JPH11354833A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JPH11354833A JPH11354833A JP16370298A JP16370298A JPH11354833A JP H11354833 A JPH11354833 A JP H11354833A JP 16370298 A JP16370298 A JP 16370298A JP 16370298 A JP16370298 A JP 16370298A JP H11354833 A JPH11354833 A JP H11354833A
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- signal
- optical
- optical module
- signal processing
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号成分や感度の劣化を防止して、安価で、
信頼性の高い光モジュール。 【解決手段】 光モジュール１０において、光受信デバ
イス１２，１３や、電子デバイス１４の部分をモールド
部材１００を用いてモールドする。
信頼性の高い光モジュール。 【解決手段】 光モジュール１０において、光受信デバ
イス１２，１３や、電子デバイス１４の部分をモールド
部材１００を用いてモールドする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信器、光送信
器、これら両者が一体化して構成された光送受信器等の
光モジュールに関し、特に、信号周波数が高周波数（１
Ｇｂｐｓ等）を超える帯域で用いられる光モジュールに
関する。
器、これら両者が一体化して構成された光送受信器等の
光モジュールに関し、特に、信号周波数が高周波数（１
Ｇｂｐｓ等）を超える帯域で用いられる光モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来における光送受信モジュー
ルの１例を示す。この光送受信モジュール１は、ケース
基板部２とケース上蓋部３との金属性ケースによって構
成されている。
ルの１例を示す。この光送受信モジュール１は、ケース
基板部２とケース上蓋部３との金属性ケースによって構
成されている。
【０００３】ケース基板部２においては、光デバイスを
構成するＳＡＷ（Surface AcousticWave ）フィルタ等
の電子部品４が、回路パターンが形成された基板５上に
搭載されている。この場合、電子部品４と基板５の電気
的な接続は、例えば、電子部品４のリードピンと、基板
５のボンディングパッド部との間を、ボンディングワイ
ヤを介して接続できる。また、この導電性の基板５に
は、リード６が設けられており、このリード６を介して
外部に電気信号が伝達される。
構成するＳＡＷ（Surface AcousticWave ）フィルタ等
の電子部品４が、回路パターンが形成された基板５上に
搭載されている。この場合、電子部品４と基板５の電気
的な接続は、例えば、電子部品４のリードピンと、基板
５のボンディングパッド部との間を、ボンディングワイ
ヤを介して接続できる。また、この導電性の基板５に
は、リード６が設けられており、このリード６を介して
外部に電気信号が伝達される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような光デバ
イスは、一般的に、高帯域の周波数で動作している。そ
して、光デバイスを金属ケースに収納したことによっ
て、電子部品からその動作周波数に基づいて発せられる
電磁波を遮蔽することができ、これにより、周囲環境に
対して雑音源となることを抑制することができる。
イスは、一般的に、高帯域の周波数で動作している。そ
して、光デバイスを金属ケースに収納したことによっ
て、電子部品からその動作周波数に基づいて発せられる
電磁波を遮蔽することができ、これにより、周囲環境に
対して雑音源となることを抑制することができる。
【０００５】しかし、動作周波数が１Ｇｂｐｓ（bit pe
r second）を超える帯域となると、搭載される電子部品
の寸法がより小さくなり、必然的に金属ケースの大きさ
も小さいものとなる。その結果、金属ケースの相対する
２つの面の間での共振周波数が、動作周波数の帯域に影
