JP2677369B2 - 赤外線測定装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、放射されたレーザビーム特性を測定する装
置に関し、特にレーザ赤外波長範囲における光ファイバ
特性測定装置に関する。 [従来技術] 光ファイバは、多数の情報および通信システムにおい
て重要な電子光学部品となってきている。エネルギを伝
送する特殊な光ファイバの機能は、設計上重要なポイン
トである。光ファイバ通信技術分野における最近の流れ
は、1.3ミクロンおよび1.6ミクロンでそれぞれいわゆる
2次および3次ファイバ伝送窓のために光ファイバおよ
び光学部品を開発することである。これらの伝送窓は、
λ-4の波長依存を呈する減少されたレイリー散乱による
低い光ファイバエネルギ損失を特徴とすることが明かに
されている。この技術の有効性がさらに認識されたこと
により、これらの光ファイバ特性測定の必要性が高まっ
た。 標準的な測定の従来の形態の1つは、最大のエネルギ
伝送束の半分の角度の正弦を開口数とすることである。
この光ファイバの測定は、ファイバの光集束能力を決定
する。すなわち光受容錐体の半分の角度θ/2を定める。
この錐体内にある角度で放射された光波は導かれ、一方
それより大きい角度でファイバ錐体内に入来した光線は
失われる。開口数NAは、以下の関係により受容錐体角度
に関連するものである。 ここにおいてnは、空気のような境界媒体の屈折率で
あり、n1およびn2はそれぞれ光ファイバのコアおよびク
ラッドの屈折率である。したがって数字で示される開口
数の測定は、LEDまたはレーザのような光源に対する光
ファイバの結合効果を測定する場合の重要なパラメータ
となる。またそれは異なるファイバが結合される場合の
入射損失を計算し、微少な湾曲が与えるファイバへの影
響を測定するときに重要である。 光ファイバ開口数測定の標準的な方法は、通常電子工
業機構と共同して国際機構により発表されたガイドライ
ンに従うものであり、その測定には2%以内の正確性が
要求される。光ファイバの開口数測定の伝統的な技術
は、開口数が計算されることのできる光ファイバ屈折率
プロフィールを測定する高価で複雑な干渉計技術、もし
くは光ファイバから出ている放射線の遠いフィールドパ
ターンを測定する比較的簡単な技術を含む。しかしなが
らこれらの技術は共に可視光線を使用するので、結果と
して得られた開口数の実験値は、赤外波長の伝送の行わ
れた開口数の実際の値とほぼ10%異なる。 従来の装置を使用して光ファイバ中の赤外伝送を測定
することは、困難であることをが証明された。従来の赤
外線源は、高価になりうる注入レーザーダイオードと白
熱光源であり、レーザーダイオードの場合には低いパワ
ーを放射し、一方の白熱光源の場合は面倒なものにな
る。シリコンダイオードマトリクスアレイは1ミクロン
以上の放射線波長に対して比較的感応性が鈍いため、赤
外線範囲で放射する実際的なLEDは存在せず、赤外線放
射を示す場合に問題があり、また熱電検知器マトリクス
アレイは非常に高価であり、不適切な解像度になりがち
である。 [発明の解決しようとする課題] したがって、熱電検知器マトリックスアレイのような
高価な装置を使用しないで高い解像度が得られる赤外線
領域における開口数測定装置が必要とされる。 本発明の目的は、比較的安価で、しかも高い解像度が
得られる赤外線を伝送する光ファイバの開口数測定装置
を提供することである。 [課題を解決するための手段] この発明によれば、この目的は、赤外線領域における
光ファイバの開口数を測定する赤外線測定装置におい
て、設置されている光ファイバの一端から放射するため
に光ファイバを通って赤外線エネルギを伝送する手段
と、光ファイバの末端から予め定められた距離に配置さ
れ、光ファイバ端部から放射された赤外線エネルギを受
けて、それより短い波長のエネルギに変換するための、
約10モル%のエルビウムイオン濃度を有する活性変換材
料で構成された100乃至300ミクロンの厚さを有するスク
リーン部材を具備する変換手段と、この短い波長のエネ
ルギを検出してそのエネルギ分布記録し、その記録デー
タから開口数を計算する手段とを具備している赤外線測
定装置によって達成される。 活性変換材料は例えばフッ化カルシウムをホスト材料
としてこれをエルビウムイオンでドープすることにより
得られる。発光強度はドープ量によって変化し、第6図
を参照にして後述するようにエルビウムイオンが約10モ
ル%のとき最高の光強度が得られる。また、このスクリ
ーンの厚さは画像の解像度に影響し、また極端に薄くな
れば十分な変換ができなくなるから100乃至300ミクロン
のの範囲の厚さに選定することが必要である。 本発明によれば、可視スペクトルにより赤外線領域に
おける光ファイバの開口数の測定を行うことができるた
めに、例えばシリコンダイオードマトリックスアレイの
ような比較的廉価なマトリックスアレイを使用すること
が可能になる。 以下添付図面を参照に実施例で説明する。 [図面の簡単な説明] 第1図は光ファイバ開口数測定用の概要を示し、 第2図は開口数測定用のシステムであり、 第3図は本発明のアレイセンサの実際の測定の3次元
グラフィック表示であり、 第4図は赤外放射線の映像を実現する別の実施例であ
り、 第5図は赤外放射線の映像を実現するさらに別の実施
例であり、 第6図は、一定のサンプル放射に対するエルビウムイ
オン濃度の関数として表された最強放射線帯域の強度を
示すグラフであり、 第7図は光ファイバから放射された放射線のエネルビ
分布のグラヘである。 [実施例] 以下の説明は電子−光学分野における当行者が本発明
を製造して使用できるように行われ、またこの発明を実
現するために発明者によって熟考された最良の方法を示
している。しかしながら本発明の特有の原理は、特に短
い波長に赤外線エネルギを変換し、レーザビームおよび
赤外線エネルギを伝送する光ファイバの特性を測定する
新規で比較的安価な装置を提供するので、種々の修正は
当該業者には容易に明かであろう。 本発明の第1の目的は、例えば1540nmの波長の赤外線
エネルギを検知アレイによる検知に適合できるもっと短
い波長に変換する比較的安価な装置を提供することであ
る。本発明者は、共同ルミネセンス処理の簡単なモデル
に質的に適合可能な強度の依存関係がおよびアップ変換
または可視変換放射線の一時的な特性の実験的測定を行
なった。本発明は、市販および試験結果の再現可能性に
対する適切な効率、感応性、ダイナミック範囲、分解
能、応答速度および直線性の条件を満たすことが明かに
なった。 換言すると本発明は、共同する機構による連続的なエ
ネルギーの転移に伴い異なる原子中において吸収が生
じ、その結果1つの原子中の活性エネルギの累積となる
アルカリ土類ハロゲン化合物のような変換材料の活性化
に依存している。複数の原子の基底状態の電子はそれぞ
れ1つの赤外線光量子を吸収し、そのエネルギは次に非
放射線過程を通じて単一原子に転移し、それを活性化し
て蛍光発光を行う高いエネルギレベルにする。アップ変
換処理の非ストークス特性のために出力光線の波長は、
入力放射線の波長よりも短くなる。この現像をさらに説
明するために、P.Feotillov他による文献(“Applied
Optics"第6巻、1828頁、1967年)およびV.Ovsyankinに
よる文献(“Optical Spectroscope"第28巻、112頁、1
970年)中の各章を参照することができる。 本発明は、90乃至1600nmの波長範囲において赤外線放
射を効率的に変換するフッ化カルシウム結晶中に含まれ
るEr3+のような種々のホスト材料中のイオン化されたア
ルカリ希土ハロゲン化合物を使用することにより達成さ
れる。本発明は、比較的安価なシリコンPINフォトダイ
オードマトリックアレイと共に都合よく使用されること
ができる変換スクリーンを提供するために、フッ化カル
シウムCaF2のマトリクスに混合されたエルビウムイオン
の混合結晶体におけるアップ変換処理を使用する。設計
努力のパラメータは、本発明を展開する際の他の要因、
すなわち効率、直線性、飽和、応答時間および空間分解
能をアドレスする。 本発明の動作において、エルビウムイオンでドープさ
れたフッ化カルシウムのアップ変換スペクトルは、約1
ミリセカンド継続する長いパルスを有する約100ワット
のピークパワーの1540nmのレーザ放射によって励起され
る。その結果変換された放射線は、380nmと2700nmとの
間に延在する複数の20乃至50nmの幅のエネルギ帯域から
成っていた。増加する強度の順に並べられた放射線の最
強帯域は、第6図において見られるように、ほぼ980,67
0,805および550nmで最高となった。第6図は、一定のサ
ンプル放射に対するエルビウムイオン濃度の関数として
表される最強帯域の強度を示している。サンプルにおい
て最も効果的に発生するアップ変換は約10モル%のエル
ビウムイオンを含むことが分った。 試験の結果、980nm帯域は2光量子処理によって励起
されるため、本発明の目的に最適であること明らかにな
り、この帯域がアップ変換スペクトルにおいて最も強
く、シリコンPINフォトダイオードの最大応答性と対応
した波長である。また1cm2につき1ワットで飽和が始ま
ることも分った。後に記述されているように、中性デン
シティフィルタが飽和レベルを制御するために使用され
ることができる。 したがって好ましい実施例においてホスト材料として
フッ化カルシウムを使用して映像スクリーンが生成さ
れ、最適エルビウムイオン濃度は約10モル%であること
が明かになった。900nmの波長における映像スクリーン
での特性の直線性を保証するために、スクリーンにおい
て1ワット/cm2の最小レーザビーム放射が必要である。 本発明のアップ変換スクリーンは、2つの別個の技術
から形成される。第1の技術は、連続的に研磨され、30
0ミクロン以下の厚さまで研磨されたガラス基体に接着
された単結晶を使用したものである。第2の技術はCaF2
のアップ変換材料を微粒子にし、通常の光学接合剤で15
40nmの放射線に対して透明なエポキシ結合剤と混合して
からガラス基体上に薄い100乃至300ミクロンの乳剤とし
てそれを付着させるものである。 第1の技術は直径1乃至2cmのスクリーンを形成し、
一方第2の技術により比較的大きさに制限ない広いスク
リーンを形成することができる。スクリーンの空間的異
分解能は、アップ変換材料の共同ルミセンス処理よりも
むしろ乳剤の性質(粒のあらさ)および厚さと、照射の
一定性によって限定される。 第1図を参照すると開口数に関する情報が発生される
仕組みが表わされている。レーザ光源(示されていな
い)は、光ファイバ素子4の一端によって受取るためレ
ーザビーム2を発生するように設置されている。一般的
に光ファイバ素子は、2mの長さであり、固定装置5の中
に適切に設けられている。図から認められるように光フ
ァイバ素子は、光ファイバ素子の光軸で垂直でレーザ放
射線を錐体角度0にわたって放射する平坦な端部を備え
ている。測定は10d2/λよりもいくぶん大きい距離で行
われ、ここでdは光ファイバの直径、λは放射している
放射線の波長である。 第7図は最大強度の5%で決定された遠い画角(farf
ield angle)での放射線分布断面図である。レーザビー
ム2と光ファイバ4との結合から認められるように光フ
ァイバの受容錐体角度を越える放射線の放射はいずれも
過剰となり、システムに使用することはできない。 特定の光ファイバ用の開口数を得るための遠い画角の
測定技術は、可視スペクトルについては知られている。
本発明は、赤外線エネルギ範囲における開口数の値を通
して実際の効率を測定するために可視波長を使用する測
定を補間しようと試みたときに生じた不正確性をアドレ
スする。 第2図を参照すると、本発明の1実施例が示されてい
る。1540nmの放射線を放射可能なレーザ光源6が使用さ
れる。これに関して本発明は、約1msec継続するパルス
を伴う約100ワットのピークパワーを放射するエルビウ
ムガラスレーザを使用している。この代わりにラマンシ
フトネオジミウムドープガラスまたはイットリウムアル
ミニウムガーネットレーザシステムが、ラマンシフタと
して高圧メタンガスを使用することにより1060nmの放射
線を1540nmに変換することができる。赤外線放射線の特
定のレーザ光源および望ましい波長は、本発明の適用性
を制限するものではない。試験下の光ファイバ素子8は
赤外放射線を伝送し、それは10%のエルビウムイオンEr
3+を含むフッ化カルシウムドープ結晶体構造から成るア
ップ変換スクリーン10に放射される。 アップ変換スクリーン10の背後には、シリコンフォト
ダイオードマトリクスアレイ12があり、これは例えば10
0×100のシリコンフォトダイオードマトリクスアレイと
アレイの走査を制御する関連した通常の電子部品(示さ
れていない)を設置するEG & G ReticonモデルMC520
カメラの一部であってもよい。フォトダイオードマトリ
