363889A JP30363889A JPH03164484A JP H03164484 A JPH03164484 A JP H03164484A JP 30363889 A JP30363889 A JP 30363889A JP 30363889 A JP30363889 A JP 30363889A JP H03164484 A JPH03164484 A JP H03164484A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、超高真空用セラミック材とその製造方法に
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、超高
真空下において・もセラミック材からのガス放出を抑制
することのできるセラミック材とその製造方法、さらに
ガス放出抑制法に関するものである。
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、超高
真空下において・もセラミック材からのガス放出を抑制
することのできるセラミック材とその製造方法、さらに
ガス放出抑制法に関するものである。
（従来の技術とその課題）
・従来より、核融合試験装置などにおいては、超高真空
下での絶縁等のためにセラミック材が用いられてきてい
る。これらのセラミック材については、一般に、セラミ
ック材から放出される単位面積当りのガス量が多０ため
、通常、極少量のセラミンク材のみを部分的に用いてき
ているにのように、従来のセラミック材は、超高真空下
でその内部に含まれるガスを放出しゃずいという欠点が
あるため、使用することのできるセラミ・ｙり材には使
用部位やその使用量に制約があった。
下での絶縁等のためにセラミック材が用いられてきてい
る。これらのセラミック材については、一般に、セラミ
ック材から放出される単位面積当りのガス量が多０ため
、通常、極少量のセラミンク材のみを部分的に用いてき
ているにのように、従来のセラミック材は、超高真空下
でその内部に含まれるガスを放出しゃずいという欠点が
あるため、使用することのできるセラミ・ｙり材には使
用部位やその使用量に制約があった。
このため、核融合試験装置等の高真空、超高真空等の真
空状態を形成する必要のある装置はセラミック材を大量
に用いることはできなかった。
空状態を形成する必要のある装置はセラミック材を大量
に用いることはできなかった。
この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、従来のセラミック材のガス放出という欠点を解消
し、超高真空下においてもセラミック材からのガス放出
を抑制することのできる超高真空用セラミック材とその
製造方法を提供することを目的としている。
あり、従来のセラミック材のガス放出という欠点を解消
し、超高真空下においてもセラミック材からのガス放出
を抑制することのできる超高真空用セラミック材とその
製造方法を提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
この発明は、上記の課題を解決するものとして、セラミ
ック材表面にＴｉＣ膜を蒸着してなることを特徴とする
セラミック材とその製造方法を提供する。
ック材表面にＴｉＣ膜を蒸着してなることを特徴とする
セラミック材とその製造方法を提供する。
（作 用）
この発明のセラミック材においては、その表面にＴｉＣ
膜を蒸着することにより、超高真空下においてもセラミ
ック材内部からのガス放出を抑制することができる。こ
のため、超高真空下においても絶縁性、耐熱性等の特性
に優れたセラミック材を核融合試験装置等の部材として
大量に使用することが可能となる。
膜を蒸着することにより、超高真空下においてもセラミ
ック材内部からのガス放出を抑制することができる。こ
のため、超高真空下においても絶縁性、耐熱性等の特性
に優れたセラミック材を核融合試験装置等の部材として
大量に使用することが可能となる。
（実施例）
以下、図面に沿って実施例を示し、この発明のセラミッ
ク材についてさらに詳しく説明する。
ク材についてさらに詳しく説明する。
第１図は、この発明のセラミック材の製造方法の一実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
まず、セラミック材（１）を高温真空容器（２）の内部
に配置し、高温で１ ｘ １０−９Ｔｏｒｒ〜１ ｘ
１０−’Ｔｏｒｒ程度まで真空排気する。これによって
セラミック材（１）内部に含まれる水等の放出ガス源を
減少させる。この真空熱処理により、特に、超高真空下
の環境問題となる水成分を減少させることができる。真
空排気する際の温度については、セラミック材（１）の
種類や特徴等を考慮して適宜に定めることができる。
に配置し、高温で１ ｘ １０−９Ｔｏｒｒ〜１ ｘ
１０−’Ｔｏｒｒ程度まで真空排気する。これによって
セラミック材（１）内部に含まれる水等の放出ガス源を
減少させる。この真空熱処理により、特に、超高真空下
の環境問題となる水成分を減少させることができる。真
空排気する際の温度については、セラミック材（１）の
種類や特徴等を考慮して適宜に定めることができる。
次いで、チタン線（３）等に電流を流し、高温真空容器
（２）にアセチレン等の炭素源ガス（４）を導入し、こ
れと反応させて、セラミック材（１）の表面にＴ ｉ
Ｃ膜を蒸着する。このＴｉＣ膜によって、高真空、超高
真空等の真空中でのセラミック材（１）内部からのガス
放出をほぼ完全に制御することができる。なお、ＴｉＣ
膜の膜厚は、数１０Ａ〜数１００ＯＡ、もしくはそれ以
上の厚膜とすることができる。その蒸着法についても特
に制限はなく、真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリング、ＣＶＤ等の種々の方法を用いることができ
る。また、チタン源についても線材に限定されることは
なく、粉末、テープ状体等の任意の形状とすることがで
きる。
（２）にアセチレン等の炭素源ガス（４）を導入し、こ
れと反応させて、セラミック材（１）の表面にＴ ｉ
Ｃ膜を蒸着する。このＴｉＣ膜によって、高真空、超高
真空等の真空中でのセラミック材（１）内部からのガス
放出をほぼ完全に制御することができる。なお、ＴｉＣ
膜の膜厚は、数１０Ａ〜数１００ＯＡ、もしくはそれ以
上の厚膜とすることができる。その蒸着法についても特
に制限はなく、真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリング、ＣＶＤ等の種々の方法を用いることができ
る。また、チタン源についても線材に限定されることは
なく、粉末、テープ状体等の任意の形状とすることがで
きる。
以上の方法により製造した蒸着セラミック材の具体例と
その特性について次に説明する。
その特性について次に説明する。
すなわち、セラミック材として、マコールを用い、その
表面にＴｉＣ膜を蒸着し、このＴｉＣ膜蒸着セラミック
材について第２図に示した装置を用いて真空中でのガス
放出を検定する。
表面にＴｉＣ膜を蒸着し、このＴｉＣ膜蒸着セラミック
材について第２図に示した装置を用いて真空中でのガス
放出を検定する。
排気速度を制御するオリフィス（５）を介して真空ポン
プ（７）に接続した真空容器（６）の内部に、上記のＴ
ｉＣ１ｉ蒸着セラミック材（８）を配置し、真空ポンプ
（７）を作動させて真空容器（６）内を排気する。この
ときの真空度を真空容器（６）に接続した真空計（９）
により測定し、ＴｉＣ１ｌｌ蒸着セラミック材（８）か
らの放出ガスを検定する。
プ（７）に接続した真空容器（６）の内部に、上記のＴ
ｉＣ１ｉ蒸着セラミック材（８）を配置し、真空ポンプ
（７）を作動させて真空容器（６）内を排気する。この
ときの真空度を真空容器（６）に接続した真空計（９）
により測定し、ＴｉＣ１ｌｌ蒸着セラミック材（８）か
らの放出ガスを検定する。
排気開始から約１時間後の真空度は、
８ ｘ １０−’Ｔｏｒｒ−ｊ ／５ｅｃ−一で、約６
時ｒ：１１＆ ｌ：は、〜１．２ ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒ−ｊ ／ｓｅｃ −一となった。
時ｒ：１１＆ ｌ：は、〜１．２ ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒ−ｊ ／ｓｅｃ −一となった。
比較のために、従来のＴ ｉ ＣＷＡを蒸着していない
マコールからなるセラミック材についてもガス放出を上
記と同様にして検定した。その結果、約１時間後には、
真空度が４＝５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ・ｊ／ｓｅｃ
−一となった。
マコールからなるセラミック材についてもガス放出を上
記と同様にして検定した。その結果、約１時間後には、
真空度が４＝５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ・ｊ／ｓｅｃ
−一となった。
この対比から明らかなように、ＴｉＣＭを蒸着した場合
には、真空中でのガス放出が著しく減少する。特に、水
成分の放出が著しく抑制される。
には、真空中でのガス放出が著しく減少する。特に、水
成分の放出が著しく抑制される。
もちろんこの発明は、以上の例によって限定されるもの
ではない、セラミック材の種類および形状、Ｔ ｉ Ｃ
膜の蒸着法、チタン源の形状、また蒸着装置および放出
ガス検定装置の構成等の細部については様々な態様が可
能であることはいうまでもない。
ではない、セラミック材の種類および形状、Ｔ ｉ Ｃ
膜の蒸着法、チタン源の形状、また蒸着装置および放出
ガス検定装置の構成等の細部については様々な態様が可
能であることはいうまでもない。
（発明の効果）
以上詳しく説明した通り、この発明によって、超高真空
下においてもガス放出を抑制することのできるセラミッ
ク材を提供することができる。高真空、超高真空等の真
空状層を形成・維持することが必要な核融合試験装置な
どの装置に、絶縁性等に優れたセラミック材を大量に使
用することが可能となる。
下においてもガス放出を抑制することのできるセラミッ
ク材を提供することができる。高真空、超高真空等の真
空状層を形成・維持することが必要な核融合試験装置な
どの装置に、絶縁性等に優れたセラミック材を大量に使
用することが可能となる。
第１図は、この発明のセラミック材の製造方法の一実施
例を示した断面図である。 第２図は、この発明の方法によって製造したセラミック
材からの放出ガスの検定例を示した断面図である。 １・・・セラミック材 ２・・・高温真空容器 ３・・・チ タ ン 線 ４・・・炭 素 源 ５・・・オリフィス ６・・・真空容器 ７・・・真空ポンプ ８・・・ＴｉＣ膜蒸着セラミック材 ９・・・真 空 計
例を示した断面図である。 第２図は、この発明の方法によって製造したセラミック
材からの放出ガスの検定例を示した断面図である。 １・・・セラミック材 ２・・・高温真空容器 ３・・・チ タ ン 線 ４・・・炭 素 源 ５・・・オリフィス ６・・・真空容器 ７・・・真空ポンプ ８・・・ＴｉＣ膜蒸着セラミック材 ９・・・真 空 計
Claims (3)
- （１）セラミック材表面にＴｉＣ膜を蒸着してなること
を特徴とする低ガス放出性超高真空用のセラミック材。 - （２）セラミック材の放出ガス源を低減させた後に、そ
の表面にＴｉＣ膜を蒸着する超高真空用セラミック材の
製造方法。 - （３）セラミック材表面にＴｉＣ膜を蒸着することを特
徴とする超高真空用セラミック材の放出ガス抑制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30363889A JPH03164484A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 超高真空用セラミック材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30363889A JPH03164484A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 超高真空用セラミック材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03164484A true JPH03164484A (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=17923404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30363889A Pending JPH03164484A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 超高真空用セラミック材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03164484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07171371A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Akinari Kasai | 真空容器などのガス遮蔽法および遮蔽構造 |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30363889A patent/JPH03164484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07171371A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Akinari Kasai | 真空容器などのガス遮蔽法および遮蔽構造 |
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