JPH03147541A - 光記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光記録媒体用基板の製造方法に関し、詳しくは
光学的に情報の記録・再生を行なう光記録媒体用基板の
製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来、各種情報の記録には磁気テープ、磁気ディスク等
の磁気材料、各種半導体メモリー等が主として用いられ
てきた。この様な磁気メモリー、半導体メモリーは情報
の書き込みおよび読みなしを容易に行うことができると
いう利点はあるが１反面、情報の内容を容易に改ざんさ
れたり。

また高密度記録ができないという問題点があった。かか
る問題点を解決するために、多種多様の情報を効率良く
取り扱う手段として、光記録媒体による光学的情報記録
方法が提案され、その為の光学的情報記録担体、記録再
生方法、記録再生装置等が提案されている。

かかる情報記録担体としての光記録媒体は、−般にレー
ザー光を用いて光記録媒体上の光記録層の一部を揮散さ
せるか１反射率の変化を生じさせるか、あるいは変形を
生じさせて、光学的な反射率や透過率の差によって情報
を記録し、あるいは再生を行なっている。この場合、光
記録層は情報の書き込み後、現像処理などの必要がなく
。

「書いた後に直読する」ことのできる、いわゆるＤＲＡ
ＩＮ　（ダイレクト　リード　アフター　ライト；ｄｉ
ｒｅｃｔ　ｒｅａｄ　ａｆｔｅｒ　ｗｒｉｔｅ）媒体で
あり、高密度記録が可能であり、また追加書き込みも可
能であることから、情報の記録・保存媒体として有効で
ある。

第２図は、従来の光記録媒体の模式的断面図である。同
第２図において、１１は透明樹脂基板、１２はトラック
溝部、１３は光記録層、１４はスペーサー・接着層、１
５は保護層である。同第２図において、情報の記録・再
生は透明樹脂基板１１およびトラック溝部１２を通して
光学的に書き込みと読み出しを行なう、この際、トラッ
ク溝部１２の微細な凹凸を利用してレーザー光の位相差
によりトラッキングを行うことができる様に構成されて
いる。

［発明が解決しようとする課Ｂ］ 従来の第２図に示した光記録媒体の透明樹脂基板１’ｌ
の製造方法としては、一般には射出成形法が用いられて
いるが、成形時間が長く、かつ−枚ずつしか製造できな
いという問題点かある。

一方、本発明者は、第１図に示した押し出し成形法によ
り透明樹脂基板を製造する方法か好ましいことを見出し
た。この方法は連続製法であり、生産性の高い方法であ
る。この方法では透明樹脂基板の材料としては、透明性
や成形性か良いポリカーボネートが多く用いられている
。

しかしながら、上記の成形法においては、成形時の樹脂
の冷却および流動過程において生した熱応力、分子配向
、ガラス転移点付近の容積変化による残留応力等が主た
る原因とな゛す、複屈折が生しる問題点かある。複屈折
は残留応力と光弾性定数の積として表すことがてきるの
で、これらの複屈折などの光学的な歪みの小さい成形物
を得るためには、成形時の樹脂の流動性を良くして溶融
樹脂の流れによる光学的な不均一を避けるという方法か
ある。

この問題点を解決するために、従来の射出成形では、樹
脂の流動性を良くする方法の一つとして射出時の樹脂温
度を高く選ぶ方法が用いられているか、樹脂温度を高く
すると樹脂の分解によって黄変などの着色を生じ、得ら
れる成形物の透明性を損なう問題点かある。また、他の
方法として、成形に用いるポリカーボネート樹脂として
数平均分子量か低い樹脂を用いて、樹脂の流動性を良く
することも行なわれている。例えば、数平均分子量が１
００００〜２００００のポリカーボネート樹脂を用いて
射出成形を行なっている。しかしながら、特開昭５５−
８１８９：１号、特開昭５８−１２６１１９号で用いら
れているような数平均分子量か１２０００〜１８０００
のポリカーボネート樹脂は、押出成形では機械的な強度
か不足して成形時に割れが生じたり、凹凸パターンの転
写性か良くないという問題点も生じている。

