JPH03140826A - 光パワーメータ - Google Patents
光パワーメータInfo
- Publication number
- JPH03140826A JPH03140826A JP27941989A JP27941989A JPH03140826A JP H03140826 A JPH03140826 A JP H03140826A JP 27941989 A JP27941989 A JP 27941989A JP 27941989 A JP27941989 A JP 27941989A JP H03140826 A JPH03140826 A JP H03140826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- fluorescence
- laser
- optical power
- power meter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical class F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- -1 rare earth fluoride Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ８発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ加工などに用いられる大出力レーザ装
置の、レーザ出力を検出する光パワーメータに関する。
置の、レーザ出力を検出する光パワーメータに関する。
従来、エネルギー密度の高いレーザ光のパワーを測定す
る方法としては、ＮＤフィルタ（ＮｅｕｔｒａｌＤｅｎ
ｓｉｔｙ Ｆｉｌｔｅｒ）でレーザ光を弱めてからレー
ザ光を直接光電変換素子で受光する方法と、受光部分に
熱電対を取付けて光を熱電変換素子を用いて直接エネル
ギー密度の高いレーザ光のパワーを測定する方法とがあ
った。レーザ加工において精度良く加工するためには、
レーザ出力の安定化が必要である。レーザ出力の変動を
レーザを駆動する電源側にフィードバックすることによ
って、レーザ出力を安定化することが出来るが、従来の
パワーメータを用いたのでは、レーザ光が光パワーメー
タを通る際にほぼ完全に遮光されるために、レーザ出力
をフィードバックしてレーザ出力を安定化する方法を採
用することが出来なかった。
る方法としては、ＮＤフィルタ（ＮｅｕｔｒａｌＤｅｎ
ｓｉｔｙ Ｆｉｌｔｅｒ）でレーザ光を弱めてからレー
ザ光を直接光電変換素子で受光する方法と、受光部分に
熱電対を取付けて光を熱電変換素子を用いて直接エネル
ギー密度の高いレーザ光のパワーを測定する方法とがあ
った。レーザ加工において精度良く加工するためには、
レーザ出力の安定化が必要である。レーザ出力の変動を
レーザを駆動する電源側にフィードバックすることによ
って、レーザ出力を安定化することが出来るが、従来の
パワーメータを用いたのでは、レーザ光が光パワーメー
タを通る際にほぼ完全に遮光されるために、レーザ出力
をフィードバックしてレーザ出力を安定化する方法を採
用することが出来なかった。
また、レーザビームの位置合わせを行なうのに、ガイド
光として可視光を発するレーザ光源を別に用意していた
ため、加工装置が高価なものとなっていた。
光として可視光を発するレーザ光源を別に用意していた
ため、加工装置が高価なものとなっていた。
本発明は、蛍光体単結晶を用い、レーザ出力の変動を自
動的に制御することが出来、しかもレーザ光を遮光する
ことなく、又レーザビームの位置を測定しながらレーザ
出力をモニター出来る光パワーメータと、散乱光源体を
含む透明板を用いた光パワーメータを提供することにあ
る。
動的に制御することが出来、しかもレーザ光を遮光する
ことなく、又レーザビームの位置を測定しながらレーザ
出力をモニター出来る光パワーメータと、散乱光源体を
含む透明板を用いた光パワーメータを提供することにあ
る。
口１発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、透明な板状の蛍光体単結晶であるイツトリウ
ム、イッテルビウム、エルビウムの弗化物（Ｙ（ｚ ）
、Ｙｂ（ｙ）、Ｅｒ（ｚ）） Ｆ：ｌ（Ｚ ＝０．７７
、 ｙ＝０．２． ｚ＝０．０３〕 （以下〔（Ｙ、
Ｙｂ、 Ｅｒ） Ｆ３〕と称す）単結晶の薄板面にレー
ザ光を照射し、単結晶薄板側面からレーザ光の照射によ
って発生する蛍光を取り出し、光電変換素子で検出する
ようにして構成するか、又は散乱光源体を含む透明板を
用いてレーザ光のパワーメータを構成したものである。
ム、イッテルビウム、エルビウムの弗化物（Ｙ（ｚ ）
、Ｙｂ（ｙ）、Ｅｒ（ｚ）） Ｆ：ｌ（Ｚ ＝０．７７
、 ｙ＝０．２． ｚ＝０．０３〕 （以下〔（Ｙ、
Ｙｂ、 Ｅｒ） Ｆ３〕と称す）単結晶の薄板面にレー
ザ光を照射し、単結晶薄板側面からレーザ光の照射によ
って発生する蛍光を取り出し、光電変換素子で検出する
ようにして構成するか、又は散乱光源体を含む透明板を
用いてレーザ光のパワーメータを構成したものである。
即ち本発明は、
１、イツトリウム、イッテルビウム、エルビウムの弗化
