JPH03151393A - SiH基を有するカップリング剤およびこのカップリング剤で表面処理されたシリカ - Google Patents
SiH基を有するカップリング剤およびこのカップリング剤で表面処理されたシリカInfo
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Landscapes
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- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、SiH基を有するカップリング剤および該カ
ップリング剤を用いて表面処理されたシリカに関し、さ
らに詳しくは、LSIなどの電子部品封止用樹脂の充填
剤として用いられるシリカと強固な化学結合を形成しう
ろようなSiH基を有するカップリング剤および該カッ
プリング剤を用いて表面処理されたシリカに関する。
ップリング剤を用いて表面処理されたシリカに関し、さ
らに詳しくは、LSIなどの電子部品封止用樹脂の充填
剤として用いられるシリカと強固な化学結合を形成しう
ろようなSiH基を有するカップリング剤および該カッ
プリング剤を用いて表面処理されたシリカに関する。
発明の技術的背景
シランカップリング剤は、同一分子内に、有機物と反応
する有機官能性基と、無機物と反応する加水分解性基と
を有する化合物であり、このようなシランカップリング
剤は、上記のような官能性基を有するため、有機ポリマ
ーとシリカなどの無機物とを化学的に結合することがで
き、有機ポリマーの機械的強度を飛躍的に向上させるこ
とができると言われている。
する有機官能性基と、無機物と反応する加水分解性基と
を有する化合物であり、このようなシランカップリング
剤は、上記のような官能性基を有するため、有機ポリマ
ーとシリカなどの無機物とを化学的に結合することがで
き、有機ポリマーの機械的強度を飛躍的に向上させるこ
とができると言われている。
上記のようなシランカップリング剤としては、従来、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシランなどが知られている。そして、シリカ
と上記のアルコキシ型シランカップリング剤との結合機
構は以下のような(i)または(i)によると考えられ
ている。
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシランなどが知られている。そして、シリカ
と上記のアルコキシ型シランカップリング剤との結合機
構は以下のような(i)または(i)によると考えられ
ている。
(i)シリカ表面に存在するシラノール基(−3101
1)と、上記シランカップリング剤を構成するアルコキ
シ基が加水分解して生成したシラノール基とが、下式に
示すように脱水反応を起こし、新たな5i−0−St結
合を形成することにより、シリカとシランカップリング
剤とが結合する。
1)と、上記シランカップリング剤を構成するアルコキ
シ基が加水分解して生成したシラノール基とが、下式に
示すように脱水反応を起こし、新たな5i−0−St結
合を形成することにより、シリカとシランカップリング
剤とが結合する。
−wS [−0114110−8I→−3I −0−3
I +I+ 20(i)シリカ表面に存在するシラ
ノール基と、上記シランカップリング剤を構成するアル
コキシ基とが、下式に示すように脱アルコール反応して
新たな5t−0−Si結合を形成することにより結合す
る。
I +I+ 20(i)シリカ表面に存在するシラ
ノール基と、上記シランカップリング剤を構成するアル
コキシ基とが、下式に示すように脱アルコール反応して
新たな5t−0−Si結合を形成することにより結合す
る。
□5l−011+RO−81□→、ヘハ−8i −0−
3i −+l?OIIしかしながら、上記のような公知
のアルコキシ型シランカップリング剤を用いて表面処理
されたシリカを充填剤として使用した電子部品成形品は
、本発明者らが評価した結果、得られる成形品の強度、
耐湿性などの物性値において、シランカップリング剤処
理を行わなかったシリカを充填した成形品との有意差が
見られないことが判明した。
3i −+l?OIIしかしながら、上記のような公知
のアルコキシ型シランカップリング剤を用いて表面処理
されたシリカを充填剤として使用した電子部品成形品は
、本発明者らが評価した結果、得られる成形品の強度、
耐湿性などの物性値において、シランカップリング剤処
理を行わなかったシリカを充填した成形品との有意差が
見られないことが判明した。
これは、シリカとアルコキシ型シランカップリング剤と
の反応による結合生成が不充分なことに起因しており、
従って、シリカとカップリング剤とを化学的に確実に結
合させることができれば、得られる電子部品成形品の物
性値を大幅に向上させることができると考えられる。ま
た、従来のアルコキシ型シランカップリング剤は、その
同一分子内に共存する有機官能性基の種類により、アル
コキシ基の加水分解速度および該加水分解物の脱水縮合
速度が大きく異なることが知られており、さらに、分子
