JPH03157841A - 光学ヘッド - Google Patents

光学ヘッド

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JPH03157841A
JPH03157841A JP29810389A JP29810389A JPH03157841A JP H03157841 A JPH03157841 A JP H03157841A JP 29810389 A JP29810389 A JP 29810389A JP 29810389 A JP29810389 A JP 29810389A JP H03157841 A JPH03157841 A JP H03157841A
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吉田 圭男
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伸夫 緒方
Tetsuo Kamiyama
徹男 上山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業−にの利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク装置等の記録再生装置に用い
る光学ヘッドに関するものである。
〔従来の技術〕
偏光を利用して、情報の再生を行う記録再生装置の一例
に、光磁気ディスク装置を挙げ、これの光学ヘッドにつ
いて説明する。
光磁気ディスク装置の光学へ・ソドは、基本的に半導体
レーザー、PBS (偏光ビームスブリ・ンタ)、検光
子、光検出器からなつ°Cいる。半導体レーザーから出
射された直線偏光のレーザー光は、PBSを透過し、光
磁気記録媒体に照射され、そして、反射光として再びP
BSに戻る。このとき、反射光の偏光面は光磁気記録媒
体の磁化の方向、すなわち記録情報に従って、左右いず
れかに回転している。このため、反射光は互いに直交す
る2つの偏光成分を持つ。PBSは、この互b)cこ直
交する2つの偏光成分を各々異なる分光比、すなわち、
透過強度と反射強度との比率で透過し、反射する。この
分光比は記録情報を最も効率よく再生できるように設定
されており、半導体レー4J’から出射された直線偏光
のレーザー光と同じ方向の偏光成分については、分光比
を透過:反射70:30から80:20程度の割合とし
、これに直交する偏光成分については、分光比を透過二
反射0:100程度の割合としている。上記分光比で反
射されたPBSからの反射光は検光子に入射し、光検出
器に入射する。光検出器では記録媒体の磁化の方向によ
る強度差が検出され、情報が再生される。
ところで、上記光学ヘッドを小型化するためにPBSや
検光子を、偏光特性を有する回折素子で置き換えること
が考えられる。
この場合、回折格子からの回折光が光磁気記録媒体を照
射するように光ヘッドを構成すると、例えば、第6図の
ようになる。ただし、コリメート・レンズ、集光レンズ
等は図示されていない。
半導体レーザーlから出射されたレーザー光L1は、回
折素子7に入射し、回折素子7の透明基板2上に形成さ
れた回折格子2aによって回折角(2θI)で回折され
、回折光1−z+がディスク基板3aと磁性体膜からな
る記録膜3bとを有する光磁気ディスク3に照射される
。このとき、レーザー光L1の一部は回折素子7を透過
し、透過光L2゜とじて失われる。回折光LSIは光磁
気ディスク3で反射され、反射光り、として再び回折格
子2aに戻るが、反射光り、の偏光面は記録膜3bの磁
化の方向、すなわち記録情報に従って、左右いずれかに
回転している。つまり、反射光L3は入射光偏光方位に
対して互いに直交する2つの偏光成分を持っている。回
折格子2aは、この互いに直交する2つの偏光成分を各
々異なる分光比、すなわち回折強度と透過強度との比率
で回折し、透過する。そして、回折角(2θ1)で回折
された回折光L41は半導体レーザー1に戻り、透過光
り、。
は、(1/2)波長板9で偏光面を略45度回転させら
れた後、透明基板2とその上に形成された回折格子2b
からなる回折素子8に入射し、直交する2つの偏光成分
、すなわち透過光L−soと回折格子2bによって回折
角(2θ1)で回折された回折光LSIとに分けられ、
光検出器5a・5bに入射する。光検出器5a・5bか
らの検出信号は、差動増幅器IOに入力され、差動され
ることによって偏光面の回転方向が検出され、情報が再
生される。
上記光学ヘッドにおいて、回折素子7における回折格子
2aのピッチを0.59λ、透明基板2の屈折率を1.
