JPH10247742A - 光通信用受光モジュールおよびその組立方法 - Google Patents
光通信用受光モジュールおよびその組立方法Info
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- JPH10247742A JPH10247742A JP4880297A JP4880297A JPH10247742A JP H10247742 A JPH10247742 A JP H10247742A JP 4880297 A JP4880297 A JP 4880297A JP 4880297 A JP4880297 A JP 4880297A JP H10247742 A JPH10247742 A JP H10247742A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超高速特性に優れ、かつ熱変形等による光軸
ずれが少なく、さらに多ピンで小型化を図る構造を実現
する。 【解決手段】 レセプタクルユニットと、受光ユニット
（受光回路ユニット、主増幅回路ユニット）、識別タイ
ミング回路ユニットと、外形ケースから構成される。受
光ユニットは、プリアンプＩＣと主増幅ＩＣの実装面が
垂直になるように受光回路系セラミック基板と主増幅回
路系セラミック基板を接続する。さらに、レセプタクル
ユニットの金属レンズホルダと受光ユニットを結合し、
レセプタクル受光ユニットを構成する。さらに、レセプ
タクルユニットの樹脂性ケースと識別タイミング回路ユ
ニットを結合し、光通信用受光モジュールを構成する。
ずれが少なく、さらに多ピンで小型化を図る構造を実現
する。 【解決手段】 レセプタクルユニットと、受光ユニット
（受光回路ユニット、主増幅回路ユニット）、識別タイ
ミング回路ユニットと、外形ケースから構成される。受
光ユニットは、プリアンプＩＣと主増幅ＩＣの実装面が
垂直になるように受光回路系セラミック基板と主増幅回
路系セラミック基板を接続する。さらに、レセプタクル
ユニットの金属レンズホルダと受光ユニットを結合し、
レセプタクル受光ユニットを構成する。さらに、レセプ
タクルユニットの樹脂性ケースと識別タイミング回路ユ
ニットを結合し、光通信用受光モジュールを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高速光伝送シス
テム用の光受信器として用いられるフロントエンド回路
を内蔵した光通信用受光モジュールおよびその組立方法
に関する。
テム用の光受信器として用いられるフロントエンド回路
を内蔵した光通信用受光モジュールおよびその組立方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】信号速度がギガビット／秒程度以上の高
速信号を光・電気変換する光通信用受光モジュールで
は、高速特性を満足するために素子間の寄生インピーダ
ンスを可能な限り低減することが要求される。そのため
には、バンプ接続（フリップチップ接続）を用いたフロ
ントエンド回路が有効である。
速信号を光・電気変換する光通信用受光モジュールで
は、高速特性を満足するために素子間の寄生インピーダ
ンスを可能な限り低減することが要求される。そのため
には、バンプ接続（フリップチップ接続）を用いたフロ
ントエンド回路が有効である。
【０００３】図３は、フロントエンド回路を内蔵した従
来の光通信用受光モジュールの断面構成を示す（特開平
２−２９７５１１号公報）。図において、フロントエン
ド回路５１は、バンプ接続されるフォトダイオード５２
と電子回路素子５３により構成される。フロントエンド
回路５１は、フォトダイオード（ＰＤ）５２が回路基板
５４の孔５５に入るようにして、半田バンプ５６により
回路基板５４にバンプ接続される。光ファイバ５７はフ
ァイバ支持部品５８により固定され、光ファイバ５７か
ら出射された光信号は球レンズ５９および孔５５を介し
てフォトダイオード５２に集光される。フォトダイオー
ド５２から出力される電気信号は、電子回路素子５３か
ら半田バンプ５６，回路基板５４の配線，高周波ピン６