内に存在する炭化水素鎖が長くなればなるほど、アルコ
キシ基の反応性が低下するという問題点があった。
の反応による結合生成が不充分なことに起因しており、
従って、シリカとカップリング剤とを化学的に確実に結
合させることができれば、得られる電子部品成形品の物
性値を大幅に向上させることができると考えられる。ま
た、従来のアルコキシ型シランカップリング剤は、その
同一分子内に共存する有機官能性基の種類により、アル
コキシ基の加水分解速度および該加水分解物の脱水縮合
速度が大きく異なることが知られており、さらに、分子
内に存在する炭化水素鎖が長くなればなるほど、アルコ
キシ基の反応性が低下するという問題点があった。
本発明者らは、上記のような問題点を解決すべく鋭意検
討したところ、−3iH基を有するシランカップリング
剤はシリカと強固に化学結合を形成しうろことを見出し
て、本発明を完成するに至った。
討したところ、−3iH基を有するシランカップリング
剤はシリカと強固に化学結合を形成しうろことを見出し
て、本発明を完成するに至った。
発明のII的
本発明は、上記のような従来技術に伴う間t、5点を解
決しようとするものであり、シリカと確実に化学結合を
形成しつるようなカップリング剤および該カップリング
剤を用いて表面処理されたシリカを提供することを目的
としている。
決しようとするものであり、シリカと確実に化学結合を
形成しつるようなカップリング剤および該カップリング
剤を用いて表面処理されたシリカを提供することを目的
としている。
発明の概要
本発明に係る5iHJJを有するカップリング剤は、一
般式H] (式中、RR2およびR3は、それぞれ同一■ であっても異なっていてもよく、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基ま
たは置換フェニル基であり、R4はアミノエチル、アミ
ノプロピル、アミノブチル、グリシドキシエチル、グリ
シドキシプロピル、グリシドキシブチル、メタクリロキ
シエチル、メタクリロキシプロピル、メタクリロキシブ
チル、カルボキシエチル、カルボキシプロピル、カルボ
キシブチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、
ヒドロキシブチル、クロロエチル、クロロプロピル、ク
ロロブチル、メルカプトエチル、メルカプトプロピル、
メルカプトブチル、ポリアルキレンオキシド、β−(3
,4−エポキシシクロヘキシル)エチル、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)プロピルまたはβ−(3,
4−エポキシシクロヘキシル)ブチルから選ばれる基で
あり、gは1〜3の整数であり、mは0または1〜2の
整数であり、かつl+rn−3であり、nは0または1
〜200の整数である。) で示されることを特徴としている。
般式H] (式中、RR2およびR3は、それぞれ同一■ であっても異なっていてもよく、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基ま
たは置換フェニル基であり、R4はアミノエチル、アミ
ノプロピル、アミノブチル、グリシドキシエチル、グリ
シドキシプロピル、グリシドキシブチル、メタクリロキ
シエチル、メタクリロキシプロピル、メタクリロキシブ
チル、カルボキシエチル、カルボキシプロピル、カルボ
キシブチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、
ヒドロキシブチル、クロロエチル、クロロプロピル、ク
ロロブチル、メルカプトエチル、メルカプトプロピル、
メルカプトブチル、ポリアルキレンオキシド、β−(3
,4−エポキシシクロヘキシル)エチル、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)プロピルまたはβ−(3,
4−エポキシシクロヘキシル)ブチルから選ばれる基で
あり、gは1〜3の整数であり、mは0または1〜2の
整数であり、かつl+rn−3であり、nは0または1
〜200の整数である。) で示されることを特徴としている。
また、本発明に係るシリカは、
一般式[I]
(式中、R’ R2R3R’、gSmおよびnは、前
記と同じである。) で示されるSiH基を有するカップリング剤で表面処理
されてなることを特徴としている。
記と同じである。) で示されるSiH基を有するカップリング剤で表面処理
されてなることを特徴としている。
発明の詳細な説明
以下、本発明に係るSiH基を有するカップリング剤お
よびそれを用いて表面処理されたシリカについて具体的
に説明する。
よびそれを用いて表面処理されたシリカについて具体的
に説明する。
SiH基を有するカップリング剤
本発明に係るSiH基を有するカップリング剤は、上記
のような一般式[I]で示される。このような5iH7
Jを有するカップリング剤としては、具体的には、下記
のような化合物が挙げられる。
のような一般式[I]で示される。このような5iH7
Jを有するカップリング剤としては、具体的には、下記
のような化合物が挙げられる。
