JPH03148119A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03148119A JPH03148119A JP28622389A JP28622389A JPH03148119A JP H03148119 A JPH03148119 A JP H03148119A JP 28622389 A JP28622389 A JP 28622389A JP 28622389 A JP28622389 A JP 28622389A JP H03148119 A JPH03148119 A JP H03148119A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に電極配線の
形成方法に関する。
形成方法に関する。
半導体装置の微細な電極配線形成におり）ては、フォト
レジストパターン形成時の光の反射によるパターン変形
を防止するため、アルミニウム等の薄膜上にシリコン薄
膜を被着する方法が知られている（例えば特開昭６０−
７４５２９号公報）６以下図面を用いて説明する。
レジストパターン形成時の光の反射によるパターン変形
を防止するため、アルミニウム等の薄膜上にシリコン薄
膜を被着する方法が知られている（例えば特開昭６０−
７４５２９号公報）６以下図面を用いて説明する。
まず第２図（ａ）に示す様に、半導体基板２１上にアル
ミニウム膜２２と多結晶シリコン薄膜２３を被着し、フ
ォトレジストパターン２４を形成する。
ミニウム膜２２と多結晶シリコン薄膜２３を被着し、フ
ォトレジストパターン２４を形成する。
次に第２図（ｂ）に示す様に、多結晶シリコン薄膜２３
及びアルミニウム膜２２をエツチングし、配線パターン
を形成したのちフォトレジストパターン２４を除去する
。
及びアルミニウム膜２２をエツチングし、配線パターン
を形成したのちフォトレジストパターン２４を除去する
。
しかる後第２図（Ｃ）に示す様に、多結晶シリコン薄膜
２３をフレオンガス（ＣＦ４）を用いるプラズマエツチ
ング法によりエツチングし、アルミニウム配線２２Ａを
形成する。
２３をフレオンガス（ＣＦ４）を用いるプラズマエツチ
ング法によりエツチングし、アルミニウム配線２２Ａを
形成する。
しかしながら、上述した従来の半導体装置の製造方法に
おいては、多結晶シリコン薄膜２３をエツチングした後
、何らかの処理を加えず］Ｏ時間前後放置すると、アル
ミニウム配線２２Ａの表面に異物２５が形成され、配線
の信頼度を低下させるという問題がある。従来これらの
異物の防止に対しては、多結晶シリコン薄膜をエツチン
グ後、ただちに水洗を行ったりしているが効果的ではな
かった。
おいては、多結晶シリコン薄膜２３をエツチングした後
、何らかの処理を加えず］Ｏ時間前後放置すると、アル
ミニウム配線２２Ａの表面に異物２５が形成され、配線
の信頼度を低下させるという問題がある。従来これらの
異物の防止に対しては、多結晶シリコン薄膜をエツチン
グ後、ただちに水洗を行ったりしているが効果的ではな
かった。
発明者は、弗素ラジカルによりアルミニムラ配線表面に
形成された表面変質層２６に空気中の水分が付着するこ
とによりこの異物２５が形成されることを見出し、本発
明に至ったものである。
形成された表面変質層２６に空気中の水分が付着するこ
とによりこの異物２５が形成されることを見出し、本発
明に至ったものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属
膜とシリコン′ＦＩｔＭとをｊ［次形成する工程と、前
記シリコン薄膜と金属膜とを選択的にエツチングし配線
パターンを形成したのち金属膜上のシリコン薄膜を不活
性ガスを用いたスパッタエツチング法により除去する工
程とを含んで構成される。
膜とシリコン′ＦＩｔＭとをｊ［次形成する工程と、前
記シリコン薄膜と金属膜とを選択的にエツチングし配線
パターンを形成したのち金属膜上のシリコン薄膜を不活
性ガスを用いたスパッタエツチング法により除去する工
程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示す様に、所望のＰＮ接合、絶縁膜
、コンタクト開孔等の形成された半導体基板１１上に、
スパッタ法によりアルミニウム膜１２を厚さ１．０μｍ
に被着し、次いで連続して多結晶シリコンＩＪＪ！１３
を厚さ３００人に被着する。さらに所望のフォトレジス
トパターン１−４を形成する。
、コンタクト開孔等の形成された半導体基板１１上に、
スパッタ法によりアルミニウム膜１２を厚さ１．０μｍ
に被着し、次いで連続して多結晶シリコンＩＪＪ！１３
を厚さ３００人に被着する。さらに所望のフォトレジス
トパターン１−４を形成する。
次に第１図（ｂ）に示す様に、フォトレジストパターン
１４をマスクとして、多結晶シリコン薄膜１３及びアル
ミニウム膜１２をエツチングし、配線パターンを形成し
たのちフォトレジストパターン１４を除去する。
１４をマスクとして、多結晶シリコン薄膜１３及びアル
ミニウム膜１２をエツチングし、配線パターンを形成し
たのちフォトレジストパターン１４を除去する。
次に第１図（Ｃ）に示す様に、不要となった多結晶シリ
コン薄膜］３をアルゴンガスを用いるスパッタ（ＲＦ）