響を及ぼしてしまうことになる。
r second）を超える帯域となると、搭載される電子部品
の寸法がより小さくなり、必然的に金属ケースの大きさ
も小さいものとなる。その結果、金属ケースの相対する
２つの面の間での共振周波数が、動作周波数の帯域に影
響を及ぼしてしまうことになる。
【０００６】すなわち、間隔的に最小な距離となる金属
ケースの上下面間での反射によって発生する共振現象
は、１．２ＧＨｚ程度の帯域に鋭いピークを有し、この
ピークの裾部分が動作周波数の動作帯域にまで影響を及
ぼしてしまう。
ケースの上下面間での反射によって発生する共振現象
は、１．２ＧＨｚ程度の帯域に鋭いピークを有し、この
ピークの裾部分が動作周波数の動作帯域にまで影響を及
ぼしてしまう。
【０００７】このようなことから、光送受信モジュール
におけるジッタ成分が増加して、信号波形の品質劣化を
引き起こしたり、感度が低下するといった問題が生じ
る。
におけるジッタ成分が増加して、信号波形の品質劣化を
引き起こしたり、感度が低下するといった問題が生じ
る。
【０００８】このような悪影響を緩和するために、金属
ケースのシールドを完璧にする必要があるが、このため
には金属ケースの機械的強度を高めたり、金属ケースの
組立構造を耐久性のあるものにする等の対策が必要とな
り、コスト高となる。
ケースのシールドを完璧にする必要があるが、このため
には金属ケースの機械的強度を高めたり、金属ケースの
組立構造を耐久性のあるものにする等の対策が必要とな
り、コスト高となる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、信号成分や感度
の劣化を防止して、安価で信頼性の高い光モジュールを
提供することにある。
の劣化を防止して、安価で信頼性の高い光モジュールを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、光信号と電気
信号との変換処理を行う信号変換手段と、該変換された
電気信号の信号処理を行う信号処理手段とを具え、前記
信号変換手段と前記信号処理手段とをモールド部材によ
りモールドすることによって、光モジュールを構成す
る。
信号との変換処理を行う信号変換手段と、該変換された
電気信号の信号処理を行う信号処理手段とを具え、前記
信号変換手段と前記信号処理手段とをモールド部材によ
りモールドすることによって、光モジュールを構成す
る。
【００１１】また、本発明は、光信号と電気信号との変
換処理を行う信号変換手段と、該変換された電気信号の
信号処理を行う信号処理手段とを具え、前記信号変換手
段と前記信号処理手段とを金属性パッケージに収納し、
該金属性パッケージの一部をモールドすることによっ
て、光モジュールを構成する。
換処理を行う信号変換手段と、該変換された電気信号の
信号処理を行う信号処理手段とを具え、前記信号変換手
段と前記信号処理手段とを金属性パッケージに収納し、
該金属性パッケージの一部をモールドすることによっ
て、光モジュールを構成する。
【００１２】ここで、前記モールド部材は、樹脂とする
ことができる。
ことができる。
【００１３】前記光信号若しくは前記電気信号は、所定
の高帯域の周波数を有する信号とすることができる。
の高帯域の周波数を有する信号とすることができる。
【００１４】前記所定の高帯域とは、１Ｇｂｐｓを超え
る帯域とすることができる。
る帯域とすることができる。
【００１５】前記信号処理手段は、信号処理回路を基板
上に形成して構成することができる。
上に形成して構成することができる。
【００１６】前記基板は、多層ガラスセラミック基板と
することができる。
することができる。
【００１７】前記基板の外部配線は、リードフレームを
用いて行うことができる。
用いて行うことができる。
【００１８】前記信号処理手段は、増幅器、データ再生
器、クロック再生器を含むことができる。
器、クロック再生器を含むことができる。
【００１９】前記信号処理手段は、半導体レーザ駆動回
路を含むことができる。
路を含むことができる。
【００２０】前記信号変換手段は、前記光信号を前記電
気信号に変換する光受信手段から構成することができ
る。
気信号に変換する光受信手段から構成することができ
る。
【００２１】前記信号変換手段は、前記電気信号を前記
光信号に変換する光送信手段から構成することができ
る。
