JPH03154309A - 回転トランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回転磁気ヘッドを有する磁気記録再生装置に
用いられ、回転ヘッド部と固定部との信号伝達を行う回
転トランスに関するものである。

従来の技術 近年、回転トランスを利用した回転ヘッド式の磁気記録
再生装置は高性能、高品位化が進められている。そのた
め構成部品の一つであり、複数のチャンネルを有する回
転トランスにおいても、記録再生信号のクロストークが
極めて少ないものが要求されている。

以下、図面を参照しながら従来の周対向型の回転トラン
スの一例について説明する。

第９図は従来の回転トランスの断面図を示すものである
。回転側磁性体３ｒ（以下、Ｒコアと称す。）と、固定
側磁性体３ｓ（以下、Ｓコアと称す。）は、高周波損失
の少ないＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライト
を焼結して作られ、内外周の両面に研摩仕上げ加工が施
されている。

Ｒコア３ｒとＳコア３Ｓのそれぞれの対向面には環状に
巻線溝７ｒ＋７ｓが形成されており、回転側巻線溝７ｒ
には１〜数ターン巻かれた回転側コイル５ｒ、６ｒ（以
下、Ｒコイルと称す。）が配設され、同様に固定側巻線
溝７Ｓには固定側コイル５ｓ、Ｓｓ（以下、Ｓコイルと
称す。）がＲコイル５ｒ＋　　θｒのターン数に対し、
所定の昇圧比に応じたターン数だけ巻かれている。また
、Ｒコア３ｒとＳコア３Ｓは数１０μｍの微小隙間をも
って対向しており、例えばＳコイル５Ｓに信号電流が流
れると点線のような磁路Ｃ１，Ｃ２を形成する。そして
相互誘導作用によりＲコイル５ｒに電流が誘起されて信
号が伝送される。Ｒコイル５ｒからＳコイル５Ｓに信号
が伝送される場合も同様であり、またＳコイル６Ｓから
Ｒコイル６ｒへの伝送や、Ｒコイル６ｒからＳコイル６
Ｓへの伝送についても同様である。

ここでシｅ−トリング８ＳはＳコア３Ｓのシジートリン
グ巻線溝８ｇｓに細い銅線を環状に丸めてその両端を半
田付けによって短絡してあり、例えばＳコイル５ｓに電
流が流れた場合に生じる磁路Ｃ２の磁束密度の時間変化
を利用してシｇ−トリング８ｓにうず電流を発生させる
ことにより、結果的に磁路Ｃ２の磁束を減少させている
。この現象を利用すれば、他のコイル（上記の例であれ
ば、ＲコイルミＳ）へ信号伝送される電流を小さくする
ことが可能となるため、クロストークを向上させること
ができる（例えば、特開昭６０−２２９２０１号公報や
坂１）稔、田中　孝　著「回転トランス」、ナシｄナル
・テクニカル・レポート　ｖｏｌ、　　　１８．　　　
Ｎｏ、　　　４．　　１９７２．　　　Ｐ３５９〜Ｐ３
８９）。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成において、ショートリ
ングを巻線溝の中に配設するには、半田メツキ線を巻線
溝に巻線し、その後その両端を半田付けし、電気的にシ
騨−トさせる必要があった。

従って熟練を要し、作業性が悪かった。

本発明は上記課題に鑑み、組立作業性を改善し、かつク
ロストークを充分低減し得る回転トランスを提供するこ
とを目的とする。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の回転トランスは、所
定の空隙をもって周対向する内周側及び外周側の磁性体
と、前記内周側および外周側磁性体の対向面上にそれぞ
れ対向して配設された２対以上のコイルと、内周側磁性
体の対向面上前記コイル間に配設されたシ１−トリング
溝と、このシ１−トリング溝に配設され、伸縮自在の導
電性材料からなり、その最内径が前記内周側磁性体の最
外径よりも小さく、かつ電気的に短絡されたシｌ−トリ
ングとを具備した。

