JPH03163332A - レーザビームによる微細粒子の粒径測定方法 - Google Patents

レーザビームによる微細粒子の粒径測定方法

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JPH03163332A
JPH03163332A JP1305368A JP30536889A JPH03163332A JP H03163332 A JPH03163332 A JP H03163332A JP 1305368 A JP1305368 A JP 1305368A JP 30536889 A JP30536889 A JP 30536889A JP H03163332 A JPH03163332 A JP H03163332A
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JP
Japan
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particulate
intensity
light intensity
particle size
diameter
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Pending
Application number
JP1305368A
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English (en)
Inventor
Hideki Komori
秀樹 古森
Minoru Akiyama
実 秋山
Masao Ecchu
昌夫 越中
Toshimasa Tomota
友田 利正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は,V−ザビームを用いて被検査面上もしくは
空間に浮遊する微細粒子の粒径を測定する方法に関する
〔従来の技術] 例えばEifgh Yield Tecbnolog社
より、製品化されているP l/I−100等の従来の
光の散乱を利用したダストモニタにかいては、粒径パラ
メータ(?、D二粒径、λ:照射光の波長)が0.5〜
20の粒子に対しては、あらかじめ粒径が既知の粒子を
用いて散乱光強度を測定し、粒径と散乱光強度の関係か
ら、測定すべき粒子の粒径を見積っていたう〔発男が解
決しようとする課題] しかしながら、この測定方法では,較正時の粒子一光検
出器間距離と実検査時のそれとが異った場合、正確な定
量化が困難であった。さらにレーザ・ビームそのものに
も径方向に光強度分布が存在し、同一粒径の粒子でもビ
ーム光に当る空間的差異で政乱し光強度が異なるという
ことや、レーザ光源の光強度不安定等により粒径見積誤
差が生じるという問題があった。尚、これらの問題は粒
子がa細になるほど、より顕著に表われる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細粒子と光検出器間距離の差異やレーザ光
の不安定さ等に影響されず、検出精度pよび再現性に優
れた粒径測定方法を提供することを目的とするう 〔課題を解決するための手段j この発明に係るレーザ・ビームによる微細粒子の粒径測
定方法は、微細粒子にレーザビームを照射し、上記fI
k則粒子により散乱された光のP偏光強度訃よびS塙光
強度を測定し、これらP偏光強度とS偏光強度の比から
上記微細粒子の粒径を求めるものである。
〔作用〕
この発明にかける粒径測定方法は、散乱光のP偏光強度
とS偏光強度の比から漱測粒子の粒径を求めるので、粒
径が小さい場合でも粒子と光検出器間距離の差異やレー
ザ先の不安定さ等に影響されず、横出精度、再現性が良
好となろう〔実施例] 以下、この発明の一笑施例を図について説明する,第1
図(a)にかいて、(l》はレーザ光源、(2)はレー
ザビーム、(3)は微細粒子、(4)は微細粒子(3)
からの欣乱光、(5)は散乱光(4)波長附近の光のみ
を透過させる狭帯域干渉フィルタ、(6)は偏光板で回
転駆動手段(7)により回転する。(8)は光電素子等
の光検出器、(9)はPl#!l光強度IpとS偏光強
度工8の比(Ip/工8)から粒径を算定する信号処理
器であり、例えば8ビットのマイクロコンピュータでア
ル。
次に動作について説明する。回転駆動手段(7)により
一光板(6)を回転角90°ずつ回転させると、光検出
器(8)には、第1図(b)に示すようなP偏光或分の
光強度信号Ip&よびS偏光或分の光強度信号1日が得
られる。一般的に用いられる適当な手段でIpI8を1
対と区別できるトリガー信号金発生させ,所定時間毎に
検出される信号Ip,Isの強度比Ip/Isを信号処
理器(9》で演算し、例えば第2図に示す強度比Ep/
Isと粒径との関係をもとに粒径を算定する, このように、強度比Ip/Isと粒径との関係より粒径
を求めるため、微細粒子(3)と光検出器(8)間の距
離やビーム(2)に当る空間的差異等にも影響されず、
常に精度および再現性の良い測定が行なえる。