物〔（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆ３］から成る６面に鏡面
加工を施した蛍光体単結晶の薄板の周辺に、枠形に形成
したレーザ等のライトガイドを取付け、ライトガイドの
一端に光電変換素子を取付けて、蛍光体単結晶の薄板面
に入射したレーザ等により励起され、蛍光体単結晶の側
面から出射する蛍光の強さを、光電変換素子により測定
する様構成したことを特徴とする光パワーメータである
。
物〔（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆ３］から成る６面に鏡面
加工を施した蛍光体単結晶の薄板の周辺に、枠形に形成
したレーザ等のライトガイドを取付け、ライトガイドの
一端に光電変換素子を取付けて、蛍光体単結晶の薄板面
に入射したレーザ等により励起され、蛍光体単結晶の側
面から出射する蛍光の強さを、光電変換素子により測定
する様構成したことを特徴とする光パワーメータである
。
２、透明な角板状薄板の蛍光体単結晶板側面に、蛍光が
通過する孔とＣＣＤセンサを取付けて、レーザ蛍光体単
結晶の薄板面に入射した光のパワーと位置とを測定する
様構成したことを特徴とする光パワーメータである。
通過する孔とＣＣＤセンサを取付けて、レーザ蛍光体単
結晶の薄板面に入射した光のパワーと位置とを測定する
様構成したことを特徴とする光パワーメータである。
３、散乱光源体を内部に有する透明板の六回の側面を鏡
面にし、透明板の周囲にライトガイドと、ライトガイド
の一端に光電変換素子を取付けて、乱反射光を透明板の
側面から取り出してレーザ出力を測定する様構成したこ
とを特徴とする光パワーメータである。
面にし、透明板の周囲にライトガイドと、ライトガイド
の一端に光電変換素子を取付けて、乱反射光を透明板の
側面から取り出してレーザ出力を測定する様構成したこ
とを特徴とする光パワーメータである。
４、散乱光源体を内部に有する透明板の側面を鏡面にし
、透明板の周囲端面に散乱光を通過する孔とＣＣＤセン
サを取付けて、レーザ光のパワーと位置とを測定するよ
う構成したことを特徴とする光パワーメータである。
、透明板の周囲端面に散乱光を通過する孔とＣＣＤセン
サを取付けて、レーザ光のパワーと位置とを測定するよ
う構成したことを特徴とする光パワーメータである。
透明な板状の（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆ３単結晶から成
る蛍光体単結晶に入射したレーザ光は、一部吸収され、
蛍光体単結晶を励起し、励起状態から基底状態に戻る際
に蛍光を発する。第１図に示すように、蛍光体単結晶素
子１の屈折率が大きいために結晶内に発生したほとんど
の蛍光３は結晶板内に閉じ込められ、板状単結晶の側面
から外部に出射する。（Ｙ。
る蛍光体単結晶に入射したレーザ光は、一部吸収され、
蛍光体単結晶を励起し、励起状態から基底状態に戻る際
に蛍光を発する。第１図に示すように、蛍光体単結晶素
子１の屈折率が大きいために結晶内に発生したほとんど
の蛍光３は結晶板内に閉じ込められ、板状単結晶の側面
から外部に出射する。（Ｙ。
Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆ３蛍光体単結晶の外周には枠形に作ら
れた通常の硅酸ガラスで作られたガイドライトを取付け
て蛍光を集め、これらの光を光電変換素子で受光し蛍光
の強さを測定することにより、レーザ出力を測定するも
のである。
れた通常の硅酸ガラスで作られたガイドライトを取付け
て蛍光を集め、これらの光を光電変換素子で受光し蛍光
の強さを測定することにより、レーザ出力を測定するも
のである。
又、正方形の蛍光体単結晶の縦横方向の側面をアルミニ
ウム金属皮膜で覆い該金属皮膜上に蛍光が透過する小さ
な穴を設け、側面に接して光電変換素子としてＣＯＤを
設けておくことによってレーザ出力を測定すると共にレ
ーザビームの位置を測定する６又光パワーメータの他の
例として散乱光源体を含むＹＡＧ単結晶板を用い、単結
晶板の側面から検出される光をライトガイドで集め、光
電変換素子で検出することにより光パワを計測すること
が出来る。
ウム金属皮膜で覆い該金属皮膜上に蛍光が透過する小さ
な穴を設け、側面に接して光電変換素子としてＣＯＤを
設けておくことによってレーザ出力を測定すると共にレ
ーザビームの位置を測定する６又光パワーメータの他の
例として散乱光源体を含むＹＡＧ単結晶板を用い、単結
晶板の側面から検出される光をライトガイドで集め、光
電変換素子で検出することにより光パワを計測すること
が出来る。
（実施例１）
本発明の実施例について図面を参照して説明する。第３
図に於て蛍光体単結晶１である希土類フッ化物単結晶、
例えばイツトリウム、イッテルビウム、エルビウムの弗
化物から成る、組成が［Ｙ（ｚ ）、Ｙｂ（ｙ）、Ｅｒ
（ｚ）］ Ｆ３． （Ｚ ＝０．７７、 ｙ＝０．２．
ｚ＝０、０３〕の単結晶を、ＦＺ法により作・成した
後、１０■−角で厚さが５０μ園の板状に切断し、６面
全面を鏡面研磨加工して、１０ｍ腫角面画面にＹＡＧレ