０を介して外部に出力される。回路基板５４，球レンズ
５９，ファイバ支持部品５８は、台／光結合部品ホルダ
ー６１に保持される。
来の光通信用受光モジュールの断面構成を示す（特開平
２−２９７５１１号公報）。図において、フロントエン
ド回路５１は、バンプ接続されるフォトダイオード５２
と電子回路素子５３により構成される。フロントエンド
回路５１は、フォトダイオード（ＰＤ）５２が回路基板
５４の孔５５に入るようにして、半田バンプ５６により
回路基板５４にバンプ接続される。光ファイバ５７はフ
ァイバ支持部品５８により固定され、光ファイバ５７か
ら出射された光信号は球レンズ５９および孔５５を介し
てフォトダイオード５２に集光される。フォトダイオー
ド５２から出力される電気信号は、電子回路素子５３か
ら半田バンプ５６，回路基板５４の配線，高周波ピン６
０を介して外部に出力される。回路基板５４，球レンズ
５９，ファイバ支持部品５８は、台／光結合部品ホルダ
ー６１に保持される。
【０００４】この構成の特徴は、フォトダイオード５２
がバンプ接続されたフロントエンド回路５１が、さらに
回路基板５４にバンプ接続されているところにある。こ
れにより、両接続に伴う寄生インピーダンスを従来のワ
イヤボンディング等より大きく削減でき、10Ｇbit/s 程
度の超高速動作が可能になった。
がバンプ接続されたフロントエンド回路５１が、さらに
回路基板５４にバンプ接続されているところにある。こ
れにより、両接続に伴う寄生インピーダンスを従来のワ
イヤボンディング等より大きく削減でき、10Ｇbit/s 程
度の超高速動作が可能になった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３に示す
フロントエンド回路５１の電子回路素子５３はプリアン
プＩＣであり、その後段（モジュール外）に主増幅ＩＣ
（リミッタ増幅ＩＣ，等化増幅ＩＣ，利得可変増幅Ｉ
Ｃ，その他）、識別タイミングＩＣ（識別ＰＬＬＩＣ，
速度変換ＩＣ，その他）等が接続される。したがって、
プリアンプＩＣから主増幅ＩＣまでの接続で、回路基板
５４の配線、高周波ピン６０、主増幅ＩＣ側における寄
生インピーダンスが大きくなり、超高速領域で動作が不
安定になる問題点があった。なお、主増幅ＩＣがパッケ
ージ実装であれば、パッケージのピン、パッケージ内基
板配線、ワイヤボンディング等の寄生インピーダンスが
問題になる。
フロントエンド回路５１の電子回路素子５３はプリアン
プＩＣであり、その後段（モジュール外）に主増幅ＩＣ
（リミッタ増幅ＩＣ，等化増幅ＩＣ，利得可変増幅Ｉ
Ｃ，その他）、識別タイミングＩＣ（識別ＰＬＬＩＣ，
速度変換ＩＣ，その他）等が接続される。したがって、
プリアンプＩＣから主増幅ＩＣまでの接続で、回路基板
５４の配線、高周波ピン６０、主増幅ＩＣ側における寄
生インピーダンスが大きくなり、超高速領域で動作が不
安定になる問題点があった。なお、主増幅ＩＣがパッケ
ージ実装であれば、パッケージのピン、パッケージ内基
板配線、ワイヤボンディング等の寄生インピーダンスが
問題になる。
【０００６】一方、主増幅ＩＣや識別タイミングＩＣ等
を図３に示す光通信用受光モジュール内に実装しようと
すると、回路基板５４の上に実装せざるを得ない。これ
では、台／光結合部品ホルダー６１の形状が大きくな
り、熱変形等が生じれば光軸ずれを引き起こす可能性が
高くなる。また、多チップ実装に伴ってピン数が増える
が、図３に示す構造では多ピン化に向かず、小型化がで
きない問題点があった。
を図３に示す光通信用受光モジュール内に実装しようと
すると、回路基板５４の上に実装せざるを得ない。これ
では、台／光結合部品ホルダー６１の形状が大きくな
り、熱変形等が生じれば光軸ずれを引き起こす可能性が
高くなる。また、多チップ実装に伴ってピン数が増える
が、図３に示す構造では多ピン化に向かず、小型化がで
きない問題点があった。
【０００７】本発明は、モジュール内にプリアンプＩ
Ｃ、主増幅ＩＣ、識別タイミングＩＣ等を含み、寄生イ
ンピーダンスを最小限に抑えながらそれらのＩＣ間の接
