JPH03160634A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH03160634A JPH03160634A JP1299824A JP29982489A JPH03160634A JP H03160634 A JPH03160634 A JP H03160634A JP 1299824 A JP1299824 A JP 1299824A JP 29982489 A JP29982489 A JP 29982489A JP H03160634 A JPH03160634 A JP H03160634A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は光照射により光記録層に光学的変化を起させて
記録、消去を行うに適した光記録媒体に関する． ［従来の技術］ 従来、レーザービーム等の光を利用して情報を記録する
光記録媒体としては、書込み専用の追記型光記録媒体や
書換型記録媒体がある．追記型光記録媒体では金属膜、
色素膜等に局所的に孔または変形を起させる不可逆的な
過程を利用する．−方、書換型光記録媒体としては、結
晶φ非品質問の転移に伴なう反射率変化を利用して情報
を記録する相変化媒体と垂直磁化膜の磁化の方向により
偏光特性が異なること（磁気光学効果）を利用した光磁
気媒体がある。
記録、消去を行うに適した光記録媒体に関する． ［従来の技術］ 従来、レーザービーム等の光を利用して情報を記録する
光記録媒体としては、書込み専用の追記型光記録媒体や
書換型記録媒体がある．追記型光記録媒体では金属膜、
色素膜等に局所的に孔または変形を起させる不可逆的な
過程を利用する．−方、書換型光記録媒体としては、結
晶φ非品質問の転移に伴なう反射率変化を利用して情報
を記録する相変化媒体と垂直磁化膜の磁化の方向により
偏光特性が異なること（磁気光学効果）を利用した光磁
気媒体がある。
相変化媒体の光記録層材料としてはＴｅをベースにして
他の元素を添加したＧｅＴｅＳｂ合金媒体やＩｎＳｂＴ
ｅ合金媒体などが知られている． 相変化媒体の記録消去は例えば次のようにして行われる
．大出力ショートパルスのレーザー光を媒体に照射する
ことで急加熱し、約ｌμｍφのスポット状に媒体を溶融
し、これを急冷することで結晶状態から非品質状態への
相転移をさせて記録を行う．そして一定出力のレーザー
光の照射で記録部分を融点以下の温度でアニールし、よ
り安定な結晶状態へ転移させることにより消去を行う．
この場合媒体を融点以上（６００〜８００℃）にまで短
時間に昇湿させるのに、３０〜１００ｍＷの半導体レー
ザーが必要である． 光磁気媒体にはＴｂＦｅＣｏまたはＧａＦｅＣｏ非晶質
合金膜などが用いられるが、これらはいずれも垂直磁化
膜で、かつカー効果（磁気光学効果）も示す．光磁気記
録には一定磁場をかけ、相変化方式と同様にショートパ
ルス光で（キュウリー温度以上に）昇温して、磁化を反
転させる方法と、一定パワーでキュウリー温度近くまで
昇温しバイアス磁場の変調により磁化を反転させる方法
がある。両方法ともキュウリー温度（約３００℃）まで
昇温する必要があるため１５〜４０ｍＷのレーザー出力
が必要である。
他の元素を添加したＧｅＴｅＳｂ合金媒体やＩｎＳｂＴ
ｅ合金媒体などが知られている． 相変化媒体の記録消去は例えば次のようにして行われる
．大出力ショートパルスのレーザー光を媒体に照射する
ことで急加熱し、約ｌμｍφのスポット状に媒体を溶融
し、これを急冷することで結晶状態から非品質状態への
相転移をさせて記録を行う．そして一定出力のレーザー
光の照射で記録部分を融点以下の温度でアニールし、よ
り安定な結晶状態へ転移させることにより消去を行う．
この場合媒体を融点以上（６００〜８００℃）にまで短
時間に昇湿させるのに、３０〜１００ｍＷの半導体レー
ザーが必要である． 光磁気媒体にはＴｂＦｅＣｏまたはＧａＦｅＣｏ非晶質
合金膜などが用いられるが、これらはいずれも垂直磁化
膜で、かつカー効果（磁気光学効果）も示す．光磁気記
録には一定磁場をかけ、相変化方式と同様にショートパ
ルス光で（キュウリー温度以上に）昇温して、磁化を反
転させる方法と、一定パワーでキュウリー温度近くまで
昇温しバイアス磁場の変調により磁化を反転させる方法
がある。両方法ともキュウリー温度（約３００℃）まで
昇温する必要があるため１５〜４０ｍＷのレーザー出力
が必要である。
光磁気媒体、相変化媒体ともに第１図に示すような構成
とするのが代表的である．すなわち透明基板ｌ上に、保
護膜３を設け、その上に記録膜２を設ける。保護ｒ７１
３゜を設け、その上に反射膜４を設け、封止Ｎ５を設け
て光記録媒体を得る。
とするのが代表的である．すなわち透明基板ｌ上に、保
護膜３を設け、その上に記録膜２を設ける。保護ｒ７１
３゜を設け、その上に反射膜４を設け、封止Ｎ５を設け
て光記録媒体を得る。
保護層３は光記録Ｍ２を熱衝撃から起る変形や酸化劣化
から守り、さらに無反射条件に近い構成とすることによ
りレーザー光を光記録層に効率良く吸収させ、かつ記録
に伴なう光学的変化を増幅させる効果があり、その材料
としては透明でかつ硬いＳｉＮ，ＳＩＪ４．ＡＩＮ．Ｓ
ｉ０２等が検討されている．また光反射層４を設けると
透過光量が減少し、パワー吸収効率の向上及び光学変化
の増幅が図れる．この材料としては、使用する光の波長
での反射率が高いＡｕやＡＩ等が用いられている。
から守り、さらに無反射条件に近い構成とすることによ
りレーザー光を光記録層に効率良く吸収させ、かつ記録
に伴なう光学的変化を増幅させる効果があり、その材料
としては透明でかつ硬いＳｉＮ，ＳＩＪ４．ＡＩＮ．Ｓ
ｉ０２等が検討されている．また光反射層４を設けると
透過光量が減少し、パワー吸収効率の向上及び光学変化
の増幅が図れる．この材料としては、使用する光の波長
での反射率が高いＡｕやＡＩ等が用いられている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記光反射層に用いられる金属は熱伝導
率が極めて高く、このため光記録層に与えられた熱が金
属層内において拡散し、局所的に昇温することが困難と
なり、その結果光記録媒体の感度を向上させることが困
難になっていた。
率が極めて高く、このため光記録層に与えられた熱が金
属層内において拡散し、局所的に昇温することが困難と
なり、その結果光記録媒体の感度を向上させることが困
難になっていた。
本発明の目的は、光反射層の反射特性を損なわずにその
熱伝導率を下げ、感度の良い光記録媒体を提供すること
である． ［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板とその上に設けられた光記録層および光
反射層とを具備し、光記録層の光学的変化を利用して情
報の記録および消去を行う光記録媒体において、該光反
射層が金属および誘電体を含有することを特徴とする光
記録媒体である。
熱伝導率を下げ、感度の良い光記録媒体を提供すること
である． ［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板とその上に設けられた光記録層および光
反射層とを具備し、光記録層の光学的変化を利用して情
報の記録および消去を行う光記録媒体において、該光反
射層が金属および誘電体を含有することを特徴とする光
記録媒体である。
本発明によれば、従来用いられていた単層のＡｕあるい
はＡＩ等の光反射層にかえて、金属および誘電体を含有
する光反射層とする．この誘電体が熱の流失を抑制し、
光反射層全体としての熱伝導率を下げ、その結果光記録
媒体の感度を向上させることができる。
はＡＩ等の光反射層にかえて、金属および誘電体を含有
する光反射層とする．この誘電体が熱の流失を抑制し、
光反射層全体としての熱伝導率を下げ、その結果光記録
媒体の感度を向上させることができる。
本発明の光反射層は、例えば誘電体膜に金属が分散した
形態のもの、また金属層と誘電体層とが交互に積層した
多層構造のもの等が好ましい。
形態のもの、また金属層と誘電体層とが交互に積層した
多層構造のもの等が好ましい。
誘電体膜に金属が分散した形態の光反射層では、光反射
層中に高融点の安定な誘電体が散在するため金属微粒子
の集合体と同様の組織になり、熱伝導率が下がる．多Ｎ
ＪＲ造のものでは金属層が互いに不連続になるため熱伝
導率が下がる。
層中に高融点の安定な誘電体が散在するため金属微粒子
