JPH03152428A - 偏光検出装置 - Google Patents
偏光検出装置Info
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- JPH03152428A JPH03152428A JP1290710A JP29071089A JPH03152428A JP H03152428 A JPH03152428 A JP H03152428A JP 1290710 A JP1290710 A JP 1290710A JP 29071089 A JP29071089 A JP 29071089A JP H03152428 A JPH03152428 A JP H03152428A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、レーザ光等の光束を互いに直交する2方向の
偏光成分に分離してそれぞれ検出する偏光検出装置に係
り、具体的には例えば、光磁気メモリ素子からの反射光
における2つの偏光成分を検出して差動することにより
、光磁気メモリ素子上に記録された情報を再生するのに
使用される偏光検出装置に関するものである。
偏光成分に分離してそれぞれ検出する偏光検出装置に係
り、具体的には例えば、光磁気メモリ素子からの反射光
における2つの偏光成分を検出して差動することにより
、光磁気メモリ素子上に記録された情報を再生するのに
使用される偏光検出装置に関するものである。
近年、高密度、大容量化が可能で、かつ、繰返し記録・
消去が行える光磁気メモリ素子の開発が活発に進められ
ている。この光磁気メモリ素子は、通常、基板上に膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体薄膜を形成し
てなり、上記磁性体薄膜は初期化によっていずれかの方
向に磁化されている。
消去が行える光磁気メモリ素子の開発が活発に進められ
ている。この光磁気メモリ素子は、通常、基板上に膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体薄膜を形成し
てなり、上記磁性体薄膜は初期化によっていずれかの方
向に磁化されている。
記録時には、上記磁性体薄膜に初期化の際の外部磁場と
逆方向の外部磁場を印加した状態で、比較的強いレーザ
光を照射すると、照射部分が温度上昇により保磁力を低
下させ、上記外部磁場の方向に磁化を反転させることに
なる。
逆方向の外部磁場を印加した状態で、比較的強いレーザ
光を照射すると、照射部分が温度上昇により保磁力を低
下させ、上記外部磁場の方向に磁化を反転させることに
なる。
又、再生は、上記磁性体薄膜に比較的弱いレーザ光を照
射すると、磁性体薄膜からの反射光は磁気光学効果によ
り磁化の向きに応じて偏光面が回転す石ので、この偏光
面の傾きを検出することにより、情報の検出が行われる
。
射すると、磁性体薄膜からの反射光は磁気光学効果によ
り磁化の向きに応じて偏光面が回転す石ので、この偏光
面の傾きを検出することにより、情報の検出が行われる
。
第7図に光磁気メモリ素子に記録・再生を行うための従
来の光学ヘッドの一例を示す。
来の光学ヘッドの一例を示す。
半導体レーザ1から出射されたレーザ光はカー回転角増
倍用プリズム2を通過し、コリメートレンズ3で平行光
とされた後、対物レンズ4により光磁気メモリ素子5上
に集光される。
倍用プリズム2を通過し、コリメートレンズ3で平行光
とされた後、対物レンズ4により光磁気メモリ素子5上
に集光される。
光磁気メモリ素子5からの反射光は対物レンズ4、コリ
メートレンズ3を通過し、更に、カー回転角増倍用プリ
ズム2によりその一部が直角に反射される。そして、(
1/2)波長板6、シリンドリカルレンズ7及び凹レン
ズ8を順次通過し、偏光ビームスプリンタ9に入射され
る。
メートレンズ3を通過し、更に、カー回転角増倍用プリ
ズム2によりその一部が直角に反射される。そして、(
1/2)波長板6、シリンドリカルレンズ7及び凹レン
ズ8を順次通過し、偏光ビームスプリンタ9に入射され
る。
偏光ビームスプリッタ9で光磁気メモリ素子5からの反
射光は互いに直交する方向の2つの偏光成分に分離され
、一方の偏光成分は偏光ビームスプリンタ9を透過して
4つの光検出部を備える4分割式の光検出器10に入射
し、ここで、周知の非点収差法によりフォーカスエラー
信号が生成されるとともに、周知のプッシュプル法に基
づいてトラッキングエラー信号が生成される。
射光は互いに直交する方向の2つの偏光成分に分離され
、一方の偏光成分は偏光ビームスプリンタ9を透過して
4つの光検出部を備える4分割式の光検出器10に入射
し、ここで、周知の非点収差法によりフォーカスエラー
信号が生成されるとともに、周知のプッシュプル法に基
づいてトラッキングエラー信号が生成される。
又、他方の偏光成分は偏光ビームスプリッタ9で直角に
反射されて光検出器11に入射し、ここで得られるMO
(光磁気)信号と、光検出器10の各光検出部の信号を
総和してなるMO信号とを差動することにより、光磁気
メモリ素子5上の情報が再生される。
反射されて光検出器11に入射し、ここで得られるMO
(光磁気)信号と、光検出器10の各光検出部の信号を
総和してなるMO信号とを差動することにより、光磁気
メモリ素子5上の情報が再生される。
第8図に光磁気メモリ素子5に記録・再生を行う従来の
光学ヘッドの他の一例を示す。
光学ヘッドの他の一例を示す。
半導体レーザ13から出射されたレーザ光はコリメート
レンズ14、カー回転角増倍用複合プリズム15の第1
のプリズム部15a及び対物レンズ16を介して光磁気
メモリ素子5上に集光され、光磁気メモリ素子5からの
反射光は対物レンズ16を介してカー回転角増倍用複合
プリズム15の第1のプリズム部15aに導かれる。こ
こで、上記反射光の一部は直角に反射され、更に、第2
のプリズム部15bで透過光と反射光とに分離される。
レンズ14、カー回転角増倍用複合プリズム15の第1
のプリズム部15a及び対物レンズ16を介して光磁気
メモリ素子5上に集光され、光磁気メモリ素子5からの
反射光は対物レンズ16を介してカー回転角増倍用複合
プリズム15の第1のプリズム部15aに導かれる。こ
こで、上記反射光の一部は直角に反射され、更に、第2
のプリズム部15bで透過光と反射光とに分離される。
上記第2のプリズム部15bからの透過光は(1/2)
波長板17及び凸レンズ18を介してウォラストンプリ
ズム19に入射し、ここで、2つの偏光成分に分離され
て各偏光成分が2分割式の光検出器20のそれぞれの光
検出部に入射する。
波長板17及び凸レンズ18を介してウォラストンプリ
ズム19に入射し、ここで、2つの偏光成分に分離され
て各偏光成分が2分割式の光検出器20のそれぞれの光
検出部に入射する。
そして、各光検出部で検出された2つの偏光成分が差動
されることにより、光磁気メモリ素子5上の情報の再生
が行われる。
されることにより、光磁気メモリ素子5上の情報の再生
が行われる。
一方、カー回転角増倍用複合プリズム15における第2
のプリズム部15bで直角に反射された反射光は凸レン
ズ21及びシリンドリカルレンズ22を介して4分割式
の光検出器23に入射され、ここで、第7図の光検出器
10における処理と同様の処理が行われることにより、
フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号が生
成される。
のプリズム部15bで直角に反射された反射光は凸レン
ズ21及びシリンドリカルレンズ22を介して4分割式
の光検出器23に入射され、ここで、第7図の光検出器
10における処理と同様の処理が行われることにより、
フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号が生
成される。
ところが、第7図の光ヘッドでは、偏光ビームスプリッ
タ9で光磁気メモリ素子5からの反射光の分離を行って