■−グリシドキシプロピルー1,1.3.3−テトラメ
チルジシロキサン、 ■−メタクリロキシプロピルー1.1,3.3−テトラ
メチルジシロキサン、 l−ヒドロキシプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 ■−アミノプロピルー1.1,3.3−テトラメチルジ
シロキサン、 l−カルボキシプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 ■−クロロプロピルー1,1.3.3−テトラメチルジ
シロキサン、 1−メルカプトプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 1−β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、本発明
に係るSiH基を有するカップリング剤は、下記一般式
[11]で表わされる分子内にStH基を2個以上有す
るハイドロジエンシロキサンオリゴマー (式中、RI R2R3 mおよびnは前 記と同じである。) と、同一分子内に有機官能性基とオレフィン不飽和結合
を有する化合物(以下、オレフィン化合物ということが
ある)とを、ヒドロシリル化触媒の存在下に反応させる
ことにより容易に製造できる。
チルジシロキサン、 ■−メタクリロキシプロピルー1.1,3.3−テトラ
メチルジシロキサン、 l−ヒドロキシプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 ■−アミノプロピルー1.1,3.3−テトラメチルジ
シロキサン、 l−カルボキシプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 ■−クロロプロピルー1,1.3.3−テトラメチルジ
シロキサン、 1−メルカプトプロピル−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、 1−β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、本発明
に係るSiH基を有するカップリング剤は、下記一般式
[11]で表わされる分子内にStH基を2個以上有す
るハイドロジエンシロキサンオリゴマー (式中、RI R2R3 mおよびnは前 記と同じである。) と、同一分子内に有機官能性基とオレフィン不飽和結合
を有する化合物(以下、オレフィン化合物ということが
ある)とを、ヒドロシリル化触媒の存在下に反応させる
ことにより容易に製造できる。
上記のようなオレフィン化合物としては、具体的には、
アリルアミン、アリルグリシジルエーテル、アリルメタ
クリレート、アリルアルコール、アリルメルカプタンな
どが用いられる。
アリルアミン、アリルグリシジルエーテル、アリルメタ
クリレート、アリルアルコール、アリルメルカプタンな
どが用いられる。
ヒドロシリル化触媒としては、従来公知のヒドロシリル
化触媒たとえば白金、ロジウムまたはパラジウム系のい
ずれのヒドロシル化触媒をも用いることができるが、こ
のうち塩化白金酸を用いることが特に好ましい。触媒と
して用いる塩化白金酸は、必要に応じて多量に用いるこ
ともできるが、オレフィン化合物1モルに対して白金原
子換算で6 5×10〜5X10=5モル程度用いれば充分である。
化触媒たとえば白金、ロジウムまたはパラジウム系のい
ずれのヒドロシル化触媒をも用いることができるが、こ
のうち塩化白金酸を用いることが特に好ましい。触媒と
して用いる塩化白金酸は、必要に応じて多量に用いるこ
ともできるが、オレフィン化合物1モルに対して白金原
子換算で6 5×10〜5X10=5モル程度用いれば充分である。
上記のようなハイドロジエンシロキサンオリゴマーとオ
レフィン化合物とを反応させるに際しては、ハイドロジ
エンシロキサンオリゴマーとオレフィン化合物とのモル
比は、1.3:1〜1:1.3の範囲で用いられること
が好ましい。なお、ハイドロジエンシロキサンオリゴマ
ーおよびオレフィン化合物に含有されることのあるハロ
ゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべく除去して用い
ることが好ましい。
レフィン化合物とを反応させるに際しては、ハイドロジ
エンシロキサンオリゴマーとオレフィン化合物とのモル
比は、1.3:1〜1:1.3の範囲で用いられること
が好ましい。なお、ハイドロジエンシロキサンオリゴマ
ーおよびオレフィン化合物に含有されることのあるハロ
ゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべく除去して用い
ることが好ましい。
上記のような反応は、常圧下で行ってもよく、また加圧
下で行ってもよいが、通常は常圧にて窒素などの不活性
ガス雰囲気下で行うのが好ましい。
下で行ってもよいが、通常は常圧にて窒素などの不活性
ガス雰囲気下で行うのが好ましい。
また反応温度は、50〜200℃、好ましくは80〜1
20℃であることが望ましい。
20℃であることが望ましい。
また上記のような反応は、溶媒の存在下に行ってもよく