また本発明の回転トランスは、ある空隙をもって周対向
または面対向するする固定側および回転側の磁性体と、
前記固定側および回転側磁性体の対向面上にそれぞれ対
向して配設された２対以上のコイルとより構成される回
転トランスにおいて、固定側または回転側の少なくとも
一方の前記フィル間に、導電性形状記憶材料よりなり、
電気的に短絡されたシロートリングを配設した。

作用 上記した構成により、本発明は組立作業性を改善し、か
つクロストークを充分低減し得る回転トランスを提供す
るものである。

実施例 以下、本発明の一実施例の周対向型の回転トランスにつ
いて、図面を参照しながら説明する。

第１図は第１の発明の一実施例の周対向型回転トランス
の断面図である。

外周側に配設された回転側磁性体３ｒ（以下、Ｒコアと
称す。）と、内周側に配設された固定側磁性体３ｓ（以
下、Ｓコアと称す。）は、高周波損失の少ないＮｉ−Ｚ
ｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライトを焼結して作られ
、内外周の両面に研摩仕上げ加工が施されている。

Ｒコア３ｒとＳコア３Ｓのそれぞれの対向面には環状に
巻線溝７ｒ＋７ｓが形成されており、回転倒巻線溝７ｒ
には１〜数ターン巻かれた回転側コイル５ｒ、６ｒ（以
下、Ｒコイルと称す。）が配設され、同様に固定側巻線
溝７ｓには固定側コイル５ｓ、６ｓ（以下、Ｓコイルと
称す。がＲコイル５ｒ、６ｒのターン数に対し、所定の
昇圧比に応じたターン数だけ巻かれている。また、Ｒコ
ア３ｒとＳコア３ｓは数１０μｍの微小隙間をもって対
向しており、例えばＳコイル５ｓに信号電流が流れると
点線のような磁路Ｃ１，Ｃ２を形成する。そして相互誘
導作用によりＲコイル５ｒに電流が誘起されて信号が伝
送される。Ｒコイル５ｒからＳコイル５ｓに信号が伝送
される場合も同様であり、またＳコイル６ｓからＲコイ
ルθｒへの伝送や、Ｒコイル６ｒからＳコイル６ｓへ）
伝送についても同様である。

ここでショートリング８ｓは第３図（ａ＞に示す形状を
なし、伸縮自在の導電性材料よりなるコイルバネの両端
をろう付けによって短絡して、Ｓコア３ｓのシｗ−）　
’）ング巻線溝８ｇｓに挿入しである。またショートリ
ング８ｓの最内径は、Ｓコア３ｓの最外径よりも小さく
設定しである。

ショートリング８ｓをＳコア３ｓに装着するには、第２
図に示すようにショートリング８ｓを引き延ばし、Ｓコ
ア３ｓの一方からショートリング巻線溝８ｇｓに挿入す
る。

ここでショートリング８ｓは例えばＳコイル５Ｓに電流
が流れた場合に生じる磁路ｃ２の磁束密度の時間変化を
利用してシＩＩ）りング８ｓにうず電流を発生させるこ
とにより、結果的に磁路Ｃ２の磁束を減少させている。

この現象を利用すれば、他のコイル（上記の例であれば
、Ｒコイル６Ｓ）へ信号伝送される電流を小さくするこ
とが可能となるため、クロストークを向上させることが
できる。

なおショートリング８ｓの形状はコイルバネに限定され
る物ではなく例えば第３図（ｂ）〜（ｄ）。

（ｆ）〜（ｈ）に示すような物であってもよい。すなわ
ち同図（ｄ）、　　（ｇ）、　　（ｈ）のごとく、その
一部が伸縮するものであってもよい。また同図（ｂ）、
　　（ｃ）のごとく波形状を為すものであってもよい。

更には同図（ｆ）のように、リン青銅バネ板の両端に金
メツキを施し、接触抵抗値を小さくして、Ｓコア３ｓに
組み込んだ状態で両端が短絡する構成であっても差し支
えない。

なお本実施例においては固定側磁性体を内周側に、回転
側磁性体を外周側に配設したが、本発明はこれに限定さ
れるものでなく、回転側磁性体を内周側に、固定側磁性
体を外周側に配設してもよい。

このように、本実施例によれば非常に簡単な構成であり
ながら組立性を改善し、かつクロストークを充分低減し
得る回転トランスを提供することが可能になる。

次に本発明の第２の実施例について図面に基づいて説明
する。

第４図は本発明の第２の実施例の周対向型回転トランス
の断面図である。

回転側磁性体３ｒ（以下、Ｒコアと称す。）と、固定側
磁性体３ｓ（以下、Ｓコアと称す。）は、高周波損失の
少ないＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライトを
焼結して作られ、内外周の両面に研摩仕上げ加工が施さ
れている。

Ｒコア３ｒとＳコア３ｓのそれぞれの対向面には環状に
巻線溝７ｒ、７ｓが形成されており、回転側巻線溝７ｒ
には１〜数ターン巻かれた回転側コイル５　ｒｔ　　８
　ｒ　（以下、Ｒコイルと称す。）が配設され、同様に
固定側巻線溝７ｓには固定側コイル５ｓ、ａｓ（以下、
Ｓコイルと称す。）がＲコイル５ｒ、６ｒのターン数に
対し、所定の昇圧比に応じたターン数だけ巻かれている
。また、Ｒコア３ｒとＳコア３ｓは数１０μｍの微小隙
間をもって対向しており、例えばＳコイル５ｓに信号電
流が流れると点線のような磁路Ｃ１，Ｃ２を形成する。

そして相互誘導作用によりＲコイル５ｒに電流が誘起さ
れて信号が伝送される。Ｒコイル５ｒからＳコイル５ｓ
に信号が伝送される場合も同様であり、またＳコイル６
ｓがらＲコイル６ｒへの伝送や、Ｒコイル６ｒがらＳコ
イル６ｓへの伝送についても同様である。

ここでショートリング８ｓ、８ｒは導電性形状記憶材料
よりなるループ形状を為し、Ｓコア３Ｓのショートリン
グ巻１溝８　ｇ　８％　及ＣＪＲコア　３　ｒのショー
トリング巻線溝８ｇｒに挿入しである。

なお、ショートリング８Ｓは第５図に示すように高温状
態においては最内径ｄｓｌがＳコア３Ｓの最外径Ｄｓよ
りも大なる円環形状をなすが、常温状態においては、そ
の最内径ｄｓ２がＳコア３Ｓの最外径Ｄｓよりも小さく
なるように変形する。

また、ショートリング８ｒは第６図に示すように高温状
態においてはその一部が変形し、最外径ｄｒｌがＲコア
３ｒの最内径Ｄｒよりも小なる形状をなすが、常温状態
においては、その最外径ｄｒ２がＲコア３ｒの最内径Ｄ
ｒよりも大きくなるように変形する。

ショートリング８ｓをＳコア３ｓに装着するには、第５
図に示すようにショートリング８ｓを高温に熱して後、
Ｓコア３ｓの一方からショートリング巻線溝８ｇｓに挿
入した後に、自然冷却しショートリング８ｓの直径が小
さくなった状態で、接着剤にて固定する。従ってショー
トリング８ｓはショートリング巻線溝８ｇｓから外れる
ことはない。

ショートリング８ｒをＲコア３ｒに装着するには、第６
図に示すようにショートリング８ｒを高温に熱して後、
Ｒコア３ｒの一方からショートリング巻線溝８ｇｒに挿
入した後に、自然冷却しショートリング８ｒの直径が大
きくなった状態で、接着剤にて固定する。従ってショー
トリング８ｒ・はショートリング巻線溝８ｇｒから外れ
ることはない。

ここでショートリング８ｒｓ８ｓは例えばＳコイル５ｓ
に電流が流れた場合に生じる磁路Ｃ２の磁束密度の時間
変化を利用してショートリング８ｒｓ８ｓにうず電流を
発生させることにより、結果的に磁路Ｃ２の磁束を減少
させている。この現象を利用すれば、他のコイル（上記
の例であれば、ＲコイルＯｓ）へ信号伝送される電流を
小さ（することが可能となるため、クロストークを向上
させることができる。

なお、本実施例によれば、Ｓコアのみならず、Ｒコアに
もショートリングを巻回しであるので、クロストークを
向上することが可能になる。

またショートリング８ｓ＋８ｒの形状は本実施例の形状
に限定されるものではなく、例えば第３図（ａ）、　　
（Ｃ）〜（ｈ）に示すような物であってもよい。すなわ
ち同図（ａ）のごとく、コイルバネの両端をろう付けに
よって短絡したものであってもよい。また同図（Ｃ）の
ごとく波形状をなすものであってもよい、また同図（ｄ
）、（ｇ）、（ｈ）のごとく、その一部が伸縮するもの
であってもよい。更には、同図（ｅ）、　　（ｆ）のよ
うにその両端に金メツキを施してその両端が接触して電
気的に短絡する構成であってもよい。

このように、本実施例によれば非常に簡単な構成であり
ながら組立性を改善し、かつクロストークを充分低減し
得る回転トランスを提供することが可能になる。

次に本発明の第３の実施例について図面に基づいて説明
する。

第７図は本発明の第３の実施例の面封同型回転トランス
の断面図である。

回転側磁性体３ｒ（以下、Ｒコアと称す。）と、固定側
磁性体３ｓ（以下、Ｓコアと称す。）は、高周波損失の
少ないＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライトを
焼結して作られ、両面に研摩仕上げ加工が施されている
。

Ｒコア３ｒとＳコア３Ｓのそれぞれの対向面には環状に
巻線溝７ｒ、７ｓが形成されており、回転側巻線溝７ｒ
には１〜数ターン巻かれた回転側コイル５ｒ、８ｒ（以
下、Ｒコイルと称す。）が配設され、同様に固定側巻線
溝７Ｓには固定側コイル５　Ｓｔ　　８　ｓ　（以下、
Ｓコイル）がＲコイル５ｒｓ８ｒのターン数に対し、所
定の昇圧比に応じたターン数だけ巻かれている。また、
Ｒコア３ｒとＳコア３ｓは数１０μｍの微小隙間をもっ
て対向しており、例えばＳコイル５ｓに信号電流が流れ
ると点線のような磁路Ｃ１，Ｃ２を形成する。

そして相互誘導作用によりＲコイル５ｒに電流が誘起さ
れて信号が伝送される。Ｒコイル５ｒからＳコイル５ｓ
に信号が伝送される場合も同様であリ、またＳコイル６
ＳからＲコイル６ｒへの伝送や、Ｒコイル６ｒからＳコ
イル６Ｓへの伝送についても同様である。

ここでショートリング８Ｓ＋８ｒは導電性形状記憶材料
よりなるループ形状をなし、Ｓコア３Ｓのショートリン
グ巻線溝８ｇ５１　及びＲコア３ｒのショートリング巻
線溝８ｇｒに挿入しである。

なお、ショートリング８ｓ、８ｒは第８図に示すように
高温状態においては最内径ｄｉｈがＳコア３ｓ、Ｒコア
３ｒのショートリング巻線溝８ｇ５ｌ　　８　ｇ　ｒの
内周壁面の直径Ｄｓｉよりも大なる円環形状をなすが、
常温状態においてはその最内径ｄｉｌがショートリング
巻線溝８　ｇ　８１　８　ｇ　ｒの内周壁面の直径Ｄｓ
ｉよりも僅かに小になるよう変形する。

ショートリング８ｓ＋８ｒをＳコア３ｓ＋Ｒコア３ｒに
装着するには、第８図に示すようにショートリング８ｓ
＋８ｒを高温に熱して、ショートリング巻線溝８　ｇ　
Ｓｌ　　８　ｇ　ｒに挿入した後に、自然冷却させれば
よい。ショートリング８ｓ＋８ｒの直径が小さくなった
状態では、ショートリング８ｓ＋８ｒの最内径ｄｉｌは
ショートリング巻線溝８　ｇ　８１　８　ｇ　ｒの内周
壁面の直径Ｄｓｉよりも僅かに小になろうとするので、
ショートリング８ｇ、８ｒはショートリング巻線溝８　
ｇ　Ｓｔ　　８　ｇ　ｒの内周壁面に食い込む。従って
ショートリング８ｓ、８ｒはショートリング巻線溝８　
ｇ　Ｓｔ　　８　ｇ　ｒから外れることはない。

ここでショートリング８ｒ＋８ｓは例えばＳコイル５ｓ
に電流が流れた場合に生じる磁路Ｃ２の磁束密度の時間
変化を利用してショートリング８ｒ、８ｓにうず電流を
発生させることにより、結果的に磁路Ｃ２の磁束を減少
させている。この現象を利用すれば、他のコイル（上記
の例であれば、ＲコイルＥ３ｓ）へ信号伝送される電流
を小さくすることが可能となるため、クロストークを向
上させることができる。

またショートリング８ｓ＊８ｒの形状は本実施例の形状
に限定されるものではなく、例えば第３図（ａ）、（ｂ
）、（ｄ）〜（ｈ）に示すような物であってもよい。す
なわち同図（ａ）のごとく、コイルノ（ネの両端をろう
付けによって短絡したものであってもよい。また同図（
Ｃ）のごとく波形状を為すものであってもよい。また同
図（ｄ）、　　（ｇ）、　　（ｈ）のごとく、その一部
が伸縮するものであってもよい。

更には、同図（ｅ）、　　（ｆ）のようにその両端に金
メツキを施して、その両端が接触して電気的に短絡する
構成であってもよい。

このように、本実施例によれば非常に簡単な構成であり
ながら組立性を改善し、かつクロストークを充分低減し
得る回転トランスを提供することが可能になる。

発明の効果 以上のように本発明は、内周側磁性体のコイル間に伸縮
自在の導電性材料よりなり電気的に短絡されたショート
リングを配設したことで組立作業性を改善し、かつクロ
ストークを充分低減し得る回転トランスを提供すること
ができる。

また、固定側または回転側のコイル間に少な（とも一方
に導電性形状記憶材料よりなり電気的に短絡されたショ
ートリングを配設したことで組立作業性を改善し、かつ
クロストークを充分低減し得る回転トランスを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における同封向型回転ト
ランスの断面図、第２図は同実施例における同封向回転
トランスのＳコアとショートリングの斜視図、第３図は
本発明の第１．第２の実施例におけるショートリングの
斜視図、第４図は本発明の第２の実施例における同封向
型回転トランスの断面図、第５図は同実施例の同封向回
転トランスのＳコアとショートリングの斜視図、第６図
は同実施例の同封向回転トランスのＲコアとショートリ
ングの斜視図、第７図は本発明の第３の実施例における
面対向型回転トランスの断面図、第８図は同実施例の面
対向型回転トランスのＳコア（またはＲコア）とショー
トリングの斜視図、第９図は従来例における同封向型回
転トランスの断面図である。 ３ｒ・・・回転側磁性体（Ｒコア）、　　３ｓ・・・固
定側磁性体（Ｓ）ア）％　　　５ｒ＋　　５ｓ＋　　６
ｒ＋　　Ｓｓ・・・コイル、　　７ｒ＊７ｓ・・・巻線
溝、　　８ｒｙ８ｓ・・・ショートリングＮ　　　８ｇ
ｒ＋　　８ｇｓ・・・ショートリング巻線溝、　　Ｃ１
，Ｃ２・・・磁路。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）同軸上に配設され、所定の空隙をもって周方向に
   対向する内周側及び外周側磁性体と、前記内周側および
   外周側磁性体の対向面上にそれぞれ対向して配設された
   ２対以上のコイルと、前記内周側磁性体の前記対向面上
   で、かつ前記コイル間に配設されたショートリング溝と
   、このショートリング溝に配設され、伸縮自在の導電性
   材料からなり、その最内径が前記内周側磁性体の最外径
   よりも小さく、かつ電気的に短絡されたショートリング
   とを具備したことを特徴とする回転トランス。
2. （２）所定の空隙をもって面または周方向に対向する固
   定側および回転側の磁性体と、前記固定側および回転側
   磁性体の対向面上にそれぞれ対向して配設された２対以
   上のコイルとから構成される回転トランスにおいて、少
   なくとも前記固定側磁性体か回転側磁性体のいずれか一
   方の前記対向面上であり、かつ前記コイル間に導電性形
   状記憶材料よりなり、電気的に短絡されたショートリン
   グを配設したことを特徴とする回転トランス。