その他の方法としては、光弾性係数の小さい構造のポリ
カーボネートを用いることが提案されている。（例えば
、特開昭５３−５７６２０．　　同６３−５７６２１、
同６３−８３１２８．　　同６：ｌ−８：１１２９．　
　同６：ｌ−８９５２４゜同５３−８９５２５．　　同
６３−８９５２６．　　同６３−８９５２７．　　同５
：ｌ−８９５２８，同６３−８９５２９．　　同６３−
８９５３１　、　　同６３８９５３２、　　同５３−１
３９５３３．　　同６：ｌ−８９５：１４．　　同６３
−８９５３５、　　同６３−８９５：１６．　　同６３
−８９５３７．　　同６３−８９５３８、同５３−８９
５３９．同６３−８９５４０．　　同６：ｌ−８９５４
１、同５３−９５２２５．　　同６３−９５２２６．　
　同６コー１５４７２７、同６３−１５４７２９．　　
同６３−１７８１：１０．同６３−１８２：１３８゜同
６３−１８９４３０．同６３−１８９４：Ｊｌ、　　同
６３−１８９４３２．同６：ｌ−＋８９４３：ｌ、　　
同６３−１９３９１６．同６３−１９：１９１７．　　
同６コー　１９３９１８．同６３−１９３９１９．　　
同６コー１９３９２０．同６３−１９３９２１、　　同
６３−１９３９２８．同６３−１９：１９２９．　　同
６３−１９３９：１０．同６：１−１９コ９３１．同６
：ｌ−１９３９３２，同６：ｌ−＋９３９：１３、同６
３−１９３９：１４．同６：ｌ−２０７８２１、同６：
ｌ−２０７８２２、同６：１−２２：１０３４　、　　
同６３−２２７３９０．同６３−２７７２３２　”）し
かしながら、これらの先の提案て用いられている方法は
、射出成形で樹脂を成形する時には効果があるが、押し
出し成形では高い圧力・温度を加えて高速に成形するた
めに、押し出し成形に用いると、機械的な強度や樹脂の
流動性の点から樹脂シート端面がヒビ割れたり、流動性
が悪くて複屈折か残ったりする問題点がある。そのため
に、一般的な射出成形とは異なる特性のポリカーボネー
ト樹脂か必要である。また、樹脂を基板に成形した後に
洗浄して、反射層、記録層などを形成するか、上記の樹
脂では分子量が高いものを用いなければ基板か洗沙で割
れたり、失透したりする問題が生じ、また記録層の形成
に有機溶剤を用いたりすると同様な問題が生じるという
問題点もある。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので
あり、ａＭ折か小さく、を層性の良い光記録媒体用基板
を押し出し成形によって容易に連続的に製造する方法を
提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ すなわち１本発明は、レーザービーム等の光ビームの照
射によって、反射率、屈折率などの光学特性を変化させ
て情報の記録・再生を行なう光記録媒体用の基板を製造
する方法おいて、数平均分子量かｔａｏｏｏ〜５０００
０のビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポリカーボ
ネート樹脂を押し出し成形して基板を連続的に製造する
ことを特徴とする光記録媒体用基板の製造方法である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明は、レーザービーム等の光ビームの照射によって
、反射率、透過率などの光学特性を変化させて記録・再
生を行なう光記録媒体において、数平均分子量が１８０
００〜５ｏｏｏｏで、光弾性定数が１００ブリユスター
ズ（ＢｒｅｗｓＬｅｒｓ、　１０−”ｓ２／Ｎ）以下の
ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポリカーボネー
ト樹脂を用いて、樹脂温度が２００〜４００℃、ロール
温度が１００〜２００℃の条件下で、記録・再生光が通
る有効部分の複屈折が記録・再生光に対して、ダブルパ
スで１００ｎ■以下である基板を押し出し成形で連続的
に製造することを特徴とする光記録媒体用基板の製造方
法である。

本発明において使用する数平均分子量が１８０００〜５
ｏｏｏｏのビス（ヒドキシフェニル）アルカン系ポリカ
ーボネートは、ビス（ヒドキシフェニル）アルカン類に
、ホスゲンを加えて適当な溶媒中でアルカリや所望によ
り分子量調整剤などの存在下にて反応させるホスゲン法
、またはジフェニルカーボネートのような炭酸エステル
形成性化合物を用いるエステル交換法によって製造する
ことかできる。数平均分子量は、ポリカーボネート樹脂
の６．０ｇ／Ｒの塩化メチレン溶液を用いて、２０℃で
測定したη、、から、式η、、／Ｃ＝［η］（１＋に′
η１．）（式中、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（ｇ／
ｉ’）、［η］は極限粘度、Ｋ′は定数で０．２８であ
る。）、および式［η］＝にＭ”、（式中、には定数で
１．２３ｘ　１０−’、Ｍは平均分子量、ａは０．８３
である。）によって算出した値である。

本発明に用いられるビス（ヒドキシフェニル）アルカン
系ポリカーボネートには、光弾性定数が１００ブリユス
ターズ（ＢｒｅｗｓＬｅｒｓ、　１０−１２ｍ”／Ｎ）
以下であれば、いずれの樹脂でも用いることができる。

たとえば、前記ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系
ポリカーボネート樹脂として、カーボネート結合を構成
する単位の中で下記一般式（Ｉ）で表される単位を Ｈ３ 素原子、アルキル基またはアリール基を示す、ｎは０ま
たは正の整数を示す、） 全カーボネート結合単位に対して５〜８０モル％有する
ポリカーボネートと、第３級炭素原子を有するオリゴマ
ーを、遊離基開始剤および／または酸素を用いて反応さ
せて、グラフト重合させて得られる樹脂を用いるのが好
ましい。

前記第３級次素原子を有するオリゴマーには。

ポリスチレン、α−メチルスチレン、ポリアクリロニト
リル、ポリ（アクリロニトリル−スチレン）、ポリ（ア
クリロニトリル−ブタジェン−スチレン）、ポリ（スチ
レン−ブタジェン）またはポリ（スチレン−メチルメタ
クリレート）を用いるのが好ましい。

また、その他、に、本発明に用いられるビス（ヒドロキ
シフェニル）アルカン系ポリカーボネート樹脂として、
１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、ｌ、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−
Ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１．ｌ’−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、
１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
、２２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１
、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、
１、１′．−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−
メチルペタン、１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３
−イソプロピルフェニル）プロパン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、１
、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−５ｅｃ−ブチル
フェニル）プロパン、１、１′−ビス−（４−ヒドロキ
シ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン、１、
１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、４．４’−ジヒドロキシ−２゜１、１
′−トリフェニルメタン、４．４′−ジヒドロキシ−２
，２，２−）−リフェニルエタンから選らばれる少なく
とも一種以上の化合物なカーボネート結合して得られる
芳香族ポリカーボネート重合体を用いるのか好ましい。

以下に、芳香族ポリカーボネート重合体の例を示す。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピル
フェニル）プロパンをポリカーボネート結合して得られ
る芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
９９〜１モル％と、１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ
−３−イソプロピルフェニル）プロパン１〜９９モル％
とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネ
ート結合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）フタン９
７〜３モル％と４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−
トリフェニルエタン３〜９７モル％とをカーボネート結
合して得られる芳香族ポリカーボネート玉合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン９７〜３モル％と１．１’−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン３〜９７モル％と
をカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネー
ト重合体。

４．４゛−ジヒドロキシ−２，２，２−）−リフェニル
エタン９７〜３モル％と１、１′−ビス−（４−ヒドロ
キシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン３〜９７モ
ル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカー
ボネート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン９７〜３モル％と４，４′−ジヒドロキシ−２，２
，２−）−リフェニルエタン３〜９７モル％とをカーボ
ネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート重合体
。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン９７〜３モル％と１゜１′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベン
ゼン３〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる
芳香族ポリカーボネート利合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェ
ニル）オクタンの中から選らばれる一種の９７〜３モル
％と１．１−ビス＝（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン３〜９７モル％とをカーボネート結合して得ら
れる芳香族ポリカーボネート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン９７〜３モル％と２゜２−ビス−（
３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
３〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳香
族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン９７〜３モル％とｌ。

１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソ
プロピルベンゼン３〜９７モル％とをカーボネート結合
して得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン９７〜３モル％と４゜４′−ジヒド
ロキシ−２，２，２−）−リフェニルエタン３〜９７モ
ル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカー
ボネート重合体。

１、１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン９７〜３モル％と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタンの中
から選らばれる一種の３〜９７モル％とをカーボネート
結合して得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン９７〜３モル％と１．１−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン３〜９７モ
ル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカー
ボネート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン９７〜３モル％と１、１′−ビス−（４−ヒドロキ
シ−３−メチルフェニル）プロパン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパ
ン、１、１′−ビス＝（４−ヒドロキシ−３−５ｅｃ−
ブチルフェニル）プロパンの中から選らばれる一種の３
〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルヘキサン９７〜３モル％と２゜２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、１、
１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェ
ニル）プロパン、１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−
３−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパンの中から選らば
れる一種の３〜９７モル％とをカーボネート結合して得
られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン９７〜３モル％と１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパ
ン３〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
９７〜３モル％と１，１’−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン３〜９７モル％
とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネ
ート重合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン９７〜３モル％と２゜２−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１、１′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１
、１′−ビス＝（４−ヒドロキシフェニル）オクタンの
中から選らばれる一種の３〜９７モル％とをカーボネー
ト結合して得られる芳香族ポリカーボネート玉合体。

１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼンなカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
９７〜３モル％と１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−
３−イソプロピルフェニル）プロパン３〜９７モル％と
をカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネー
ト重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−インフロビル
フェニル）プロパンなカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピル
フェニル）プロパン９５〜５モル％と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プ
ロパン５〜９５モル％とをカーボネート結合して得られ
る芳香族ポリカーボネート重合体。

４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−トリフェニルエ
タン９５〜５モル％と１、１′−ビス−（４−ヒトロキ
シー３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン５〜９
５モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリ
カーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）プロパン９９〜１モル％と１、１′−ビス−（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパ
ン１〜９９モル％とをカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン９９〜１モル％と１、１′−
ビス＝（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１、１′
−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル
）プロパン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、４．４２−ジヒドロキシ−２，２，２
−トリフェニルメタン、１．ｌ−ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、ｌ。

１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプ
ロピルベンゼン、２．・２−ビス−（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１、１′−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１、１′−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、
１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）オクタン
群から選らばれる少なくとも一種以上の化合物１〜９９
モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカ
ーボネート重合体。

４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−トリフェニルエ
タン９５〜５モル％と２，２−ビス−（４−ヒドロキシ
−３−メチルフェニル）プロパン５〜９５モル％とをカ
ーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート重
合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
９５〜５モル％と２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３
−ターシャリーラチルフェニル）プロパン５〜９５モル
％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボ
ネート重合体。

■、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン９５〜５モル％と１、１′−ビス
−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル
）プロパン５〜９５モル％とをカーボネート結合して得
られる芳香族ポリカーボネート重合体。

■、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンセン９５〜５モル％と１、１′−ビス
−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル
）プロパン５〜９５モル％とをカーボネート結合して得
られる芳香族ポリカーボネート重合体。

■、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン３０〜５０モル％、ｌ、１′−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピル
ベンゼン１５〜７０モル％と２゜２−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン３〜４０モル％を各々の合計
か１００モル％になるようにカーボネート結合して得ら
れる芳香族ポリカーボネート重合体。

ｌ、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン３０〜６０モル％、１、１′−ビ
ス＝（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニ
ル）プロパン３〜８０モル％と１．１−ビス＝（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン２０〜８０モル％を
各々の合計か１００モル％になるようにカーボネート結
合して得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

ｌ、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン３０〜４０モル％、１、１′−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン３０〜８０モ
ル％と２，２−ビス＝（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リーブチルフェニル）プロパン５〜７０モル％を各々の
合計が１００モル％になるようにカーボネート結合して
得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１．１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン３〜５０モル％。

１、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン１５〜８５モル％と２゜２−ビス
−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーラチルフェニル
）プロパン３〜８５モル％を各々の合計か１００モル％
になるようにカーボネート結合して得られる芳香族ポリ
カーボネート重合体。

１、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン３〜６０モル％。

１、１′−ビス＝（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン３〜９７モル％と４．４′−
ジヒドロキシ−２，２，２−）−リフェニルエタンｌＯ
〜９７モル％を各々の合計か１００モル％になるように
カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
重合体。

１、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン２〜６５モル％、１、ｌ’−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベ
ンゼン２〜７５モル％と４゜４′−ジヒドロキシ−２，
２，２−１リフ工ニルエタン２〜９６モル％を各々の合
計が１００モル％になるようにカーボネート結合して得
られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン１５〜８５モル％、１、１′
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン３〜８０
モル％と１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン３〜８５モル％を各々の合計か１００モ
ル％になるようにカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン１５〜８５モル％、ｌ、ｌ’
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロ
ピルベンゼン３〜８５モル％と１、１′−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）フロパン３〜７５モル％を各々の
合計が１００モル％になるようにカーボネート結合して
得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャソー
プチルフェニル）プロパン２〜９０モル％、２，２−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２〜８０モル
％と４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）−リフェ
ニルエタン２〜９６モル％を各々の合計が１００モル％
になるようにカーボネート結合して得られる芳香族ポリ
カーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン１５〜８５モル％、１．ｌ’
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロ
ピルベンゼン３〜８５モル％と１．１−ビス＝（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン３〜８５モル％を各
々の合計が１００モル％になるようにカーボネート結合
して得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン２〜９１モル％、ｌ、ｌ’−
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン２〜
８９モル％と４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−ト
リフェニルエタン２〜９６モル％を各々の合計か１００
モル％になるようにカーボネート結合して得られる芳香
族ポリカーボネート重合体。

１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン２〜６０モル％、１．１−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン２〜７０モ
ル％と４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）−リフ
ェニルエタン２〜９０モル％を各々の合計が１００モル
％になるようにカーボネート結合して得られる芳香族ポ
リカーボネート重合体。

１．１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソ−プロピルベンゼン２５〜５５モル％。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
２〜４５モル％と１．ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン１５〜７５モル％を各々の合計
が１００モル％になるようにカーボネート結合して得ら
れる芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
２〜２５モル％、ｌ、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン２〜３８モル％と４．４′−ジ
ヒドロキシ−２，２，２−トリフェニルエタン５８〜９
６モル％を各々の合計が１００モル％になるようにカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート重合
体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリー
ブチルフェニル）プロパン２〜９２モル％、１．１’−
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピ
ルベンゼン２〜８８モル％と４゜４′−ジヒドロキシ−
２，２，２−）−リフェニルエタン２〜９６モル％を各
々の合計が１００モル％になるようにカーボネート結合
して得られる芳香族ポリカーボネート重合体。

１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン９９〜１モル％とｌｌ′−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）　−ｍ−ジイソプロピルベ
ンゼン１〜９９モル％とをカーボネート結合して得られ
る芳香族ポリカーボネート重合体。

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
９５〜５モル％と１、１′−ビス−（４−ヒドロキシ−
３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン５〜９５モ
ル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカー
ボネート重合体。

１、ｌ’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン２〜６５モル％、１、１′−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２〜５０モル％
と４．４′−ジヒドロキシー１、１′．２−トリフェニ
ルエタン１０〜９６モル％を各々の合計か１００モル％
になるようにカーボネート結合して得られる芳香族ポリ
カーボネート重合体。

上記の芳香族ポリカーボネート重合体を用いると、機械
的な強度を損なわずに、光弾性定数を小さくすることが
可能となる。

本発明における押し出し成形を用いた光記録媒体用基板
の製造において用いるポリカーボネート樹脂の数平均分
子量は１８０００〜５ｏｏｏｏが適当であり、より好ま
しくはｚｓｏｏｏ〜５００（１０である。数平均分子量
が５ｏｏｏｏをこえて高いと、樹脂の溶融粘度が高いた
めに溶融・成形の温度が高くなってしまい、樹脂の熱分
解による黄変を生じ易くなり、その上凹凸パターンの転
写性が悪くなる。その反対に樹脂の数平均分子量が１８
０００未満で小さいと、機械的な強度が低くなってしま
い成形時に割れなどが生じ易くなり、また樹脂の耐久性
・耐溶剤性などが悪くなってしまう。

また、押し出し成形では、樹脂温度が２００〜４００°
Ｃの高い温度に加熱して成形するために、樹脂のガラス
転移点は１２５°Ｃ以上か望ましい。

本発明において用いられる押し出し成形法ては、従来の
射出成形法に比べて溶融した樹脂の成形時の流動速度が
小さいために、平均分子量が高い樹脂でも複屈折が小さ
い透明樹脂基板を製造することができるが、その反面、
押し出した樹脂を巻き取るために張力がかかるために、
機械的な強度は必要である。そのために用いる最適なポ
リカーボネート樹脂の平均分子量は同じ樹脂を用いてい
ても少し高い樹脂の方か好ましい。

また、前記ポリカーボネート樹脂には、必要に応じて、
亜リン酸とアルコール類またはフェノール類とのジエス
テリレまたはトリエステルなどの亜リン酸エステルを加
えても良い。その他、必要に応じて、耐久性、耐光性の
向上のために、必要量の紫外線吸収剤をポリカーボネー
ト樹脂に混合することができる。紫外線吸収剤としては
サリチル酸系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール
系、シアノアクリレート系等を用いることかできる。

本発明においては、上記のようにして調製したポリカー
ボネート樹脂を、押し出し成形を行なって光記録媒体用
基板を作製する。第１図は本発明の光記録媒体用基板の
製造方法の一例を示す説明図である。同第１図において
、１は樹脂基板、２は成形ロール、３は加圧ロール、４
はＴダイ、５はルーダ−１６はホッパー、７は引き取り
ロールである。を形ロール２と加圧ロール３のロールの
間隔は、樹脂基板ｌの表面に成形ロール２に設けられス
タンパの凹凸が充分に転写し得る様に調整することが可
能に構成されている。

第１図において、ルーダ−５のＴダイ４から押し出しさ
れたポリカーボネート樹脂シートは、軟化した状態で成
形ロール２と加圧ロール３のロール間に挿入され、成形
ロール２の凹凸面と加圧ロール３の鏡面により押圧され
て、８４脂基板１の表面にスタンバの凹凸状の信号が逐
次転写される。

好ましい押し出し成形の条件は、ルーダ−温度が２５０
〜３５０℃、Ｔダイ温度が２５０〜：１５Ｇ　”Ｃ１成
形ロールの温度が１００〜２００℃である。この成形に
おいて、ルーダ−またはＴダイの温度を３５０℃以上に
高くすると樹脂が熱分解して黒くコゲたり、または黄変
したりするので好ましくない、また、その逆にルーダ−
またはＴダイの温度を２５０℃よりも低くすると、溶融
した樹脂の流動性か悪くなり、基板の厚さが不均一にな
ったり複屈折が生じたりする。使用する樹脂によって上
記の問題か生じなければ、ルーダ−またはＴダイの温度
が２００〜４００℃の範囲でも溶融することができる。