いるが、偏光ビームスプリッタ9は加工上の制約から1
辺が2mm程度以下となるように製作することは困難で
あるため、偏光ビームスプリッタ9が大型、重量化する
ものである。
タ9で光磁気メモリ素子5からの反射光の分離を行って
いるが、偏光ビームスプリッタ9は加工上の制約から1
辺が2mm程度以下となるように製作することは困難で
あるため、偏光ビームスプリッタ9が大型、重量化する
ものである。
又、カー回転角増倍用プリズム2についても同様の問題
がある。なお、カー回転角増倍用プリズム2及び偏光ビ
ームスプリッタ9により光ヘッドの重量が増すと、光ヘ
ッドを光磁気メモリ素子5の所望の半径位置に移動させ
る際のアクセス速度が低下する不具合も生じる。
がある。なお、カー回転角増倍用プリズム2及び偏光ビ
ームスプリッタ9により光ヘッドの重量が増すと、光ヘ
ッドを光磁気メモリ素子5の所望の半径位置に移動させ
る際のアクセス速度が低下する不具合も生じる。
一方、第8図の光学ヘッドにおいても、ウォラストンプ
リズム19は1辺を2mm以下程度に形成することが難
しく、カー回転角増倍用複合プリズム15は更に大きく
なるので、装置全体が大型、重量化する問題がある。し
かも、ウォラストンプリズム19等は材料として結晶を
使用するので高価になる。
リズム19は1辺を2mm以下程度に形成することが難
しく、カー回転角増倍用複合プリズム15は更に大きく
なるので、装置全体が大型、重量化する問題がある。し
かも、ウォラストンプリズム19等は材料として結晶を
使用するので高価になる。
なお、第8図の光ヘッドにおいてウォラストンプリズム
19の代わりに複屈折くさび24(第9図参照)を使用
することも考えられるが、複屈折くさび24におけるP
及びSの2つの偏光成分間の偏角は例えば、2.06’
であり、ウォラストンプリズム19の4.6°より小さ
いので、装置のコンパクト化の点では、ウォラストンプ
リズム19を使用する場合より更に不利になる。
19の代わりに複屈折くさび24(第9図参照)を使用
することも考えられるが、複屈折くさび24におけるP
及びSの2つの偏光成分間の偏角は例えば、2.06’
であり、ウォラストンプリズム19の4.6°より小さ
いので、装置のコンパクト化の点では、ウォラストンプ
リズム19を使用する場合より更に不利になる。
以上のように、光磁気メモリ素子5からの反射光を偏光
成分に分離するために、偏光ビームスプリンタ9、ウォ
ラストンプリズム19及び複屈折くさび24等を使用し
たり、或いは、半導体レーザ1と光磁気メモリ素子5と
の間にカー回転角増倍用プリズム2等を配置した場合は
、光学ヘッドの大型、重量化が避けられないという問題
を有していた。
成分に分離するために、偏光ビームスプリンタ9、ウォ
ラストンプリズム19及び複屈折くさび24等を使用し
たり、或いは、半導体レーザ1と光磁気メモリ素子5と
の間にカー回転角増倍用プリズム2等を配置した場合は
、光学ヘッドの大型、重量化が避けられないという問題
を有していた。
そこで、例えば、第7図のカー回転角増倍用プリズム2
及び偏光ビームスプリッタ9に代えてそれぞれ回折素子
を使用し、第10図に示すように光学ヘッドを構成する
ことが考えられる。
及び偏光ビームスプリッタ9に代えてそれぞれ回折素子
を使用し、第10図に示すように光学ヘッドを構成する
ことが考えられる。
この光学ヘッドでは、半導体レーザ31から出射された
直線偏光のレーザ光り、が基板32に形成された複数の
回折格子群からなる回折素子32aにより第1次回折光
L20と回折角(2θ1)で回折する第1次回折光LS
Iとに分離され、第1次回折光LSIが基板33aと磁
性体薄膜からなる記録膜33bとを有する光磁気メモリ
素子33に照射される。
直線偏光のレーザ光り、が基板32に形成された複数の
回折格子群からなる回折素子32aにより第1次回折光
L20と回折角(2θ1)で回折する第1次回折光LS
Iとに分離され、第1次回折光LSIが基板33aと磁
性体薄膜からなる記録膜33bとを有する光磁気メモリ
素子33に照射される。
第1次回折光LSIは記録膜33bに照射されることに
より磁気光学効果による回転を受けた後攻射し、反射光
り、は回折素子32aにより透過光である第1次回折光
L4゜と半導体レーザ31側に戻る第1次回折光LSI
とに分離される。第1次回折光L4゜は(1/2)波長
板34により45°回転させられた後、基板35に形成
された、複数の回折格子群からなる回折素子35aに入
射し、そのまま透過する第0次回折光り、。と回折角(
2θ、)で回折する第1次回折光り、Iとに分離される
。そして、第0次回折光り、。及び第1次回折光LSI
ばそれぞれ光検出器36・37で受光され、両光検出器
36・37の出力信号が差動増幅器38で差動されるこ
とにより光磁気メモリ素子33上の情報が再生される。
より磁気光学効果による回転を受けた後攻射し、反射光
り、は回折素子32aにより透過光である第1次回折光
L4゜と半導体レーザ31側に戻る第1次回折光LSI
とに分離される。第1次回折光L4゜は(1/2)波長
板34により45°回転させられた後、基板35に形成
された、複数の回折格子群からなる回折素子35aに入
射し、そのまま透過する第0次回折光り、。と回折角(
2θ、)で回折する第1次回折光り、Iとに分離される
。そして、第0次回折光り、。及び第1次回折光LSI
ばそれぞれ光検出器36・37で受光され、両光検出器
36・37の出力信号が差動増幅器38で差動されるこ
とにより光磁気メモリ素子33上の情報が再生される。
なお、第11図に示すように、回折素子35aと各光検
出器36・37との間には必要に応じて凸レンズ40・
41が配置される。
出器36・37との間には必要に応じて凸レンズ40・
41が配置される。
上記の光学ヘッドにおいて、回折素子32aにおける回
折格子のピッチを0.59λ(但し、λは対象とするレ
ーザ光の波長)、基板32の屈折率を1.45とした場
合の、回折素子32aの第0次回指光L4゜及び第1次
回折光L41における互いに直交する2つの偏光成分の
強度比を上記回折格子の深さとの関係で示したグラフを
第12図に示す。ここで、L4゜(TE)は第0次回指
光L4゜における回折素子32aの回折格子の方向(第
10図の紙面と直角方向)と平行な方向の偏光成分を示
し、L 41 (T E )は第1次回折光L4゜にお
ける回折素子32aの回折格子と平行な方向の偏光成分
を示す。又、L4゜(TM)は第0次回指光L4゜にお
ける回折素子32aの回折格子と直角な方向の偏光成分
を示し、L4.(TM)は第0次回指光L4゜における
回折素子32aの回折格子と直角な方向の偏光成分を示
す。
折格子のピッチを0.59λ(但し、λは対象とするレ
ーザ光の波長)、基板32の屈折率を1.45とした場
合の、回折素子32aの第0次回指光L4゜及び第1次
回折光L41における互いに直交する2つの偏光成分の
強度比を上記回折格子の深さとの関係で示したグラフを
第12図に示す。ここで、L4゜(TE)は第0次回指
光L4゜における回折素子32aの回折格子の方向(第
10図の紙面と直角方向)と平行な方向の偏光成分を示
し、L 41 (T E )は第1次回折光L4゜にお
ける回折素子32aの回折格子と平行な方向の偏光成分
を示す。又、L4゜(TM)は第0次回指光L4゜にお
ける回折素子32aの回折格子と直角な方向の偏光成分
を示し、L4.(TM)は第0次回指光L4゜における
回折素子32aの回折格子と直角な方向の偏光成分を示
す。
同図から明らかなように、L4゜(TM): L4゜(
TM)の強度比はほぼtoo:oであり、一方、L4゜
(TE): L41 (TE)の強度比は回折素子32
aを構成する回折格子の深さにより変化する。
TM)の強度比はほぼtoo:oであり、一方、L4゜
(TE): L41 (TE)の強度比は回折素子32
aを構成する回折格子の深さにより変化する。
ところで、第7図に示した従来の光学ヘッドのカー回転
