JPH03140824A - 光受信モジュール - Google Patents
光受信モジュールInfo
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- JPH03140824A JPH03140824A JP1277044A JP27704489A JPH03140824A JP H03140824 A JPH03140824 A JP H03140824A JP 1277044 A JP1277044 A JP 1277044A JP 27704489 A JP27704489 A JP 27704489A JP H03140824 A JPH03140824 A JP H03140824A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光通信あるいは光情報処理に使用される光受
信モジュールに関し、特に伝送速度が１ギガビツト（Ｇ
ｂ／ｓ）を越える超高速動作領域に対応する光受信モジ
ュールに関する。
信モジュールに関し、特に伝送速度が１ギガビツト（Ｇ
ｂ／ｓ）を越える超高速動作領域に対応する光受信モジ
ュールに関する。
［従来の技術］
従来、この種の光受信モジュールは、第２図（ａ）に示
す様に金属部材よりなるパッケージ１を備え、このパッ
ケージ１内には光電気変換素子２を搭載したサブキャリ
ア３および増幅回路ＩＣ５を搭載した混成ＩＣ４（以下
１−Ｉ Ｉ Ｃと記す）が半田材により固着搭載されて
いる。
す様に金属部材よりなるパッケージ１を備え、このパッ
ケージ１内には光電気変換素子２を搭載したサブキャリ
ア３および増幅回路ＩＣ５を搭載した混成ＩＣ４（以下
１−Ｉ Ｉ Ｃと記す）が半田材により固着搭載されて
いる。
さらに、パッケージの一嬬には円柱状の金属パイプ８が
設けられ、金属パイプ８内には光集束用のレンズ６およ
び光ファイバー７が固定されている。
設けられ、金属パイプ８内には光集束用のレンズ６およ
び光ファイバー７が固定されている。
従来の光受信モジュールにおいて、光ファイバ−７を通
して入力された信号光は、レンズ６により集束さオした
後、光電気変摸索−７−２に入力される一方、光電気変
換素子２によって電気信号に変換された入力信号は、増
幅回路ＩＣ５によって増幅された後、第２図（ｂ）に示
す様にパッケージ側面に設けられたガラス端子９を介し
て外部に出力される。
して入力された信号光は、レンズ６により集束さオした
後、光電気変摸索−７−２に入力される一方、光電気変
換素子２によって電気信号に変換された入力信号は、増
幅回路ＩＣ５によって増幅された後、第２図（ｂ）に示
す様にパッケージ側面に設けられたガラス端子９を介し
て外部に出力される。
［発明が解決しようとする課題］
」ユ述したパッケージ側面に設けられたガラス端子は底
面から２〜７３ミリの位：１１′に設けられ、これらガ
ラス端子９を介して、光電気変換素子２に対するバイア
ス供給、増幅回路ＩＣ５のｉＴｔ源供給および出力信号
の取り出しが行なわれる。
面から２〜７３ミリの位：１１′に設けられ、これらガ
ラス端子９を介して、光電気変換素子２に対するバイア
ス供給、増幅回路ＩＣ５のｉＴｔ源供給および出力信号
の取り出しが行なわれる。
各ガラス端子９は底面から離れているため、光受信モジ
ュールをプリン１〜基板に実装する際、第３図に示す様
にプリン１〜基板の一部な切欠き、プリン１〜基板表面
に、光受信モジュールのリード位置がくる様に実装する
必要があった。この様な実装を行なうことによって、次
段の増幅回路との接続部に寄生するインダクタンスによ
る特性劣化を抑えることができる。
ュールをプリン１〜基板に実装する際、第３図に示す様
にプリン１〜基板の一部な切欠き、プリン１〜基板表面
に、光受信モジュールのリード位置がくる様に実装する
必要があった。この様な実装を行なうことによって、次
段の増幅回路との接続部に寄生するインダクタンスによ
る特性劣化を抑えることができる。
上記したような実装を行なった場合、プリン１〜基板の
実装設計上、また組立」−で大きな欠点になっていた。
実装設計上、また組立」−で大きな欠点になっていた。
また、従来の光受信モジュールでは、プリン１〜基板実
装時に、プリン１一基板と光受信モジュールのパッケー
ジ（金属部材）のｌ！ＩＡ膨張率の差によってガラス端
子に応力が集中するため、第３図に示す様にプリンｌ−
Ｊ、＆板とパッケージの間を３ミリ程度離して実装する
必要があった。
装時に、プリン１一基板と光受信モジュールのパッケー
ジ（金属部材）のｌ！ＩＡ膨張率の差によってガラス端
子に応力が集中するため、第３図に示す様にプリンｌ−
Ｊ、＆板とパッケージの間を３ミリ程度離して実装する
必要があった。
このため、接続ｆｌｌ’のリードに寄生するインダクタ
ンスが大きく、次段増幅回路との接続時に反射による特
性劣化を引き起こすという欠点があったそ才し故に、本
発明の課題は、」二記の様な欠点を除去し、プリン１〜
基板上にパッケージを直接、実装することができ、且つ
、次段の増幅回路との接続時に、インピーダンス整合が
とれて、電気的な反射による特性劣化な防ぐことが可能
な光受信モジュールを提供することにある。
ンスが大きく、次段増幅回路との接続時に反射による特
性劣化を引き起こすという欠点があったそ才し故に、本
発明の課題は、」二記の様な欠点を除去し、プリン１〜
基板上にパッケージを直接、実装することができ、且つ
、次段の増幅回路との接続時に、インピーダンス整合が
とれて、電気的な反射による特性劣化な防ぐことが可能
な光受信モジュールを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明による光受信モジュールのパッケージは、セラミ
ック部材よりなり、パンケージの底面にはセラミックと
熱膨張率が、はぼ同等のフラン１へり−１〜が固定され
ており、且つ、パッケージの底面とフラン１−リーＩ〜
の底面は、はぼ同一のレベルに構成されている。
ック部材よりなり、パンケージの底面にはセラミックと
熱膨張率が、はぼ同等のフラン１へり−１〜が固定され
ており、且つ、パッケージの底面とフラン１−リーＩ〜
の底面は、はぼ同一のレベルに構成されている。
また、光ＸＩＬ気変換素子により電気帰りに変換された
入力信号を増幅する増幅回路ＩＣの出方パターンと、フ
ラン１へリードとを接続するパッケージの内層パターン
は、入力インピーダンスと整合する様に一定（実施例で
は５０Ω）の特性インピーダンスを有している。
入力信号を増幅する増幅回路ＩＣの出方パターンと、フ
ラン１へリードとを接続するパッケージの内層パターン
は、入力インピーダンスと整合する様に一定（実施例で
は５０Ω）の特性インピーダンスを有している。
［作用］
本発明による光受信モジュールをプリン１一基板に実装
する場合、電気的な特性劣化対策として、従来、実施し
てきたプリン１一基板の前加工を削除し、直接、プリン
１〜基板」二に実装することができる６ ［実施例］ 第１図は本発明の一実施例の断面図である。
する場合、電気的な特性劣化対策として、従来、実施し
てきたプリン１一基板の前加工を削除し、直接、プリン
１〜基板」二に実装することができる６ ［実施例］ 第１図は本発明の一実施例の断面図である。
本発明の光受信モジュールにおいて、光電気変換素子２
を搭載したサブキャリア１４は、セラミック部材よりな
り、パッケージ底面に蝋付けさオした金属板 １１ に
、 ＹＡＧ （イツトリウム・フルミニラム・ 力
゛−ネット）レーザー溶接によって固定される。
を搭載したサブキャリア１４は、セラミック部材よりな
り、パッケージ底面に蝋付けさオした金属板 １１ に
、 ＹＡＧ （イツトリウム・フルミニラム・ 力
゛−ネット）レーザー溶接によって固定される。
一方、増幅回路Ｉ Ｃ５と固着搭載したＪ（１（１：
４は、パッケージ底面に蝋付けされた金属ベース１２上
に半ｔｉｌｌ材により固定される。
４は、パッケージ底面に蝋付けされた金属ベース１２上
に半ｔｉｌｌ材により固定される。
また、入力信号光は、光ファイバー７を介してレンズ６
により光電気変換素Ｔ−２の受光面に集束される。
により光電気変換素Ｔ−２の受光面に集束される。
光電気変換素子２で１「気信号に変換された入力信号は
、サブキャリア１４の側面および上面に形成されたメタ
ライズ・パターンを介し、ザブキャリア１４とＩ−Ｉ
Ｉ Ｃ４を接続するワイヤを通して増幅回路ＩＣ５に入
力される。
、サブキャリア１４の側面および上面に形成されたメタ
ライズ・パターンを介し、ザブキャリア１４とＩ−Ｉ
Ｉ Ｃ４を接続するワイヤを通して増幅回路ＩＣ５に入
力される。
増幅回路ＩＣ５の出力は、）−Ｉ Ｉ Ｃ４上に形成さ
れた出力のメタライズ・パターンおよびボンデングワイ
ヤを通して、パッケージ内に形成されたステッチに接続
され、パッケージの内層パターンおよび側面メタライズ
・パターンによって、パッケージの底面に設けられたフ
ラットリード１３に接続さ才する。
れた出力のメタライズ・パターンおよびボンデングワイ
ヤを通して、パッケージ内に形成されたステッチに接続
され、パッケージの内層パターンおよび側面メタライズ
・パターンによって、パッケージの底面に設けられたフ
ラットリード１３に接続さ才する。
光受信モジュール内部は、サブキャリア１４とＨＩ Ｃ
４を搭載しボンデングを完了した後、シーム溶接により
気密封止さｔｂる。本実施例では、パッケージのフラッ
トリード１３はセラミックと熱膨張率を合わせるために
、コバール（鉄、 Ｎｉ、Ｃ。
４を搭載しボンデングを完了した後、シーム溶接により
気密封止さｔｂる。本実施例では、パッケージのフラッ
トリード１３はセラミックと熱膨張率を合わせるために
、コバール（鉄、 Ｎｉ、Ｃ。
の合金）を使用し、パッケージ底面とリード底面が、は
ぼ同一面になる様にパッケージに蝋付けされている。
ぼ同一面になる様にパッケージに蝋付けされている。
さらに、光ファイバー７およびレンズ６を固定する金属
バイブ８の先端には、気密封止用のサファイア・ガラス
１５を有している。
バイブ８の先端には、気密封止用のサファイア・ガラス
１５を有している。
［発明の効果］
以上、説明した様に本発明は、光受信モジュール・パッ
ケージのリードを、パッケージ底面と同じ高さから引き
出すフラットリードとすることにより、増幅回路接続部
に寄生するインダクタンスを減少させることができるで
、プリント基板上へ直接、パッケージの実装がＯｆ能と
なり、プリン１〜基板への実装が簡単にできるという効
果があるまた、パッケージの出力リード側の内層パター
ンを、特性インピーダンス５０Ωとすることにより、次
段の増＠回路との接続時に、インピーダンス整合をとる
ことが可能となり、電気的な反射による特性劣化を抑え
る効果がある。
ケージのリードを、パッケージ底面と同じ高さから引き
出すフラットリードとすることにより、増幅回路接続部
に寄生するインダクタンスを減少させることができるで
、プリント基板上へ直接、パッケージの実装がＯｆ能と
なり、プリン１〜基板への実装が簡単にできるという効
果があるまた、パッケージの出力リード側の内層パター
ンを、特性インピーダンス５０Ωとすることにより、次
段の増＠回路との接続時に、インピーダンス整合をとる
ことが可能となり、電気的な反射による特性劣化を抑え
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は従来の光受信モジュールの断面図。 第３図は従来の光受信モジュールの一実施例を示す図で
ある。 ■ 従来例のパッケージ ２ 光電気変換素子 ３ 従来例のサブキャリア ＨＩＣ ５増幅回路ＩＣ ６レンズ ７ 光ファイバー ８ パイプ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６７ ガ ラス 本実施例のパッケージ 金属板 金属ベース フラットリード 本実施例のサブキャリア サファイア・ガラス プリント基板 シャーシー