エツチング法により除去する。この時の条件は圧力８ｍ
Ｔｏｒｒ、エッチングパい。
コン薄膜］３をアルゴンガスを用いるスパッタ（ＲＦ）
エツチング法により除去する。この時の条件は圧力８ｍ
Ｔｏｒｒ、エッチングパい。
なおここで注意すべき点は、スパッタ（ＲＦ）エツチン
グは一般にエツチングレートが低く、またシリコン薄膜
と下地基板との選択比がほぼ１のため基板が必要以上に
エツチングされがちなので、シリコン薄膜の厚さを露光
時の表面反射率を低く押えるのに十分なくらいまで薄く
する必要のあることである。このためには、シリコン薄
膜被着時に水分及び酸素の分圧を十分低くする必要があ
る。具体的には、スパッタ法で膜付けをするして水分及
び酸素を除去したアルゴンガスを使用するのが望ましい
。これによりシリコン薄膜厚さは１００人まで薄くでき
る。
グは一般にエツチングレートが低く、またシリコン薄膜
と下地基板との選択比がほぼ１のため基板が必要以上に
エツチングされがちなので、シリコン薄膜の厚さを露光
時の表面反射率を低く押えるのに十分なくらいまで薄く
する必要のあることである。このためには、シリコン薄
膜被着時に水分及び酸素の分圧を十分低くする必要があ
る。具体的には、スパッタ法で膜付けをするして水分及
び酸素を除去したアルゴンガスを使用するのが望ましい
。これによりシリコン薄膜厚さは１００人まで薄くでき
る。
なお、上記実施例では、スパッタ（ＲＦ）エツチングは
アルゴンガスを用いて行ったが、窒素ガス等の不活性ガ
スを用いても良い。
アルゴンガスを用いて行ったが、窒素ガス等の不活性ガ
スを用いても良い。
５−
またスパッタ（ＲＦ）エツチングのがわりに、同様の不
活性ガスを用いたイオンミーリング法でも可能である。
活性ガスを用いたイオンミーリング法でも可能である。
更に上記実施例においては、アルミニウム股上に多結晶
シリコン薄膜を形成した場合について説明したが、Ｓｉ
’ＰＣｕを含むアルミニウム合金膜や単結晶シリコン薄
膜を用いてもよい。
シリコン薄膜を形成した場合について説明したが、Ｓｉ
’ＰＣｕを含むアルミニウム合金膜や単結晶シリコン薄
膜を用いてもよい。
以上説明したように本発明は、アルミニウムを主とする
金属膜とシリコン薄膜からなる配線パターンを形成した
のち、金属股上のシリコンＮｒＩＡをスパッタエツチン
グにより除去するため、金属膜表面に変質層が生ずるこ
となく、その後長時間放置していても配線上に異物を形
成することがないため、信頼度の高い配線を有する半導
体装置が得られるという効果がある。
金属膜とシリコン薄膜からなる配線パターンを形成した
のち、金属股上のシリコンＮｒＩＡをスパッタエツチン
グにより除去するため、金属膜表面に変質層が生ずるこ
となく、その後長時間放置していても配線上に異物を形
成することがないため、信頼度の高い配線を有する半導
体装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体チップの断面図である。 １．１，２］・・・半導体基板、１２．２２・・・アル
ミニウム膜、１．２Ａ、２２Ａ・・・アルミニウム配線
、１３．２３・・・多結晶シリコンＮＭ、１４．２４・
・・フォトレジストパターン、２５・・・異物、２６・
・・表面変質層。
プの断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体チップの断面図である。 １．１，２］・・・半導体基板、１２．２２・・・アル
ミニウム膜、１．２Ａ、２２Ａ・・・アルミニウム配線
、１３．２３・・・多結晶シリコンＮＭ、１４．２４・
・・フォトレジストパターン、２５・・・異物、２６・
・・表面変質層。
Claims (1)
- 半導体基板上に金属膜とシリコン薄膜とを順次形成す
る工程と、前記シリコン薄膜と金属膜とを選択的にエッ
チングし配線パターンを形成したのち金属膜上のシリコ
ン薄膜を不活性ガスを用いたスパッタエッチング法によ
り除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622389A JPH03148119A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622389A JPH03148119A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148119A true JPH03148119A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17701563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28622389A Pending JPH03148119A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148119A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28622389A patent/JPH03148119A/ja active Pending
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