角増倍用プリズム2において、光磁気メモリ素子5から
の反射光中のP波(上記のTE波に対応)がカー回転角
増倍用プリズム2を透過及び反射する比率は70 :
30程度、又、光磁気メモリ素子5からの反射光中のS
波(上記のTM波に対応)がカー回転角増倍用プリズム
2を透過及び反射する比率はほぼO: 100に設定さ
れている。従って、回折素子32aにおいて、L4゜(
TE): L41 (TE)−30ニア0、かつ、L4
゜(TM): L、、(TM)!−it 00 : O
に設定すれば、従来のカー回転角増倍用プリズム2とほ
ぼ同等の条件が得られることになる。第12図から明ら
かなように、この条件を満たす回折格子の深さはほぼ0
.77λ程度となる。なお、カー回転角増倍用プリズム
2では反射光で情報の検出を行うのに対し、回折素子3
2aでは第O次回折光1.40(透過光)を情報の検出
に使用するので、回折素子32aは光磁気メモリ素子3
3からの反射光中のTM波がほぼ100%透過するよう
に設定される。
角増倍用プリズム2において、光磁気メモリ素子5から
の反射光中のP波(上記のTE波に対応)がカー回転角
増倍用プリズム2を透過及び反射する比率は70 :
30程度、又、光磁気メモリ素子5からの反射光中のS
波(上記のTM波に対応)がカー回転角増倍用プリズム
2を透過及び反射する比率はほぼO: 100に設定さ
れている。従って、回折素子32aにおいて、L4゜(
TE): L41 (TE)−30ニア0、かつ、L4
゜(TM): L、、(TM)!−it 00 : O
に設定すれば、従来のカー回転角増倍用プリズム2とほ
ぼ同等の条件が得られることになる。第12図から明ら
かなように、この条件を満たす回折格子の深さはほぼ0
.77λ程度となる。なお、カー回転角増倍用プリズム
2では反射光で情報の検出を行うのに対し、回折素子3
2aでは第O次回折光1.40(透過光)を情報の検出
に使用するので、回折素子32aは光磁気メモリ素子3
3からの反射光中のTM波がほぼ100%透過するよう
に設定される。
又、回折素子35aは例えば、基板32と同一の屈折率
を有する基板35に回折素子32aを構成する回折格子
と同一のピッチを有する回折格子を同一方向に形成して
なるものである。そして、この回折素子35aでは、偏
光特性を付与するため、回折格子の方向に平行な方向の
偏光成分であるTE波については、L、。(TE):
Ls+ (TE)ζO:100となり、一方、回折格子
の方向に直角な方向の偏光成分であるTM波については
、L、。(TM): Ls+ (TM)−100:0と
なるように、回折格子の深さが1.2λ程度に設定され
ている。これにより、回折素子35aにおいては、第1
次回折光り、。は殆ど全てTM波、第1次回折光り、s
tは殆ど全てTE波となる。なお、回折素子35aの手
前側の(1/2)波長板34にて回折素子32aからの
第0次回指光L4゜が45゜回転されるので、回折素子
35aによる偏光成分の振り分けの基準となる軸方向は
半導体レーザ31から出射される直線偏光に対して45
°の角度を有することになる。
を有する基板35に回折素子32aを構成する回折格子
と同一のピッチを有する回折格子を同一方向に形成して
なるものである。そして、この回折素子35aでは、偏
光特性を付与するため、回折格子の方向に平行な方向の
偏光成分であるTE波については、L、。(TE):
Ls+ (TE)ζO:100となり、一方、回折格子
の方向に直角な方向の偏光成分であるTM波については
、L、。(TM): Ls+ (TM)−100:0と
なるように、回折格子の深さが1.2λ程度に設定され
ている。これにより、回折素子35aにおいては、第1
次回折光り、。は殆ど全てTM波、第1次回折光り、s
tは殆ど全てTE波となる。なお、回折素子35aの手
前側の(1/2)波長板34にて回折素子32aからの
第0次回指光L4゜が45゜回転されるので、回折素子
35aによる偏光成分の振り分けの基準となる軸方向は
半導体レーザ31から出射される直線偏光に対して45
°の角度を有することになる。
〔発明が解決しようとする課題]
ところが、上記の構成によれば、回折素子35aにおけ
る回折角(2θ1)が100〜120゜程度とかなり大
きくなるため、光検出器36・37をそれぞれ独立に構
成して異なる向きに配置する必要が生じ、その結果、部
品点数が増加するとともに、光学ヘッド全体が大型化す
る問題があった。又、回折素子35aと光検出器36・
37の相対的な位置決めが困難なものであった。
る回折角(2θ1)が100〜120゜程度とかなり大
きくなるため、光検出器36・37をそれぞれ独立に構
成して異なる向きに配置する必要が生じ、その結果、部
品点数が増加するとともに、光学ヘッド全体が大型化す
る問題があった。又、回折素子35aと光検出器36・
37の相対的な位置決めが困難なものであった。
更に、半導体レーザ31から出射されるレーザ光に波長
変動が生じた場合、それに伴って回折素子35aでの回
折角(2θ、)が変動するので、第1次回折光Ls+の
光検出器37上での集光位置が移動し、甚だしい場合は
光検出器37から外れて情報の検出が行えなくなる不具
合があった。
変動が生じた場合、それに伴って回折素子35aでの回
折角(2θ、)が変動するので、第1次回折光Ls+の
光検出器37上での集光位置が移動し、甚だしい場合は
光検出器37から外れて情報の検出が行えなくなる不具
合があった。
[課題を解決するための手段]
本発明の第1の態様に係る偏光検出装置は、上記の課題
を解決するために、ガラス等からなり透光性を有する基
板上に格子間隔が対象となる光の波長程度となるように
形成されて入射光を互いに直交する方向の2つの偏光成
分に分離する回折格子と、上記基板とほぼ平行に、かつ
、基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第O次
回折光を受光する第1の光検出器と、上記第1の光検出
器と同一平面内に配置され、かつ、第1の光検出器及び
基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第1次回
折光を受光する第2の光検出器とを備え、上記回折格子
と第1及び第2の光検出器との間の距離が10mm以内
に設定されていることを特徴とするものである。
を解決するために、ガラス等からなり透光性を有する基
板上に格子間隔が対象となる光の波長程度となるように
形成されて入射光を互いに直交する方向の2つの偏光成
分に分離する回折格子と、上記基板とほぼ平行に、かつ
、基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第O次
回折光を受光する第1の光検出器と、上記第1の光検出
器と同一平面内に配置され、かつ、第1の光検出器及び
基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第1次回
折光を受光する第2の光検出器とを備え、上記回折格子
と第1及び第2の光検出器との間の距離が10mm以内
に設定されていることを特徴とするものである。
又、本発明の第2の態様に係る偏光検出装置は、平行光
又は発散光を収束光に変換する凸レンズ等の集光手段と
、ガラス等からなり透光性を有する基板上に格子間隔が
対象となる光の波長程度となるように形成されて上記集
光手段からの入射光を互いに直交する方向の2つの偏光
成分に分離する回折格子と、上記基板とほぼ平行に、か
つ、基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第O
次回折光を受光する第1の光検出器と、上記第1の光検
出器と同一平面内に配置され、かつ、第1の光検出器及
び基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第1次
回折光を受光する第2の光検出器とを備え、上記回折格
子と第1及び第2の光検出器との間の距離が2mm以内