の集合体と同様の組織になり、熱伝導率が下がる．多Ｎ
ＪＲ造のものでは金属層が互いに不連続になるため熱伝
導率が下がる。
上記金属としては、使用する光の波長において充分な反
射率を持つものであれば特に制限はないが、例えばＡｕ
， ＡＩ等が好ましい．また誘電体として；ユ，使用す
る光の波長において充分に透明であり、融点が充分高く
安定で、また硬いものが良い。また通常誘電体は、金属
に比べて熱伝導率が低いが、そのなかでも金属に比して
熱伝導率がより低いものが好ましい。例えばＺｎＳ，
Ｓｉｎ．， Ｓｉｎ，ＳｉＮ，ＡｉＮ等が好適である。
射率を持つものであれば特に制限はないが、例えばＡｕ
， ＡＩ等が好ましい．また誘電体として；ユ，使用す
る光の波長において充分に透明であり、融点が充分高く
安定で、また硬いものが良い。また通常誘電体は、金属
に比べて熱伝導率が低いが、そのなかでも金属に比して
熱伝導率がより低いものが好ましい。例えばＺｎＳ，
Ｓｉｎ．， Ｓｉｎ，ＳｉＮ，ＡｉＮ等が好適である。
１つの層の中に金属と誘電体とを混在させる場合（誘電
体膜に金属が分散した形態等）、金属が多すぎると熱伝
導率が金属単体に近づきすぎ、金属が少なすぎると光の
反射が充分でなくなるので、これら点に注意して金属と
誘電体の割合を決めれば良いが，概略、金属が４０〜９
０％程度が好ましい． 多層構造とする場合、金属層が厚すぎると横方向（膜の
面方向）に熱が伝導してしまい、本発明の効果が薄れ、
金属層が薄すぎると反射が充分でなくなるので、これら
の点に注意して決めれば良いが、金属層の厚さは２０〜
３０人以上１００人以下程度が好ましい．誘電体層の厚
さは、あまり薄いと膜が壊れ、あまり厚いと記録媒体の
感度を下げることになるので、これらの点に注意して決
めれば良いが、３０人以上３００人以下程度が好ましい
．またそれぞれの暦数はあまり多くても意味がなく、充
分な反射が得られる程度とするのが良い．例えばＡｕ膜
のトータルの厚さが２００人程度以上とすると良い。
体膜に金属が分散した形態等）、金属が多すぎると熱伝
導率が金属単体に近づきすぎ、金属が少なすぎると光の
反射が充分でなくなるので、これら点に注意して金属と
誘電体の割合を決めれば良いが，概略、金属が４０〜９
０％程度が好ましい． 多層構造とする場合、金属層が厚すぎると横方向（膜の
面方向）に熱が伝導してしまい、本発明の効果が薄れ、
金属層が薄すぎると反射が充分でなくなるので、これら
の点に注意して決めれば良いが、金属層の厚さは２０〜
３０人以上１００人以下程度が好ましい．誘電体層の厚
さは、あまり薄いと膜が壊れ、あまり厚いと記録媒体の
感度を下げることになるので、これらの点に注意して決
めれば良いが、３０人以上３００人以下程度が好ましい
．またそれぞれの暦数はあまり多くても意味がなく、充
分な反射が得られる程度とするのが良い．例えばＡｕ膜
のトータルの厚さが２００人程度以上とすると良い。
本発明の光反射層において、金属の電子状態は大きな変
化を受けないため、この層の屈折率は金属単体の場合の
屈折率から少し誘電体寄りになる程度である。更に分散
した金属を微粒子と見成したときのその粒径、あるいは
多層構造における金属層の厚さは、使用する光の波長（
例えば８３０ｎｍ）に比べて充分小さいので、回折や散
乱の効果も無視できる．このため本発明における光反射
層の反射率は、金属単体の層と比べてほとんど低下しな
い。
化を受けないため、この層の屈折率は金属単体の場合の
屈折率から少し誘電体寄りになる程度である。更に分散
した金属を微粒子と見成したときのその粒径、あるいは
多層構造における金属層の厚さは、使用する光の波長（
例えば８３０ｎｍ）に比べて充分小さいので、回折や散
乱の効果も無視できる．このため本発明における光反射
層の反射率は、金属単体の層と比べてほとんど低下しな
い。
一つの層に金属と誘電体を混在させる場合、反射層の製
造方法としては、２元同時スパッタリングあるいは２元
同時蒸着、また複合ターゲットを用いる等が挙げられる
がこのかぎりではない．多層構造の場合は交互に層を重
ねれば良く、従来公知の様々な成膜方法が応用できる。
造方法としては、２元同時スパッタリングあるいは２元
同時蒸着、また複合ターゲットを用いる等が挙げられる
がこのかぎりではない．多層構造の場合は交互に層を重
ねれば良く、従来公知の様々な成膜方法が応用できる。
本発明の光記録媒体において、光反射層以外の構成は従
来の光記録媒体と同様である．〔実施例】 実施例１ 光反射層を除いては従来の光記録媒体と同様の構成の光
記録媒体を製作した。
来の光記録媒体と同様である．〔実施例】 実施例１ 光反射層を除いては従来の光記録媒体と同様の構成の光
記録媒体を製作した。
１３ｃｍφ、 Ｉ．２ｍｍ厚の透明プラスチック（ポリ
カーボネート）基板１上に、９ ０ｎｍ厚のＳｉＮ保護
層３、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ６合金からなる４０ｎｍ厚の光
記録層２、 １９０ｎｍ厚のＳｉＮ保護層３゜および光
反射層４をこの順に形成し、そのうえに紫外線硬化樹脂
により封止層（厚さ２００μｍ）を設けた。保護Ｎ３、
３゜はＲＦスパッタリング法により形成した．光反射層
はＡｕ分散ＳｉＯｚ膜（体積比、Ａｕ ： ＳｉＯ２＝
９０：１０）とし、２元同時ＲＦスパッタリング法によ
り、各成分の分散比率を堆積速度で制御しつつ戊膜した
。
カーボネート）基板１上に、９ ０ｎｍ厚のＳｉＮ保護
層３、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ６合金からなる４０ｎｍ厚の光
記録層２、 １９０ｎｍ厚のＳｉＮ保護層３゜および光
反射層４をこの順に形成し、そのうえに紫外線硬化樹脂
により封止層（厚さ２００μｍ）を設けた。保護Ｎ３、
３゜はＲＦスパッタリング法により形成した．光反射層
はＡｕ分散ＳｉＯｚ膜（体積比、Ａｕ ： ＳｉＯ２＝
９０：１０）とし、２元同時ＲＦスパッタリング法によ
り、各成分の分散比率を堆積速度で制御しつつ戊膜した
。
実施例２
保護層３、３゜をそれぞれ７ ５ｎｍ厚、 １８０ｎｍ
厚のＡＩＮ保護層とし、光反射層４を第２図に示すよう
な多層構造とした以外は実施例１と同様にして実施例２
の光記録媒体を得た． 光反射層４は基板に近い側からＡｕ膜１ １ （４ｎｍ
），ＺｎＳＩＩｉ １ ２ （６ｎｍ）の順にこれらを
交互にＲＦスパッタリング法により積層したもの（全体
の厚さは５６ｎｍ％Ａｕはトータノレで２００人）とし
た。
厚のＡＩＮ保護層とし、光反射層４を第２図に示すよう
な多層構造とした以外は実施例１と同様にして実施例２
の光記録媒体を得た． 光反射層４は基板に近い側からＡｕ膜１ １ （４ｎｍ
），ＺｎＳＩＩｉ １ ２ （６ｎｍ）の順にこれらを
交互にＲＦスパッタリング法により積層したもの（全体
の厚さは５６ｎｍ％Ａｕはトータノレで２００人）とし
た。
比較例１
光反射Ｎ４を、２０ｎｍ厚のＡｕ膜をＲＦスパッタリン
グ法により形成したものとした以外は実施例１と同様に
して比較例１の光記録媒体を得た。
グ法により形成したものとした以外は実施例１と同様に
して比較例１の光記録媒体を得た。
以上実施例１、２および比較例１の光記録媒体の書込み
消去特性を評価した． 試験機として回転ディスク試験機を用い、線速は全て５
ｍ／ｓ．書込みは５０ｎｓ，消去は一定パワーで、書込
みが始まる書込み閾値パワー、消去が始まる消去閾値パ
ワーを調べた。その結果を次に示す。
消去特性を評価した． 試験機として回転ディスク試験機を用い、線速は全て５
ｍ／ｓ．書込みは５０ｎｓ，消去は一定パワーで、書込
みが始まる書込み閾値パワー、消去が始まる消去閾値パ
ワーを調べた。その結果を次に示す。
実施例１の光記録媒体：
書込み閾値パワー：５．５ｍＷ，消去閾値パワー＋２．
４ｍＷ実施例２の光記録媒体： ．Ｆ１′｝１１−９． ｎｘｓｉ．＊ ｌ％Ｉｌ ＋−
１ − ．ｃ ｃ−ｕｕ ｖｓ土ＦＩＮ４古ｌ
ず口ー・フ Ｒ＋ｎＳｌ比較例１の光記録媒体： 書込み閾値バワー： ８ｍＷ ，消去閾値パワー：３．
５ｍＷこの結果から、本発明の光記録媒体が書込みおよ
び消去のいずれにおいても従来のものにくらべて高感度
であることがわかる． 〔発明の効果］ 本発明により、高感度な光記録媒体が得られる。
４ｍＷ実施例２の光記録媒体： ．Ｆ１′｝１１−９． ｎｘｓｉ．＊ ｌ％Ｉｌ ＋−
１ − ．ｃ ｃ−ｕｕ ｖｓ土ＦＩＮ４古ｌ