、また非存在下に行ってもよい。溶媒を用いる場合には
、トルエン、キシレン、ヘプタン、ドデカンなどの炭化
水素類あるいはテトラヒドロフラン、1.4−ジオキサ
ンなどのエーテル類が好ましく用いられる。これらの溶
媒は必要に応じて単独あるいは混合して用いてもよい。
、また非存在下に行ってもよい。溶媒を用いる場合には
、トルエン、キシレン、ヘプタン、ドデカンなどの炭化
水素類あるいはテトラヒドロフラン、1.4−ジオキサ
ンなどのエーテル類が好ましく用いられる。これらの溶
媒は必要に応じて単独あるいは混合して用いてもよい。
反応時間は、反応条件、特に反応温度によって大きく変
化するが、通常1〜5時間程度で充分である。
化するが、通常1〜5時間程度で充分である。
オレフィン化合物としてアリルメタクリレ−1・などの
ような重合し易いオレフィン化合物を用いる場合には、
2,6−ジーt−ブチル−p−クレゾールなどの重合防
止剤を添加してヒドロシリル化反応を行うことが好まし
い。またオレフィン化合物として、アリルアルコールな
どのように触媒毒となったり、副反応を伴うオレフィン
化合物を用いる場合には、該オレフィン化合物の有機官
能性基をトリメチルシリル基などにより保護してから、
ヒドロシリル化反応を行い、しかる後に保護基を外して
カップリング剤を製造することが好ましい。
ような重合し易いオレフィン化合物を用いる場合には、
2,6−ジーt−ブチル−p−クレゾールなどの重合防
止剤を添加してヒドロシリル化反応を行うことが好まし
い。またオレフィン化合物として、アリルアルコールな
どのように触媒毒となったり、副反応を伴うオレフィン
化合物を用いる場合には、該オレフィン化合物の有機官
能性基をトリメチルシリル基などにより保護してから、
ヒドロシリル化反応を行い、しかる後に保護基を外して
カップリング剤を製造することが好ましい。
なお、ヒドロシリル化反応後には、ノーイドロジエンシ
ロキサンオリゴマ−1分子当り、有機官能性基を有する
オレフィン化合物が0〜数分子付加した混合物として反
応生成物が得られ、この反応生成物から公知の分離手段
たとえば減圧蒸留などにより、本発明に係るシラン力・
ツブリング剤を分離回収することができる。
ロキサンオリゴマ−1分子当り、有機官能性基を有する
オレフィン化合物が0〜数分子付加した混合物として反
応生成物が得られ、この反応生成物から公知の分離手段
たとえば減圧蒸留などにより、本発明に係るシラン力・
ツブリング剤を分離回収することができる。
SiH基を有するカップリング剤を用いて表面処理され
たシリカ 本発明に係る表面処理されたシリカは、シリカと上記S
iH基を有するカップリング剤とから調製されるが、シ
リカとしては、結晶シリカまたは溶融シリカのいずれで
も用いることができる。またシ・リカは、粒径が1〜5
0μm程度の粒子状として好ましく用いられる。シリカ
の表面処理は、まずシリカ100重量部当り、上記のよ
うなSiH基を有するカップリング剤0.1〜30重量
部を添加し、公知の混合機たとえばヘンシェルミキサー
などを用いて混合する。
たシリカ 本発明に係る表面処理されたシリカは、シリカと上記S
iH基を有するカップリング剤とから調製されるが、シ
リカとしては、結晶シリカまたは溶融シリカのいずれで
も用いることができる。またシ・リカは、粒径が1〜5
0μm程度の粒子状として好ましく用いられる。シリカ
の表面処理は、まずシリカ100重量部当り、上記のよ
うなSiH基を有するカップリング剤0.1〜30重量
部を添加し、公知の混合機たとえばヘンシェルミキサー
などを用いて混合する。
次いで、シリカとSiH基を有するカップリング剤との
混合物を加熱処理するが、その加熱処理温度は、80〜
170℃好ましくは100〜160℃であり、また加熱
処理時間は、1〜5時間程度である。
混合物を加熱処理するが、その加熱処理温度は、80〜
170℃好ましくは100〜160℃であり、また加熱
処理時間は、1〜5時間程度である。
このような表面処理を行うことにより、シリカとSiH
基を有するカップリング剤とは、従来公知のアルコキシ
型シランカップリング剤が前述のように脱水および/ま
たは脱アルコール反応によリカリカとの結合を生ずるの
とは異なり、下式に示すような脱水素反応により強固な
5i−0−5i結合を生ずると考えられる。
基を有するカップリング剤とは、従来公知のアルコキシ
型シランカップリング剤が前述のように脱水および/ま
たは脱アルコール反応によリカリカとの結合を生ずるの
とは異なり、下式に示すような脱水素反応により強固な
5i−0−5i結合を生ずると考えられる。
S I −011” トS I w→〜〜S I −0
−9I VVV−” 112また、従来公知のアルコキ
シ型シランカップリング剤では、前述のように分子内に
存在する炭化水素鎖が長くなればなるほど、アルコキシ
基の反応性が低下するが、本発明に係るSiH基を何す
るカップリング剤では、その分子内のシロキサン単位が
10以上の長鎖のカップリング剤でもシリカとの反応性
が低下することはない。さらに、従来公知のアルコキシ
型シランカップリング剤と異なり、本発明に係るSiH
括を有するカップリング剤°では、シリカと結合する際
に、水素を発生するので、その水素を補集して定量する
ことにより、容易にシリカとの結合度合を知ることがで
きる。
−9I VVV−” 112また、従来公知のアルコキ
シ型シランカップリング剤では、前述のように分子内に
存在する炭化水素鎖が長くなればなるほど、アルコキシ
基の反応性が低下するが、本発明に係るSiH基を何す
るカップリング剤では、その分子内のシロキサン単位が
10以上の長鎖のカップリング剤でもシリカとの反応性
が低下することはない。さらに、従来公知のアルコキシ
型シランカップリング剤と異なり、本発明に係るSiH
括を有するカップリング剤°では、シリカと結合する際
に、水素を発生するので、その水素を補集して定量する
ことにより、容易にシリカとの結合度合を知ることがで
きる。
発明の効果
本発明に係るSiH基を有するカップリング剤は、分子
内にSiH基を有するので、従来のアルコキシ型シラン
カップリング剤よりもシリカと強固な結合を形成するこ
とができる。また、本発明に係るSiH基を有するカッ
プリング剤は、その分子内のシロキサン単位が10以上
の長鎖のカップリング剤でも、シリカとSiH基との反
応性が低下することがない。
内にSiH基を有するので、従来のアルコキシ型シラン
カップリング剤よりもシリカと強固な結合を形成するこ
とができる。また、本発明に係るSiH基を有するカッ
プリング剤は、その分子内のシロキサン単位が10以上
の長鎖のカップリング剤でも、シリカとSiH基との反
応性が低下することがない。
また、本発明に係るSiH基を有するカップリング剤で
表面処理されたシリカは、シリカと該カップリング剤と
の結合が強固であるため、電子部品封止用樹脂などの充
填剤に用いることにより、得られる成形品の物性値が改
良される。
表面処理されたシリカは、シリカと該カップリング剤と
の結合が強固であるため、電子部品封止用樹脂などの充
填剤に用いることにより、得られる成形品の物性値が改
良される。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
ら実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中の部および%は、とくに断わりがない限
り重量基準である。
り重量基準である。
実施例1
還流冷却管、攪拌機、温度計および滴下ロートを備えた
4つロフラスコに、アリルグリシジルエーテル230g
(2,0モル)および触媒としてアリルグリシジルエ
ーテル1モルに対し、5×10−6モルに41当する量
の塩化白金酸を加え、得られた混合物を90℃の恒温油
槽にて加熱した。
4つロフラスコに、アリルグリシジルエーテル230g
(2,0モル)および触媒としてアリルグリシジルエ
ーテル1モルに対し、5×10−6モルに41当する量
の塩化白金酸を加え、得られた混合物を90℃の恒温油
槽にて加熱した。
混合物が一定温度になった後、1,1.3.3−テトラ
メチルジシロキサン270g (2,0モル)を30分
間かけて滴下し、さらに1時間、加熱操作を行った。
メチルジシロキサン270g (2,0モル)を30分
間かけて滴下し、さらに1時間、加熱操作を行った。
反応終了後、得られた反応混合物を減圧蒸留して、原料
である1、1.3.3−テトラメチルジシロキサン15
2gおよびアリルグリシジルエーテルのテトラメチルジ
シロキサンへの2分子付加体である1、3−ジグリシド
キシブロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン111gを分離し、生成物である1−グリシドキシ
プロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
237 g (0,96モル)を得た。
である1、1.3.3−テトラメチルジシロキサン15
2gおよびアリルグリシジルエーテルのテトラメチルジ
シロキサンへの2分子付加体である1、3−ジグリシド
キシブロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン111gを分離し、生成物である1−グリシドキシ
プロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
237 g (0,96モル)を得た。
実施例2
シラノール量が6%であり、平均粒径が30μmである
高活性シリカ(東燃石油化学■製)100部に実施例1
で得た1−グリシドキシプロピル−1,1,3,3−テ
トラメチルジシロキサン1o部を添加し、ヘンシェルミ
キサーにて充分混合した後、この混合物を150℃にて
1.5時間加熱してシリカの表面処理を行った。
高活性シリカ(東燃石油化学■製)100部に実施例1
で得た1−グリシドキシプロピル−1,1,3,3−テ
トラメチルジシロキサン1o部を添加し、ヘンシェルミ
キサーにて充分混合した後、この混合物を150℃にて
1.5時間加熱してシリカの表面処理を行った。
未処理シリカおよび上記の表面処理を行ったシリカのF
T−IR測定結果を第1図および第2図に示す。
T−IR測定結果を第1図および第2図に示す。
第1図および第2図より、未処理シリカ表面に存在する
シラノール基が本発明のSiH基を有するカップリング
剤にて表面処理を行うことにより、カップリング剤のS
iH基と反応して完全に消失したことが判る。
シラノール基が本発明のSiH基を有するカップリング
剤にて表面処理を行うことにより、カップリング剤のS
iH基と反応して完全に消失したことが判る。
実施例3
平均粒径が11.3μmであり、比表面積が3.4rr
r/gである合成シリカ(東燃石油化学側製)に、実施
例1で得たl−グリシドキシプロピル−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンを、シリカの表面積−粗相
当量より大過剰にて添加し、スターラーにて充分混合し
た後、150℃にて1時間加熱処理を行った。その後、
過剰のカップリング剤をアセトンにて洗浄除去し、減圧
乾燥することにより表面処理したシリカを得た。この表
面処理したシリカは極めて高い撥水性を示し、平均粒径
1μm以下の微粉は、攪拌しても水中に沈降することは
なかった。
r/gである合成シリカ(東燃石油化学側製)に、実施
例1で得たl−グリシドキシプロピル−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンを、シリカの表面積−粗相
当量より大過剰にて添加し、スターラーにて充分混合し
た後、150℃にて1時間加熱処理を行った。その後、
過剰のカップリング剤をアセトンにて洗浄除去し、減圧
乾燥することにより表面処理したシリカを得た。この表
面処理したシリカは極めて高い撥水性を示し、平均粒径
1μm以下の微粉は、攪拌しても水中に沈降することは
なかった。
実施例4
実施例1と同様の反応器にアリルメタクリレート126
f(1,0モル) 重合防止剤としての2.6−ジーt
−ブチル−p−クレゾール2.0gおよび触媒としてア
リルメタクリレート1モルに対し、5X10−6モルに
相当する量の塩化白金酸を加え、得られた混合物を10
0℃の恒温油槽にて加熱した。混合物が一定温度になっ
た後、1.1,3.3−テトラメチルジシロキサン13
4g (1,0モル)を1時間かけて滴下し、さらに1
時間、加熱操作を行った。
f(1,0モル) 重合防止剤としての2.6−ジーt
−ブチル−p−クレゾール2.0gおよび触媒としてア
リルメタクリレート1モルに対し、5X10−6モルに
相当する量の塩化白金酸を加え、得られた混合物を10
0℃の恒温油槽にて加熱した。混合物が一定温度になっ
た後、1.1,3.3−テトラメチルジシロキサン13
4g (1,0モル)を1時間かけて滴下し、さらに1
時間、加熱操作を行った。
反応終了後、得られた反応混合物を実施例1と同様にし
て減圧蒸留して、■−メタクリロキシプロピルー1.1
.!1.3−テトラメチルジシロキサン125K (0
,48モル)を得た。
て減圧蒸留して、■−メタクリロキシプロピルー1.1
.!1.3−テトラメチルジシロキサン125K (0
,48モル)を得た。
実施例5
2つの滴下ロート、攪拌機および温度計を備えた4つ目
フラスコに、アリルアルコール174g(3,0モル)
を導入し、0℃にてヘキサメチルジシラザン161g(
1,0モル)およびトリメチルクロルシラン108.5
g (1,0モル)を、その滴下終了が同時となる速度
にて約1時間かけて滴下し、その後1時間反応を行った
。得られた反応生成物を単蒸留して副生じた塩化アンモ
ニウムを分離して、アリルアルコールのシリル化物であ
るアリロキシトリメチルシラン348g (2,7モル
)を得た。
フラスコに、アリルアルコール174g(3,0モル)
を導入し、0℃にてヘキサメチルジシラザン161g(
1,0モル)およびトリメチルクロルシラン108.5
g (1,0モル)を、その滴下終了が同時となる速度
にて約1時間かけて滴下し、その後1時間反応を行った
。得られた反応生成物を単蒸留して副生じた塩化アンモ
ニウムを分離して、アリルアルコールのシリル化物であ
るアリロキシトリメチルシラン348g (2,7モル
)を得た。
実施例1と同様の反応器に、上記、で製造したアリロキ
シトリメチルシラン130g (1,0モル)および触
媒としてアリロキシトリメチルシラン1モルに対し、1
.5X10−5モルに相当する量の塩化白金酸を加え、
得られた混合物を1・00℃の恒温油槽にて加熱した。
シトリメチルシラン130g (1,0モル)および触
媒としてアリロキシトリメチルシラン1モルに対し、1
.5X10−5モルに相当する量の塩化白金酸を加え、
得られた混合物を1・00℃の恒温油槽にて加熱した。
混合物が一定温度になった後、1.1.:1.3−テト
ラメチルジシロキサン134g(1,0モル)を1時間
かけて滴下し、さらに1時間、加熱操作を行った。
ラメチルジシロキサン134g(1,0モル)を1時間
かけて滴下し、さらに1時間、加熱操作を行った。
反応終了後、得られた反応混合物を実施Nlと同様にし
て減圧蒸留して、l−トリメチルシロキシプロピル−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン125 g
(0,47モル)を得た。