更にこの例では、光強度検出を1個の光検出器(8)で
行なっている為、光検出器(8)のドリフト変動や光検
出感度の経時変化(劣化)、又は受光面へのホコリの付
着等が起こっても光強度比に与える影響が少なく、信頼
性の高い粒径測定金行なうことができる。
第2図はレーザ波長λ=48801政乱角θ=60゜方
向にかける強度比IP/エ。と粒径の関係を測定により
求めた結果を示す特性図であう、第3図に参考のために
全散乱光強度と粒径の関係を測定により求めた結果を示
す。これらの特性図より、粒径が0.3μω以下のll
細粒子ではこの発明のように強度比Ip/Isより粒径
を求めた方がより正確に求1ることかわかる。なか、第
2図の曲線はレーザ波長λや散乱角θ等によって変化す
るの℃、これらレーザ波長や散乱角を適切に設定するこ
とにより粒径が0.3μm以上の微細粒子の測定も可能
である。
なか、第1図に示す実施例では、散乱光のPI#l光或
分と8偏光或分の抽出を偏光板(6)の四転(回転角9
0° )で行なうものを示したが、これに限るものでな
く例えば第4図に示すように、偏光ビームスプリッター
(10)を用いてもよい。ただし、第4図の実施例では
、pIiA光光検出用とSls光検出用の別個の光検出
器(8a)、(8b)を用いる為、光検出器のドリト、
感度の経時変化については、対応できな〈なる。しかし
ながら、Ip、工8の同時倹出が可能となる為、特に浮
遊粒子等の動的挙動を行なう粒子に対する検出能力が著
しく向上する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、微細粒子にレーザビ
ームを照射し、上記微細粒子により敗乱された光のP偏
光強度およびS偏光強度を測定しこれらP偏光強度とs
i光強度の比から上記鐵細粒子の粒径を求めるので、微
細粒子と光検出器間距離の差異やレーザ光の不安定さ等
に影響されず、検出精度、再現性が良好となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はこの考案の一実施例によるg&細粒子の
粒径測定方法を説明する構或図、(b)は(8)の動作
を説明する特性図、第2図はP偏光強度とS1li!l
光強度の比IP/エ.と粒径の関係を示す特性図、第3
図は全政乱光強度と粒径の関係を示す特性図、第4図は
この発明の他の実施例によるfiItm粒子の粒径測定
方法を説明する構或図である。 図にかいて、(1)はレーザ光源、(2)はレーザピ−
ム、(3)はfll細粒子、(4)は散乱光、(5)ぱ
狭帯域干渉フイノレタ、(6)ぱ扁光板、(8) , 
 (8a),  (8b)は光検出器である。 なか、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。 代 理 人  大  岩    増  雄第1図 l:労矢舌し光 (b) θ,゛光検出罫 }IJ77”l与テ Tim6 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 微細粒子にレーザビームを照射し、上記微細粒子により
    散乱された光のP偏光強度およびS偏光強度を測定し、
    これらP偏光強度とS偏光強度の比から上記微細粒子の
    粒径を求めるレーザビームによる微細粒子の粒径測定方
    法。
JP1305368A 1989-11-22 1989-11-22 レーザビームによる微細粒子の粒径測定方法 Pending JPH03163332A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011045961A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 国立大学法人群馬大学 粒径計測装置、及び粒径計測方法
KR101712182B1 (ko) * 2016-07-06 2017-03-13 조현규 스터드 이송장치
WO2020096038A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 国立大学法人群馬大学 粒子群計測装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011045961A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 国立大学法人群馬大学 粒径計測装置、及び粒径計測方法
KR101712182B1 (ko) * 2016-07-06 2017-03-13 조현규 스터드 이송장치
WO2020096038A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 国立大学法人群馬大学 粒子群計測装置
JPWO2020096038A1 (ja) * 2018-11-08 2021-09-24 国立大学法人群馬大学 粒子群計測装置

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