ず口ー・フ Ｒ＋ｎＳｌ比較例１の光記録媒体： 書込み閾値バワー： ８ｍＷ ，消去閾値パワー：３．
５ｍＷこの結果から、本発明の光記録媒体が書込みおよ
び消去のいずれにおいても従来のものにくらべて高感度
であることがわかる． 〔発明の効果］ 本発明により、高感度な光記録媒体が得られる。
第１図は光記録媒体の代表的な構成を示す模式的断面図
、第２図は本発明の光記録媒体の１例における光反射膜
の構成を示す模式的断面図である。 １：基板 ２：光記録層 ３、３゜ ：保謹層 ４：光反射層 ５：封止層 １１：Ａｕ層 １２：ＺｎＳＪ！！
、第２図は本発明の光記録媒体の１例における光反射膜
の構成を示す模式的断面図である。 １：基板 ２：光記録層 ３、３゜ ：保謹層 ４：光反射層 ５：封止層 １１：Ａｕ層 １２：ＺｎＳＪ！！
Claims (1)
- （１）基板とその上に設けられた光記録層および光反射
層とを具備し、光記録層の光学的変化を利用して情報の
記録および消去を行う光記録媒体において、該光反射層
が金属および誘電体を含有することを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299824A JPH03160634A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299824A JPH03160634A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160634A true JPH03160634A (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=17877366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299824A Pending JPH03160634A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03160634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714212A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Nec Corp | 光ディスク基板及びその製造方法 |
| US6899993B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-05-31 | Lg Electronics Inc. | Optical disk and method of fabricating the same |
| US7348124B2 (en) * | 2002-09-28 | 2008-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-density readable only optical disk |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299824A patent/JPH03160634A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714212A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Nec Corp | 光ディスク基板及びその製造方法 |
| US6899993B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-05-31 | Lg Electronics Inc. | Optical disk and method of fabricating the same |
| US7348124B2 (en) * | 2002-09-28 | 2008-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-density readable only optical disk |
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