45とした場合の、回折素子7の透過光L4゜および回
折光L41における直交する2つの偏光成分の強度比と
上記回折格子2aの深さとの関係を第7図に示す。
ここで、L4゜(TE)は透過光L4゜における回折素
子7の回折格子2aの方向と平行な方向の偏光成分を示
し、■、4.(TE)は回折光L4+における回折素子
7の回折格子2aの方向と平行な方向の偏光成分を示す
。また、L4゜(TM)は透過光L40における回折素
子7の回折格子2aの方向と垂直な方向の偏光成分を示
し、L、、(TM)は回折光L41における回折素子7
の回折格子2aの方向と垂直な方向の偏光成分を示す。
前記PBSの分光比との対応から、回折素子7の回折強
度と透過強度との比率を、TE波についてはり、、(T
E): L4゜(TE)を70=30から80:20程
度とし、TM波についてはL41(TM): L40 
(TM)を0:100程度とすると、PBSと同等の効
率で情報を再生できることになる。この条件を満たす回
折格子2aの深さは、図から明らかなように、はぼ0.
77λである。
回折素子8の回折格子2bは、回折素子7の回折格子2
aと同一の屈折率を有する基板2に同一のピッチを有す
る回折格子を同一方向に形成したものである。この回折
素子8では、直交する2つの偏光成分、すなわち回折格
子2bの方向と平行な方向の偏光成分であるTE波と回
折格子2bの方向と垂直な方向の偏光成分であるTM波
とを分離して取り出すために、回折強度と透過強度との
比率を、TE波についてはり、。(TE)  : I−
s+ (TE)を0:100程度とし、TM波について
はり、。(TM): Ls+ (TM)を100:0程
度となるように、回折格子2bの深さが設定される。
第7図を参照すると、この条件をほぼ満足する回折格子
2bの深さは、1゜3λ程度である。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記の構成によれば、半導体し・−ザの発振
波長が温度や電源電流の変動によ−、て変化した場合、
回折角(2θ、)が波長に依存するため、記録膜31)
を照射する回折光L21の方向が変化するこkになる。
そうなると、再生ずべき情報が記録されている記録膜3
bJ−の位置から照射位置がずれ、正確な情報の再生が
できなくなるという問題が起こる。
さらGこ、偏光特性をイl゛する回折素子7の回折角(
2θ、)が、例えば120度程爪上、かなり大きいため
1、半導体[/−ザー1の位置が、回折素子7から記録
膜31)に向かう回折光LZIの方向に対して60度爪
皮の方向になり、半導体レーザー1が光磁気記録媒体の
近くに配置されるなど、部品配置が制限され、コンパク
トな配置が取れないという問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光学ヘッドは、レーザーから出射された直線偏
光したレーザー光を光磁気記録媒体に照射1−2、この
記録媒体からの反射光を検光子及び光検出器で受光して
偏光面の傾きを検出することにより記録情報の再生を行
う光学ヘッドにおいて、回折格子を透過した透過光が記
録媒体を照射するようにレーザーと記録媒体の間に回折
格子が配置され、直線偏光した」二記透過光が回折格子
に対してTM波となるように回折格子が設し3られてい
ることを特徴としている。
〔作 用〕
1−記の構成Gこよれば、回折格子を透過(〜た透過光
が記録媒体を照射するよ・)に1ノーザーと記録媒体の
間に回折格子を配置1〜、直線偏光した上記透過光が回
折格子に対してTM波となるように回折格子を設けたの
で、格子間隔、すなわちビ・ンチや凹凸の深さをある値
に設定することにより、記録媒体からの反射光に含まれ
る2つの直交する偏光成分、すなわち、回折格子に対し