、（ｂ）は従来の光受信モジュールの断面図。 第３図は従来の光受信モジュールの一実施例を示す図で
ある。 ■ 従来例のパッケージ ２ 光電気変換素子 ３ 従来例のサブキャリア ＨＩＣ ５増幅回路ＩＣ ６レンズ ７ 光ファイバー ８ パイプ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６７ ガ ラス 本実施例のパッケージ 金属板 金属ベース フラットリード 本実施例のサブキャリア サファイア・ガラス プリント基板 シャーシー
Claims (2)
- （１）セラミック部材よりなるパッケージの内部に、光
電気変換素子を搭載するサブキャリアと、前記光電気変
換素子の出力を増幅する増幅回路ＩＣを搭載する混成Ｉ
Ｃと、前記光電気変換素子に入力信号光を集束させる光
学系を有する光受信モジュールにおいて、前記パッケー
ジはセラミック部材と同等の熱膨張率を有するフラット
リードを、該パッケージの底面に有することを特徴とす
る光受信モジュール。 - （２）前記混成ＩＣの出力信号用メタライズ・パターン
と、前記パッケージの底面に設けられているフラットリ
ードの間を接続する、前記パッケージの内層およびメタ
ライズ・パターンは、入力インピーダンスに応じた一定
の特性インピーダンスを有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光受信モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277044A JPH0625694B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277044A JPH0625694B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光受信モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140824A true JPH03140824A (ja) | 1991-06-14 |
| JPH0625694B2 JPH0625694B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=17578005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277044A Expired - Lifetime JPH0625694B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光受信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625694B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354833A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
| US6071016A (en) * | 1997-03-04 | 2000-06-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light receiving module for optical communication and light receiving unit thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159757A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-27 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 半導体チツプ・パツケージ |
| JPS61153356U (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-22 | ||
| JPS61225842A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1277044A patent/JPH0625694B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159757A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-27 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 半導体チツプ・パツケージ |
| JPS61153356U (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-22 | ||
| JPS61225842A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071016A (en) * | 1997-03-04 | 2000-06-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light receiving module for optical communication and light receiving unit thereof |
| JPH11354833A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0625694B2 (ja) | 1994-04-06 |
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