JPH0314255A - ウエハキャリア - Google Patents

ウエハキャリア

Info

Publication number
JPH0314255A
JPH0314255A JP1151254A JP15125489A JPH0314255A JP H0314255 A JPH0314255 A JP H0314255A JP 1151254 A JP1151254 A JP 1151254A JP 15125489 A JP15125489 A JP 15125489A JP H0314255 A JPH0314255 A JP H0314255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafer carrier
liquid
carrier
wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1151254A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2539042B2 (ja
Inventor
Setsuo Nagashima
長島 節夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1151254A priority Critical patent/JP2539042B2/ja
Publication of JPH0314255A publication Critical patent/JPH0314255A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2539042B2 publication Critical patent/JP2539042B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェハの液浸処理、特に純水洗浄に用いるウェハキャリ
アに関し。
ウェハが水面から出る時に発生ずる波を抑制しウェハ表
面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下げて、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することを目的とし。
複数のウェハを間隔をおいて配列して収容し液に浸漬す
るウェハキャリアであって、構成部材は、各ウェハを液
面に対して垂直に且つ各ウェハの上端を結ぶ線が液面に
対して傾斜して保持するように構成され、且つ該構成部
材の表面が液面に対して斜め又は垂直であるように構成
する。又。
該構成部材は対向する2個の側板と1両側板を連結し且
つウェハの縁部を支持する複数個のウェハ支持材とから
なるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェハの液浸処理、特にウェハの純水洗浄に用
いるウェハキャリアに関する。
近年、半導体装置の微細化に伴い、製造プロセスにおい
てウェハの高度洗浄技術が要求されておリ、特に、ウェ
ハを純水中より引き上げて乾燥する技術が重要となって
きた。本発明はこの要望に対して適用することができる
〔従来の技術〕
ウェハの最終乾燥技術として、ここ数年の間にウェハを
純水槽からゆっくりと引き上げ、水の表面張力によりウ
ェハ表面に被着している純水膜を水槽内に引き下げて乾
燥させる技術が発達してきた。
ウェハを純水から引き上げる従来の方法は、純水を約6
0°Cに加熱して、引き上げ速度を300mm 7分と
して行っていた。
このときに用いられるウェハキャリアはテフロン系のP
FA a呼ばれる樹脂製で、ウェハはウェハキャリアに
できるだげ点接触で保持されるように構成されている。
第411(1)、 (2)は従来例による純水洗浄用ウ
ェハキャリアの構造図である。
図において、ウェハ2はウェハキャリア4に保持されて
、純水槽内に浸漬され2ゆっくり引き−1−げられて乾
燥される。
ウェハキャリア4は側板41.44とウェハ支持材42
、43とで構成される。
この場合のウェハキャリア4は通常、水面に平行に配置
された部材を有し、ウェハの配列方向も又水面に平行に
なるように構成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ウェハを純水から引き上げる際には、水面の振動と波を
抑制することが重要である。引き上げ中に水面が不必要
に動くと折角表面張力によって水槽に引き下げられた純
水膜が再度ウェハ表面に付着し、純水中の異物が乾燥後
にウェハ上に残ってしまう。
純水中の異物は通常10個/ml程度存在している。
特に、ウェハ洗浄においては、生産効率を上げるために
配列されたウェハ間隔は6 mm程度と狭くなり、ウェ
ハの端が水面から離れるときに2表面張力によって水面
がウェハに引っ張られ、ウェハがある高さまできたとき
にこれが破れて振動し水面に波が発生する。
従来例のように、複数のウェハが同時に水面を離れると
きは発生する波は大きくなる。
本発明はウェハが水面から離れる時に発生する波を抑制
し、ウェハ表面に付着した純水膜を水槽に完全に引き下
げることにより、乾燥後のウェハ上への異物の41着を
低減することを目的とする。
〔課題を解決するだめの手段〕
」1記課題の解決は、複数のウェハを間隔をおいて配列
して収容し、液に浸漬するウェハキャリアであって、構
成部材は、各ウェハを液面に対して垂直に且つ各ウェハ
の」二端を結ぶ線が液面に対して傾斜して保持するよう
に構成され、且つ該構成部材の表面が液面に対して斜め
又は垂直であるウェハキャリア、特に該構成部材が対向
する2個の側板と2両側板を連結し且つウェハの縁部を
支持する複数個のウェハ支持材とからなるウェハキャリ
アにより達成される。
〔作用〕
第1図は本発明の原理図である。
図において、ウェハキャリア1は液面に平行に配置され
た部材を無<シ、ウェハ2の配列方向は液面に対して傾
斜するように構成されている。
これにより、キャリアに保持されたウェハの高さが順次
低くなっている(各21程度低くする)から、ウェハ上
端が液面から出る時は1枚づつ時間差を持って出るため
振動の発生は低減できる。
又、ウェハ下端が液面から離れるときも同様である。
又8 ウェハキャリア自身も液面に平行な部材を無くし
 すべて液面に対して傾斜させるか又は垂直に構成し、
純水より引き上げられる際に波立たないようにしている
。これは大面積で液面から急に離れることがないためで
ある。
ここで5通常のキャリアを斜めに保持して引き上げた場
合と本発明の詳細な説明する。
通常のキャリアを斜めに保持して引き一ヒげた場合はウ
ェハの主面は液面に対して垂直とならす。
純水槽の置かれたダウンフローのクリーンヘンチからの
気流が平行に配列されたウェハに斜めに当たることにな
り、ウェハの影になった部分の気流が乱れ、乾燥速度に
差が生ずるようになるが9本発明によるとウェハば液面
に垂直(気流に平行)であるため気流に乱れを生じない
〔実施例] 第2図は本発明の一実施例による純水洗浄装置の構成図
である。
実施例でも、処理例として従来例と同様純水洗浄の場合
を例にとる。
図において2 ウェハ2はウェハキャリア1に保持され
て、純水槽3内に浸漬され、ゆっくり引き上げられて乾
燥される。
第3図(])、 (2)は本発明の一実施例による純水
洗浄用ウェハキャリアの構造図である。
ウェハキャリア1は側板11.15とウェハ支持材12
、13.14とで構成される。
ここで、下側のウェハ支持材14は第2図のようにウェ
ハの下端を支持するように設けているが第3図(2)の
ように下側のウェハ支持材14がウェハの下端より上側
にあるように構成してもよい。この場合は、各ウェハの
下端は順次液面から離れるため、液面に波の発生は少な
くなる。
又、各ウェハ支持材12.13.14にはウェハを支持
する案内溝が設けられている。
ウェハキャリア1の各部を水面に対して斜めに配置し、
−度に大面積の部分が水面から離れないようにしている
ここで、純水は温度60°C3流量1 m3/hで、ウ
ェハキャリアの引き上げ速度は300 mm/minで
行われた。
このような非対称ウェハキャリアを用いることに勅より
、水面の波発生が従来より少なくなりウェハへの異物付
着が減った。
付着した異物量はレーザ光の散乱を利用した表面異物検
査装置により、明らかに低減したごとが認められた。
表面異物検査装置はドブコン社製、 WM−3型を用い
、0.2μm以」二の異物量を検査した。
4インチウェハに対する実施例の異物付着量の数値例を
従来例と対比して次に示す。
異物寸法  SML   合計 実施例  11   0   0  11従来例  2
9   0   1  30ここで、Sは0.2〜0.
5 pm、Mは0.5〜1.0μm、Lは1.0μm以
」二である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ウェハが水面から
離れる時に発生する波を抑制でき、ウェハ表面に何着し
た純水膜を水槽に完全に引き下げることにより、乾燥後
のウェハ上への異物の付着を低減することができた。 0

