JPH0314255A - ウエハキャリア - Google Patents
ウエハキャリアInfo
- Publication number
- JPH0314255A JPH0314255A JP1151254A JP15125489A JPH0314255A JP H0314255 A JPH0314255 A JP H0314255A JP 1151254 A JP1151254 A JP 1151254A JP 15125489 A JP15125489 A JP 15125489A JP H0314255 A JPH0314255 A JP H0314255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer carrier
- liquid
- carrier
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 104
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 48
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハの液浸処理、特に純水洗浄に用いるウェハキャリ
アに関し。
アに関し。
ウェハが水面から出る時に発生ずる波を抑制しウェハ表
面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下げて、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することを目的とし。
面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下げて、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することを目的とし。
複数のウェハを間隔をおいて配列して収容し液に浸漬す
るウェハキャリアであって、構成部材は、各ウェハを液
面に対して垂直に且つ各ウェハの上端を結ぶ線が液面に
対して傾斜して保持するように構成され、且つ該構成部
材の表面が液面に対して斜め又は垂直であるように構成
する。又。
るウェハキャリアであって、構成部材は、各ウェハを液
面に対して垂直に且つ各ウェハの上端を結ぶ線が液面に
対して傾斜して保持するように構成され、且つ該構成部
材の表面が液面に対して斜め又は垂直であるように構成
する。又。
該構成部材は対向する2個の側板と1両側板を連結し且
つウェハの縁部を支持する複数個のウェハ支持材とから
なるように構成する。
つウェハの縁部を支持する複数個のウェハ支持材とから
なるように構成する。
本発明はウェハの液浸処理、特にウェハの純水洗浄に用
いるウェハキャリアに関する。
いるウェハキャリアに関する。
近年、半導体装置の微細化に伴い、製造プロセスにおい
てウェハの高度洗浄技術が要求されておリ、特に、ウェ
ハを純水中より引き上げて乾燥する技術が重要となって
きた。本発明はこの要望に対して適用することができる
。
てウェハの高度洗浄技術が要求されておリ、特に、ウェ
ハを純水中より引き上げて乾燥する技術が重要となって
きた。本発明はこの要望に対して適用することができる
。
ウェハの最終乾燥技術として、ここ数年の間にウェハを
純水槽からゆっくりと引き上げ、水の表面張力によりウ
ェハ表面に被着している純水膜を水槽内に引き下げて乾
燥させる技術が発達してきた。
純水槽からゆっくりと引き上げ、水の表面張力によりウ
ェハ表面に被着している純水膜を水槽内に引き下げて乾
燥させる技術が発達してきた。
ウェハを純水から引き上げる従来の方法は、純水を約6
0°Cに加熱して、引き上げ速度を300mm 7分と
して行っていた。
0°Cに加熱して、引き上げ速度を300mm 7分と
して行っていた。
このときに用いられるウェハキャリアはテフロン系のP
FA a呼ばれる樹脂製で、ウェハはウェハキャリアに
できるだげ点接触で保持されるように構成されている。
FA a呼ばれる樹脂製で、ウェハはウェハキャリアに
できるだげ点接触で保持されるように構成されている。
第411(1)、 (2)は従来例による純水洗浄用ウ
ェハキャリアの構造図である。
ェハキャリアの構造図である。
図において、ウェハ2はウェハキャリア4に保持されて
、純水槽内に浸漬され2ゆっくり引き−1−げられて乾
燥される。
、純水槽内に浸漬され2ゆっくり引き−1−げられて乾
燥される。
ウェハキャリア4は側板41.44とウェハ支持材42
、43とで構成される。
、43とで構成される。
この場合のウェハキャリア4は通常、水面に平行に配置
された部材を有し、ウェハの配列方向も又水面に平行に
なるように構成されている。
された部材を有し、ウェハの配列方向も又水面に平行に
なるように構成されている。
ウェハを純水から引き上げる際には、水面の振動と波を
抑制することが重要である。引き上げ中に水面が不必要
に動くと折角表面張力によって水槽に引き下げられた純
水膜が再度ウェハ表面に付着し、純水中の異物が乾燥後
にウェハ上に残ってしまう。
抑制することが重要である。引き上げ中に水面が不必要
に動くと折角表面張力によって水槽に引き下げられた純
水膜が再度ウェハ表面に付着し、純水中の異物が乾燥後
にウェハ上に残ってしまう。
純水中の異物は通常10個/ml程度存在している。
特に、ウェハ洗浄においては、生産効率を上げるために
配列されたウェハ間隔は6 mm程度と狭くなり、ウェ
ハの端が水面から離れるときに2表面張力によって水面
がウェハに引っ張られ、ウェハがある高さまできたとき
にこれが破れて振動し水面に波が発生する。
配列されたウェハ間隔は6 mm程度と狭くなり、ウェ
ハの端が水面から離れるときに2表面張力によって水面
がウェハに引っ張られ、ウェハがある高さまできたとき
にこれが破れて振動し水面に波が発生する。
従来例のように、複数のウェハが同時に水面を離れると
きは発生する波は大きくなる。
きは発生する波は大きくなる。
本発明はウェハが水面から離れる時に発生する波を抑制
し、ウェハ表面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下
げることにより、乾燥後のウェハ上への異物の41着を
低減することを目的とする。
し、ウェハ表面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下
げることにより、乾燥後のウェハ上への異物の41着を
低減することを目的とする。
」1記課題の解決は、複数のウェハを間隔をおいて配列
して収容し、液に浸漬するウェハキャリアであって、構
成部材は、各ウェハを液面に対して垂直に且つ各ウェハ
の」二端を結ぶ線が液面に対して傾斜して保持するよう
に構成され、且つ該構成部材の表面が液面に対して斜め
又は垂直であるウェハキャリア、特に該構成部材が対向
する2個の側板と2両側板を連結し且つウェハの縁部を
支持する複数個のウェハ支持材とからなるウェハキャリ
アにより達成される。
して収容し、液に浸漬するウェハキャリアであって、構
成部材は、各ウェハを液面に対して垂直に且つ各ウェハ
の」二端を結ぶ線が液面に対して傾斜して保持するよう
に構成され、且つ該構成部材の表面が液面に対して斜め
又は垂直であるウェハキャリア、特に該構成部材が対向
する2個の側板と2両側板を連結し且つウェハの縁部を
支持する複数個のウェハ支持材とからなるウェハキャリ
アにより達成される。
第1図は本発明の原理図である。
図において、ウェハキャリア1は液面に平行に配置され
た部材を無<シ、ウェハ2の配列方向は液面に対して傾
斜するように構成されている。
た部材を無<シ、ウェハ2の配列方向は液面に対して傾
斜するように構成されている。
これにより、キャリアに保持されたウェハの高さが順次
低くなっている(各21程度低くする)から、ウェハ上
端が液面から出る時は1枚づつ時間差を持って出るため
振動の発生は低減できる。
低くなっている(各21程度低くする)から、ウェハ上
端が液面から出る時は1枚づつ時間差を持って出るため
振動の発生は低減できる。
又、ウェハ下端が液面から離れるときも同様である。
又8 ウェハキャリア自身も液面に平行な部材を無くし
すべて液面に対して傾斜させるか又は垂直に構成し、
純水より引き上げられる際に波立たないようにしている
。これは大面積で液面から急に離れることがないためで
ある。
すべて液面に対して傾斜させるか又は垂直に構成し、
純水より引き上げられる際に波立たないようにしている
。これは大面積で液面から急に離れることがないためで
ある。
ここで5通常のキャリアを斜めに保持して引き上げた場
合と本発明の詳細な説明する。
合と本発明の詳細な説明する。
通常のキャリアを斜めに保持して引き一ヒげた場合はウ
ェハの主面は液面に対して垂直とならす。
ェハの主面は液面に対して垂直とならす。
純水槽の置かれたダウンフローのクリーンヘンチからの
気流が平行に配列されたウェハに斜めに当たることにな
り、ウェハの影になった部分の気流が乱れ、乾燥速度に
差が生ずるようになるが9本発明によるとウェハば液面
に垂直(気流に平行)であるため気流に乱れを生じない
。
気流が平行に配列されたウェハに斜めに当たることにな
り、ウェハの影になった部分の気流が乱れ、乾燥速度に
差が生ずるようになるが9本発明によるとウェハば液面
に垂直(気流に平行)であるため気流に乱れを生じない
。
〔実施例]
第2図は本発明の一実施例による純水洗浄装置の構成図
である。
である。
実施例でも、処理例として従来例と同様純水洗浄の場合
を例にとる。
を例にとる。
図において2 ウェハ2はウェハキャリア1に保持され
て、純水槽3内に浸漬され、ゆっくり引き上げられて乾
燥される。
て、純水槽3内に浸漬され、ゆっくり引き上げられて乾
燥される。
第3図(])、 (2)は本発明の一実施例による純水
洗浄用ウェハキャリアの構造図である。
洗浄用ウェハキャリアの構造図である。
ウェハキャリア1は側板11.15とウェハ支持材12
、13.14とで構成される。
、13.14とで構成される。
ここで、下側のウェハ支持材14は第2図のようにウェ
ハの下端を支持するように設けているが第3図(2)の
ように下側のウェハ支持材14がウェハの下端より上側
にあるように構成してもよい。この場合は、各ウェハの
下端は順次液面から離れるため、液面に波の発生は少な
くなる。
ハの下端を支持するように設けているが第3図(2)の
ように下側のウェハ支持材14がウェハの下端より上側
にあるように構成してもよい。この場合は、各ウェハの
下端は順次液面から離れるため、液面に波の発生は少な
くなる。
又、各ウェハ支持材12.13.14にはウェハを支持
する案内溝が設けられている。
する案内溝が設けられている。
ウェハキャリア1の各部を水面に対して斜めに配置し、
−度に大面積の部分が水面から離れないようにしている
。
−度に大面積の部分が水面から離れないようにしている
。
ここで、純水は温度60°C3流量1 m3/hで、ウ
ェハキャリアの引き上げ速度は300 mm/minで
行われた。
ェハキャリアの引き上げ速度は300 mm/minで
行われた。
このような非対称ウェハキャリアを用いることに勅より
、水面の波発生が従来より少なくなりウェハへの異物付
着が減った。
、水面の波発生が従来より少なくなりウェハへの異物付
着が減った。
付着した異物量はレーザ光の散乱を利用した表面異物検
査装置により、明らかに低減したごとが認められた。
査装置により、明らかに低減したごとが認められた。
表面異物検査装置はドブコン社製、 WM−3型を用い
、0.2μm以」二の異物量を検査した。
、0.2μm以」二の異物量を検査した。
4インチウェハに対する実施例の異物付着量の数値例を
従来例と対比して次に示す。
従来例と対比して次に示す。
異物寸法 SML 合計
実施例 11 0 0 11従来例 2
9 0 1 30ここで、Sは0.2〜0.
5 pm、Mは0.5〜1.0μm、Lは1.0μm以
」二である。
9 0 1 30ここで、Sは0.2〜0.
5 pm、Mは0.5〜1.0μm、Lは1.0μm以
」二である。
以上説明したように本発明によれば、ウェハが水面から
離れる時に発生する波を抑制でき、ウェハ表面に何着し
た純水膜を水槽に完全に引き下げることにより、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することができた。 0
離れる時に発生する波を抑制でき、ウェハ表面に何着し
た純水膜を水槽に完全に引き下げることにより、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することができた。 0
Claims (2)
- (1)複数のウェハを間隔をおいて配列して収容し、液
に浸漬するウェハキャリアであって、 構成部材は、各ウェハを液面に対して垂直に且つ各ウェ
ハの上端を結ぶ線が液面に対して傾斜して保持するよう
に構成され、且つ該構成部材の表面が液面に対して斜め
又は垂直であることを特徴とするウェハキャリア。 - (2)該構成部材は対向する2個の側板と、両側板を連
結し且つウェハの縁部を支持する複数個のウェハ支持材
とからなることを特徴とする請求項1記載のウェハキャ
リア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1151254A JP2539042B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | ウエハキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1151254A JP2539042B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | ウエハキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0314255A true JPH0314255A (ja) | 1991-01-22 |
JP2539042B2 JP2539042B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=15514644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1151254A Expired - Fee Related JP2539042B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | ウエハキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2539042B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
CN106531670A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池制绒清洗花篮 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60111046U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | 富士通株式会社 | ウエハホルダ |
JPS60245246A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | ウエハ認識方法 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1151254A patent/JP2539042B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60111046U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | 富士通株式会社 | ウエハホルダ |
JPS60245246A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | ウエハ認識方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
CN106531670A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池制绒清洗花篮 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2539042B2 (ja) | 1996-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5071488A (en) | Method for subjecting an object to a liquid treatment | |
JPH06103678B2 (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
JPH01199432A (ja) | シリコンウエハーの洗浄、濯ぎ、乾燥方法及び装置 | |
JP2010267340A (ja) | 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置 | |
JP3192610B2 (ja) | 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法 | |
JPH0314255A (ja) | ウエハキャリア | |
CN107210193B (zh) | 用于清洗和干燥集成电路基板的方法和装置 | |
CN110773505B (zh) | 一种硅片清洗装置及方法 | |
SK284835B6 (sk) | Spôsob sušenia povrchu substrátu | |
JP2010099637A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
US20110168212A1 (en) | Wafer stack cleaning | |
TWI706433B (zh) | 用於清洗和乾燥積體電路基板的方法和裝置 | |
JPS60229339A (ja) | 湿式洗浄装置 | |
EP1057546A1 (en) | Megasonic cleaner | |
TWI413710B (zh) | 電鍍處理裝置 | |
JPS63239820A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
JPH05102118A (ja) | 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽 | |
JPH04124824A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
JP2531239Y2 (ja) | 温純水引上げ方式乾燥装置における昇降治具 | |
JPH0353393B2 (ja) | ||
CN207966956U (zh) | 集成电路芯片湿处理装置 | |
CN100542700C (zh) | 玻璃基板清洗用载具 | |
JPH06258608A (ja) | ガラス基板洗浄保持装置 | |
JPH0444321A (ja) | 基板運搬用キャリヤ | |
KR0116842Y1 (ko) | 웨이퍼 세정용 자석조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |