JPH03163741A - 集束イオンビームによる加工方法 - Google Patents
集束イオンビームによる加工方法Info
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- JPH03163741A JPH03163741A JP1301185A JP30118589A JPH03163741A JP H03163741 A JPH03163741 A JP H03163741A JP 1301185 A JP1301185 A JP 1301185A JP 30118589 A JP30118589 A JP 30118589A JP H03163741 A JPH03163741 A JP H03163741A
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- JP
- Japan
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- processing
- machining
- ion beam
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 16
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集束イオンビーム装置により微細加工を施す
微細加工方法に関するものである．〔発明の概要〕 本発明は、イオンビーム電流を可変マルチアパーチャに
よって変えられる集束イオンビーム装置において、加工
しようとする領域の大きさに従って、可変マルチアバー
チ中のアパーチャ径を選択及び設定し、これに伴い、加
工条件も選択及び設定させるようにしたものである． 〔従来の技術〕 従来、可変マルチアパーチャを備えた集束イオンビーム
装置で微細加工する時、像観察においては、小さい穴径
のアパーチャで少ないイオンビーム電流にして、加工し
ようとする領域を含む周辺の像を作り、加工しようとす
る領域の大小に拘らず、像を作る時と同じイオンビーム
電流か、あるいは加工用として定められた穴径のアパー
チャに切換えて加工を行っていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 従来方法によると、加工しようとする領域の大小に拘ら
ず使用するイオンビーム電流が同じであるために、加工
しようとする領域の大小より最通なイオンビーム電流が
選べず、スルーブソトが良くなかった． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、加工領域の大きさに応じて加工の目的、条件
等毎に最適アパーチャ径をコンピュータに記憶させてお
いたファイルから最適アパーチャ及び加工条件を選択し
、更に設定することにより、加工のスルーブフトを向上
させることが出来た．〔実施例〕 本発明の実施例を第１図、第２図を用いて、以下に説明
する．第１図は、加工領域の認識から加工までの加工方
法の処理ステップをフローチャートに示す．可変マルチ
アパーチャを含む集束イオンビーム加工装置を示す．処
理ステンプＳＴＩの加工領域の！！識では、加工する領
域゜を決定し、その大きさを求める．次に処理ステップ
ＳＴ２の加エモードの判定で、膜付加工を行うものであ
るならば、処理ステップＳＴ３に移り、ガス銃制御系１
０によりガス銃９を膜付加工状態にする．次に処理ステ
フブＳＴ４に移る．又、処理ステンブＳＴ２の判定でエ
ッチング加工を行うものであるならば、直接に処理ステ
ンブＳＴ４に移る。処理ステップＳＴ４においては、各
加工モード（膜付加工、エッチング加工）更に、加工要
件としての加工精度、加工しようとする材質の種類、加
工の目的（配線、観察の容易化等）毎に修正領域の大小
に応した最適アパーチャ径をファイルの中から選び、最
適アパーチャ径に従い、可変マルチアパーチャ制御系５
により可変マルチアパーチャを動かし、最適アパーチャ
を設定する． 次に、処理ステソプＳＴ５に移り、前記ファイルから選
んだ設定条件及びアパーチャ径に対応した加工条件（ス
キャンスピード、加工時間、スキャンのビクセル間隔等
）を設定し、処理ステップＳＴ６の加工を始める． 〔発明の効果〕 本発明により、加工しようとする領域の任意の大きさに
対して、効率よく最適加工が行われ、スループフトが向
上する．
微細加工方法に関するものである．〔発明の概要〕 本発明は、イオンビーム電流を可変マルチアパーチャに
よって変えられる集束イオンビーム装置において、加工
しようとする領域の大きさに従って、可変マルチアバー
チ中のアパーチャ径を選択及び設定し、これに伴い、加
工条件も選択及び設定させるようにしたものである． 〔従来の技術〕 従来、可変マルチアパーチャを備えた集束イオンビーム
装置で微細加工する時、像観察においては、小さい穴径
のアパーチャで少ないイオンビーム電流にして、加工し
ようとする領域を含む周辺の像を作り、加工しようとす
る領域の大小に拘らず、像を作る時と同じイオンビーム
電流か、あるいは加工用として定められた穴径のアパー
チャに切換えて加工を行っていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 従来方法によると、加工しようとする領域の大小に拘ら
ず使用するイオンビーム電流が同じであるために、加工
しようとする領域の大小より最通なイオンビーム電流が
選べず、スルーブソトが良くなかった． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、加工領域の大きさに応じて加工の目的、条件
等毎に最適アパーチャ径をコンピュータに記憶させてお
いたファイルから最適アパーチャ及び加工条件を選択し
、更に設定することにより、加工のスルーブフトを向上
させることが出来た．〔実施例〕 本発明の実施例を第１図、第２図を用いて、以下に説明
する．第１図は、加工領域の認識から加工までの加工方
法の処理ステップをフローチャートに示す．可変マルチ
アパーチャを含む集束イオンビーム加工装置を示す．処
理ステンプＳＴＩの加工領域の！！識では、加工する領
域゜を決定し、その大きさを求める．次に処理ステップ