に設定されていることを特徴とするものである。
又は発散光を収束光に変換する凸レンズ等の集光手段と
、ガラス等からなり透光性を有する基板上に格子間隔が
対象となる光の波長程度となるように形成されて上記集
光手段からの入射光を互いに直交する方向の2つの偏光
成分に分離する回折格子と、上記基板とほぼ平行に、か
つ、基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第O
次回折光を受光する第1の光検出器と、上記第1の光検
出器と同一平面内に配置され、かつ、第1の光検出器及
び基板と一体的に設けられて上記回折格子からの第1次
回折光を受光する第2の光検出器とを備え、上記回折格
子と第1及び第2の光検出器との間の距離が2mm以内
に設定されていることを特徴とするものである。
上記第1又は第2の態様において、格子間隔は対象とな
る光の0.5〜1倍とするのが好ましい。
る光の0.5〜1倍とするのが好ましい。
又、上記第1又は第2の態様において、回折格子は例え
ば、凹凸により形成されるレリーフ型回折格子とするこ
とができる。
ば、凹凸により形成されるレリーフ型回折格子とするこ
とができる。
その場合、回折格子の断面形状は具体的には例えば、矩
形状又は正弦波状とすることができる。
形状又は正弦波状とすることができる。
又、上記第1又は第2の態様において、基板はガラス製
又はプラスチック製とすることができる。
又はプラスチック製とすることができる。
なお、上記第2の態様において、上記収束光の開き角は
全角で20’以下とするのが好ましい。
全角で20’以下とするのが好ましい。
更に、上記第1又は第2の態様において、上記第1及び
第2の光検出器を基板における回折格子が形成された面
と反対側の面に直接形成するようにしても良い。
第2の光検出器を基板における回折格子が形成された面
と反対側の面に直接形成するようにしても良い。
上記した本発明の第1の態様によれば、偏光特性を有す
る回折格子と、各偏光成分を受光する第1及び第2の光
検出器とを一体的に設けたので、部品点数を削減するこ
とができるとともに、回折格子と第1及び第2の光検出
器との相対的な位置決めを正確に行えるようになる。又
、回折格子と第1及び第2の光検出器との間の距離は1
0mm以内としたので、偏光検出装置全体を小型化する
ことができ、従って、この偏光検出装置を例えば、光学
ヘッドに組み込む場合、光学ヘッドをコンパクトに構成
することができる。
る回折格子と、各偏光成分を受光する第1及び第2の光
検出器とを一体的に設けたので、部品点数を削減するこ
とができるとともに、回折格子と第1及び第2の光検出
器との相対的な位置決めを正確に行えるようになる。又
、回折格子と第1及び第2の光検出器との間の距離は1
0mm以内としたので、偏光検出装置全体を小型化する
ことができ、従って、この偏光検出装置を例えば、光学
ヘッドに組み込む場合、光学ヘッドをコンパクトに構成
することができる。
更に、回折格子の形成される基板と第1及び第2の光検
出器とを短い間隔を隔てて一体的に構成したので、温度
変化等に起因する光(レーザ光等)の波長変動に°伴っ
て回折角が変化した場合でも第1次回折光が上記第2の
光検出器から外れるようなことは生じにくく、従って、
第2の光検出器による検出も確実に行われる。
出器とを短い間隔を隔てて一体的に構成したので、温度
変化等に起因する光(レーザ光等)の波長変動に°伴っ
て回折角が変化した場合でも第1次回折光が上記第2の
光検出器から外れるようなことは生じにくく、従って、
第2の光検出器による検出も確実に行われる。
一方、上記した本発明の第2の態様によれば、回折格子
の手前側に集光手段を配置し、回折格子に収束光を入射
させるようにしたので、回折格子と第1及び第2の光検
出器との間の距離を更に縮小して2mm以内とすること
ができる。これにより、偏光検出装置を更に小型軽量化
することができる。
の手前側に集光手段を配置し、回折格子に収束光を入射
させるようにしたので、回折格子と第1及び第2の光検
出器との間の距離を更に縮小して2mm以内とすること
ができる。これにより、偏光検出装置を更に小型軽量化
することができる。
〔実施例1〕
本発明の一実施例を第1図乃至第3図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
本実施例に係る偏光検出装置50は例えば、第3図に示
すような光学ヘッドに組み込まれて使用されるものであ
る。この光学ヘッドは光磁気メモリ素子33に情報の記
録・再生を行うためのもので、主要部は第10図に示す
光学ヘッドと同様に構成されている。ここでは、第10
図の光学ヘッドと同一の構成を有する部材に同一の参照
番号を付して重複した説明を省略する。
すような光学ヘッドに組み込まれて使用されるものであ
る。この光学ヘッドは光磁気メモリ素子33に情報の記
録・再生を行うためのもので、主要部は第10図に示す
光学ヘッドと同様に構成されている。ここでは、第10
図の光学ヘッドと同一の構成を有する部材に同一の参照
番号を付して重複した説明を省略する。
本実施例では、第10図中の回折素子35a及び光検出
器36・37に代えて、(1/2)波長板34の後方に
偏光検出装置50が設けられている。この偏光検出装置
50は、第1図にも示すように、直方体状のガラスブロ
ック51を備えている。ガラスブロック51における(
1/2)波長板34に対向する側の表面には平板状のガ
ラス基trIi52が貼着され、このガラス基板52の
表面部に回折素子53が形成されている。
器36・37に代えて、(1/2)波長板34の後方に
偏光検出装置50が設けられている。この偏光検出装置
50は、第1図にも示すように、直方体状のガラスブロ
ック51を備えている。ガラスブロック51における(
1/2)波長板34に対向する側の表面には平板状のガ
ラス基trIi52が貼着され、このガラス基板52の
表面部に回折素子53が形成されている。
回折素子53は例えば、第2図に示すように、ガラス基
板52の表面部に矩形状断面を有する溝からなるレリー
フ型の回折格子52a・52a・・・を所定の格子間隔
り及び所定の深さdで形成したものである。回折格子5
2a・52a・・・は第1図及び第2図の紙面と直交す
る方向に延びている。
板52の表面部に矩形状断面を有する溝からなるレリー
フ型の回折格子52a・52a・・・を所定の格子間隔
り及び所定の深さdで形成したものである。回折格子5
2a・52a・・・は第1図及び第2図の紙面と直交す
る方向に延びている。
上記の格子間隔りは対象となる光の波長λ程度、好まし
くは波長λの0.5〜1倍程度に設定される。
くは波長λの0.5〜1倍程度に設定される。
又、回折格子52aの深さdは格子間隔りに対応させて
、偏光特性が得られる値に設定される。
、偏光特性が得られる値に設定される。
ここでは、(1/2)波長板34からの光束L40中の
TM波、つまり、回折格子52a・52a・・・の延び
る方向と直交する方向の偏光成分がほぼ100%第0次
回折光り、。とじて回折素子53を透過し、一方、上記
(1/2)波長板34からの光束L4゜中のTE波、つ
まり、回折格子52a・52a・・・の延びる方向と平
行な方向の偏光成分がほぼ100%第1次回折光LSI
として回折されるように回折格子52a・52a・・・
の深さdが設定されている。なお、上記回折格子52a
・52a・・・の断面形状は例えば、正弦波状としても
良い。又、ガラス基板52に代えて透光性樹脂からなる
基板を使用しても良い。
TM波、つまり、回折格子52a・52a・・・の延び
る方向と直交する方向の偏光成分がほぼ100%第0次
回折光り、。とじて回折素子53を透過し、一方、上記
(1/2)波長板34からの光束L4゜中のTE波、つ
まり、回折格子52a・52a・・・の延びる方向と平
行な方向の偏光成分がほぼ100%第1次回折光LSI
として回折されるように回折格子52a・52a・・・