ーザ光の１．０６μ腫に対して弗化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２）を無反射コートした蛍光体単結晶素子（以下蛍光
素子と称す）を作った。前記の（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）
Ｆ３単結晶は、波長が０．９μｍを中心とする光を吸収
することによって励起されて、緑色の蛍光を発生する。
図に於て蛍光体単結晶１である希土類フッ化物単結晶、
例えばイツトリウム、イッテルビウム、エルビウムの弗
化物から成る、組成が［Ｙ（ｚ ）、Ｙｂ（ｙ）、Ｅｒ
（ｚ）］ Ｆ３． （Ｚ ＝０．７７、 ｙ＝０．２．
ｚ＝０、０３〕の単結晶を、ＦＺ法により作・成した
後、１０■−角で厚さが５０μ園の板状に切断し、６面
全面を鏡面研磨加工して、１０ｍ腫角面画面にＹＡＧレ
ーザ光の１．０６μ腫に対して弗化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２）を無反射コートした蛍光体単結晶素子（以下蛍光
素子と称す）を作った。前記の（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）
Ｆ３単結晶は、波長が０．９μｍを中心とする光を吸収
することによって励起されて、緑色の蛍光を発生する。
第２図に本発明に用いた（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆａ単
結晶の吸収スペクトルを示す。
結晶の吸収スペクトルを示す。
光パワーメータの構成図を第３図に示す。（Ｙ、 Ｙｂ
。
。
Ｅｒ）Ｆ３からなる１０Ｉｌ−角、厚さ５０μ園の蛍光
体単結晶素子１の側面に、通常の硅酸ガラスを用い枠形
に作ったライトガイド４を光学用接着剤で接着し、ライ
ドガイドの外側の巾５０μ朧の端面に光電変換素子６で
ある太陽電池を取り付けてその起電力を測定した。ライ
トガイドの蛍光素子と接する面以外の面には、厚さが１
μ腫程のアルミニウム皮膜５が皮膜されている。レーザ
出力Ｉｏと光電変換素子に達する蛍光強度工′との関係
は次の式で表されている。
体単結晶素子１の側面に、通常の硅酸ガラスを用い枠形
に作ったライトガイド４を光学用接着剤で接着し、ライ
ドガイドの外側の巾５０μ朧の端面に光電変換素子６で
ある太陽電池を取り付けてその起電力を測定した。ライ
トガイドの蛍光素子と接する面以外の面には、厚さが１
μ腫程のアルミニウム皮膜５が皮膜されている。レーザ
出力Ｉｏと光電変換素子に達する蛍光強度工′との関係
は次の式で表されている。
Ｉ’ ＝ ａＩｏ２（Ｗ）
ａは比例常数で、蛍光素子の厚さと、蛍光素子の屈折率
の大きさに比例し、大きいほど感度が良くなる。測定に
用いたレーザ光は、１．０６μ臘のＹＡＧレーザ光で、
ビーム径が約６φ膳■、レーザ出力１５０Ｗのものであ
る。このときの蛍光素子でのレーザ光の吸収量は０．０
２％であり、レーザ加工の際には全く問題とならないほ
どの光損失の少ないものであった。
の大きさに比例し、大きいほど感度が良くなる。測定に
用いたレーザ光は、１．０６μ臘のＹＡＧレーザ光で、
ビーム径が約６φ膳■、レーザ出力１５０Ｗのものであ
る。このときの蛍光素子でのレーザ光の吸収量は０．０
２％であり、レーザ加工の際には全く問題とならないほ
どの光損失の少ないものであった。
（実施例２）
第４図は（Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｒ）Ｆ３なる単結晶をＦＺ
法により作成した後、１０ｍｍＸ１抛腫×５０μ鳳の板
状に切断し、全面を鏡面研磨加工して、１抛■角面にレ
ーザの波長１．０６μ閣に対して無反射コートした蛍光
体単結晶素子ｌを作った。第４図は、光パワー、並びに
レーザ光の位置を計測する光パワーメータの構成図を示
す。蛍光体単結晶素子１の側面に厚さ２μ腫程度のアル
ミニウム皮膜７をスパッタし、ドライエツチングにより
径が５０μｍの孔９を作り、その上にＣＣＤ８を取り付
けることによって、縦方向、横方向でのレーザ光の位置
を測定出来た。
法により作成した後、１０ｍｍＸ１抛腫×５０μ鳳の板
状に切断し、全面を鏡面研磨加工して、１抛■角面にレ
ーザの波長１．０６μ閣に対して無反射コートした蛍光
体単結晶素子ｌを作った。第４図は、光パワー、並びに
レーザ光の位置を計測する光パワーメータの構成図を示
す。蛍光体単結晶素子１の側面に厚さ２μ腫程度のアル
ミニウム皮膜７をスパッタし、ドライエツチングにより
径が５０μｍの孔９を作り、その上にＣＣＤ８を取り付
けることによって、縦方向、横方向でのレーザ光の位置
を測定出来た。
（実施例３〕
実施例３は実施例−１、実施例−２と異なり、ＹＡＧ単
結晶等をチ目りラルスキー法で育成する際、温度勾配が
大きいと１μ−以下の大きさの散乱光源体が生じる。散
乱光源体を含むＹＡＧ単結晶から、寸法が１０ｍｍＸ
１０ｍｍＸ ２ ｍｍの透明板を作り、全人面を鏡面研
磨加工した光散乱素子を作った。これを用いて第３図に
示す構成と同様に光散乱素子の周囲にライトガイドを取
付け、ライトガイドの一端には光電変換素子である受光
素子を取付け、光パワーメータを組み立てた。光散乱素
子の側面から検出される光強度はレーザ出力に比例し、
ＹＡＧレーザ出力１５０Ｗのとき、９ｎＷの光が検出さ
れた。レーザ出力Ｉｏと散乱光との関係は比例関係にあ
り、光パワーメータを構成し得る。本実施例の光散乱素
子での散乱によるレーザ光の光損失は１％以下であり、
レーザ加工にはまったく影響がなかった。本発明の実施
例３によるパワーメータは散乱光源体を含むＹＡＧ単結
晶を用いた例で説明したが、ＹＡＧ単結晶に限定するも
のでなく、透明板であれば何れでもよく、透明樹脂板、
通常の珪酸ガラス等を用いても良い。
結晶等をチ目りラルスキー法で育成する際、温度勾配が
大きいと１μ−以下の大きさの散乱光源体が生じる。散
乱光源体を含むＹＡＧ単結晶から、寸法が１０ｍｍＸ
１０ｍｍＸ ２ ｍｍの透明板を作り、全人面を鏡面研
磨加工した光散乱素子を作った。これを用いて第３図に
示す構成と同様に光散乱素子の周囲にライトガイドを取
付け、ライトガイドの一端には光電変換素子である受光
素子を取付け、光パワーメータを組み立てた。光散乱素
子の側面から検出される光強度はレーザ出力に比例し、
ＹＡＧレーザ出力１５０Ｗのとき、９ｎＷの光が検出さ
れた。レーザ出力Ｉｏと散乱光との関係は比例関係にあ
り、光パワーメータを構成し得る。本実施例の光散乱素
子での散乱によるレーザ光の光損失は１％以下であり、
レーザ加工にはまったく影響がなかった。本発明の実施
例３によるパワーメータは散乱光源体を含むＹＡＧ単結
晶を用いた例で説明したが、ＹＡＧ単結晶に限定するも
のでなく、透明板であれば何れでもよく、透明樹脂板、
通常の珪酸ガラス等を用いても良い。
ハ０発明の効果
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明は、半透明な板状の蛍光体単結
晶にレーザ光を入射した時に発する蛍光、０ 又は光散乱素子を含む透明板のレーザ光の散乱光を取り
出し、光電変換素子からなる受光素子により検知するこ
とにより、レーザ加工中にレーザの出力、又はレーザビ
ームの位置を測定することによりレーザ出力の制御を可
能とした光パワーメータを提供出来るようになった。
晶にレーザ光を入射した時に発する蛍光、０ 又は光散乱素子を含む透明板のレーザ光の散乱光を取り
出し、光電変換素子からなる受光素子により検知するこ
とにより、レーザ加工中にレーザの出力、又はレーザビ
ームの位置を測定することによりレーザ出力の制御を可
能とした光パワーメータを提供出来るようになった。
変換素子、７・・・アルミニウム皮膜、８・・・ＣＣＤ
、９・・・孔。
、９・・・孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イットリウム、イッテルビウム、エルビウムの弗化
物〔（Ｙ、Ｙｂ、Ｅｒ）Ｆ＿３〕から成る６面に鏡面加
工を施した蛍光体単結晶の薄板の周辺に、枠形に形成し
たレーザ等のライトガイドを取付け、ライトガイドの一
端に光電変換素子を取付けて、蛍光体単結晶の薄板面に
入射したレーザ等により励起され、蛍光体単結晶の側面
から出射する蛍光の強さを、光電変換素子により測定す
る様構成したことを特徴とする光パワーメータ。 ２、透明な角板状薄板の蛍光体単結晶板側面に、蛍光が
通過する孔とＣＣＤセンサを取付けて、レーザ蛍光体単
結晶の薄板面に入射した光のパワーと位置とを測定する
様構成したことを特徴とする光パワーメータ。 ３、散乱光源体を内部に有する透明板の六面の側面を鏡
面にし、透明板の周囲にライトガイドと、ライトガイド
の一端に光電変換素子を取付けて、乱反射光を透明板の
側面から取り出してレーザ出力を測定する様構成したこ
とを特徴とする光パワーメータ。 ４、散乱光源体を内部に有する透明板の側面を鏡面にし
、透明板の周囲端面に散乱光を通過する孔とＣＣＤセン
サを取付けて、レーザ光のパワーと位置とを測定するよ
う構成したことを特徴とする光パワーメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27941989A JPH03140826A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 光パワーメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27941989A JPH03140826A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 光パワーメータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140826A true JPH03140826A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17610824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27941989A Pending JPH03140826A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 光パワーメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03140826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015194413A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ウシオ電機株式会社 | 光検出装置及び光源装置 |