押し出し速度は２ｍ／分以上、好ましくはｌＯｍ／分以
上である。成形ロールの好ましい温度は、成形ロール、
加圧ロールともに１００〜２００℃である。

このロール温度が２００℃を超えて高くなると成形する
４１１１Ｗ１がロールに貼り付いてしまって剥かれにく
くなったり、離型時に樹脂の端面が割れたりする。また
、その逆にロール温度か１００未満で低いとロールに形
成しである凹凸パターンを転写することかてきなくなる
。

本発明の光記録媒体用基板の製造方法により製造された
基板には、光記録層または反射層、その他必要に応して
保護層などを設けて光記録媒体を作成する。これらの方
法または材料は一般に光記録媒体に用いられているもの
を自由に選択して用いることかできる。

本発明の光記録媒体用基板は、例えば、光ディスク、光
カード、光テープ、光コイン等のあらゆる光記録媒体に
用いることができる。

［実施例］ 以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。

実施例１ １、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
２４７部（９０モル％）と２・、２−ビス−（４−ヒド
ロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン３７部（
１０モル％）とジフェニルカーボネート２６４部を３１
！の３つロフラスコに入れ、脱気、窒素パージを５回繰
り返した後、１６０℃のシリコンバスで窒素を導入しな
がら溶融させた。溶融した後、カーボネート化触媒であ
る水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶解させた
溶液（仕込んだビスフェノール全量に対してｌｏ−３モ
ル％量）を加え、　１６（１℃、窒素下で３０分間攪拌
〜成した０次に、同温度下で　１００Ｔｏｒｒに減圧し
、３０分間攪拌した後、同温度下てさらに５０Ｔｏｒｒ
に減圧し、３０分分子ｆｆ反応させた。次に、徐々に温
度を２２０℃まて上げ、６０分間反応させ、フェノール
留出理論量の８０％を留出させた。しかる後、同温度て
１０Ｔｏｒｒに減圧し３０分間反応させ、温度を徐々に
２７０℃に上げ３０分間反応させた。さらに、同温度で
５Ｔｏｒｒに減圧し３０分間反応させ、ここまでの反応
でフェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた０次に、同温度下で０．１〜０．３７ｏｒｒて２
時間。

後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し
た。　ＩＲ，ＮＭＲの測定を行なったところ２゜２−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと１、１′−
ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）
プロパンの４：ｌのポリカーボネート重合体であること
が確認された。

この生成物を塩化メチレン中て数平均分子量を測定する
と３００００であった。光弾性定数を測定すると６４ブ
リユスターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、　１０−”ｍ”／
Ｎ）であった、　ＯＳＣの測定から、ガラス転移点はＴ
ｇ＝１３０℃であった。

この樹脂を１．６１Ｌｍピッチ、　０．６１Ｌ−幅、深
さ７００人の連続溝か形成されたφ８６會烏のニッケル
製スタンパ−が接着剤（Ｗ−ボンド、ＡＩ、８化精工）
により接着されたロール径３００ｍｍの鉄製ロールが取
り付けられた押し出し成形機（日立造船、ＳＨＴ　９Ｏ
−３２ＤＶＧ）　ニ投入して、ルーダ−温度２７０℃、
Ｔダイ温度２６５℃、成形・加圧ロール温度がそれぞれ
１２０℃の条件で、上記ポリカーボネート樹脂を成形し
て、　２．３ｍ／分の速度で、１．２ｍｍの厚さに押し
出した。押し出された基板を測定したところ、複屈折は
ダブルパスで１Ｏｎ−以下であった（日本電子光学社、
複屈折測定機、入＝　８：１Ｏｎｓで測定）、また、光
透過率は８９％で十分に透明であった（日立Ｕ−３４０
０、入＝　８３Ｏｎ−で測定）、　面振れ量はｐ−ｐで
５０１Ｌ−以下で十分小さかった（力−ルツァイス社、
三次元測定機で測定）。

次に、この基板を８６ｓｓφに切断して、下記構造式（
■）て示される、光記録材料を溶剤塗布した。

（Ｃｔ　Ｉｆｓ）２　Ｎ！　　　　　ｘ鼾Ｎ　（Ｃ２ｌ
ｌ５）２ｃｐｏ、’　　　　　　（ＩＴ。

保護基板には０．３ｍｍ厚のポリカーボネート（音大化
成、パンライト２５１）を８６ｓｓφに切断して。

０．３ｍｍのエアーギャップを持つように接着した。

記録・再生したところ、ディスクの回転数１８００「ｐ
−１書き込み周波数３ＭＨｚ、書き込みパワー６膳Ｗ、
読み出しパワー０．５麿Ｗで、Ｃ／Ｎ比は５７ｄＢ。

ピットエラーレイトはｌ　ｘ　１Ｇ−’であった。この
値は６０℃、９０％ＲＨの条件て１０００時間保存して
も、読み取り特性、書き込み特性ともに変化がなかった
。

実施例２ 実施例１と同じようにして平均分子Ｊｌ：１００００の
■、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼンと２，２−ビス−（３，５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンのｌ：１重合
体を作製した。光弾性定数を測定すると７０ブリユスタ
ーズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ。

１０−”ｍ２／Ｎ）てあった。ＤＳＣの測定から、ガラ
ス転移点はＴｇ＝　１３０°Ｃてあった。

次に、実施例１と同様の方法て光記録媒体用基板を作製
した。作製した基板を実施例１と同様に測定すると、複
屈折は１Ｏｎｓ以下で十分小さかった。また、光透過率
は９１％で十分に透明であった。面振れ量はｐ−ｐて３
０牌１と十分に小さかった。

この基板を実施例１と同様に光記録層を形成して記録・
再生を行なったところ、Ｃ／Ｎ比で５５ｄＢ、ピットエ
ラーレートはｌ　Ｘ　１０−’であった。実施例１と同
様に保存したところ、Ｃ／Ｎ　、ピットエラーレートと
もに変化しなかった。

実施例３ 実施例１と同じようにして平均分子量：１００００の１
．１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−イソ
プロピルベンゼンと１，１′　−ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）−ｍ−イソプロピルベンゼンと２，２−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの２：２：　
１重合体を作製した。光弾性定数を測定すると５９ブリ
ユスターズ（［ｌｒｅｗｓＬｅｒｓ、　１０−”ｍ２／
Ｎ）であった。ＯＳＣの測定から、ガラス転移点はＴｇ
＝　１２８℃であった。

次に、実施例１と同様の方法で光記録媒体用基板を作製
した。作製した基板を実施例１と同様に測定すると、複
屈折はｌＯｎｍ以下て十分小さかった、また、光透過率
は９０％て十分に透明であった。

面振れ量はｐ−ｐで３０％−と十分に小さかった。

この基板を実施例１と同様に光記録層を形成して記録・
再生を行なったところ、Ｃ／Ｎ比で５６ｄＢ。

ピットエラーレートは１　ｘ　１０−６てあった。実施
例１と同様に保存したところ、Ｃ／Ｎ　、ピットエラー
レートともに変化しなかった。

実施例４ ジフェニルカーボネート２６．４ｇ　、　　２　、２−
ビス（４−ヒドロキシ−５−イソプロピルフェニル）−
プロパン７．５ｇ、　２　、２−ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）−プロパン２１．９ｇを窒素下１６０°Ｃ
で融解し、触媒としてＫＢＯ２をジフェノール全量の１
０”９ｙａｏｆ１％を添加したのち、１００　Ｔｏｒｒ
で３０分間、さらに５０Ｔｏｒｒで３０分間エステル交
換を行った。次に、　２２０℃、１０Ｔｏｒｒ〜５　Ｔ
ｏｒｒで反応を行ない、２７０°Ｃ１０，Ｉ　Ｔｏｒｒ
以下の高真空下で１時間反応させ、共重合体を約３０ｇ
得た。光弾性定数は２５ブリユスターズ（Ｂｒｅｗｓｔ
ｅｒｓ、　１０−１２ｍ２／Ｎ）てあった。この共重合
体１０ｇ　、ポリスチレン５ｇおよびジラウロイルパー
オキシド　４０ｈｇを、トルエン２００醜β中で、８０
℃で３０分間加熱反応を行なった。

反応終了後、メタノール中で沈殿させて、得られたグラ
フトポリマーを炉別し、シクロへキサノン２Ｉ！で十分
洗浄し、未反応のポリスチレンを除去したのち、乾燥を
行ないグラフト化ポリカーボネート１２５ｇ得た。この
共重合体の数平均分子量は３００００　、光弾性定数は
２６ブリユスターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、　１０−１
２ｍ２／Ｎ）であった。

次に、実施例１と同様の方法て光記録媒体用基板を作製
した。作製した基板を実施例１と同様に測定すると、複
屈折は１０ｎｍ以下て十分小さかった。また、光透過率
は９０％で十分に透明であった０面振れ量はｐ−ｐで３
０ルーと十分に小さかった。

