JPH03147844A - 静電チャックの製造方法 - Google Patents

静電チャックの製造方法

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JPH03147844A
JPH03147844A JP28816789A JP28816789A JPH03147844A JP H03147844 A JPH03147844 A JP H03147844A JP 28816789 A JP28816789 A JP 28816789A JP 28816789 A JP28816789 A JP 28816789A JP H03147844 A JPH03147844 A JP H03147844A
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JP
Japan
Prior art keywords
paste
printed
ceramic green
titania
insulating layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP28816789A
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English (en)
Inventor
Toshiya Watabe
俊也 渡部
Yuji Aso
雄二 麻生
Tetsuo Kitabayashi
徹夫 北林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野)            。
本発明は半導体ウェハー等の試料を静電力によって吸着
固定する静電チャックの製造方法に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハーにパターンニングなどの微細加工を施す
際に用いる静電チャックは、特公昭60−59104号
に示されるように、電極板(内部電極)の表面に絶縁層
を形成した構造となっている。斯かる従来の静電チャッ
クの地縁層の体積抵抗率(体積固有抵抗)は1014Ω
・cm程度と大きく、絶縁膜内での電荷の移動が殆んど
ないので十分な吸着力を発揮できない。そこで、最近で
は絶縁層の体積抵抗率を10ttΩ・CI程度とするこ
とで絶縁層内での電荷の移動を可能とし、電圧の印加に
よって絶縁層表面に体積電荷を生ぜしめ、この体積電荷
によって被吸着物との間に大きな静電力を発生せしめる
ことが考えられており、前記絶縁層の体積抵抗率を上記
の値とするには、アルミナ(A I 20 a)を主成
分としたセラミック原料にチタニア(TiO2)を適量
混合して焼成する方法が採られている。
しかしながら、チタニアの添加II′Lが多くなると焼
結が早く始り有機バインダーの残存炭素成分のガスが抜
けきる前に焼結が完了するため製品に膨れ等が生じるこ
とがある。
そこで、本出願人は先にチタニアをペースト状にしてu
!、線層となるセラミックシートにスクリーン印刷法で
印刷し、絶縁層の体b411に抗率な幅広く制御するよ
うにした方法を特願平1−27101号として提案した
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、チタニアペーストを印刷することで絶
縁層の体積抵抗率を正確tニコントロールするには、印
刷によって塗布されるチタニアペーストの量を制御しな
ければならないが、スクリーン印刷法によるチタニアペ
ーストの塗布厚み制御には限界があり、更に細かい制御
が望まれる。
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決すべく本発明は、未焼成セラミック成形
体を重ねて積層体とし、この積層体を焼成するようにし
た静電チャックの製造方法において、前記絶縁層となる
未3Ie或セラミック成形体の表面にスクリーン印刷法
によってチクニアペーストを分散して印刷した後に焼成
するようにした(作用) スクリーン印刷法による印刷パターンを格子状等の分散
したパターンにて印刷することにより、1回のスクリー
ン印刷によって塗711するチタニアペーストの量を自
由にコントロールすることができる。
(実施例) 以下に本発明の実施例を添付図i7+iに基いて説明す
る。
第1図は未焼成セラくツクシー1・(セラ虐ツクグリー
ンシート)の積層前の状態な示す斜視図、第2図は積層
体の断面図、第3図(A)、 (B)、 (C)は印刷
パターンの別実施例を示す平面図である。
先ず本発明にあっては、H!縁線層なる未焼成セラミッ
ク成形体及び基材となる未ツノ′ミ或セラミック成形体
としてセラくツクグリーンジートド・・を用意する。こ
こで、セラくツクグリ−ンシート1はいずれもアルよす
を主成分としたスラリーをドクターブレード法によりテ
ープ成形して得たものであり、特に絶縁層を構成するこ
ととなるセラくツクグリーンシートのうち最上層のシー
ト18表面には、スクリーン印刷法によってチタニアペ
ースト2を、また基材を構成することとなるセラミック
グリーンシートのうち最上層のシート18表面には同じ
くスクリーン印刷法によって内部電極となる材料例えば
Wペースト3を印刷している。
ここで、チタニアペースト2の印刷パターンは格子状と
しシート18表面に分散して印刷されている。この様に
することで、1回のスクリーン印刷によってシーhla
表面に塗布されるチタニアペーストの量を全面塗りに較
べて少なくすることができるのでチタニアペーストの塗
布量を細かくコントロールすることができる。具体的に
は、印刷パターンの印刷部分と非印刷部分との比率を変
えたり、複数回印刷することで自由に塗布量をコントロ
ールすることができる。
そして、静電チャックを製造するには前記の各セラミッ
クグリーンシートト・・を重ねて第2図に示すように積
層体4を形成する。ここで、内部電極と電源とを繋ぐ端
子部5はスルーホール技術等によって形成する。次いで
、積IXq体4を焼成炉に投入し、N2/H2雰囲気中
、1580℃程度で還元焼成する。
尚、チタニアペーストの印刷パターンとしては、第1図
に示したような格子状のものに限らず、第3図(A)に
示すような同心円状の6の、第3図(B)に示すような
千鳥模様、更には第3図(C)に示すようなランダムな
模様としてもよい。要は均一に分散したパターンであれ
ばよい。
なお、本実施例では説明を容易とするために最上面の未
焼成セラミック成形体表面にのみチタニアペーストを印
刷しているが、絶h′層となる複数の未焼成セラミック
成形体の各表面にチタニアペーストを印刷してもよい。
(効果) 以上に説明したように本発明によれば、静電チャックの
絶縁層の体積抵抗率を所定範囲に収めるべく、絶nMと
なるlあるいは7M IJ、の未焼成セラミック成形体
表面にチタニアペーストを印刷して焼成するにあたり、
当該印刷パターンを格子状などの均一に分散したパター
ンとしたので、体積抵抗率を細かく且つ正確に制御でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は未焼成セラミックシート(セラミックグリーン
シート)の積層前の状態を示す斜視図、第2図は積層体
の断面図、第3図(A)、 (B)、 (C)は印刷パ
ターンの別実施例を示す平面図である。 尚、図面中lは未焼成セラミック成形体としてのセラミ
ックグリーンシート、2はチタニアペースト、3は内部
電極となる金属ペーストである。 特 許 出 願 人  東陶機i−株式会社代  理 
 人  弁理士    下  1)   容−即問  
 弁理士  大 橋  邦 度 量   弁理士  小 山    有

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内部電極となる導電性ペーストを塗布或いは内部
    電極となる金属膜を載せた未焼成セラミック成形体上に
    絶縁層となる1あるいは複数の未焼成セラミック成形体
    を重ねて積層体とし、この積層体を焼成するようにした
    静電チャックの製造方法において、前記絶縁層となる少
    なくとも1の未焼成セラミック成形体の表面にスクリー
    ン印刷法によってチタニア(TiO_2)ペーストを分
    散して印刷した後に焼成するようにしたことを特徴とす
    る静電チャックの製造方法。
  2. (2)前記スクリーン印刷法による印刷は複数回行なう
    ようにしたことを特徴とする請求項1に記載の静電チャ
    ックの製造方法。
JP28816789A 1989-11-06 1989-11-06 静電チャックの製造方法 Pending JPH03147844A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
US5812361A (en) * 1996-03-29 1998-09-22 Lam Research Corporation Dynamic feedback electrostatic wafer chuck
US5835333A (en) * 1995-10-30 1998-11-10 Lam Research Corporation Negative offset bipolar electrostatic chucks

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