てTM波とTE波となる偏光成分の内、記録媒体を照射
する透過光と同じ偏光成分であるために比較的強いTM
波についてはある程度回折j7、比較的弱いT E波に
ついてはほとんど回折するように構成することができる
。このため、回折光は2つの直交する偏光成分を適度に
含んでおり、これを検光子及び光検出器で受光1.て偏
光面の傾きを検出すれば、記録情報の再生を行なえる。
この場合、記録媒体を照射する照射光は、回折格子で回
折された回折光ではなく、回折格子を透過しまた透過光
であるので、レーザーの発振波長が変動しても、記録媒
体−1−のレーザー光の照射位置が変わることはない。
また、レーザーの位置は回折格子を隔てて、記録媒体の
反対側に配置されるので、部品配置が制限されることが
少ない。
〔実施例〕
本発明の−・実施例を第1図乃至第5図6コ基づいて説
明すれば、以Fのとおりである。
本発明に係る光学ヘッドを第1図に示す。この先学ヘッ
ドは、光磁気記録媒体の情報の再生、記録を行・)ため
に用いられるものであり、その構成は回折格子を透過し
た透過光(TM波)を記録媒体に照射するようにした点
を除いて、第6図で示した光学ヘッドと同様の構成であ
るので、第6図と同一の機能を有する部材には、同一の
参照番号を付し、その説明を省略する。
第1図において、半導体1ノーザー1から出射された直
線偏光のレーザー光L 、ば、透明基板2と透明基板2
上に形成された回折格子2Cとからなる回折素子11を
透過し、透過光[,2゜が基板3aと磁性体膜からなる
記録膜3bとを有する光磁気ディスク3に照射される。
このとき、レーザー光り、の一部は、回折素子11の回
折格子2Cによって回折され、回折光L21と17で失
われる。透過光Lzoは、光磁気ディスク3で反射し、
反射光り、。
とじて再び回折素子11に戻るが、反射光L’lの偏光
面ば記録膜3bの磁化の方向、すなわち記録情報に従っ
て、左右いずれかに回転している。つまり、反射光L3
ば入射光の偏光方位に対して互いに直交する偏光成分を
持っている。回折格子2Cば、この互いに直交する偏光
成分を各々異なる回折強度と透過強度との比率、すなわ
ち各々異なる分光比で回折し、透過する。そして、回折
光L41に基づいて情報の再生が行われる。なお、透過
光L4゜は半導体レーザー1に戻る。
第1図で用いられた回折素子11の拡大図を第2図に示
す。
回折素子11は透明基板2と透明基板2上に形成された
回折格子2cからなっており、回折格子2Cはピッチp
の格子間隔で規則的に並んだ深さdの多く凹凸からでき
ている。この回折格子2cによる回折角(2θ)はブラ
ッグの回折条件、2psinθ−nλ によって与えられる。ここで、λはレーザー光の波長を
表し、nは整数である。偏光特性を付与するために、ピ
ッチpは波長λよりも短く設定されているから、上記回
折条件を満たすにはnは通常1である必要があり、した
がって、この場合の回折光は1次回折光となる。なお、
同じピッチpを設定しても凹凸の深さdによって、偏光
特性は大きく変わる。この回折素子11が、第1図にお
いて、上記ブラッグの回折条件を満足するように配置さ
れている。なお、回折格子2cは、第1図のように透明
基板2の光磁気ディスク3側に形成されていてもよいし
、また、半導体レーザー1側に形成されていてもよい。
ただし、格子の方向、すなわち、凹凸の山(または谷)
の方向は、紙面に垂直でなければならない。
この回折格子2CのピッチPを0.65λ、透明基板2
の屈折率を1.45とした場合の、回折素子11の透過
光り、。および回折光T−41における直交する2つの
偏光成分の強度比と上記回折格子2Cの深さとの関係を
第3図に示す。
ここで、L4゜(TE)は第1図における透過光L4゜
における回折素子11の回折格子2Cの凹凸の山(また
は谷)の方向と平行な方向の偏光成分を示し、L、、(
TE)は回折光L41における回折素子12の回折格子
2Cの凹凸の山(または谷)の方向と平行な方向の偏光
成分を示す。また、L、。
(TM)は透過光L4゜における回折素子11の回折格
子2Cの凹凸の山(または谷)の方向と垂直な方向の偏
光成分を示し、t、 4+ (T M )は回折光L4
1における回折素子110回折格子2Cの凹凸1 の山(または谷)の方向と垂直な方向の偏光成分を示す
従来例で示したPBSの分光比との対応がら、回折素子
11の透過強度と回折強度の比率、すなわち分光比を、
記録膜3bを照射する透過光L2゜と同じ偏光成分につ
いては、70:30がら8゜:20程度とし、これに直
交する偏光成分については0 : 100程度とすると
、PBSと同等の効率で情報を再生することができる。
この分光比に最も近い分光比を与える回折格子2cの深
さdは、図に示されるように、1.5λ程度となり、そ
のとき、L4゜(TM): L41(TM)=85 :
 12、L4゜(TE): La+ (TE) −1:
 94となる。それゆえ、このときの記録膜3bを照射
する透過光L2゜は7M波である。したがって、また、
直線偏光したレーザー光り、の偏光方向と回折格子2c
の凹凸の山(または谷)の方向は垂直に配置されている
上記の構成によれば、記録膜3bに照射する照射光は、
回折格子2cで回折された回折光1−z+で2 はなく、回折格子2cを透過した透過光L20であるの
で、半導体レーザー1の発振波長が変動しても、記録媒
体上のレーザー光の照射位置が変わることはない。また
、半導体レーザー1の位置は回折格子2cを隔てて、光
磁気ディスク30反対側に配置されるので、部品配置が
制限されることが少ない。しかも、回折素子IIは従来
のPBSよりも軽く小型であり、量産性が高い。
ところで、回折格子2aのピッチpを0.59λ、透明
基板2の屈折率を1.45とした場合の、回折素子7の
透過光L4゜および回折光L41における直交する2つ
の偏光成分の強度比と上記回折格子2aの深さとの関係
を示すグラフは、すでに第7図で示したが、ピッチpが
0.65λの場合(第3図)と異なり、回折光L4.(
TM)の強度は深さdを変化させても、はとんどOのま
まで変化しない。したがって、ピッチpが0.59λの
回折格子2cを備えた回折素子11を第1図のように配
置したとしても、上記の分光比を満たす回折格子2cの
深さdは存在しないから情報を再生 q 4 困難ごある。、二の、二とから、上記の分光比をある程
度溝たす回折格F−2Cの深さdが存在するためには、
回折格子2CのピンチPに制限があることがわかる。
そごで、回折素子11における回折格子2Cのピッチを
パラメータとし2、透明基板2の屈折率を1745とし
、た場合の、回折素F11の透過光l−40および回折
光1.41における直交する2つの偏光成分の強度比と
1−1記回折格子2(7の深さdとの関係を4(1)ル
た結果1.上記の分光比をある程度溝たず回折格子2a
の深さdが存在し、したがって、情報の再生および記録
・消去が可能であるためには、記録膜3bを照射する透
過光L20はTM波とした場合、ピッチPは0.63λ
〜0.83λでなりJればならないことがわかった。
このことを説明するために、第4図と第5図に回折格子
2Cのピッチpがそれぞれ0.63λと0.83λ、透
明基板2の屈折率を1.45とした場合の、回折素子1
1の透過光I−7,。および回折光I−1゜における直
交する2つの偏光成分の強度比と1記回折格子2cの深
さdとの関係を示す。
ピッチPが下限0.63λでは、第4図に示すように、
回折格子2aの深ざdを1.5λにしたとき、所望の分
光比に最も近い分光比が得られるが、その比は、L4.
(TM): 1.、、I (TM) −90=5、L4
o(TE): L=+ (1”E) −〇、8 :91
となり、回折光り、、(TM)の強度が弱く、信号を検
出する光検出器5a・5bの検出限界になる。したがっ
て、ピッチpが0.63λよりも小さいとき、回折格子
2Cを透過した透過光り、。
を記録膜3bに照射して、回折光[54,から再生は困
難となる。
一方、ピンチPが」二限0.83λでは、第5図に示す
ように、回折格子2Cの深さdを1.4λにしたとき所
望の分光比に最も近い分光比が得られるが、その比は、
14.。(TM): L、、(TM)=50:4B、■
、4゜(TB): L41 (TE)−3:94となる
。ところで、L2゜(”T”M)  : LZI (T
M)は1.、、(TM): L4.(TM)に等しいか
ら、このとき記録膜3bを照射する透過光I7.。(5 T M )の強度は、回折格子2c&こ入射するレーザ
ー光の強度の約1′分になってし2まう。つまり、ピッ
チPが0.83λよりも大きくなると、情報の記録時に
必要とされる光源の光強度が大きくなり、通常の半導体
L−−−−ザー1を用いた場合、記録が困難となる。
以l−の実施例では、回折素子11に設けられた回折格
子2cは空気と接した状態に置かれたが、回折格72C
を保護するために保護膜を設けるよ・)にし、でもよい
。この場合、回折格子2Cのピッチpは変わらないが、
深さdは保護膜の屈折率によって変化するので、以下の
ように補正する必要がある。すなわち、本実施例では空
気の屈折率を1、透明基板2の屈折率n、を1.45と
して、回折格子2Cの凹凸の深さdを示し7たので、屈
折率n、の保護膜を使用したときの凹凸の深さは一ト記
dの(n、−1)/ (n、−nl )倍にすればよい
なお、フォーカス用及びトラッキング用サーボ信号の生
成には、回折光L41を用いてもよいし、6 または、透過光1−40を用い、従来のサーボ信号生成
用のホtiグラムを設けるようにしてもよい。
〔発明の効果] 本発明の光学ヘッドは、以」―のように、回折格子を透
過した透過光が記録媒体を照射するようにレーザーと記
録媒体の間に回折格子が配置され、直線偏光した上記透
過光が回折格子に対してTM波となるように回折格子を
設け、格子間隔、すなわちピッチや凹凸の深さをある値
に設定することにより、記録媒体からの反射光に含まれ
る2つの直交する偏光成分、すなわち、回折格′:F−
乙こ対t、てTM波とT F、波となる偏光成分の内、
記録媒体杏照射する透過光と同じ偏光成分であるために
比較的強いTM波についてはある程度回折1−1比較的
弱いTE波についてはほとんど回折するように構成する
ことができる。このため、回折光は入射光偏光方位に対
して2つの直交する偏光成分を適度に含んでおり、これ
を検光子及び光検出器で受光して偏光面の傾きを検出す
れば、記録情報の再生を行なえる。この場合、記録媒体
を照射する照射7 8 光は、回折格子で回折された回折光ではなく、回折格子
を透過した透過光であるので、レーザーの発振波長が変
動しても、記録媒体上のレーザー光の照射位置が変わる
ことはない。また、レーザーの位置は回折格子を隔てて
、記録媒体の反対側に配置されるので、部品配置が制限
されることが少ないという効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第5図は、本発明の一実施例を示すものであ
る。 第1図は、本発明に係る光学ヘッドを示す説明図である
。 第2図は、回折素子の拡大図である。 第3図は、ピッチが0.65λの回折格子のTM波およ
びTE波の強度比と格子深さとの関係を示すグラフであ
る。 第4図は、ピッチが0.63λの回折格子のTM波およ
びTE波の強度比と格子深さとの関係を示すグラフであ
る。 第5図は、ピッチが0.83λの回折格子のTM波およ
びTE波の強度比と格子深さとの関係を示すグラフであ
る。 第6図は、回折素子を用いた光学ヘッドの考えうる一例
として、回折光を記録媒体に照射するようにした構成を
示すものである。 第7図は、ピッチが0.59λの回折格子のTM波およ
びTE波の強度比と格子深さとの関係を示すグラフであ
る。 ■は半導体レーデ−12Cは回折格子、11は回折素子
、3は光磁気ディスク、3bは記録膜である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザーから出射された直線偏光したレーザー光を
    光磁気記録媒体に照射し、この記録媒体からの反射光を
    光検出器で受光して偏光面の傾きを検出することにより
    記録情報の再生を行う光学ヘッドにおいて、 回折格子を透過した透過光が記録媒体を照射するように
    レーザーと記録媒体の間に回折格子が配置され、直線偏
    光した上記透過光が回折格子に対してTM波となるよう
    に回折格子が設けられていることを特徴とする光学ヘッ
    ド。
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