て減圧蒸留して、l−トリメチルシロキシプロピル−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン125 g
(0,47モル)を得た。
上記で得られたl−トリメチルシロキシプロピル−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンに水125gを
加え、還流下で24時間処理することにより、トリメチ
ルシリル基を外し、その後減圧蒸留により副生物および
水を除去して、l−ヒドロキシプロピル−1,1,:(
,3−テトラメチルジシロキサン82g(0,43モル
)を得た。
1,3,3−テトラメチルジシロキサンに水125gを
加え、還流下で24時間処理することにより、トリメチ
ルシリル基を外し、その後減圧蒸留により副生物および
水を除去して、l−ヒドロキシプロピル−1,1,:(
,3−テトラメチルジシロキサン82g(0,43モル
)を得た。
実施例6
構造を有する両末端ハイドロジエン型ポリジメチルシロ
キサン500 g (0,13モル)をアリルグリシジ
ルエーテル14. 5g (0,13モル)に攪拌下に
反応温度80℃にて約1時間かけて徐々に滴下し、+(
7)180℃にて1.5時間保持することにより、ヒド
ロシリル化反応を行ってカップリング剤混合物を得た。
キサン500 g (0,13モル)をアリルグリシジ
ルエーテル14. 5g (0,13モル)に攪拌下に
反応温度80℃にて約1時間かけて徐々に滴下し、+(
7)180℃にて1.5時間保持することにより、ヒド
ロシリル化反応を行ってカップリング剤混合物を得た。
なお、ヒドロシリル化触媒としては、塩化白金酸をアリ
ルグリシジルエーテル1モルに対して5X10−5モル
の割合で使用した。
ルグリシジルエーテル1モルに対して5X10−5モル
の割合で使用した。
シラノール量が6%であり、平均粒径が30μmである
高活性シリカ(東燃石油化学■製)20gを上記で得ら
れたカップリング剤混合物30gに浸漬し、攪拌下、1
50℃にて1時間加熱処理を行った。この時、カップリ
ング剤混合物とシリカとの反応に伴う水素ガスの発生を
確認した。次いで過剰のカップリング剤混合物を濾過し
、濾別したシリカをn−へブタンにて5回洗浄し、室温
で3時間および120℃にて5時間乾燥することにより
表面処理されたシリカを得た。
高活性シリカ(東燃石油化学■製)20gを上記で得ら
れたカップリング剤混合物30gに浸漬し、攪拌下、1
50℃にて1時間加熱処理を行った。この時、カップリ
ング剤混合物とシリカとの反応に伴う水素ガスの発生を
確認した。次いで過剰のカップリング剤混合物を濾過し
、濾別したシリカをn−へブタンにて5回洗浄し、室温
で3時間および120℃にて5時間乾燥することにより
表面処理されたシリカを得た。
上記のようにして得られた表面処理されたシリカは、実
施例3で得た表面処理されたシリカよりも、さらに高い
撥水性を示し、水面に膜を作って浮遊し、攪拌しても大
半は水中に沈降することがなかった。
施例3で得た表面処理されたシリカよりも、さらに高い
撥水性を示し、水面に膜を作って浮遊し、攪拌しても大
半は水中に沈降することがなかった。
第1図は未処理シリカのFT−I Hによるシラノール
基の測定結果であり、第2図は本発明の1−グリシドキ
シプロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ンにて表面処理されたシリカのFT−IRによるシラノ
ール基の測定結果である。
基の測定結果であり、第2図は本発明の1−グリシドキ
シプロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ンにて表面処理されたシリカのFT−IRによるシラノ
ール基の測定結果である。
Claims (2)
- (1)一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ] (式中、R^1、R^2およびR^3は、それぞれ同一
であっても異なっていてもよく、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基ま
たは置換フェニル基であり、R^4はアミノエチル、ア
ミノプロピル、アミノブチル、グリシドキシエチル、グ
リシドキシプロピル、グリシドキシブチル、メタクリロ
キシエチル、メタクリロキシプロピル、メタクリロキシ
ブチル、カルボキシエチル、カルボキシプロピル、カル
ボキシブチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル
、ヒドロキシブチル、クロロエチル、クロロプロピル、
クロロブチル、メルカプトエチル、メルカプトプロピル
、メルカプトブチル、ポリアルキレンオキシド、β−(
3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル、β−(3,
4−エポキシシクロヘキシル)プロピルまたはβ−(3
,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルから選ばれる基