この基板を実施例１と同様に光記録層を形成して記録・
再生を行なつたところ、Ｃ／Ｎ比て５６ｄＢ。

ピットエラーレートはｉ　ｘ　ｉｏ−’であった。実施
例１と同様に保存したところ、Ｃ／Ｎ　、ピットエラー
レートともに変化しなかった。

比較例１ 市販のポリカーボネート（奇人化成、ＡＤ５５０３）を
用いて、実施例１と同じ方法で光記録媒体用基板を作製
した０作製した基板を実施例１と同じように測定すると
、複屈折はＩｏｎ履以下で十分小さかった。また、光透
過率は９０％て十分に透明であったものの、基板の端面
かひび割れていて実用に耐えない基板てあった。基板の
強度か不足しているために基板は１ｍｍ以上湾曲してう
ねっていた。そのために光記録媒体を製造するのは不可
能であった。

［発明の効果］ 以上説明した様に１本発明によれば、特定のビス（ヒド
ロキシフェニル）アルカン系ポリカーボネート樹脂を押
し出し成形により成形することにより、複屈折が小さく
、成形性の良い光記録媒体用基板を容易に連続的に製造
できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体用基板の製造方法の一例を
示す説明図および第２図は従来の光記録媒体を示す断面
図である。 ｌ・・・樹脂基板 ２・・・成形ロール ３・・・加圧ロール ４−Ｔダイ ５・・・ルーダ− ６・・・ホッパー ７・・・引き取りロール １１・・・透明樹脂基板 １２・・・トラック溝部 １３・・・光記録層 １４・・・スペーサー・接着層 １５−・・保護層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザービーム等の光ビームの照射によって、反
   射率、屈折率などの光学特性を変化させて情報の記録・
   再生を行なう光記録媒体用の基板を製造する方法おいて
   、数平均分子量が１８０００〜５００００のビス（ヒド
   ロキシフェニル）アルカン系ポリカーボネート樹脂を押
   し出し成形して基板を連続的に製造することを特徴とす
   る光記録媒体用基板の製造方法。
2. （２）樹脂温度２００〜４００℃、ロール温度１００〜
   ２００℃の条件下で押し出し成形する請求項１記載の光
   記録媒体用基板の製造方法。
3. （３）前記押し出し成形によって成形された基板の記録
   ・再生光が通る有効部分の複屈折が記録・再生光に対し
   て、ダブルパスで１００ｎｍ以下である請求項１記載の
   光記録媒体用基板の製造方法。
4. （４）前記ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポリ
   カーボネート樹脂として、カーボネート結合を構成する
   単位の中で下記一般式（ I ）で表される単位を ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼を、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素原子、アルキル基また
   はアリール基を示す。ｎは０または正の整数を示す。） 全カーボネート結合単位に対して５〜８０モル％有する
   ポリカーボネートと、第３級炭素原子を有するオリゴマ
   ーを、遊離基開始剤および／または酸素を用いて反応さ
   せて、グラフト重合させて得られる樹脂を用いる請求項
   １記載の光記録媒体用基板の製造方法。
5. （５）前記第３級炭素原子を有するオリゴマーがポリス
   チレン、α−メチルスチレン、ポリアクリロニトリル、
   ポリ（アクリロニトリル−スチレン）、ポリ（アクリロ
   ニトリル−ブタジエン−スチレン）、ポリ（スチレン−
   ブタジエン）またはポリ（スチレン−メチルメタクリレ
   ート）である請求項４記載の光記録媒体用基板の製造方
   法。
6. （６）前記ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポリ
   カーボネート樹脂として、１、１−ビス−（４−ヒドロ
   キシフェニル）シクロヘキサン、１、１′−ビス−（４
   −ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン
   、１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−
   ジイソプロピルベンゼン、２、２−ビス−（４−ヒドロ
   キシフェニル）プロパン、２、２−ビス−（４−ヒドロ
   キシフェニル）ブタン、２、２−ビス−（４−ヒドロキ
   シフェニル）オクタン、２、２−ビス−（４−ヒドロキ
   シフェニル）−４−メチルペタン、２、２−ビス−（４
   −ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、
   ２、２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル
   ）プロパン、２、２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ｓ
   ｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、２、２−ビス−（４
   −ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロ
   パン、２、２−ビス−（３、５−ジメチル−４−ヒドロ
   キシフェニル）プロパン、４、４′−ジヒドロキシ−２
   、２、２−トリフェニルメタン、４、４′−ジヒドロキ
   シ−２、２、２−トリフェニルエタンから選らばれる少
   なくとも一種以上の化合物をカーボネート結合して得ら
   れる芳香族ポリカーボネート重合体を用いる請求項１記
   載の光記録媒体用基板の製造方法。
7. （７）前記重合して得られるビス（ヒドロキシフェニル
   ）アルカン系ポリカーボネート重合体の光弾性定数が１
   ００ブリュスターズ以下である請求項６記載の光記録媒
   体用基板の製造方法。