| JP2019207186A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 光量計及びこれを備える光照射装置 |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP27941989A patent/JPH03140826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015194413A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ウシオ電機株式会社 | 光検出装置及び光源装置 |
| JP2019207186A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 光量計及びこれを備える光照射装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7098470B2 (en) | Method for non-destructive measuring of radiation dose | |
| JP2009524835A5 (ja) | ||
| JP2670829B2 (ja) | 放射線計 | |
| JP2013145236A (ja) | 光電池用カバーガラスの透過率測定装置 | |
| NL9100143A (nl) | Twee-dimensionale mozaiek-scintillatiedetector. | |
| US4885471A (en) | Ultraviolet radiometer | |
| JP2015075424A5 (ja) | ||
| TW201940848A (zh) | 光測定裝置及光測定方法 | |
| JPH03140826A (ja) | 光パワーメータ | |
| GB2347998A (en) | Method and apparatus for measuring the intensity of a beam of light | |
| US3610926A (en) | Dosimeter formed of a radiation sensitive thermoluminescent material and method of reading the same | |
| JP2677369B2 (ja) | 赤外線測定装置 | |
| Klein et al. | An optical fiber radiation sensor for remote detection of radiological materials | |
| CN206258367U (zh) | 一种透反组合式荧光倍增比色皿 | |
| CN205941924U (zh) | OSL在线远距离γ辐射剂量测量系统 | |
| CN106323873A (zh) | 一种透反组合式荧光倍增比色皿 | |
| WO2018063939A1 (en) | Laser power and energy sensor using anisotropic thermoelectric material | |
| Hempstead | Determination of diffusion profiles of neodymium in lithium niobate by means of spatially resolved fluorescence measurements | |
| RU2310889C1 (ru) | Устройство для измерения дозиметрического сигнала оптически стимулированной люминесценции | |
| RU131502U1 (ru) | Детектор ионизирующих излучений | |
| US9268030B2 (en) | Laser-heated thermoluminescence dosimeter | |
| US5490161A (en) | Solid-state laser device with diffused-light excitation, and integrating sphere | |
| Kobayashi et al. | Neutron imaging using an optical stimulated luminescent material:/spl alpha/-Al/sub 2/O/sub 3: C+ Gd/sub 2/O/sub 3//sup* | |
| JP3262149B2 (ja) | 赤外検知器およびその励起方法 | |
| JP2965473B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計 |