続を実現し、超高速特性に優れ、かつ熱変形等による光
軸ずれが少なく、さらに多ピンで小型化を図ることがで
きる光通信用受光モジュールおよびその組立方法を提供
することを目的とする。
Ｃ、主増幅ＩＣ、識別タイミングＩＣ等を含み、寄生イ
ンピーダンスを最小限に抑えながらそれらのＩＣ間の接
続を実現し、超高速特性に優れ、かつ熱変形等による光
軸ずれが少なく、さらに多ピンで小型化を図ることがで
きる光通信用受光モジュールおよびその組立方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光通信用受光モ
ジュールは、レセプタクルユニットと、受光回路ユニッ
トと、主増幅回路ユニットと、識別タイミング回路ユニ
ットと、外形ケースから構成される。レセプタクルユニ
ットは、樹脂製ケース内にスリーブおよび金属レンズホ
ルダが一体化され、金属レンズホルタ内にレンズおよび
ファイバスタブが挿入された構成である。受光回路ユニ
ットは、フォトダイオードとプリアンプＩＣがバンプ接
続され、プリアンプＩＣと受光回路系セラミック基板が
バンプ接続された構成である。主増幅回路ユニットは、
主増幅ＩＣと主増幅回路系セラミック基板がバンプ接続
された構成である。識別タイミング回路ユニットは、識
別タイミングＩＣと識別タイミング回路系セラミック基
板がダイボンディングとワイヤボンディングで接続され
た構成である。
ジュールは、レセプタクルユニットと、受光回路ユニッ
トと、主増幅回路ユニットと、識別タイミング回路ユニ
ットと、外形ケースから構成される。レセプタクルユニ
ットは、樹脂製ケース内にスリーブおよび金属レンズホ
ルダが一体化され、金属レンズホルタ内にレンズおよび
ファイバスタブが挿入された構成である。受光回路ユニ
ットは、フォトダイオードとプリアンプＩＣがバンプ接
続され、プリアンプＩＣと受光回路系セラミック基板が
バンプ接続された構成である。主増幅回路ユニットは、
主増幅ＩＣと主増幅回路系セラミック基板がバンプ接続
された構成である。識別タイミング回路ユニットは、識
別タイミングＩＣと識別タイミング回路系セラミック基
板がダイボンディングとワイヤボンディングで接続され
た構成である。
【０００９】また、プリアンプＩＣと主増幅ＩＣの実装
面が垂直になるように受光回路系セラミック基板と主増
幅回路系セラミック基板が接続され、受光ユニットが構
成される。さらに、レセプタクルユニットの金属レンズ
ホルダと受光回路ユニットが結合され、レセプタクル受
光ユニットが構成される。さらに、レセプタクルユニッ
トの樹脂性ケースと識別タイミング回路ユニットが結合
され、光通信用受光モジュールが構成される。
面が垂直になるように受光回路系セラミック基板と主増
幅回路系セラミック基板が接続され、受光ユニットが構
成される。さらに、レセプタクルユニットの金属レンズ
ホルダと受光回路ユニットが結合され、レセプタクル受
光ユニットが構成される。さらに、レセプタクルユニッ
トの樹脂性ケースと識別タイミング回路ユニットが結合
され、光通信用受光モジュールが構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の光通信用受光モ
ジュールの実施形態（断面構成）を示す。図において、
レセプタクルユニットは、アダプタ１、樹脂製ケース
２、スリーブ３、ファイバスタブ４、金属レンズホルダ
５、レンズ６により構成される。受光ユニットは、光路
調整用石英板７、受光回路系セラミック基板８、ＰＤ
９、受動素子１０、プリアンプＩＣ１１、バンプ１２
（以上、受光回路ユニット）、受動素子１３、主増幅Ｉ
Ｃ１４、バンプ１５、主増幅回路系セラミック基板１６
（以上、主増幅回路ユニット）により構成される。識別
タイミング回路ユニットは、識別タイミング回路系セラ
ミック基板１７、識別タイミングＩＣ１８、配線ワイヤ
１９、受動素子２０、リード２１により構成される。こ
のレセプタクルユニットと受光ユニットによりレセプタ
クル受光ユニットが構成され、さらに識別タイミング回
路ユニットと外形ケース２２を加えて光通信用受光モジ
ュールが構成される。