ＳＴ２の加エモードの判定で、膜付加工を行うものであ
るならば、処理ステップＳＴ３に移り、ガス銃制御系１
０によりガス銃９を膜付加工状態にする．次に処理ステ
フブＳＴ４に移る．又、処理ステンブＳＴ２の判定でエ
ッチング加工を行うものであるならば、直接に処理ステ
ンブＳＴ４に移る。処理ステップＳＴ４においては、各
加工モード（膜付加工、エッチング加工）更に、加工要
件としての加工精度、加工しようとする材質の種類、加
工の目的（配線、観察の容易化等）毎に修正領域の大小
に応した最適アパーチャ径をファイルの中から選び、最
適アパーチャ径に従い、可変マルチアパーチャ制御系５
により可変マルチアパーチャを動かし、最適アパーチャ
を設定する． 次に、処理ステソプＳＴ５に移り、前記ファイルから選
んだ設定条件及びアパーチャ径に対応した加工条件（ス
キャンスピード、加工時間、スキャンのビクセル間隔等
）を設定し、処理ステップＳＴ６の加工を始める． 〔発明の効果〕 本発明により、加工しようとする領域の任意の大きさに
対して、効率よく最適加工が行われ、スループフトが向
上する．
第１図は本発明の加工方法を示す加工方法のフローチャ
ートである．第２図は本発明の加工方法を実施するため
の全体構或図である． イオン源 イオンビーム レンズシステム 可変マルチアパーチャ 可変マルチアパーチャ制御系 コンピュータ ・検出器 ・検出器制御系 ・ガス銃 ・ガス銃ｌＩｉＩ１御系 ・試料 ・ステージ
ートである．第２図は本発明の加工方法を実施するため
の全体構或図である． イオン源 イオンビーム レンズシステム 可変マルチアパーチャ 可変マルチアパーチャ制御系 コンピュータ ・検出器 ・検出器制御系 ・ガス銃 ・ガス銃ｌＩｉＩ１御系 ・試料 ・ステージ
Claims (1)
- イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームの
電流を制限するアパーチャが複数用意され、該アパーチ
ャを選択的に使用できる可変マルチアパーチャと、該イ
オンビームを集束させるレンズ系と、該イオンビームで
加工しようとする試料を載せるステージと、該イオンビ
ームを該試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出
する検出器と、化合物ガスを吹き付けるガス銃と、該可
変マルチアパーチャをコントロールしたり、該二次粒子
に基づき該試料表面の像を作ったり、該ガス銃からの該
化合物ガスの吹き付けをコントロールするコンピュータ
より成る集束イオンビーム加工装置において、加工領域
の大きさに対応して、最適アパーチャ径及びその時の加
工条件を該コンピュータに記憶させておき、該試料表面
上の加工しようとする加工領域の大きさに従って該可変
マルチアパーチャの最適アパーチャ径を選択し、設定し
、該加工条件に応じて条件の設定を行い、加工する事を
特徴とする加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01301185A JP3132817B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 集束イオンビームによる加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01301185A JP3132817B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 集束イオンビームによる加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163741A true JPH03163741A (ja) | 1991-07-15 |
| JP3132817B2 JP3132817B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=17893798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01301185A Expired - Lifetime JP3132817B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 集束イオンビームによる加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132817B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10106474A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Seiko Instr Inc | イオンビームによる加工装置 |
| JP2006241550A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Olympus Corp | 荷電粒子ビーム加工方法および超精密研磨方法 |
| JP2006313704A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP01301185A patent/JP3132817B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10106474A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Seiko Instr Inc | イオンビームによる加工装置 |
| JP2006241550A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Olympus Corp | 荷電粒子ビーム加工方法および超精密研磨方法 |
| JP2006313704A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3132817B2 (ja) | 2001-02-05 |
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