クスアレイの飽和を避けるために中性デンシティフィル
タ11または開口隔膜(示されていない)によって許容で
きるレベルまで入力ビームを減衰させることが可能であ
る。前述のようにレーザビームのパワーはアップ変換ス
クリーン10の感応性の直線性を保証するために1ワット
/cm2以上であるべきである。例えばEG & G Reticonモ
デル No.RS510のようなカメラ制御ユニットを含むよう
なマイクロプロセッサに基いた制御ユニット14、インタ
ーフェイス回路および適切なアルゴリズムを有するマイ
クロプロセッサは、データを読出してビデオ信号をフォ
トダイオードマトリクスアレイ12から受信し、続いて情
報を処理するために必要なタイミングの情報を走査制御
ユニットに与える。アナログデジタル変換回路16は、は
じめに各アレイ素子からのビデオ信号をデジタルフォー
マットに変換し、それから適切なコンピュータインター
フェイスユニット(示されていない)を通してそれらを
マイクロプロセッサ14に伝送する。例えばコンピュータ
インターフェイユニットは、XYカウンタおよび偶数−奇
数文字レジスタから成る。光ファイバからの赤外放射線
のビームパスにおける赤外線検知器、またはその代わり
の可視波長光検知器18は、変換スクリーン10からの光線
の焦点がレンズ20によって結ばれるときにこの光線を監
視できる。光検知器18は、エネルギが受取られてフォト
アレイ12により蓄積されたときを示すためにタイミング
情報をインターフェイスユニットに提供する。コンピュ
ータのRAMメモリ22または類似のものは、アナログデジ
タル変換器16から受取られたデジタルデータを蓄積す
る。マイクロプロセッサ14は、走査する素子を制御する
ために直接的な検知器アレイに結合されるか、または選
択された特有の方法にしたがってカメラ制御ユニットに
結合されることができ、さらに蓄積されたデータを処理
するようにコンピュータメモリ22に結合される。さらに
マイクロプロセッサ14は、発生された値を自動的にユー
ザーに提供するようにディスプレイ24に結合されてい
る。 インターフェイスユニットは、パルスおよび連続波
(CW)という2つの機能モードを有することができる。
パルス化されたレーザは放射線源として使用されるた
め、画像データは以下の事項のシーケンスによって示さ
れるシステムに応じて処理されることができる。ヒュー
レットパッカードモデルHP9845コンピュータからI/Oラ
ンインおよびPTCL信号を受取るとすぐにXYカウンタは、
走査アドレスのカウント(1から10000まで)を開始す
ることができ、レーザパルスが存在しない場合にはその
過程はほぼ40msecごとに繰返される。レーザパルスが発
生するとき、インターフェイスユニットのセンサ20がXY
カウンタを停止させ、フリップフロップを付勢して画像
データの第1のバイトのアドレスを固定する。この情報
は後で使用するためにオンピュータメモリ22に伝送され
る。同時に偶数/奇数文字レジスタは、カメラRS520端
子から受取られた画像データ(8ビット/文字)を蓄積
し始め、それらを16ビット(2画素)のデータワードに
変換する。この過程の完了におてインターフェイスユニ
ットはデータレディ信号(PELG)をコンピュータ14に送
信し、コンピュータ14は、直接メモリアクセスチャンネ
ルを介して16ビットの画像および暗電流データをRAMメ
モリ中に蓄積し始める。RAMアドレスカウントは10000、
すなわち画像と暗電流との間で等しく分割された20000
バイトに設定されることができる。データ蓄積終了後、
コンピュータ14は画像データから暗電流を減じ、インタ
ーフェイスユニットによって供給された第1の画像バイ
トのXYアドレスを分析して、さらに既知の等式ににした
がって開口数を導出するために情報を再構成して処理す
るようにプログラムされている。この点においてインタ
ーフェイスユニットは“アイドル状態”になっているた
め、コンピュータ14から次のI/OおよびPTCL信号を受信
する準備ができている。 第4図を参照すると、第2図の実施例から僅かに修正
された本発明の別の実施例が示されている。これら実施
例の両方に関して、米国特許出願第4320462号明細書の
公表内容が、重要ではないが本発明の適用の理解に役立
つ付加的な背景情報を提供するために参照文献とされ
る。 第4図の実施例において、赤外線レーザ源30はレーザ
ビームを本発明のアップ変換スクリーンのようなIR変換
器32の方向に放射する。レーザビームの一部分は半透明
のリフレクタ部品34によって適切なフラッシュ検知器36
に導かれる。フォトダイオードアレイは可視放射線をIR
変換器32から受取るように設置されている。フォトダイ
オードアレイはEG & G ReticonモデルMC520カメラの
ようなカメラ38の一部分である。適切なフィルタおよび
放射線の焦点を結び、導く光学レンズが使用されるが、
簡単化するために第4図には召されていない。EG & G
ReticonモデルRS520のようなマトリクスカメラ制御装
置40はフォトダイオードアレイの走査を制御し、ビデオ
信号を供給することができる。さらにタイミングは、ヒ
ューレットパッカードモデルHP9845コンピュータのよう
なマイクロプロセッサ44によって順次制御されることが
できるDMAインターフェイス回路42によって補われてい
る。 理解されるように回路は説明のために示されたもので
あり、通常の回路部品を実際の回路装置のために補うこ
とができる。 理解されるように通常の信号処理技術は、例えばデー
タを蓄積する予備走査を行い、それから赤外線レーザパ
ルスの可視エネルギへの変換を実際に測定する間に蓄積
されたデータを基準値として使用することによって、検
知器アレイによって測定されるどのような背景雑音レベ
ルでも除外または最小にするように使用されることがで
きる。 第4図を参照すると、一度レーザパルスがフラッシュ
検知器36によって遠地されると、DMAインターフェイス4
2により、カメラ制御装置40は可視画像パターンのビデ
オ信号を与えるようにカメラ38を制御することができ
る。第4図の実施例において、全体のエネルギの値およ
び赤外線レーザビームの相対的な位置と発散を計算する
ことができる。計算は以下のように行われる。 総合エネルギ(PT)は以下の等式から計算される。 ここにおいてPiは、特定の検知素子におけるエネルギ
であり、合計は全検知素子についてであり、n=1024は
検知器アレイにおける検知素子の代表的な数である。 ボアサイト、すなわち相対位置の計算は、レーザビー
ムの中心または重心を定める一組の直角軸の周囲のエネ
ルギのモーメントを計算することによって行われる。こ
の計算は、物体の重心を決定するために行われる計算と
類似したものである。例えば2次元の物体の重心の位置
は以下の等式から計算されることができる。 ここにおいておよびは物体の重心のxとyの座標
であり、xiおよびyiは特定の組の基準軸から測定された
特定の無限小の質量素子miまでのモーメントのアームの
長さである。この計算は物理学または工学分野の技術者
によく知られている。計算されたボアサイトは既知の検
知アレイの中心と比較されてもよく、必要ならばレーザ
ビームはその位置に設定されたその中心を有するように
調節されてもよい。 発散の計算は、エネルギの90%が含まれているレーザ
ビームの直径を算出する。レーザビームの理想的なビー
ムプロフィールの形状は、第7図に見られるように外側
エッジの近くで指数的に次第に減少するパワーレベルを
有するガウス曲線である。全エネルギの90%を含むビー
ムの直径の測定は、レーザビームプロフィールの比較に
対する測定基準値を提供する。発散はまた焦点を結ばれ
たレーザビームの角度的な偏差(ミリラジアンで)とし
て表されてもよい。またこれはレーザビームの“広が
り”とも呼ばれる。角度的な偏差は、ビーム直径のレー
ザ源と検知器アレイとの間の距離に対する比によってミ
リラジアンで与えられる。 発散は、開始点として予め定められたビーム中心の検
知器素子を使用し、検知器アレイの素子と関連された蓄
積信号を予め定められた方法で合計することにより測定
される。マイクロプロセッサ44は、90%のエネルギ値に
達するまで変動する直径の周囲を計算する検知器素子の
組を合計する。一度90%のエネルギ値に達すると、対応
するビームの直径がディスプレイに供給されることがで
きる。 第5図、本発明のアップ変換スクリーンの分解能を決
定する試験過程を表している。これに関してIRレーザ50
は、米国空軍分解能標的52の垂直ラインに向けられる。
垂直ラインは、その上に開口(示されていない)を設置
することによって標的の他の部分から分離されている。
垂直ラインのこのグループに対する空間的な周波数は、
1mmに対して8ライン対として与えられ、これにより2
つのラインの間の分離が125μmとなる。アップ変換ス
クリーン54上の1:1映像の焦点はレンズ56によって結ば
れる。フォトダイオードアレイ58は、120μmの分解能
を可能にする60μmのアレイに分離したダイオードを有
する。図から認められるように垂直ラインの空間周波数
は、フォトダイオードアレイDMAの分解能限界に近い。
アップ変換スクリーン54の分解能に関する歪みのない情
報を得るためにダイオードマトリクスアレイ58上に映写
された映像は、係数2でレンズ60を通じて光学的に拡大
される。記録されたラインは十分に分解され、この試験
によって明かにされた本発明のアップ変換スクリーン54
の分解能の上限は、125μm以上である。アップ変換ス
クリーンの空間分解能は、共同ルミネセンス過程よりも
その厚さによって主として制限されることが決定され
た。本発明はスクリーンの背後よりもクリーンの感応表
面に対する角度で焦点を結ばれた検知器アレイと共に動
作できることが認められる。 本発明は、全エネルギ、発散および赤外線の範囲にお
ける平均位置を含んだあるレーザビームパラメータ用の
迅速で効率的な測定を行なう装置を開示している。 さらに本発明は、赤外線の範囲における光ファイバ用
の開口数の自動測定装置を開示している。 上記の実施例は単に本発明を示しているだけでなく、
本発明の原理を適用できる可能性のある特定の実施例の
限定数もまた表している。しかしその他の多数のさまざ
まな装置は、本発明の技術的範囲から逸脱することなく
これらの原理にしたがって当該業者によって容易に製造
されるものである。
置に関し、特にレーザ赤外波長範囲における光ファイバ
特性測定装置に関する。 [従来技術] 光ファイバは、多数の情報および通信システムにおい
て重要な電子光学部品となってきている。エネルギを伝
送する特殊な光ファイバの機能は、設計上重要なポイン
トである。光ファイバ通信技術分野における最近の流れ
は、1.3ミクロンおよび1.6ミクロンでそれぞれいわゆる
2次および3次ファイバ伝送窓のために光ファイバおよ
び光学部品を開発することである。これらの伝送窓は、
λ-4の波長依存を呈する減少されたレイリー散乱による
低い光ファイバエネルギ損失を特徴とすることが明かに
されている。この技術の有効性がさらに認識されたこと
により、これらの光ファイバ特性測定の必要性が高まっ
た。 標準的な測定の従来の形態の1つは、最大のエネルギ
伝送束の半分の角度の正弦を開口数とすることである。
この光ファイバの測定は、ファイバの光集束能力を決定
する。すなわち光受容錐体の半分の角度θ/2を定める。
この錐体内にある角度で放射された光波は導かれ、一方
それより大きい角度でファイバ錐体内に入来した光線は
失われる。開口数NAは、以下の関係により受容錐体角度
に関連するものである。 ここにおいてnは、空気のような境界媒体の屈折率で
あり、n1およびn2はそれぞれ光ファイバのコアおよびク
ラッドの屈折率である。したがって数字で示される開口
数の測定は、LEDまたはレーザのような光源に対する光
ファイバの結合効果を測定する場合の重要なパラメータ
となる。またそれは異なるファイバが結合される場合の
入射損失を計算し、微少な湾曲が与えるファイバへの影
響を測定するときに重要である。 光ファイバ開口数測定の標準的な方法は、通常電子工
業機構と共同して国際機構により発表されたガイドライ
ンに従うものであり、その測定には2%以内の正確性が
要求される。光ファイバの開口数測定の伝統的な技術
は、開口数が計算されることのできる光ファイバ屈折率
プロフィールを測定する高価で複雑な干渉計技術、もし
くは光ファイバから出ている放射線の遠いフィールドパ
ターンを測定する比較的簡単な技術を含む。しかしなが
らこれらの技術は共に可視光線を使用するので、結果と
して得られた開口数の実験値は、赤外波長の伝送の行わ
れた開口数の実際の値とほぼ10%異なる。 従来の装置を使用して光ファイバ中の赤外伝送を測定
することは、困難であることをが証明された。従来の赤
外線源は、高価になりうる注入レーザーダイオードと白
熱光源であり、レーザーダイオードの場合には低いパワ
ーを放射し、一方の白熱光源の場合は面倒なものにな
る。シリコンダイオードマトリクスアレイは1ミクロン
以上の放射線波長に対して比較的感応性が鈍いため、赤
外線範囲で放射する実際的なLEDは存在せず、赤外線放
射を示す場合に問題があり、また熱電検知器マトリクス
アレイは非常に高価であり、不適切な解像度になりがち
である。 [発明の解決しようとする課題] したがって、熱電検知器マトリックスアレイのような
高価な装置を使用しないで高い解像度が得られる赤外線
領域における開口数測定装置が必要とされる。 本発明の目的は、比較的安価で、しかも高い解像度が
得られる赤外線を伝送する光ファイバの開口数測定装置
を提供することである。 [課題を解決するための手段] この発明によれば、この目的は、赤外線領域における
光ファイバの開口数を測定する赤外線測定装置におい
て、設置されている光ファイバの一端から放射するため
に光ファイバを通って赤外線エネルギを伝送する手段
と、光ファイバの末端から予め定められた距離に配置さ
れ、光ファイバ端部から放射された赤外線エネルギを受
けて、それより短い波長のエネルギに変換するための、
約10モル%のエルビウムイオン濃度を有する活性変換材
料で構成された100乃至300ミクロンの厚さを有するスク
リーン部材を具備する変換手段と、この短い波長のエネ
ルギを検出してそのエネルギ分布記録し、その記録デー
タから開口数を計算する手段とを具備している赤外線測
定装置によって達成される。 活性変換材料は例えばフッ化カルシウムをホスト材料
としてこれをエルビウムイオンでドープすることにより
得られる。発光強度はドープ量によって変化し、第6図
を参照にして後述するようにエルビウムイオンが約10モ
ル%のとき最高の光強度が得られる。また、このスクリ
ーンの厚さは画像の解像度に影響し、また極端に薄くな
れば十分な変換ができなくなるから100乃至300ミクロン
のの範囲の厚さに選定することが必要である。 本発明によれば、可視スペクトルにより赤外線領域に
おける光ファイバの開口数の測定を行うことができるた
めに、例えばシリコンダイオードマトリックスアレイの
ような比較的廉価なマトリックスアレイを使用すること
が可能になる。 以下添付図面を参照に実施例で説明する。 [図面の簡単な説明] 第1図は光ファイバ開口数測定用の概要を示し、 第2図は開口数測定用のシステムであり、 第3図は本発明のアレイセンサの実際の測定の3次元
グラフィック表示であり、 第4図は赤外放射線の映像を実現する別の実施例であ
り、 第5図は赤外放射線の映像を実現するさらに別の実施
例であり、 第6図は、一定のサンプル放射に対するエルビウムイ
オン濃度の関数として表された最強放射線帯域の強度を
示すグラフであり、 第7図は光ファイバから放射された放射線のエネルビ
分布のグラヘである。 [実施例] 以下の説明は電子−光学分野における当行者が本発明
を製造して使用できるように行われ、またこの発明を実
現するために発明者によって熟考された最良の方法を示
している。しかしながら本発明の特有の原理は、特に短
い波長に赤外線エネルギを変換し、レーザビームおよび
赤外線エネルギを伝送する光ファイバの特性を測定する
新規で比較的安価な装置を提供するので、種々の修正は
当該業者には容易に明かであろう。 本発明の第1の目的は、例えば1540nmの波長の赤外線
エネルギを検知アレイによる検知に適合できるもっと短
い波長に変換する比較的安価な装置を提供することであ
る。本発明者は、共同ルミネセンス処理の簡単なモデル
に質的に適合可能な強度の依存関係がおよびアップ変換
または可視変換放射線の一時的な特性の実験的測定を行
なった。本発明は、市販および試験結果の再現可能性に
対する適切な効率、感応性、ダイナミック範囲、分解
能、応答速度および直線性の条件を満たすことが明かに
なった。 換言すると本発明は、共同する機構による連続的なエ
ネルギーの転移に伴い異なる原子中において吸収が生
じ、その結果1つの原子中の活性エネルギの累積となる
アルカリ土類ハロゲン化合物のような変換材料の活性化
に依存している。複数の原子の基底状態の電子はそれぞ
れ1つの赤外線光量子を吸収し、そのエネルギは次に非
放射線過程を通じて単一原子に転移し、それを活性化し
て蛍光発光を行う高いエネルギレベルにする。アップ変
換処理の非ストークス特性のために出力光線の波長は、
入力放射線の波長よりも短くなる。この現像をさらに説
明するために、P.Feotillov他による文献(“Applied
Optics"第6巻、1828頁、1967年)およびV.Ovsyankinに
よる文献(“Optical Spectroscope"第28巻、112頁、1
970年)中の各章を参照することができる。 本発明は、90乃至1600nmの波長範囲において赤外線放
射を効率的に変換するフッ化カルシウム結晶中に含まれ
るEr3+のような種々のホスト材料中のイオン化されたア
ルカリ希土ハロゲン化合物を使用することにより達成さ
れる。本発明は、比較的安価なシリコンPINフォトダイ
オードマトリックアレイと共に都合よく使用されること
ができる変換スクリーンを提供するために、フッ化カル
シウムCaF2のマトリクスに混合されたエルビウムイオン
の混合結晶体におけるアップ変換処理を使用する。設計
努力のパラメータは、本発明を展開する際の他の要因、
すなわち効率、直線性、飽和、応答時間および空間分解
能をアドレスする。 本発明の動作において、エルビウムイオンでドープさ
れたフッ化カルシウムのアップ変換スペクトルは、約1
ミリセカンド継続する長いパルスを有する約100ワット
のピークパワーの1540nmのレーザ放射によって励起され
る。その結果変換された放射線は、380nmと2700nmとの
間に延在する複数の20乃至50nmの幅のエネルギ帯域から
成っていた。増加する強度の順に並べられた放射線の最
強帯域は、第6図において見られるように、ほぼ980,67
0,805および550nmで最高となった。第6図は、一定のサ
ンプル放射に対するエルビウムイオン濃度の関数として
表される最強帯域の強度を示している。サンプルにおい
て最も効果的に発生するアップ変換は約10モル%のエル
ビウムイオンを含むことが分った。 試験の結果、980nm帯域は2光量子処理によって励起
されるため、本発明の目的に最適であること明らかにな
り、この帯域がアップ変換スペクトルにおいて最も強
く、シリコンPINフォトダイオードの最大応答性と対応
した波長である。また1cm2につき1ワットで飽和が始ま
ることも分った。後に記述されているように、中性デン
シティフィルタが飽和レベルを制御するために使用され
ることができる。 したがって好ましい実施例においてホスト材料として
フッ化カルシウムを使用して映像スクリーンが生成さ
れ、最適エルビウムイオン濃度は約10モル%であること
が明かになった。900nmの波長における映像スクリーン
での特性の直線性を保証するために、スクリーンにおい
て1ワット/cm2の最小レーザビーム放射が必要である。 本発明のアップ変換スクリーンは、2つの別個の技術
から形成される。第1の技術は、連続的に研磨され、30
0ミクロン以下の厚さまで研磨されたガラス基体に接着
された単結晶を使用したものである。第2の技術はCaF2
のアップ変換材料を微粒子にし、通常の光学接合剤で15
40nmの放射線に対して透明なエポキシ結合剤と混合して
からガラス基体上に薄い100乃至300ミクロンの乳剤とし
てそれを付着させるものである。 第1の技術は直径1乃至2cmのスクリーンを形成し、
一方第2の技術により比較的大きさに制限ない広いスク
リーンを形成することができる。スクリーンの空間的異
分解能は、アップ変換材料の共同ルミセンス処理よりも
むしろ乳剤の性質(粒のあらさ)および厚さと、照射の
一定性によって限定される。 第1図を参照すると開口数に関する情報が発生される
仕組みが表わされている。レーザ光源(示されていな
い)は、光ファイバ素子4の一端によって受取るためレ
ーザビーム2を発生するように設置されている。一般的
に光ファイバ素子は、2mの長さであり、固定装置5の中
に適切に設けられている。図から認められるように光フ
ァイバ素子は、光ファイバ素子の光軸で垂直でレーザ放
射線を錐体角度0にわたって放射する平坦な端部を備え
ている。測定は10d2/λよりもいくぶん大きい距離で行
われ、ここでdは光ファイバの直径、λは放射している
放射線の波長である。 第7図は最大強度の5%で決定された遠い画角(farf
ield angle)での放射線分布断面図である。レーザビー
ム2と光ファイバ4との結合から認められるように光フ
ァイバの受容錐体角度を越える放射線の放射はいずれも
過剰となり、システムに使用することはできない。 特定の光ファイバ用の開口数を得るための遠い画角の
測定技術は、可視スペクトルについては知られている。
本発明は、赤外線エネルギ範囲における開口数の値を通
して実際の効率を測定するために可視波長を使用する測
定を補間しようと試みたときに生じた不正確性をアドレ
スする。 第2図を参照すると、本発明の1実施例が示されてい
る。1540nmの放射線を放射可能なレーザ光源6が使用さ
れる。これに関して本発明は、約1msec継続するパルス
を伴う約100ワットのピークパワーを放射するエルビウ
ムガラスレーザを使用している。この代わりにラマンシ
フトネオジミウムドープガラスまたはイットリウムアル
ミニウムガーネットレーザシステムが、ラマンシフタと
して高圧メタンガスを使用することにより1060nmの放射
線を1540nmに変換することができる。赤外線放射線の特
定のレーザ光源および望ましい波長は、本発明の適用性
を制限するものではない。試験下の光ファイバ素子8は
赤外放射線を伝送し、それは10%のエルビウムイオンEr
3+を含むフッ化カルシウムドープ結晶体構造から成るア
ップ変換スクリーン10に放射される。 アップ変換スクリーン10の背後には、シリコンフォト
ダイオードマトリクスアレイ12があり、これは例えば10
0×100のシリコンフォトダイオードマトリクスアレイと
アレイの走査を制御する関連した通常の電子部品(示さ
れていない)を設置するEG & G ReticonモデルMC520
カメラの一部であってもよい。フォトダイオードマトリ
クスアレイの飽和を避けるために中性デンシティフィル
タ11または開口隔膜(示されていない)によって許容で
きるレベルまで入力ビームを減衰させることが可能であ
る。前述のようにレーザビームのパワーはアップ変換ス
クリーン10の感応性の直線性を保証するために1ワット
/cm2以上であるべきである。例えばEG & G Reticonモ
デル No.RS510のようなカメラ制御ユニットを含むよう
なマイクロプロセッサに基いた制御ユニット14、インタ
ーフェイス回路および適切なアルゴリズムを有するマイ
クロプロセッサは、データを読出してビデオ信号をフォ
トダイオードマトリクスアレイ12から受信し、続いて情
報を処理するために必要なタイミングの情報を走査制御
ユニットに与える。アナログデジタル変換回路16は、は
じめに各アレイ素子からのビデオ信号をデジタルフォー
マットに変換し、それから適切なコンピュータインター
フェイスユニット(示されていない)を通してそれらを
マイクロプロセッサ14に伝送する。例えばコンピュータ
インターフェイユニットは、XYカウンタおよび偶数−奇
数文字レジスタから成る。光ファイバからの赤外放射線
のビームパスにおける赤外線検知器、またはその代わり
の可視波長光検知器18は、変換スクリーン10からの光線
の焦点がレンズ20によって結ばれるときにこの光線を監
視できる。光検知器18は、エネルギが受取られてフォト
アレイ12により蓄積されたときを示すためにタイミング
情報をインターフェイスユニットに提供する。コンピュ
ータのRAMメモリ22または類似のものは、アナログデジ
タル変換器16から受取られたデジタルデータを蓄積す
る。マイクロプロセッサ14は、走査する素子を制御する
ために直接的な検知器アレイに結合されるか、または選
択された特有の方法にしたがってカメラ制御ユニットに
結合されることができ、さらに蓄積されたデータを処理
するようにコンピュータメモリ22に結合される。さらに
マイクロプロセッサ14は、発生された値を自動的にユー
ザーに提供するようにディスプレイ24に結合されてい
る。 インターフェイスユニットは、パルスおよび連続波
(CW)という2つの機能モードを有することができる。
パルス化されたレーザは放射線源として使用されるた
め、画像データは以下の事項のシーケンスによって示さ
れるシステムに応じて処理されることができる。ヒュー
レットパッカードモデルHP9845コンピュータからI/Oラ
ンインおよびPTCL信号を受取るとすぐにXYカウンタは、
走査アドレスのカウント(1から10000まで)を開始す
ることができ、レーザパルスが存在しない場合にはその
過程はほぼ40msecごとに繰返される。レーザパルスが発
生するとき、インターフェイスユニットのセンサ20がXY
カウンタを停止させ、フリップフロップを付勢して画像
データの第1のバイトのアドレスを固定する。この情報
は後で使用するためにオンピュータメモリ22に伝送され
る。同時に偶数/奇数文字レジスタは、カメラRS520端
子から受取られた画像データ(8ビット/文字)を蓄積
し始め、それらを16ビット(2画素)のデータワードに
変換する。この過程の完了におてインターフェイスユニ
ットはデータレディ信号(PELG)をコンピュータ14に送
信し、コンピュータ14は、直接メモリアクセスチャンネ
ルを介して16ビットの画像および暗電流データをRAMメ
モリ中に蓄積し始める。RAMアドレスカウントは10000、
すなわち画像と暗電流との間で等しく分割された20000
バイトに設定されることができる。データ蓄積終了後、
コンピュータ14は画像データから暗電流を減じ、インタ
ーフェイスユニットによって供給された第1の画像バイ
トのXYアドレスを分析して、さらに既知の等式ににした
がって開口数を導出するために情報を再構成して処理す
るようにプログラムされている。この点においてインタ
ーフェイスユニットは“アイドル状態”になっているた
め、コンピュータ14から次のI/OおよびPTCL信号を受信
する準備ができている。 第4図を参照すると、第2図の実施例から僅かに修正
された本発明の別の実施例が示されている。これら実施
例の両方に関して、米国特許出願第4320462号明細書の
公表内容が、重要ではないが本発明の適用の理解に役立
つ付加的な背景情報を提供するために参照文献とされ
る。 第4図の実施例において、赤外線レーザ源30はレーザ
ビームを本発明のアップ変換スクリーンのようなIR変換
器32の方向に放射する。レーザビームの一部分は半透明
のリフレクタ部品34によって適切なフラッシュ検知器36
に導かれる。フォトダイオードアレイは可視放射線をIR
変換器32から受取るように設置されている。フォトダイ
オードアレイはEG & G ReticonモデルMC520カメラの
ようなカメラ38の一部分である。適切なフィルタおよび
放射線の焦点を結び、導く光学レンズが使用されるが、
簡単化するために第4図には召されていない。EG & G
ReticonモデルRS520のようなマトリクスカメラ制御装
置40はフォトダイオードアレイの走査を制御し、ビデオ
信号を供給することができる。さらにタイミングは、ヒ
ューレットパッカードモデルHP9845コンピュータのよう
なマイクロプロセッサ44によって順次制御されることが
できるDMAインターフェイス回路42によって補われてい
る。 理解されるように回路は説明のために示されたもので
あり、通常の回路部品を実際の回路装置のために補うこ
とができる。 理解されるように通常の信号処理技術は、例えばデー
タを蓄積する予備走査を行い、それから赤外線レーザパ
ルスの可視エネルギへの変換を実際に測定する間に蓄積
されたデータを基準値として使用することによって、検
知器アレイによって測定されるどのような背景雑音レベ
ルでも除外または最小にするように使用されることがで
きる。 第4図を参照すると、一度レーザパルスがフラッシュ
検知器36によって遠地されると、DMAインターフェイス4
2により、カメラ制御装置40は可視画像パターンのビデ
オ信号を与えるようにカメラ38を制御することができ
る。第4図の実施例において、全体のエネルギの値およ
び赤外線レーザビームの相対的な位置と発散を計算する
ことができる。計算は以下のように行われる。 総合エネルギ(PT)は以下の等式から計算される。 ここにおいてPiは、特定の検知素子におけるエネルギ
であり、合計は全検知素子についてであり、n=1024は
検知器アレイにおける検知素子の代表的な数である。 ボアサイト、すなわち相対位置の計算は、レーザビー
ムの中心または重心を定める一組の直角軸の周囲のエネ
ルギのモーメントを計算することによって行われる。こ
の計算は、物体の重心を決定するために行われる計算と
類似したものである。例えば2次元の物体の重心の位置
は以下の等式から計算されることができる。 ここにおいておよびは物体の重心のxとyの座標
であり、xiおよびyiは特定の組の基準軸から測定された
特定の無限小の質量素子miまでのモーメントのアームの
長さである。この計算は物理学または工学分野の技術者
によく知られている。計算されたボアサイトは既知の検
知アレイの中心と比較されてもよく、必要ならばレーザ
ビームはその位置に設定されたその中心を有するように
調節されてもよい。 発散の計算は、エネルギの90%が含まれているレーザ
ビームの直径を算出する。レーザビームの理想的なビー
ムプロフィールの形状は、第7図に見られるように外側
エッジの近くで指数的に次第に減少するパワーレベルを
有するガウス曲線である。全エネルギの90%を含むビー
ムの直径の測定は、レーザビームプロフィールの比較に
対する測定基準値を提供する。発散はまた焦点を結ばれ
たレーザビームの角度的な偏差(ミリラジアンで)とし
て表されてもよい。またこれはレーザビームの“広が
り”とも呼ばれる。角度的な偏差は、ビーム直径のレー
ザ源と検知器アレイとの間の距離に対する比によってミ
リラジアンで与えられる。 発散は、開始点として予め定められたビーム中心の検
知器素子を使用し、検知器アレイの素子と関連された蓄
積信号を予め定められた方法で合計することにより測定
される。マイクロプロセッサ44は、90%のエネルギ値に
達するまで変動する直径の周囲を計算する検知器素子の
組を合計する。一度90%のエネルギ値に達すると、対応
するビームの直径がディスプレイに供給されることがで
きる。 第5図、本発明のアップ変換スクリーンの分解能を決
定する試験過程を表している。これに関してIRレーザ50
は、米国空軍分解能標的52の垂直ラインに向けられる。
垂直ラインは、その上に開口(示されていない)を設置
することによって標的の他の部分から分離されている。
垂直ラインのこのグループに対する空間的な周波数は、
1mmに対して8ライン対として与えられ、これにより2
つのラインの間の分離が125μmとなる。アップ変換ス
クリーン54上の1:1映像の焦点はレンズ56によって結ば
れる。フォトダイオードアレイ58は、120μmの分解能
を可能にする60μmのアレイに分離したダイオードを有
する。図から認められるように垂直ラインの空間周波数
は、フォトダイオードアレイDMAの分解能限界に近い。
アップ変換スクリーン54の分解能に関する歪みのない情
報を得るためにダイオードマトリクスアレイ58上に映写
された映像は、係数2でレンズ60を通じて光学的に拡大
される。記録されたラインは十分に分解され、この試験
によって明かにされた本発明のアップ変換スクリーン54
の分解能の上限は、125μm以上である。アップ変換ス
クリーンの空間分解能は、共同ルミネセンス過程よりも
その厚さによって主として制限されることが決定され
た。本発明はスクリーンの背後よりもクリーンの感応表
面に対する角度で焦点を結ばれた検知器アレイと共に動
作できることが認められる。 本発明は、全エネルギ、発散および赤外線の範囲にお
ける平均位置を含んだあるレーザビームパラメータ用の
迅速で効率的な測定を行なう装置を開示している。 さらに本発明は、赤外線の範囲における光ファイバ用
の開口数の自動測定装置を開示している。 上記の実施例は単に本発明を示しているだけでなく、
本発明の原理を適用できる可能性のある特定の実施例の
限定数もまた表している。しかしその他の多数のさまざ
まな装置は、本発明の技術的範囲から逸脱することなく
これらの原理にしたがって当該業者によって容易に製造
されるものである。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
G02B 6/00 G02B 6/00 A
(72)発明者 シー アイ―フ
アメリカ合衆国 カリフオルニア州
90740 シール・ビーチ,フイア・アベ
ニユー 4656
(72)発明者 ツエング,ロバート
アメリカ合衆国 カリフオルニア州
90717 ロミタ,サドル・ビユー・ドラ
イブ 25934
(56)参考文献 特開 昭60−82831(JP,A)
特開 昭56−154631(JP,A)
米国特許3397316(US,A)
Appl.Phys.Lett.39
[8](1981)pp.587〜589.
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.赤外線領域における光ファイバの開口数を測定する
赤外線測定装置において、 設置されている光ファイバの一端から放射するために光
ファイバを通って赤外線エネルギを伝送する手段と、 光ファイバの末端から予め定められた距離に配置され、
光ファイバ端部から放射された赤外線エネルギを受け
て、それより短い波長のエネルギに変換するための、約
10モル%のエルビウムイオン濃度を有する活性変換材料
で構成された100乃至300ミクロンの厚さを有するスクリ
ーン部材を具備する変換手段と、 この短い波長のエネルギを検出してそのエネルギ分布記
録し、その記録データから開口数を計算する手段とを具
備していることを特徴とする赤外線測定装置。 2.前記検出して記録する手段は、前記変換手段から受
取られた短い波長を検出する検出器アレイと、短い波長
のエネルギのパターンの画角を表すデジタル信号を生成
する手段と、およびそのデジタル信号を自動的に処理し
て光ファイバの予め定められたパワーに対する開口数の
決定を行う手段とを具備している請求項1記載の装置。 3.前記変換手段は、900乃至1600ナノメータの範囲の
十分な強度の赤外線エネルギを受けるとき励起される請
求項1記載の装置。 4.スクリーンがエルビウムイオンでドーブされている
結晶材料で構成されている請求項1記載の装置。 5.結晶材料がフッ化カルシウムである請求項1記載の
装置。 6.前記変換手段は、入射赤外線の波長より短い波長の
エネルギを放射することのできるエルビウムイオンでド
ーブされているアルカリ土類ハロゲン化合物の変換スク
リーンおよび中性デンシティフィルタを含み、フィルタ
は飽和を阻止するために記録手段の前方に配置されてい
る請求項1記載の装置。 7.前記記録手段は検出器アレイである請求項6記載の
装置。 8.記録されたデータから光ファイバの開口数を自動的
に決定する手段を有する請求項1記載の装置。 9.前記変換手段は約10モル%のエルビウムイオンでド
ープされた結晶材料のスクリーンを具備し、結晶材料が
900乃至1600ナノメータの範囲の十分な強度の赤外線エ
ネルギを受けるとき励起され、 変換手段から受取られた短い波長のエネルギを検出し、
この短い波長のエネルギ強度を示す電気信号を出力する
検出器アレイと、 前記検出器アレイに結合されて供給された信号をデジタ
ル化する手段と、 予め定められた方法により前記検出器アレイを走査し、
受信されたデジタル信号を蓄積するメモリを具備し、開
口数を与えるようにこのデジタル化された信号を処理す
る計算手段とを具備している請求項1記載の赤外線測定
装置。 10.スクリーンは光学的に透明なバインダー中に埋設
されたフッ化カルシウム粒子の混合物で構成されている
請求項1または9記載の装置。 11.前記赤外線エネルギを伝送する手段は、最小1ワ
ット/cm2のエネルギでスクリーンを照射する手段を備え
ている請求項1または9記載の装置。 12.中性デンシティフィルタを具備し、このフィルタ
は飽和を阻止するために検出器の前方に配置されている
請求項9記載の装置。 13.赤外線レーザパルスに対してその全エネルギ、お
よび装置に入射する赤外線レーザビームの相対的な位置
および発散を測定するレーザシステム解析用の赤外線測
定装置において、 約10モル%の濃度のエルビウムイオンを含む活性変換材
料で構成された100乃至300ミクロンの厚さを有する赤外
線レーザパルスを可視エネルギに変換する変換部材と、 前記変換部材から受取られた可視エネルギを検出し、可
視エネルギを示す電気信号を出力する検出器アレイと、 前記検出器アレイに結合され、それから出力された信号
をデジタル化する手段と、 予め定められた方法により前記検出器アレイを走査し、
受信されたデジタル信号を蓄積するメモリを具備し、前
記レーザビームの全エネルギ、相対的な位置および発散
値を与えるように前記デジタル信号を処理する計算手段
とを具備していることを特徴とする赤外線測定装置。
Applications Claiming Priority (2)
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-
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- 1987-06-29 KR KR1019880700434A patent/KR910008061B1/ko not_active IP Right Cessation
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