の深さdが設定されている。なお、上記回折格子52a
・52a・・・の断面形状は例えば、正弦波状としても
良い。又、ガラス基板52に代えて透光性樹脂からなる
基板を使用しても良い。
又、ガラス基板52(及びガラスブロック51)は、λ
を対象となる光の波長、Dを格子間隔とした時に、回折
素子53に対しく1/2)波長板34からの光束L4゜
の入射角(第3図)がブラッグ角θl (θ、=sin
−’(λ/2D))となる向きに傾斜させて配置されて
いる。
を対象となる光の波長、Dを格子間隔とした時に、回折
素子53に対しく1/2)波長板34からの光束L4゜
の入射角(第3図)がブラッグ角θl (θ、=sin
−’(λ/2D))となる向きに傾斜させて配置されて
いる。
ガラスブロック51におけるガラス基板52が貼着され
た表面と反対側の表面には第1の光検出器54と第2の
光検出gS55とがそれぞれガラス基板52と平行に、
かつ、互いに同一平面内に並置されて配置されている。
た表面と反対側の表面には第1の光検出器54と第2の
光検出gS55とがそれぞれガラス基板52と平行に、
かつ、互いに同一平面内に並置されて配置されている。
第1及び第2の光検出器54・55は例えば、透光性を
有する樹脂層56内にモールドされてガラスブロック5
1と一体的に結合され、結果的に第1及び第2の光検出
器54・55はガラス基板52と一体化されている。上
記第1の光検出器54は回折格子52aにおける第O次
回折光1−soであるTM波を受光できる位置に配置さ
れる一方、第2の光検出器55は回折格子52aにおけ
る第1次回折光LSIであるTE波を受光できる位置に
配置されている。なお、第1及び第2の光検出器54・
55で生成される電気信号はそれぞれ差動増幅器38(
第3図参照)の入力端子に入力されるようになっている
。
有する樹脂層56内にモールドされてガラスブロック5
1と一体的に結合され、結果的に第1及び第2の光検出
器54・55はガラス基板52と一体化されている。上
記第1の光検出器54は回折格子52aにおける第O次
回折光1−soであるTM波を受光できる位置に配置さ
れる一方、第2の光検出器55は回折格子52aにおけ
る第1次回折光LSIであるTE波を受光できる位置に
配置されている。なお、第1及び第2の光検出器54・
55で生成される電気信号はそれぞれ差動増幅器38(
第3図参照)の入力端子に入力されるようになっている
。
上記ガラス基板52の厚み1.は例えば、1mm1ガラ
スブロツク51の厚みL2は例えば、64mm、ガラス
ブロック51におけるガラス基板52が貼着された側と
反対側の表面と第1及び第2の光検出器54・55の受
光面との間の距離2Iは例えば、0.6mmに設定され
る。その場合、回折素子53の表面と第1及び第2の光
検出器54・55の受光面との間の距離lは8mmとな
る。なお、距離lは8mmでなくとも10mm以内程度
とすれば良い。又、第1及び第2の光検出器54・55
の幅Wは例えば、それぞれ11mmに設定される。
スブロツク51の厚みL2は例えば、64mm、ガラス
ブロック51におけるガラス基板52が貼着された側と
反対側の表面と第1及び第2の光検出器54・55の受
光面との間の距離2Iは例えば、0.6mmに設定され
る。その場合、回折素子53の表面と第1及び第2の光
検出器54・55の受光面との間の距離lは8mmとな
る。なお、距離lは8mmでなくとも10mm以内程度
とすれば良い。又、第1及び第2の光検出器54・55
の幅Wは例えば、それぞれ11mmに設定される。
上記の構成において、光磁気メモリ素子33に記録され
た情報の再生を行う場合、半導体レーザ31からレーザ
光L1が出射され、回折素子32aでその一部が第1次
回折光り、z+とじて回折されて光磁気メモリ素子33
に照射される。光磁気メモリ素子33からの反射光L3
はその一部が第1次回折光L4゜として回折素子32a
を透過し、(1/2)波長板34で45°回転された後
、例えば、5mmΦの平行光束として回折素子53に入
射する。
た情報の再生を行う場合、半導体レーザ31からレーザ
光L1が出射され、回折素子32aでその一部が第1次
回折光り、z+とじて回折されて光磁気メモリ素子33
に照射される。光磁気メモリ素子33からの反射光L3
はその一部が第1次回折光L4゜として回折素子32a
を透過し、(1/2)波長板34で45°回転された後
、例えば、5mmΦの平行光束として回折素子53に入
射する。
回折素子53ではその偏光特性に基づいて、入射光中の
TM波はほぼ100%第O次回折光り、。
TM波はほぼ100%第O次回折光り、。
とじて透過され、透過光は第1の光検出器54に入射さ
れる。一方、入射光中のTE波はほぼ100%第1次回
折光LSIとして回折され、第2の光検出器55に入射
される。そして、第1の光検出器54及び第2の光検出
器55の出力信号が差動増幅器38で差動されることに
より、光磁気メモリ素子33上の情報が検出される。
れる。一方、入射光中のTE波はほぼ100%第1次回
折光LSIとして回折され、第2の光検出器55に入射
される。そして、第1の光検出器54及び第2の光検出
器55の出力信号が差動増幅器38で差動されることに
より、光磁気メモリ素子33上の情報が検出される。
上記の構成では、回折素子53と第1及び第2の光検出
器54・55とを偏光検出装置50として一体化したの
で、光学ヘッドの部品点数の削減及びコンパクト化を図
ることができる。
器54・55とを偏光検出装置50として一体化したの
で、光学ヘッドの部品点数の削減及びコンパクト化を図
ることができる。
又、回折素子53と第2の光検出器55とが近接配置さ
れているので、半導体レーザ31から出射されるレーザ
光L1の波長変動により回折素子53における第1次回
折光LSIの回折角が変動しても、第1次回折光LSI
が第2の光検出器55から外れるように不具合は生じに
くくなる。
れているので、半導体レーザ31から出射されるレーザ
光L1の波長変動により回折素子53における第1次回
折光LSIの回折角が変動しても、第1次回折光LSI
が第2の光検出器55から外れるように不具合は生じに
くくなる。
〔実施例2〕
次に、第4図及び第5図に基づいて本発明の第2実施例
を説明する。
を説明する。
この第2実施例の偏光検出装置60は例えば、第3図に
示す光学ヘッドに偏光検出装置50に代えて組み込まれ
て使用されうるちのである。第4図に示すように、この
偏光検出装置60は偏光検出装置本体61及びこの偏光
検出装置本体61と(1/2)波長板34との間に配置
される集光手段としての凸レンズ62とを備えている。
示す光学ヘッドに偏光検出装置50に代えて組み込まれ
て使用されうるちのである。第4図に示すように、この
偏光検出装置60は偏光検出装置本体61及びこの偏光
検出装置本体61と(1/2)波長板34との間に配置
される集光手段としての凸レンズ62とを備えている。
第5図にも示すように、偏光検出装置本体61は、ガラ
ス基板63を備え、ガラス基板63の表面部には回折素
子64が形成されている。回折素子64は第1実施例の
回折素子53と同様、第5図の紙面と直交する方向に延
びる複数の回折格子(具体的に図示せず)からなり、凸
レンズ62から入射される光束中のTM波をほぼ100
%第0次回折光り、。として透過させる一方、凸レンズ
62から入射される光束中のTE波をほぼ100%第1
次回折光LSIとして回折させるように偏光特性を付与
されている。
ス基板63を備え、ガラス基板63の表面部には回折素
子64が形成されている。回折素子64は第1実施例の
回折素子53と同様、第5図の紙面と直交する方向に延
びる複数の回折格子(具体的に図示せず)からなり、凸
レンズ62から入射される光束中のTM波をほぼ100
%第0次回折光り、。として透過させる一方、凸レンズ
62から入射される光束中のTE波をほぼ100%第1
次回折光LSIとして回折させるように偏光特性を付与
されている。
又、ガラス基板63の裏面側には、それぞれ回折素子6
4からの第O次回指光L5゜及び第1次回折光LSIを
受光する第1及び第2の光検出器65・66がガラス基
板63と平行に、かつ、同一平面内に配置されている。
4からの第O次回指光L5゜及び第1次回折光LSIを
受光する第1及び第2の光検出器65・66がガラス基
板63と平行に、かつ、同一平面内に配置されている。
第1及び第2の光検出器65・66は透光性を有する樹
脂層67内にモールドされてガラス基板63に一体的に
結合されている。
脂層67内にモールドされてガラス基板63に一体的に
結合されている。
上記の構成において、ガラス基Fi63の厚み1゜は例
えば、1mm程度、ガラス基板63における回折素子6
4と反対側の表面と第1及び第2の光検出器65・66
の受光面との間の距離!、”は0.6mm程度に設定さ
れる。この時、回折素子64から第1及び第2の光検出
器65・66の受光面までの距離l′は1.6mmとな
る。
えば、1mm程度、ガラス基板63における回折素子6
4と反対側の表面と第1及び第2の光検出器65・66
の受光面との間の距離!、”は0.6mm程度に設定さ
れる。この時、回折素子64から第1及び第2の光検出
器65・66の受光面までの距離l′は1.6mmとな
る。
又、(1/2)波長板34からの平行光束が例えば、5
mmΦである場合、凸レンズ62は例えば6mmΦとさ
れる。そして、凸レンズ62による収束光の開き角β(
第4図)は、好ましくは全角で20°以内に設定される
。又、凸レンズ62と回折素子64との間の距離は、光
検出器65・66上に光が集光されるように設定される
。その時、回折素子64への入射光の径rは1.6mm
程度となり、第1及び第2の光検出器65・66上の各
集光スポット間の間隔W゛は2.2mm程度となる。
mmΦである場合、凸レンズ62は例えば6mmΦとさ
れる。そして、凸レンズ62による収束光の開き角β(
第4図)は、好ましくは全角で20°以内に設定される
。又、凸レンズ62と回折素子64との間の距離は、光
検出器65・66上に光が集光されるように設定される
。その時、回折素子64への入射光の径rは1.6mm
程度となり、第1及び第2の光検出器65・66上の各
集光スポット間の間隔W゛は2.2mm程度となる。
この第2実施例によれば、(1/2)波長板34からの
光束を凸レンズ62で収束させた後、回折素子64に入
射させるようにしたので、回折素子64から第1及び第
2の光検出器65・66の受光面までの距離l゛が例え
ば、1.6mm程度に縮小される。又、それに伴って第
1及び第2の光検出器65・66の幅方向サイズも縮小
されるので、偏光検出装置本体61を第1実施例の偏光
検出装置50より更にコンパクトに構成することができ
るようになる。なお、上記の距離l゛は16mmでな(
でも2mm以内程度であれば良い。
光束を凸レンズ62で収束させた後、回折素子64に入
射させるようにしたので、回折素子64から第1及び第
2の光検出器65・66の受光面までの距離l゛が例え
ば、1.6mm程度に縮小される。又、それに伴って第
1及び第2の光検出器65・66の幅方向サイズも縮小
されるので、偏光検出装置本体61を第1実施例の偏光
検出装置50より更にコンパクトに構成することができ
るようになる。なお、上記の距離l゛は16mmでな(
でも2mm以内程度であれば良い。
〔実施例3〕
次に、第6図に基づいて第3実施例を説明する。
第3実施例は第2実施例を若干変形したものであり、こ
こでは、同様の機能を有する部材には(゛)付の参照番
号を付して詳細な説明を省略する。
こでは、同様の機能を有する部材には(゛)付の参照番
号を付して詳細な説明を省略する。
第3実施例では、集光手段としての凸レンズ62′と偏
光検出装置本体61’ との間に円柱状のセルフォック
マイクロレンズ(屈折率分布型レンズ)70が配置され
、凸レンズ62”で集光された光束がセルフォックマイ
クロレンズ7oで径の小さい平行光束に変換された後、
偏光検出装置本体61゛のガラス基板63゛に形成され
た回折素子(具体的に図示せず)に入射するようになっ
ている。このようにすれば、回折素子に対する光束の入
射角を一定に揃えることができる。なお、(1/2)波
長板34からの平行光束が5mmΦの場合、セルフォッ
クマイクロレンズ70からガラス基板63゛上の回折素
子に入射される平行光束は例えば、0.5mmΦとされ
る。
光検出装置本体61’ との間に円柱状のセルフォック
マイクロレンズ(屈折率分布型レンズ)70が配置され
、凸レンズ62”で集光された光束がセルフォックマイ
クロレンズ7oで径の小さい平行光束に変換された後、
偏光検出装置本体61゛のガラス基板63゛に形成され
た回折素子(具体的に図示せず)に入射するようになっ
ている。このようにすれば、回折素子に対する光束の入
射角を一定に揃えることができる。なお、(1/2)波
長板34からの平行光束が5mmΦの場合、セルフォッ
クマイクロレンズ70からガラス基板63゛上の回折素
子に入射される平行光束は例えば、0.5mmΦとされ
る。
以上のように、本発明の各実施例では、光磁気メモリ素
子33からの反射光を互いに直交する方向の2つの偏光
成分に分離するために回折素子53・64を使用し、か
つ、これらの回折格子53・64と第1及び第2の光検
出器54・55.65・66.65゛ ・66゛を一体
的に結合するとともに、第1及び第2の光検出器54・
55.65・66.65゛ ・66゛を同一平面内に配
置している。
子33からの反射光を互いに直交する方向の2つの偏光
成分に分離するために回折素子53・64を使用し、か
つ、これらの回折格子53・64と第1及び第2の光検
出器54・55.65・66.65゛ ・66゛を一体
的に結合するとともに、第1及び第2の光検出器54・
55.65・66.65゛ ・66゛を同一平面内に配
置している。
このような構成は、偏光ビームスプリッタ9(第7図)
等を使用していた従来の偏光検出装置では困難なもので
ある。即ち、第7図に示す従来の光学ヘッドにおいては
、偏光ビームスプリッタ9と光検出器10・11を一体
的に構成することは可能であるものの、光検出器10・
11は偏光ビームスプリッタ9の互いに異なる表面に別
個に設ける必要がある。従って、光検出器10・11を
一体化することはできない。
等を使用していた従来の偏光検出装置では困難なもので
ある。即ち、第7図に示す従来の光学ヘッドにおいては
、偏光ビームスプリッタ9と光検出器10・11を一体
的に構成することは可能であるものの、光検出器10・
11は偏光ビームスプリッタ9の互いに異なる表面に別
個に設ける必要がある。従って、光検出器10・11を
一体化することはできない。
又、第8図の光学ヘッドにおいては、第13図に示すよ
うに、例えば、5mmΦの光磁気メモリ素子5からの反
射光を凸レンズ18で集光させてウォラストンプリズム
19に入射させることにより、ウォラストンプリズムI
9と光検出器20を一体化することが可能である。この
場合、ウォラストンプリズム19の1辺の大きさを3m
m、ウォラストンプリズム19と光検出器20の受光面
との距離を0.6mm(第14図(a)参照)とすれば
、受光面2Oa上での2つのスポットSI・82間の間
隔は80μm(第14図(b)参照)となる。但し、ウ
ォラストンプリズム19を使用した場合、上記各実施例
の如く、回折素子53・64を使用する場合に比して、
光学ヘッドが大型、重量化し、かつ、コスト高となるこ
とは避けられない。
うに、例えば、5mmΦの光磁気メモリ素子5からの反
射光を凸レンズ18で集光させてウォラストンプリズム
19に入射させることにより、ウォラストンプリズムI
9と光検出器20を一体化することが可能である。この
場合、ウォラストンプリズム19の1辺の大きさを3m
m、ウォラストンプリズム19と光検出器20の受光面
との距離を0.6mm(第14図(a)参照)とすれば
、受光面2Oa上での2つのスポットSI・82間の間
隔は80μm(第14図(b)参照)となる。但し、ウ
ォラストンプリズム19を使用した場合、上記各実施例
の如く、回折素子53・64を使用する場合に比して、
光学ヘッドが大型、重量化し、かつ、コスト高となるこ
とは避けられない。
一方、ウォラストンプリズム19の手前側に凸レンズ1
8を配置せず、第15図のように、5mmΦの光磁気メ
モリ素子5からの反射光をそのままウォラストンプリズ
ム19に入射させる場合は、ウォラストンプリズム19
と光検出器20間の距離を約65mm取る必要があり、
ウォラストンプリズム19と光検出器20を一体化する
ことは不可能である。
8を配置せず、第15図のように、5mmΦの光磁気メ
モリ素子5からの反射光をそのままウォラストンプリズ
ム19に入射させる場合は、ウォラストンプリズム19
と光検出器20間の距離を約65mm取る必要があり、
ウォラストンプリズム19と光検出器20を一体化する
ことは不可能である。
以上のように、本発明の第1の態様に係る偏光検出装置
は、透光性を有する基板上に格子間隔が対象となる光の
波長程度となるように形成されて入射光を互いに直交す
る方向の2つの偏光成分に分離する回折格子と、上記基
板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に設けられて上記
回折格子からの第0次回折光を受光する第1の光検出器
と、上記第1の光検出器と同一平面内に配置され、かつ
、第1の光検出器及び基板と一体的に設けられて上記回
折格子からの第1次回折光を受光する第2の光検出器と
を備え、上記回折格子と第1及び第2の光検出器との間
の距離が10mm以内に設定されていることを特徴とす
るものである。
は、透光性を有する基板上に格子間隔が対象となる光の
波長程度となるように形成されて入射光を互いに直交す
る方向の2つの偏光成分に分離する回折格子と、上記基
板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に設けられて上記
回折格子からの第0次回折光を受光する第1の光検出器
と、上記第1の光検出器と同一平面内に配置され、かつ
、第1の光検出器及び基板と一体的に設けられて上記回
折格子からの第1次回折光を受光する第2の光検出器と
を備え、上記回折格子と第1及び第2の光検出器との間
の距離が10mm以内に設定されていることを特徴とす
るものである。
これにより、偏光特性を有する回折格子と、各偏光成分
を受光する第1及び第2の光検出器とを一体的に設けた
ので、部品点数を削減することができるとともに、回折
格子と第1及び第2の光検出器との相対的な位置決めを
正確に行うことができるようになる。又、回折格子と第
1及び第2の光検出器との間の距離は10mm以内とし
たので、偏光検出装置全体を小型化することができ、従
って、この偏光検出装置を例えば、光学ヘッドに組み込
む場合、光ヘッドをコンパクトに構成することができる
。
を受光する第1及び第2の光検出器とを一体的に設けた
ので、部品点数を削減することができるとともに、回折
格子と第1及び第2の光検出器との相対的な位置決めを
正確に行うことができるようになる。又、回折格子と第
1及び第2の光検出器との間の距離は10mm以内とし
たので、偏光検出装置全体を小型化することができ、従
って、この偏光検出装置を例えば、光学ヘッドに組み込
む場合、光ヘッドをコンパクトに構成することができる
。
更に、回折格子の形成される基板と第1及び第2の光検
出器とを短い間隔を隔てて一体的に構成したので、温度
変化等に起因する光(レーザ光等)の波長変動に伴って
回折角が変化した場合でも第1次回折光が上記第2の光
検出器から外れるようなことは生じにくく、従って、第
2の光検出器による検出も確実に行われる。
出器とを短い間隔を隔てて一体的に構成したので、温度
変化等に起因する光(レーザ光等)の波長変動に伴って
回折角が変化した場合でも第1次回折光が上記第2の光
検出器から外れるようなことは生じにくく、従って、第
2の光検出器による検出も確実に行われる。
又、本発明の第2の態様に係る偏光検出装置は、平行光
又は発散光を収束光に変換する集光手段と、透光性を有
する基板上に格子間隔が対象となる光の波長程度となる
ように形成されて上記集光手段からの入射光を互いに直
交する方向の2つの偏光成分に分離する回折格子と、上
記基板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に設けられて
上記回折格子からの第0次回折光を受光する第1の光検
出器と、上記第1の光検出器と同一平面内に配置され、
かつ、第1の光検出器及び基板と一体的に設けられて上
記回折格子からの第1次回折光を受光する第2の光検出
器とを備え、上記回折格子と第1及び第2の光検出器と
の間の距離が2mm以内に設定されていることを特徴と
するものである。
又は発散光を収束光に変換する集光手段と、透光性を有
する基板上に格子間隔が対象となる光の波長程度となる
ように形成されて上記集光手段からの入射光を互いに直
交する方向の2つの偏光成分に分離する回折格子と、上
記基板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に設けられて
上記回折格子からの第0次回折光を受光する第1の光検
出器と、上記第1の光検出器と同一平面内に配置され、
かつ、第1の光検出器及び基板と一体的に設けられて上
記回折格子からの第1次回折光を受光する第2の光検出
器とを備え、上記回折格子と第1及び第2の光検出器と
の間の距離が2mm以内に設定されていることを特徴と
するものである。
これにより、回折格子の手前側に集光手段を配置し、回
折格子に収束光を入射させるようにしたので、回折格子
と第1及び第2の光検出器との間の距離を更に縮小して
2mm以内とすることができる。これにより、上記した
第1の態様による作用効果に加えて偏光検出装置を更に
小型軽量化することができるという効果を奏する。
折格子に収束光を入射させるようにしたので、回折格子
と第1及び第2の光検出器との間の距離を更に縮小して
2mm以内とすることができる。これにより、上記した
第1の態様による作用効果に加えて偏光検出装置を更に
小型軽量化することができるという効果を奏する。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示すものである
。 第1図は偏光検出装置を示す概略断面説明図である。 第2図は回折格子を示す拡大縦断面図である。 第3図は偏光検出装置を含む光学ヘッドを示す説明図で
ある。 第4図及び第5図は第2実施例を示すものである。 第4図は偏光検出装置の説明図である。 第5図は偏光検出装置本体を示す概略断面説明図である
。 第6図は第3実施例に係る偏光検出装置を示す説明図で
ある。 第7図乃至第15図は従来例を示すものである。 第7図及び第8図はそれぞれ従来の光学ヘッドを示す説
明図である。 第9図は複屈折くさびを示す正面図である。 第10図は回折素子を使用して構成されうる光学ヘッド
の説明図である。 第11図は第10図の一部を詳細に示す断面説明図であ
る。 第12図は回折格子の深さとTE波及びTM波の強度比
との関係を示すグラフである。 第13図は第8図の光学ヘッドの変形例の要部を示す説
明図である。 第14図(a)は第13図の要部拡大図である。 第14図(b)は同図(a)の光検出器の正面図である
。 第15図は第8図の光学ヘッドの他の変形例を示す要部
説明図である。 50・60・60゛は偏光検出装置、52・63・63
°はガラス基板、52aは回折格子、54・65・65
゛は第1の光検出器、55・66・66゛は第2の光検
出器、62・62“は凸レンズ(集光手段)である。
。 第1図は偏光検出装置を示す概略断面説明図である。 第2図は回折格子を示す拡大縦断面図である。 第3図は偏光検出装置を含む光学ヘッドを示す説明図で
ある。 第4図及び第5図は第2実施例を示すものである。 第4図は偏光検出装置の説明図である。 第5図は偏光検出装置本体を示す概略断面説明図である
。 第6図は第3実施例に係る偏光検出装置を示す説明図で
ある。 第7図乃至第15図は従来例を示すものである。 第7図及び第8図はそれぞれ従来の光学ヘッドを示す説
明図である。 第9図は複屈折くさびを示す正面図である。 第10図は回折素子を使用して構成されうる光学ヘッド
の説明図である。 第11図は第10図の一部を詳細に示す断面説明図であ
る。 第12図は回折格子の深さとTE波及びTM波の強度比
との関係を示すグラフである。 第13図は第8図の光学ヘッドの変形例の要部を示す説
明図である。 第14図(a)は第13図の要部拡大図である。 第14図(b)は同図(a)の光検出器の正面図である
。 第15図は第8図の光学ヘッドの他の変形例を示す要部
説明図である。 50・60・60゛は偏光検出装置、52・63・63
°はガラス基板、52aは回折格子、54・65・65
゛は第1の光検出器、55・66・66゛は第2の光検
出器、62・62“は凸レンズ(集光手段)である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透光性を有する基板上に格子間隔が対象となる光の
波長程度となるように形成されて入射光を互いに直交す
る方向の2つの偏光成分に分離する回折格子と、上記基
板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に設けられて上記
回折格子からの第0次回折光を受光する第1の光検出器
と、上記第1の光検出器と同一平面内に配置され、かつ
、第1の光検出器及び基板と一体的に設けられて上記回
折格子からの第1次回折光を受光する第2の光検出器と
を備え、上記回折格子と第1及び第2の光検出器との間
の距離が10mm以内に設定されていることを特徴とす
る偏光検出装置。 2、平行光又は発散光を収束光に変換する集光手段と、
透光性を有する基板上に格子間隔が対象となる光の波長
程度となるように形成されて上記集光手段からの入射光
を互いに直交する方向の2つの偏光成分に分離する回折
格子と、上記基板とほぼ平行に、かつ、基板と一体的に
設けられて上記回折格子からの第0次回折光を受光する
第1の光検出器と、上記第1の光検出器と同一平面内に
配置され、かつ、第1の光検出器及び基板と一体的に設
けられて上記回折格子からの第1次回折光を受光する第
2の光検出器とを備え、上記回折格子と第1及び第2の
光検出器との間の距離が2mm以内に設定されているこ
とを特徴とする偏光検出装置。 3、上記格子間隔が対象となる光の波長の0. 5〜1倍であることを特徴とする請求項第1項又は第2
項のいずれかに記載の偏光検出装置。 4、上記回折格子が凹凸により形成されたレリーフ型回
折格子であることを特徴とする請求項第1項又は第2項
のいずれかに記載の偏光検出装置。 5、上記回折格子の断面形状が矩形状又は正弦波状であ
ることを特徴とする請求項第4項に記載の偏光検出装置
。 6、上記基板がガラス製又はプラスチック製であること
を特徴とする請求項第1項又は第2項のいずれかに記載
の偏光検出装置。 7、上記収束光の開き角が全角で20゜以下であること
を特徴とする請求項第2項に記載の偏光検出装置。 8、上記第1及び第2の光検出器が基板における回折格
子が形成された面と反対側の面に直接形成されているこ
とを特徴とする請求項第1項又は第2項のいずれかに記
載の偏光検出装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290710A JPH03152428A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 偏光検出装置 |
US07/500,292 US5085496A (en) | 1989-03-31 | 1990-03-28 | Optical element and optical pickup device comprising it |
DE69033972T DE69033972T2 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Optisches Bauteil und damit versehenes optisches Wiedergabegerät. |
DE69032301T DE69032301T2 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Optisches Element und dieses enthaltende optische Abtasteinrichtung |
CA002013538A CA2013538C (en) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Optical element and optical pickup device comprising it |
KR1019900004358A KR0144569B1 (ko) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | 광학소자 및 그것을 포함하는 광픽업장치 |
EP97111248A EP0803868B1 (en) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Optical element and optical pickup device comprising the same |
EP90303482A EP0390610B1 (en) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Optical element and optical pickup device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290710A JPH03152428A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 偏光検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03152428A true JPH03152428A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17759519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1290710A Pending JPH03152428A (ja) | 1989-03-31 | 1989-11-08 | 偏光検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03152428A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02183125A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-17 | Seiko Epson Corp | 偏光検出器及び光学ヘッド |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290710A patent/JPH03152428A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02183125A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-17 | Seiko Epson Corp | 偏光検出器及び光学ヘッド |
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