ジュールの実施形態（断面構成）を示す。図において、
レセプタクルユニットは、アダプタ１、樹脂製ケース
２、スリーブ３、ファイバスタブ４、金属レンズホルダ
５、レンズ６により構成される。受光ユニットは、光路
調整用石英板７、受光回路系セラミック基板８、ＰＤ
９、受動素子１０、プリアンプＩＣ１１、バンプ１２
（以上、受光回路ユニット）、受動素子１３、主増幅Ｉ
Ｃ１４、バンプ１５、主増幅回路系セラミック基板１６
（以上、主増幅回路ユニット）により構成される。識別
タイミング回路ユニットは、識別タイミング回路系セラ
ミック基板１７、識別タイミングＩＣ１８、配線ワイヤ
１９、受動素子２０、リード２１により構成される。こ
のレセプタクルユニットと受光ユニットによりレセプタ
クル受光ユニットが構成され、さらに識別タイミング回
路ユニットと外形ケース２２を加えて光通信用受光モジ
ュールが構成される。
【００１１】裏面入射型のＰＤ９がプリアンプＩＣ１１
にバンプ接続され、このプリアンプＩＣ１１が受光回路
系セラミック基板８にバンプ接続される。また、主増幅
ＩＣ１４は主増幅回路系セラミック基板１６にバンプ接
続される。受光回路系セラミック基板８と主増幅回路系
セラミック基板１６は、フリアンプＩＣ１１と主増幅Ｉ
Ｃ１４の実装面が垂直になるようにして半田接続され
る。プリアンプＩＣ１１、主増幅ＩＣ１４、受動素子１
０，１３は、両基板上でインピーダンス制御された短い
伝送線路を介して接続され、超高速動作が可能になって
いる。
にバンプ接続され、このプリアンプＩＣ１１が受光回路
系セラミック基板８にバンプ接続される。また、主増幅
ＩＣ１４は主増幅回路系セラミック基板１６にバンプ接
続される。受光回路系セラミック基板８と主増幅回路系
セラミック基板１６は、フリアンプＩＣ１１と主増幅Ｉ
Ｃ１４の実装面が垂直になるようにして半田接続され
る。プリアンプＩＣ１１、主増幅ＩＣ１４、受動素子１
０，１３は、両基板上でインピーダンス制御された短い
伝送線路を介して接続され、超高速動作が可能になって
いる。
【００１２】また、主増幅ＩＣ１４と識別タイミングＩ
Ｃ１８はワイヤボンディングされるが、この間の信号振
幅は比較的大きなものであるので、ボンディング長が２
ｍｍ程度以下であれば超高速動作に大きな影響を及ぼす
ことはない。また、識別タイミングＩＣ１８は、図に示
す３つのＩＣの中でも最も消費電力が大きく、放熱を考
慮してフェースアップに実装する必要があり、図のよう
な配置にした。なお、主増幅回路系セラミック基板１６
と識別タイミング回路系セラミック基板１７は、接して
はいるが接着されていないので、識別タイミングＩＣ１
８等の発熱による変形は主増幅回路系セラミック基板１
６および受光回路系セラミック基板８に伝わらない。
Ｃ１８はワイヤボンディングされるが、この間の信号振
幅は比較的大きなものであるので、ボンディング長が２
ｍｍ程度以下であれば超高速動作に大きな影響を及ぼす
ことはない。また、識別タイミングＩＣ１８は、図に示
す３つのＩＣの中でも最も消費電力が大きく、放熱を考
慮してフェースアップに実装する必要があり、図のよう
な配置にした。なお、主増幅回路系セラミック基板１６
と識別タイミング回路系セラミック基板１７は、接して
はいるが接着されていないので、識別タイミングＩＣ１
８等の発熱による変形は主増幅回路系セラミック基板１
６および受光回路系セラミック基板８に伝わらない。
【００１３】一方、識別タイミング回路系セラミック基
板１７とレセプタクルユニットは樹脂製ケース２の部分
で結合され、受光回路系セラミック基板８と主増幅回路
系セラミック基板１６からなる受光ユニットとレセプタ
クルユニットは金属レンズホルダ５の部分で接着される
構造である。ここで、図１は断面構成であるので明示さ
れていないが、スリーブ３、ファイバスタブ４、金属レ
ンズホルダ５、レンズ６は円筒形の構造であり、熱膨張
による同心に対する変形は極力生じないようになってい
る。したがって、識別タイミング回路系セラミック基板
１７の熱がレセプタクルユニットに伝わり樹脂部を熱膨
張させても、金属レンズホルダ５等は変形せず、受光回
路系セラミック基板８にも伝わらないので、光軸ずれを
発生させることはない。
板１７とレセプタクルユニットは樹脂製ケース２の部分
で結合され、受光回路系セラミック基板８と主増幅回路
系セラミック基板１６からなる受光ユニットとレセプタ
クルユニットは金属レンズホルダ５の部分で接着される
構造である。ここで、図１は断面構成であるので明示さ
れていないが、スリーブ３、ファイバスタブ４、金属レ
ンズホルダ５、レンズ６は円筒形の構造であり、熱膨張
による同心に対する変形は極力生じないようになってい
る。したがって、識別タイミング回路系セラミック基板
１７の熱がレセプタクルユニットに伝わり樹脂部を熱膨
張させても、金属レンズホルダ５等は変形せず、受光回
路系セラミック基板８にも伝わらないので、光軸ずれを
発生させることはない。
【００１４】また、本実施形態の構成では、識別タイミ
ング回路系セラミック基板１７にフラットパッケージと
同じ要領で、レセプタクルユニットと接する方向を除い
た３方向にピンを配置することにより、多ピン化に容易
に対応することができる。ここで、本実施形態の光通信
用受光モジュールの組立方法について、図１および図２
を参照して説明する。
ング回路系セラミック基板１７にフラットパッケージと
同じ要領で、レセプタクルユニットと接する方向を除い
た３方向にピンを配置することにより、多ピン化に容易
に対応することができる。ここで、本実施形態の光通信
用受光モジュールの組立方法について、図１および図２
を参照して説明する。
【００１５】組立手順は、(1) レセプタクルユニットの
組立、(2) 受光回路ユニットの組立、(3) 主増幅回路ユ
ニットの組立、(4) 受光ユニットの組立、(5) 調芯およ
びレセプタクル受光ユニットの組立、(6) 識別タイミン
グ回路ユニットの組立、(7)光通信用受光モジュールの
組立の順であり、これにより調芯工程を含む組み立てが
可能となる。また、これは自動化に適したものである。
以下、各組立工程について説明する。
組立、(2) 受光回路ユニットの組立、(3) 主増幅回路ユ
ニットの組立、(4) 受光ユニットの組立、(5) 調芯およ
びレセプタクル受光ユニットの組立、(6) 識別タイミン
グ回路ユニットの組立、(7)光通信用受光モジュールの
組立の順であり、これにより調芯工程を含む組み立てが
可能となる。また、これは自動化に適したものである。
以下、各組立工程について説明する。
【００１６】(1) レセプタクルユニットの組立 (1-1) スリーブ３、金属レンズホルダ５を一体化してス
リーブユニットを組み立て、(1-2) スリーブユニットに
インサーモールドにより樹脂製ケース２を形成してケー
ス付スリーブユニットを組み立て、(1-3) アダプタ１を
形成し、(1-4) アダプタ１とケース付スリーブユニット
を結合し、(1-5) 金属レンズホルダ５内に、ファイバス
タブ４およびレンズ６を取り付けてレセプタクルユニッ
トを組み立てる。
リーブユニットを組み立て、(1-2) スリーブユニットに
インサーモールドにより樹脂製ケース２を形成してケー
ス付スリーブユニットを組み立て、(1-3) アダプタ１を
形成し、(1-4) アダプタ１とケース付スリーブユニット
を結合し、(1-5) 金属レンズホルダ５内に、ファイバス
タブ４およびレンズ６を取り付けてレセプタクルユニッ
トを組み立てる。
【００１７】(2) 受光回路ユニットの組立 (2-1) ＰＤ９をプリアンプＩＣ１１にバンプ接続してＰ
Ｄ付きプリアンプＩＣを組み立て、(2-2) 受光回路系セ
ラミック基板８に容量等の受動素子１０を表面実装し、
(2-3) その実装基板にＰＤ付きプリアンプＩＣをバンプ
接続して受光回路ユニットを組み立てる。
Ｄ付きプリアンプＩＣを組み立て、(2-2) 受光回路系セ
ラミック基板８に容量等の受動素子１０を表面実装し、
(2-3) その実装基板にＰＤ付きプリアンプＩＣをバンプ
接続して受光回路ユニットを組み立てる。
【００１８】(3) 主増幅回路ユニットの組立 (3-1) 主増幅回路系セラミック基板１６に、容量等の受
動素子１３を表面実装し、(3-2) その実装基板に主増幅
ＩＣ１４をバンプ接続して主増幅回路ユニットを組み立
てる。
動素子１３を表面実装し、(3-2) その実装基板に主増幅
ＩＣ１４をバンプ接続して主増幅回路ユニットを組み立
てる。
【００１９】(4) 受光ユニットの組立 (4-1) 受光回路ユニットの受光回路系セラミック基板８
と、主増幅回路ユニットの主増幅回路系セラミック基板
１６とを半田接続し、(4-2) 受光回路系セラミック基板
８に光路調整用石英板７を取り付けて受光ユニットを組
み立てる。なお、この受光ユニットに識別タイミング回
路系セラミック基板１７を含めないのは、両者を熱的に
分離するためと、受光ユニットをできるだけ小さくして
次の調芯工程でのハンドリングを容易にするためであ
る。
と、主増幅回路ユニットの主増幅回路系セラミック基板
１６とを半田接続し、(4-2) 受光回路系セラミック基板
８に光路調整用石英板７を取り付けて受光ユニットを組
み立てる。なお、この受光ユニットに識別タイミング回
路系セラミック基板１７を含めないのは、両者を熱的に
分離するためと、受光ユニットをできるだけ小さくして
次の調芯工程でのハンドリングを容易にするためであ
る。
【００２０】(5) 調芯およびレセプタクル受光ユニット
の組立 (5-1) レセプタクルユニットをｘ，ｙステージを有する
調芯装置に取り付け、受光ユニットをｚステージを有す
る調芯装置に取り付け、受光ユニットに内蔵されている
モニタ端子から光電信号をモニタしながら最適位置を検
出し、(5-2) レセプタクルユニットの金属レンズホルダ
５と、受光ユニットの光路調整用石英板７を最適位置
で、紫外線硬化性接着剤または速乾性接着剤により接着
してレセプタクル受光ユニットを組み立てる。なお、接
着剤を用いることにより、調芯工程で生じた機械的精度
のずれを接着剤の厚みで吸収することができる。
の組立 (5-1) レセプタクルユニットをｘ，ｙステージを有する
調芯装置に取り付け、受光ユニットをｚステージを有す
る調芯装置に取り付け、受光ユニットに内蔵されている
モニタ端子から光電信号をモニタしながら最適位置を検
出し、(5-2) レセプタクルユニットの金属レンズホルダ
５と、受光ユニットの光路調整用石英板７を最適位置
で、紫外線硬化性接着剤または速乾性接着剤により接着
してレセプタクル受光ユニットを組み立てる。なお、接
着剤を用いることにより、調芯工程で生じた機械的精度
のずれを接着剤の厚みで吸収することができる。
【００２１】(6) 識別タイミング回路ユニットの組立 (6-1) 識別タイミング回路系セラミック基板１７に、容
量等の受動素子２０を表面実装し、(6-2) その実装基板
に識別タイミングＩＣ１８をダイボンディングして識別
タイミング回路ユニットを組み立てる。
量等の受動素子２０を表面実装し、(6-2) その実装基板
に識別タイミングＩＣ１８をダイボンディングして識別
タイミング回路ユニットを組み立てる。
【００２２】(7) 光通信用受光モジュールの組立 (7-1) レセプタクル受光ユニットに識別タイミング回路
ユニットを取り付け、(7-2) 識別タイミングＩＣ１８と
識別タイミング回路系セラミック基板１７、識別タイミ
ングＩＣ１８と主増幅回路系セラミック基板１６をワイ
ヤボンディングし、(7-3) 外形ケース２２を取り付けて
光通信用受光モジュールを組み立てる。
ユニットを取り付け、(7-2) 識別タイミングＩＣ１８と
識別タイミング回路系セラミック基板１７、識別タイミ
ングＩＣ１８と主増幅回路系セラミック基板１６をワイ
ヤボンディングし、(7-3) 外形ケース２２を取り付けて
光通信用受光モジュールを組み立てる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光通信用
受光モジュールは、モジュール内にＰＤ、プリアンプＩ
Ｃ、主増幅ＩＣ、識別タイミングＩＣを搭載することが
でき、小型で超高速特性を実現することができる。ま
た、熱変形等による光軸ずれを防ぐことができる構造で
あり、さらに多ピン化にも柔軟に対応できる構造であ
る。また、その組立方法も自動化に適しており、量産化
によるコスト低減を図ることができる。したがって、光
通信用受光モジュールの高性能／高機能化、品質向上、
信頼性向上を図ることができる。
受光モジュールは、モジュール内にＰＤ、プリアンプＩ
Ｃ、主増幅ＩＣ、識別タイミングＩＣを搭載することが
でき、小型で超高速特性を実現することができる。ま
た、熱変形等による光軸ずれを防ぐことができる構造で
あり、さらに多ピン化にも柔軟に対応できる構造であ
る。また、その組立方法も自動化に適しており、量産化
によるコスト低減を図ることができる。したがって、光
通信用受光モジュールの高性能／高機能化、品質向上、
信頼性向上を図ることができる。
【図１】本発明の光通信用受光モジュールの実施形態
（断面構成）を示す図。
（断面構成）を示す図。
【図２】本発明の光通信用受光モジュールの組立方法を
説明する図。
説明する図。
【図３】フロントエンド回路を内蔵した従来の光通信用
受光モジュールの断面構成を示す図。
受光モジュールの断面構成を示す図。
１ アダプタ ２ 樹脂製ケース ３ スリーブ ４ ファイバスタブ ５ 金属レンズホルダ ６ レンズ ７ 光路調整用石英板 ８ 受光回路系セラミック基板 ９ フォトダイオード（ＰＤ） １０，１３，２０ 受動素子 １１ プリアンプＩＣ １２，１５ バンプ １４ 主増幅ＩＣ １６ 主増幅回路系セラミック基板 １７ 識別タイミング回路系セラミック基板 １８ 識別タイミングＩＣ １９ 配線ワイヤ ２１ リード ２２ 外形ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藁科 禎久 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 京増 幹雄 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂製ケース内にスリーブおよび金属レ
ンズホルダが一体化され、金属レンズホルタ内にレンズ
およびファイバスタブが挿入されたレセプタクルユニッ
トと、 フォトダイオードとプリアンプＩＣがバンプ接続され、
プリアンプＩＣと受光回路系セラミック基板がバンプ接
続された受光回路ユニットと、 主増幅ＩＣと主増幅回路系セラミック基板がバンプ接続
された主増幅回路ユニットと、 識別タイミングＩＣと識別タイミング回路系セラミック
基板がダイボンディングとワイヤボンディングで接続さ
れた識別タイミング回路ユニットと、 前記受光回路ユニット、前記主増幅回路ユニット、前記
識別タイミング回路ユニットを覆う外形ケースとを備
え、 前記プリアンプＩＣと前記主増幅ＩＣの各実装面が垂直
になるように前記受光回路系セラミック基板と前記主増
幅回路系セラミック基板とを接続し、前記レセプタクル
ユニットの金属レンズホルダと前記受光回路ユニットと
を結合し、前記レセプタクルユニットの樹脂性ケースと
前記識別タイミング回路ユニットとを接続した構成であ
ることを特徴とする光通信用受光モジュール。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光通信用受光モジュー
ルにおいて、 受光回路系セラミック基板と主幅回路系セラミック基板
とを導電性樹脂または半田で接続して受光ユニットを構
成し、レセプタクルユニットの金属レンズホルダと前記
受光ユニットとを接着剤で結合してレセプタクル受光ユ
ニットを構成したことを特徴とする光通信用受光モジュ
ール。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光通信
用受光モジュールにおいて、 主増幅回路系セラミック基板と識別タイミング回路系セ
ラミック基板との配線をフレキシブルな配線手段によっ
て接続し、両基板を分離した構成であることを特徴とす
る光通信用受光モジュール。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の光通信用受光モジュールにおいて、 識別タイミング回路系セラミック基板に、フラットパッ
ケージ状に複数のピンを配列した構成であることを特徴
とする光通信用受光モジュール。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４に記載の光通信用
受光モジュールの組立方法において、 レセプタクルユニットを組み立てるステップと、 受光回路ユニットを組み立てるステップと、 主増幅回路ユニットを組み立てるステップと、 前記受光回路ユニットと前記主増幅回路ユニットを電気
的に接続し、かつ機械的に結合させた受光ユニットを組
み立てるステップと、 前記受光ユニットと前記レセプタクルユニットとを調芯
して結合させたレセプタクル受光ユニットを組み立てる
ステップと、 識別タイミング回路ユニットを組み立てるステップと、 前記レセプタクル受光ユニットと前記識別タイミング回
路ユニットを結合するステップとを有することを特徴と
する光通信用受光モジュールの組立方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880297A JPH10247742A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 光通信用受光モジュールおよびその組立方法 |
| US09/034,366 US6071016A (en) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | Light receiving module for optical communication and light receiving unit thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880297A JPH10247742A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 光通信用受光モジュールおよびその組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247742A true JPH10247742A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12813355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4880297A Pending JPH10247742A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 光通信用受光モジュールおよびその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247742A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
| KR20030014576A (ko) * | 2001-08-08 | 2003-02-19 | 호시덴 가부시기가이샤 | 광커넥터 및 광소자 |
| US8107823B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-01-31 | Opnext Japan, Inc. | Optical transmission module |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP4880297A patent/JPH10247742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
| KR20030014576A (ko) * | 2001-08-08 | 2003-02-19 | 호시덴 가부시기가이샤 | 광커넥터 및 광소자 |
| US8107823B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-01-31 | Opnext Japan, Inc. | Optical transmission module |
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