であり、lは1〜3の整数であり、mは0または1〜2
の整数であり、かつl+m=3であり、nは0または1
〜200の整数である。) で示されるSiH基を有するカップリング剤。 - (2)一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ] (式中、R^1、R^2、R^3、R^4、l、mおよ
びnは、前記と同じである。) で示されるSiH基を有するカップリング剤で表面処理
されてなるシリカ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290357A JPH03151393A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | SiH基を有するカップリング剤およびこのカップリング剤で表面処理されたシリカ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290357A JPH03151393A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | SiH基を有するカップリング剤およびこのカップリング剤で表面処理されたシリカ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03151393A true JPH03151393A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17754987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1290357A Pending JPH03151393A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | SiH基を有するカップリング剤およびこのカップリング剤で表面処理されたシリカ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03151393A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999055789A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Liquide de revetement utilise pour former un film a base de silice presentant une faible constante dielectrique et substrat sur lequel est couche un film a faible constante dielectrique |
JP2002527565A (ja) * | 1998-10-09 | 2002-08-27 | ヒンターワルドナー,ルドルフ | 耐高温性重合可能な金属酸化物粒子 |
WO2010064534A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | 昭和電工株式会社 | 造形方法 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290357A patent/JPH03151393A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999055789A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Liquide de revetement utilise pour former un film a base de silice presentant une faible constante dielectrique et substrat sur lequel est couche un film a faible constante dielectrique |
JP2002527565A (ja) * | 1998-10-09 | 2002-08-27 | ヒンターワルドナー,ルドルフ | 耐高温性重合可能な金属酸化物粒子 |
WO2010064534A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | 昭和電工株式会社 | 造形方法 |
JP5551084B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2014-07-16 | Aji株式会社 | 造形方法 |
US8840830B2 (en) | 2008-12-01 | 2014-09-23 | Aji Co., Ltd. | Method of molding |
TWI485059B (zh) * | 2008-12-01 | 2015-05-21 | Aji Co Ltd | Modeling method |
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