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数のウェハを間隔をおいて配列して収容し、液
    に浸漬するウェハキャリアであって、 構成部材は、各ウェハを液面に対して垂直に且つ各ウェ
    ハの上端を結ぶ線が液面に対して傾斜して保持するよう
    に構成され、且つ該構成部材の表面が液面に対して斜め
    又は垂直であることを特徴とするウェハキャリア。
  2. (2)該構成部材は対向する2個の側板と、両側板を連
    結し且つウェハの縁部を支持する複数個のウェハ支持材
    とからなることを特徴とする請求項1記載のウェハキャ
    リア。
JP1151254A 1989-06-13 1989-06-13 ウエハキャリア Expired - Fee Related JP2539042B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1151254A JP2539042B2 (ja) 1989-06-13 1989-06-13 ウエハキャリア

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1151254A JP2539042B2 (ja) 1989-06-13 1989-06-13 ウエハキャリア

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0314255A true JPH0314255A (ja) 1991-01-22
JP2539042B2 JP2539042B2 (ja) 1996-10-02

Family

ID=15514644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1151254A Expired - Fee Related JP2539042B2 (ja) 1989-06-13 1989-06-13 ウエハキャリア

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2539042B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016009729A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
CN106531670A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池制绒清洗花篮

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60111046U (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 富士通株式会社 ウエハホルダ
JPS60245246A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Fujitsu Ltd ウエハ認識方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60111046U (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 富士通株式会社 ウエハホルダ
JPS60245246A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Fujitsu Ltd ウエハ認識方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016009729A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
CN106531670A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池制绒清洗花篮

Also Published As

Publication number Publication date
JP2539042B2 (ja) 1996-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5071488A (en) Method for subjecting an object to a liquid treatment
JPH06103678B2 (ja) 半導体基板の加工方法
JPH01199432A (ja) シリコンウエハーの洗浄、濯ぎ、乾燥方法及び装置
JP2010267340A (ja) 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置
JP3192610B2 (ja) 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法
JPH0314255A (ja) ウエハキャリア
CN107210193B (zh) 用于清洗和干燥集成电路基板的方法和装置
CN110773505B (zh) 一种硅片清洗装置及方法
SK284835B6 (sk) Spôsob sušenia povrchu substrátu
JP2010099637A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20110168212A1 (en) Wafer stack cleaning
TWI706433B (zh) 用於清洗和乾燥積體電路基板的方法和裝置
JPS60229339A (ja) 湿式洗浄装置
EP1057546A1 (en) Megasonic cleaner
TWI413710B (zh) 電鍍處理裝置
JPS63239820A (ja) 半導体装置の洗浄方法
JPH05102118A (ja) 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
JP2531239Y2 (ja) 温純水引上げ方式乾燥装置における昇降治具
JPH0353393B2 (ja)
CN207966956U (zh) 集成电路芯片湿处理装置
CN100542700C (zh) 玻璃基板清洗用载具
JPH06258608A (ja) ガラス基板洗浄保持装置
JPH0444321A (ja) 基板運搬用キャリヤ
KR0116842Y1 (ko) 웨이퍼 세정용 자석조

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees