JPH0316085A - メモリのリフレッシュ制御方式 - Google Patents

メモリのリフレッシュ制御方式

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JPH0316085A
JPH0316085A JP1149956A JP14995689A JPH0316085A JP H0316085 A JPH0316085 A JP H0316085A JP 1149956 A JP1149956 A JP 1149956A JP 14995689 A JP14995689 A JP 14995689A JP H0316085 A JPH0316085 A JP H0316085A
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lane
memory
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JP1149956A
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Yasuhide Shibata
柴田 泰秀
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第4図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1図) 作用 実施例(第2図、第3図) 発明の効果 〔概要〕 メモリのリフレッシュ制御方式に関し、リフレッシュ・
タイごング設定手段からのリフレッシュ・タイξングに
もとづくリフレッシュ回数を減少することによりメモリ
アクセス効率を向上することを目的とし、 複数のレーンにより構成され、一定期間以内にリフレッ
シュを必要とするメモリ手段と、リフレッシュ・タイミ
ングを設定する手段を具備するメモリ装置において、メ
モリ手段の各レーンに対してアクセスの有無を判別する
レーン・リフレッシュ・シーケンサと、レーン毎にリフ
レッシュが行われたか否かを指示する指示手段と、リフ
レッシュ要求部を備え、メモリ手段に対してアクセスが
行われたとき前記レーン・リフレッシュ・シーケンサの
判別結果によりアクセス先以外のレーンでは、前記リフ
レッシュ・タイミング設定手段から伝達されるリフレソ
シュ・タイξングのとき、リフレッシュ要求部の要求に
基づいてリフレッシュ動作を行い、リフレッシュ・タイ
ミング設定手段から伝達されるリフレッシュ・タイξン
グのとき複数のレーンの1つでもリフレッシュが行われ
ていないことが前記指示手段の指示で判明したとき、リ
フレッシュ要求部のりフレソシュ要求に基ツキレーンを
リフレソシュするように構或する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はメモリのリフレッシュ制御方式に係り、特に一
定期間毎に記憶保持動作が必要な記憶素子を持つ情報処
理装置におけるリフレッシュ制御方式に関する。
近年の情報処理装置の記憶部(メモリ)は、大容量、高
速、安価という条件からダイナξフク・ランダム・アク
セス・メモリ(以下DRAM)が使用される。このDR
AMは上記条件を満する反面、一定期間毎に記憶保持動
作つまりリフレソシュ動作が必要である。
〔従来の技術〕
従来の情報処理装置では、第4図(A)に示す如く、中
央処理装置(以下CPU)50が記憶部を構戒するDR
AM51を読出し又は書込みアクセスするとき、DRA
Mコントローラ52を経由して行うとともに、リフレッ
シュ・タイミング設定手段としてのタイマ53を設け、
このタイマ53から例えば15μsという一定時間毎に
リフレッシュタイ果ング信号を出力する。これによりD
RAMコントローラ52はリフレッシュ制御であること
を示すためDRAM51に対してCAS信号をRAS信
号より先に出力する。このCASbefor R A 
Sにより、DRAM5 1ではリフレッシュ制御である
ことを判断し、DRAM5 1側で有するリフレッシュ
機能によりリフレッシュを行う。
〔発明が解決しようとする課題〕
第4図(B)に示す如く、CPU5 0からのリードラ
イト要求(R/W要求)と、タイマ53からのリフレッ
シュ要求がオーバ・ラソプしないときは、DRAM51
は、リード/ライト(R/W)状態とリフレッシュ状態
が間欠的に行われ、特に問題はない。
しかしタイマ53からのりフレソシュ要求は一定時間毎
に出力されるのに対し、CPU5 0からのR/W要求
は、データ処理の進行状態にもとづきいつ行われるのか
不安である。したがって、第4図(C)に示す如く、リ
フレッシュ要求とR/W要求が重なることがある。
しかしDRAM5 1は、一定時間以内にリフレッシュ
を行わないと、データの信頼性がなくなるため、CPU
50のアクセス要求とタイマ53からのリフレッシュ要
求が重なったとき、第4図(C)に示す如く、このリフ
レッシュ要求にもとづ<DRAM51のリフレッシュ動
作が終了したのちにCPU50のアクセスが行われるこ
とになる。
即ち、リフレッシュ動作中はDRAM5 1に対し書込
み/続出し動作が行えないので、CPU5Oのアクセス
はリフレッシュ動作が終了するまで待たされることにな
る。
このためCPU5 0のメモリアクセス時間が長くなる
ため、処理効率が低下するという問題点がある。
従って本発明の目的は、リフレッシュ動作とメモリ手段
へのアクセスを競合する割合を減少するようにしたメモ
リのリフレッシュ制御方式を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
第1図(A)は本発明の原理説明図である。
複数レーンにより構成され、一定期間以内にリフレッシ
ュを必要とするメモリ手段2と、リフレッシュ・タイξ
ングを設定する手段4と、メモリ手段2の各レーンに対
してアクセスの有無を判別するリフレッシュ・シーケン
サ7−1〜7−4と、レーン毎にリフレッシュが行われ
たか否かを指示する手段8−1〜8−4とリフレッシュ
要求部5を備える。
〔作用〕
本発明では、アクセス要求が行われるとき、アクセス先
以外のレーンではリフレッシュ動作を行う。例えば第l
図(B)に、時刻TIにおいて、メモリ手段2の第1レ
ーン2−1〜第3レーン2一3に対して読出しアクセス
が行われるとき、第4レーン2−4ではリフレッシュ動
作を行う。そして時刻T!でリフレッシュが終了すると
き、指示手段8−4をセットし、動作させる。次に時刻
T3において第1レーン2−1と第2レーン22に対し
書込みアクセスが行われ、第3レーン2−3と第4レー
ン2−4に対してリフレッシュが行われる。これにより
時刻T4で指示手段8−3が動作される。
時刻T5では第1レーン2−1に対してアクセスが行わ
れないのでリフレッシュが行われ、時刻T●で指示手段
8−1が動作し、時刻T7では第1レーン2−1と第2
レーン2−2がアクセスされないので今度は時刻T8で
指示千段8−2が動作する。
そして、リフレッシュ・タイξング設定手段4からリフ
レッシュ・タイミング信号Bが伝達されたとき、リフレ
ッシュ要求部5はレーン・リフレッシュ・シーケンサ6
に対し、すべての指示手段8−1〜8−4が動作状態で
あればリフレッシュ要求信号REF−REQを出力せず
、また指示千段8−1〜8−4をリセットする。
しかし指示手段8−1〜8−4の少なくとも1つが未リ
フレッシュ状態を示していれば、リフレッシュ要求部5
はレーン・リフレッシュ・シーケンサ6に対しリフレッ
シュ要求信号を出力し、これにもとづきメモリ手段2の
第1レーン2−1〜第4レーン2−4がリフレッシュさ
れる。
なお、第lレーン・リフレッシュ・シーケンサ7−1は
アクセス先が自アドレスすなわち第1レーン2−1でな
ければレーン・リフレッシュ・シーケンサ6よりリフレ
ッシュ信号が第1レーン2−1に対し選択出力するよう
に、またアクセス先が自アドレスであれば第1レーン・
リフレッシュ・シーケンサ7−1より出力されるCAS
I信号(RAS信号より後で出力されるもの)を第1レ
ーン2−1に対し選択出力するように動作し・自アドレ
スでない場合はリフレッシュ動作を行うようにIllす
る。他の第2レーン・リフレッシュ・シーケンサ7−2
〜第4レーン・リフレッシュ・シーケンサ7−4も、同
様に動作する。
本発明によれば、第1図(B)に示す如く、■リフレッ
シュ期間にメモリ手段2の全レーンがリフレッシュされ
ることがしばしばあり、その時はリフレッシュ・タイミ
ング設定千段4にもとづくリフレッシュ・タイξングに
よるリフレッシュ動作は省略される。そのため、従来の
ように、このリフレッシュ・タイ逅ングにおけるメモリ
手段2へのアクセス競合の割合が減少し、情報処理効率
が向上するものとなる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第2図及び第3図にもとづき説明す
る. 第2図(A)(B)は本発明の一実施例構戒図であり、
第3図はその動作説明図である。
第2図(A)(B)において、第1図と同符号部は同一
部分を示す。
CPUIはメモリ手段であるDRAM2に対し、読み出
し(R)または書き込み(W)アクセスを行うものであ
り、このためアクセス先のアドレス、アクセスがRまた
はWのいずれかを示すR/W信号く例えばRのときH,
WのときL)、データ長くサイズ)、アドレス及びデー
タの確定信号(AS/DS)等をメモリ制御部3に出力
することにより、アクセスが行われる。
DRAM2は例えば第1レーン2−1〜第4レーン2−
4の4つのアクセス単位に分けられている。CPUIの
アクセス条件によりいずれかのレーンが単独あるいは全
体を含む複数で選択される。
このDRAM2には図示省略した公知のりフレソシュ手
段が用意され、レーン単位でリフレッシュ可能に構成さ
れている。
メモリ制御部3はリフレソシュあるいはCPUアクセス
の諸タイξングを制御するものであり、リフレッシュ要
求部5、シーケンサ6、第1レーン・リフレッシュ・シ
ーケンサ7−1〜第4レーン・リフレッシュ・シーケン
サ7−4、カウンタ8−1〜8−4、第1マルチブレク
サ9−1〜第4マルチブレクサ9−4等を具備する。
ここでリフレッシュ要求部5はリフレッシュ・タイミン
グ設定手段としてのタイマ4から例えば15μs毎に出
力されるリフレッシュ・タイ箋ング信号にもとづき全て
のレーンのリフレッシュ・サイクルをシーケンサ6に要
求するものである。
即ち、タイマ4から出力されるリフレソシュ・タイミン
グ信号が印加されたとき、指示手段としてのフリソプフ
ロップ回路(以下FFという)8一1〜8−4がセソト
されて全レーンに対しリフレンシュが行われたか否かを
判別する判別部5−1が具備されている。全レーンに対
しリフレソシュが行われたとき、リフレッシュ要求部5
はリフレッシュ要求信号REF−REQを出力しないが
、1つのレーンでもリフレッシュが行われていなければ
リフレッシュ要求部5はシーケンサ6に対してリフレッ
シュ要求償号REF−REQを出力する。
シーケンサ6はCPUIからのメモリアクセス要求信号
(アドレス、R/W、サイズ、AS/DS等)及びリフ
レッシュ要求部5からのリフレッシュ要求信号REF−
REQにより、DRAM2に対し読み出し、書き込み、
リフレッシュ動作等に必要な諸信号を出力する。また、
RAS信号を出力するRAS出力部6−1と、このRA
S信号より早いタイ果ングでCAS信号CASoを出力
するCAS出力部6−2を具備している。
第1レーン、リフレソシュ・シーケンサ7−1は、DR
AM2の第1レーン2−1に対して単独のリフレッシュ
を行うべきか否かを判断したり、cpu tの第1レー
ン2−1に対するR/Wアクセスを指示するものである
。このため、アドレス判別部7−1a,リフレソシュ(
RF)用CAS信号出力部?−1 bを備え、CPUI
のアクセス先が第1レーン2−1であることをアドレス
判別部7−1aで判別したとき、シーケンサ6のRAS
出力部6−1より出力されるRAS信号より遅れたタイ
ミングで出力するCAS出力部6−2からのアクセス用
CAS信号(CASo)を第1マルチプレクサ9−1よ
り出力する。これにより第1レーン2−1は自己がアク
セスされることを認識する。逆にCPUIのアクセス先
が第1レーン2−1以外であることをアドレス判別部7
−1aが判別したとき、第1レーン・リフレソシュ・シ
ーケンサ7−1から“1″を第1マルチプレクサ9−1
に与えることによりRF用CAS出力部7−lbより出
力されるCAS信号CASを第1マルチプレクサ9−1
より出力し、第1レーン21ではこのCASがRASよ
り早いことによりリフレッシュ動作を行うことになる。
第1レーン・リフレッシュ・シーケンサ7−1はこのと
きカウンタ8−1をセットして、リフレッシュ動作が行
われたことを示す。
第2レーン・リフレソシュ・シーケンサ7−2〜第4レ
ーン・リフレッシュ・シーケンサ7−4も、前記第1レ
ーン・リフレッシュ・シーケンサ7−1と同様に構成さ
れ、同様に動作する。
第1マルチプレクサ9−1〜第4マルチブレクサ9−4
は、第1図(A)に示すマルチプレクサ部9を構或する
ものである。第1マルチプレクサ9−1は、シーケンサ
6のCAS出力部6−2より出力される前記CAS信号
CASoと、第1レーン・リフレッシュ・シーケンサ7
−1のRF用CAS出力部7−1 bより出力される前
記CAS信号のいずれか一方をアドレス判別部?−1a
の判別結果にもとづき選択出力するものであり、CPU
Iのアクセス先がDRAM2の第1レーン21以外のと
きRF用CAS出力部7−1bより出力されるCAS信
号を選択出力し、CPU1のアクセス先が第1レーン2
−1のときCAS出力部6−2より出力される前記CA
S信号CASoを選択出力する。第2マルチプレクサ9
−2〜第4マルチプレクサ9−4も第lマルチプレクサ
9−1と同様に動作し、アクセス用CAS出力部7−2
a 〜?−43または前記CAS信号CAS oのいず
れか一方を選択出力する。
なお、各レーン・リフレッシュ・シーケンサ7−IA′
?−4及びリフレッシュ要求部5、シーケンサの構或を
第2図(B)に示す。
演算部7−1alはCPU1からアドレスλDDRES
Sの下位2ビットAn,A1,メモリサイズSIZE信
号So,S1 (レーン単位にその個数〔レーン数〕を
示すものとする。)より、CPUIからアクセスされる
番地を算出する。
アドレスADDRESSの下位2ビットにより、4つの
レーン2−1〜2−4の内の1つが指定され、メモリサ
イズSIZEにより、アクセスされるべきレーンの個数
が示される。例えばアドレスADDRESSの下位2ビ
ットにより第2レーン2−2が指定され、メモリサイズ
SIZEが「2」ならば、第2レーン2−2及び第3レ
ーン2一3がアクセスされたことになる。
演算部?−1alは、これらのデータ(アドレスの下位
2ビットとメモリサイズSIZE)より、自己レーン2
−1〜2−4がアクセスされているか否かの数値、即ち
、DRAM2の各レーン2−1〜2〜4の最初のアドレ
ス値)を算出する。比較部7〜1a2は演算部?−1a
lの出力値と、レジスタ?−183に予め格納されてい
る上記各レーン2−1〜2−4の最初のアドレス値とを
比較し、一致すれば自己レーンがアクセスされているこ
とを示す一致信号「l」を出力する(不一致のときは「
0」を出力する。)。
アンドゲート7−1a4には後述するようにCASタイ
ミング信号CASTMが与えられるとともに比較部?−
1a2の出力が与えられる。リフレソシュ用CAS信号
出力部7−1bはアンド・ゲート?−1a4の出力rl
Jを受けてリフレンシュ用CAS信号を出力する。
なお、アンド・ゲート?−1a4の出力は、マルチプレ
クサ9−1に与えられる。
指示手段8−1はフリップフロップ回路(FF)で構戒
され、セント端子には、レーン・リフレッシュ・シーケ
ンサのアドレス判別部7−1aのゲ−}7−134の出
力信号「1」が加えられ、信号「1」を出力し、第1図
(B)に示すタイマ4から出力されるクロック信号を受
け、レーン・リフレッシュ・シーケンサ7−1で作られ
る同図に破線で示す負のクロック信号TFがレーン・リ
フレッシュ・シーケンサ7−1で作られ、指示千段8−
1のリセット端子に印加されリセットされる。
他のレーン・リフレッシュ・シーケンサ7−2〜7−4
も同様の構成である。
リフレッシュ要求部5には指示手段8−1〜8一4の出
力を受けるNANDゲー}5−1aを設け、NANDゲ
ート5−1aの出力はFF5−1bのデータ端子に加え
られ、またFF5−1bのクロソク端子にはタイマ4か
らの信号が加えられ、第l図(B)に示すタイマ4から
のクロックパルスが印加されたとき、データ端子に印加
されているレベルと同じレベルの信号がFF5−1bか
ら出力される。FF5−1bの出力が「1」のとき、シ
ーケンサ6に対してリフレッシュ要求が行われる. シーケンサ6にはFF6a〜6eと、ORゲー}6f,
6g、公知のロー/カラムアドレス発生部6h#A停回
路6−3を備える。
リフレッシュ要求部5のFF5−1bから出力されるリ
フレソシュ要求信号「1」はシーケンサ6の調停回路6
・−3に印加される。またCPLI 1からのアドレス
確定信号ASは調停回路6−3に印加される.各FF6
a〜6eにはシーケンサ6の内部クロソク信号がクロッ
ク端子に加えられ、クロック信号に同期してFF6a〜
6eは作動し、図示の如く信号CASTM..RAST
M,・CASoTM,CASoTM−RF,RASTM
−RFを出力する.調停回路6−3の調停条件は次の通
りである.FF5−1bからのリフレッシュ要求REF
−RQが優先される。つまりFF6aのセット状態にあ
り、その出力が「1」のときは、CPUIからのAS信
号はFF6Cに入力されないし、同時にAS{j号とR
EF−REQ信号がきたらFF6aにREF−REQ{
ii号を入力させる。
但し、FF6 cがセット状態でその出力が「1」のと
きREF−REQ信号がFF5−1 bから出カされて
もF F 6.aへは入力されない。このような調停回
路6−3はFFとゲート回路で構戒される。リフレ・ノ
シュ要求部5からのリフレッシュ要求償号REF−RE
Qが出力されたとき(R E F一REQ= rlj 
) 、シーケンサ6のFF6aからの信号CASeTM
−RFと次のクロック周期でFF6bから出力されるR
ASTM−RFにより、CAS出力部6−2からCAS
信号が先に出力され、次にRAS出力部6−1からRA
S信号が出力される。かかる状態では、レー、ン・リフ
レッシュ・シーケンサ?−1〜7−4からのマルチプレ
クサ選択信号rOJがマルチブレクサに与えられており
 (なぜならばこのときは前述のようにFF6 Cはリ
セント状態にあり、CASTM信号は「0」であるので
ゲート7−1aの出力は「O」となるからである。)シ
ーケンサ6のCAS出力部6−2からのCAS信号は、
マルチプレクサ9−1〜9−4を介して第1レーン2−
1〜第4レーン2−4に印加され、続いてシーケンサ6
からのRAS信号が、第1レーン2−1〜第4レ一ン2
−4に印加される結果、これら第1レーン2−1〜第4
レーン2−4のリフレッシュが行われる。
シーケンサ6のロー/カラムアドレス発生部6hからは
cpu iのアドレス信号ADDRESSを受けて通常
は、ローアドレスが出力されており、RAS出力部6−
1からの出力を受けると、ロー/カラムアドレス発生部
6hはカラムアドレスを出力する。なおシーケンサ6の
各FF6.a〜6eはRAS出力部6−1から出力され
るRAS信号の出力が停止するタイ旦ングでリセットさ
せる結果、これらFF6a〜6eの出力は「0」となる
.本発明の動作を、第2図、第3図にもとづき説明する
1)CPUIからDRAM2に対するアクセスは、第2
図に示す如く、アドレス(ADDRESS)、サイズ(
S I ZE) 、R/W (ライトはLレベル〉、ア
rレス及びデータの確定信号(AS/DS)により行わ
れる。この実施例では、DRAM2は8ビット毎の4つ
のレーンに分割され、合計32ビットで構或されている
。そして各レーンは荊述のようにアドレスの下位2ビッ
トと、サイズ信号の組み合わせによって選択される。
第3図(A>にこれらの各信号の状態を示す。
(2)  これらの信号を受けてメモリ制御部3のシー
ケンサ6は、DRAM2にアクセスするために、第2図
に示す如く、メモリアドレス(MEMA)、ロウアドレ
ス確定信号(RAS)、データ出力許可信号(OE)又
はデータ書き込み許可信号(WE)を出力する。かくし
て当該レーンに、第3図(A)に示す如く、メモリア゛
ドレス(MEMA)、ロウアドレス確定信号(RAS)
、カラムアドレス確定イ言号(CAS)、データ出力許
可信号(OE)又はデータ書き込み許可信号(WE)が
印加される。もし読み出しであれば、これにより所望の
データDATAがDRAM2よりCPUIに出力され、
シーケンサ6より出力されたデータ出力確認信号DTA
CKによりこれがCPU1に読取られる. (3)  このようにCPUIからDRAM2に、例え
ば読み出しアクセスがある(C P U 1より前述の
如くアドレス確定信号ASがシーケンサ6へ出力されて
いる)と、第1レーン・リフレソシェ・シーケンサ?−
1のアドレス判別部7−1a〜第4レーン・リフレッシ
ュ・シーケンサ7−4のアドレス判別部7−4aは、ア
ドレスADDRESSの下位2ビットとサイズ信号SI
ZEにより、自分の担当するレーンが選択されているか
どうかを判断する。選択されていれば、その1亥当する
マルチプレクサにrOJを出力し、シーケンサ6のCA
S出力部6−2から出力された、第3図(A)に示す如
く、RASより遅れたタイミングのCASをそのマルチ
ブレクサより出力する。シーケンサ6は、CPUIから
のアドレスADDRESSにより、前述のようにロウア
ドレスをまずMEMAとして出力し、前記RAS信号を
出力し、次いでカラムアドレスをMEMAとして出力し
、CASが前記の如く出力される。
しかし自分の担当するレーンが選択されていない場合、
レーン・リフレッシュ・シーケンサ?−i (i=1〜
4)はその該当するマノレチプレクサ9−iにrlJを
出力し、第3図(B)に示す如く、レーン・リフレッシ
ュ・シーケンサ7−iのCAS出力部?−ibより出力
された前記RASより早いタイミングのCASをそのマ
ルチプレクサ9−iより出力する。またその指示手段S
−tを数値lにセントする.このように選択されていな
いレーン2−iは、CAS before R A S
となるので、これによりそのレーン2−iはリフレッシ
ュすべきことをL’2 1kし、リフレッシュ動作を行
う。
(4)第1図(B)に示す如く、タイマ4が出力するl
リフレッシュ期間内には、何回かのCPU1によるDR
AM2のアクセスがあるが、必ずしも全レーン2−1〜
2−4が選択されるようなアクセスとは限らない。前記
の如く、第1図(B)の時刻TIでは第1レーン2−1
〜第3レーン2−3が選択され第4レーン2−4が非選
択のため第4レーン2−4がリフレッシュされる。lリ
フレッシュ期間において少なくとも1回のりフレソシュ
が各レーン2−1〜2−4に実行されれば、もはやこの
期間内ではりフレソシュを行う必要がない。それ故、指
示千段8−1〜8−4がすべて1をセントしていれば、
判別部5−1がこれを認識する(判別部5−1のNAN
Dゲート5−1aの出力がrOJとなり、タイマ4から
のクロ7クがFF5−1bに入力されると、データ端子
に加えられている信号「0」がFF5−1bの出力とし
て出される。)のでリフレッシュ要求部5はシーケンサ
6に対しリフレッシュ要求信号REF−REQを出力し
ない。勿論指示手段8−1〜8−4はこの認識判別後に
、前述のようにレーン・リフレッシュ・シーケンサ?−
1〜7−4によりリセントされる。
(5)シかし第1レーン2−1〜第4レーン2−4のい
ずれか1つ以上のレーン2−iが1回もリフレッシュ動
作が行われていない場合は、タイマ4から出力されたリ
フレッシュ・タイξング信号がリフレッシュ要求部5に
印加されたとき、判別部5−1がこれを識別して、リフ
レッシュ要求部5がシーケンサ6に対しリフレソシュ要
求信号REF−REQを出力して全レーン2−1〜2−
4のリフレッシュサイクルが発生する。
(即ち、リフレッシュ要求部5のNANDゲート5−1
aの出力が「1」となりタイマ4からのクロック(第1
図(B)のREF−TIME信号)によりFF5−1b
の出力は「1」となってこれがリフレッシュ要求信号と
なる。これによりシーケンサ6はそのRAS出力部6−
1及びCAS出力部6−2が、第3図CB)に示す如く
、C A S before R A Sのタイミング
でCASo’を出力するので、これらにより第1レーン
2−1〜第4レーン2−4のすべてのレーンに対してリ
フレッシュ動作が行われる。
なお前記説明ではレーン幅が8ビットであり、また第1
レーン〜第4レーンの例について説明したが、勿論レー
ン幅やレーンの数はこれらに限定されるものではなく、
適宜選択できるものである。
〔他の実施例〕
上記実施例では、リフレ7シュ方式としてCAS be
fore R A Sの例について説明したが、本発明
はこれのみに限定されるものではない。例えばMEMA
とRAS信号を用いるRAS  ONLYリフレンシュ
方式を採用しても扮論よい。この場合は、リフレンシュ
する対象のロウアドレスをMEMAとして与えなければ
ならないので、各レーンのメモリアドレスMEMAを分
離する。各レーン2−1〜2−4が選択されたときには
、シーケンサ6が与えるメモリアドレスMEMAを出力
し、非選択のときには、レーン・リフレッシュ・シーケ
ンサにリフレッシュ・アドレス・カウンタを持ち、この
カウンタの値を対応するレーンのメモリアドレスMEM
Aとして出力すればよい。またこのときには、選択され
たレーンには、RASSCAs信号が出力されるが、非
選択のレーンにはRAS信号のみ出力されることはいう
までもない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、メモリのアクセス時に、非選択のメモ
リレーンに対してリフレッシュ動作を行うため、リフレ
ッシュ・タイξング設定手段からの指示にもとづく全て
のメモリレーンのリフレッシュ・サイクルの発生を減少
することができるので、このタイマ指示における全ての
メモリレーンのリフレ・ノシェ・サイクルとメモリへの
アクセスが競合する場合を減少することができる。その
結果メモリ手段の使用効率が向上し、情報処理装置の効
率化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2図(a)は本発明の一実施例構戒図、第2図(b)
は実施例構成の詳細図、 第3図は本発明の動作説明図、 第4図は従来例説明図である。 1・一CPU 3−・メモリ制御部 5−・・リフレソシュ要求部 6−・シーケンサ 2・・・DRAM 4・・一タイマ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  複数のレーンにより構成され、一定期間以内にリフレ
    ッシュを必要とするメモリ手段(2)と、リフレッシュ
    ・タイミングを設定する手段(4)を具備するメモリ装
    置において、 メモリ手段(2)の各レーンに対してアクセスの有無を
    判別するレーン・リフレッシュ・シーケンサ((7−1
    )〜(7−4))と、 レーン毎にリフレッシュが行われたか否かを指示する指
    示手段((8−1)〜(8−4))と、リフレッシュ要
    求部(5)を備え、 メモリ手段(2)に対してアクセスが行われたとき前記
    レーン・リフレッシュ・シーケンサ((7−1)〜(7
    −4))の判別結果によりアクセス先以外のレーンでは
    、前記リフレッシュ・タイミング設定手段(4)から伝
    達されるリフレッシュ・タイミングのとき、リフレッシ
    ュ要求部(5)の要求に基づいてリフレッシュ動作を行
    い、リフレッシュ・タイミング設定手段(4)から伝達
    されるリフレッシュ・タイミングのとき複数のレーンの
    1つでもリフレッシュが行われていないことが前記指示
    手段((8−1)〜(8−4))の指示で判明したとき
    、リフレッシュ要求部(5)のリフレッシュ要求に基づ
    きレーンをリフレッシュするようにしたことを特徴とす
    るメモリのリフレッシュ制御方式。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804161B2 (en) 2001-04-02 2004-10-12 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, refreshing method thereof, memory system, and electronic instrument
RU2735526C1 (ru) * 2017-05-12 2020-11-03 3М Инновейтив Пропертиз Компани Адгезивные ленты

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US6804161B2 (en) 2001-04-02 2004-10-12 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, refreshing method thereof, memory system, and electronic instrument
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