光信号に変換する光送信手段から構成することができ
る。
【００２２】前記信号変換手段は、前記光信号を前記電
気信号に変換する光受信手段と、前記電気信号を前記光
信号に変換する光送信手段とから構成することができ
る。 〔発明の詳細な説明〕
気信号に変換する光受信手段と、前記電気信号を前記光
信号に変換する光送信手段とから構成することができ
る。 〔発明の詳細な説明〕
【００２３】以下、図面を参照して、本発明を詳細に説
明する。
明する。
【００２４】（概要）まず、本発明の概要について説明
する。
する。
【００２５】本発明は、光信号若しくは電気信号が、所
定の値（例えば、１Ｇｂｐｓ）を超える帯域を有する光
モジュールにおいて、光信号を電気信号に変換する光受
信デバイス若しくは電気信号を光信号に変換する光送信
デバイスと、電気信号を処理する電子デバイスと、該電
子デバイスを搭載する配線基板とをモールド部材（例え
ば、樹脂）によりモールドして構成したことを特徴とす
る。
定の値（例えば、１Ｇｂｐｓ）を超える帯域を有する光
モジュールにおいて、光信号を電気信号に変換する光受
信デバイス若しくは電気信号を光信号に変換する光送信
デバイスと、電気信号を処理する電子デバイスと、該電
子デバイスを搭載する配線基板とをモールド部材（例え
ば、樹脂）によりモールドして構成したことを特徴とす
る。
【００２６】また、本発明は、前記光モジュールにおい
て、前記光受信デバイス若しくは前記光送信デバイス
と、電気信号を処理する電子デバイスと、該電子デバイ
スを搭載する配線基板とを金属性パッケージに収納し、
該金属性パッケージの一部をモールド部材（例えば、樹
脂）によりモールドして構成したことを特徴とする。
て、前記光受信デバイス若しくは前記光送信デバイス
と、電気信号を処理する電子デバイスと、該電子デバイ
スを搭載する配線基板とを金属性パッケージに収納し、
該金属性パッケージの一部をモールド部材（例えば、樹
脂）によりモールドして構成したことを特徴とする。
【００２７】ここで、配線用の基板部には、多層ガラス
配線基板若しくはリードフレームを用いることができ
る。
配線基板若しくはリードフレームを用いることができ
る。
【００２８】以下、具体的な例を挙げて説明する。
【００２９】（第１の例）本発明の第１の実施の形態
を、図１および図２に基づいて説明する。
を、図１および図２に基づいて説明する。
【００３０】図１は、光受信モジュール１０の構成例を
示す。
示す。
【００３１】１１は、光信号が入力される光ファイバで
ある。
ある。
【００３２】１２は、光ファイバ１１が接続された受信
用のコネクタ部である。
用のコネクタ部である。
【００３３】１３は、コネクタ部１２と接続され、光信
号を電気信号に変換する信号変換部（ＰＩＮ−ＡＭＰ）
である。
号を電気信号に変換する信号変換部（ＰＩＮ−ＡＭＰ）
である。
【００３４】１４は、変換された電気信号の信号処理を
行う信号処理部（３Ｒ−ＩＣ）である。１５は、ＳＡＷ
（Surface Acoustic Wave ）フィルタである。１６は、
チップコンデンサやチップ抵抗等のチップ部品である。
行う信号処理部（３Ｒ−ＩＣ）である。１５は、ＳＡＷ
（Surface Acoustic Wave ）フィルタである。１６は、
チップコンデンサやチップ抵抗等のチップ部品である。
【００３５】これら１４〜１６の各部品は、基板として
の配線基板１７上に搭載されている。この配線基板１７
としては、多層セラミック基板やガラスセラミック基板
が用いられる。
の配線基板１７上に搭載されている。この配線基板１７
としては、多層セラミック基板やガラスセラミック基板
が用いられる。
【００３６】配線基板１７の端部には、ボンディングパ
ッド１８が形成されている。このボンディングパッド１
８とリードフレーム１９とは、ボンディングワイヤ２０
を介して接続されている。同様に、信号変換部１３と配
線基板１７とは、ボンディングワイヤ２０を介して接続
されている。
ッド１８が形成されている。このボンディングパッド１
８とリードフレーム１９とは、ボンディングワイヤ２０
を介して接続されている。同様に、信号変換部１３と配
線基板１７とは、ボンディングワイヤ２０を介して接続
されている。
【００３７】１００は、モールド部材としての樹脂であ
る。この樹脂１００を用いて、各種電子部品を搭載した
配線基板１７と、リードフレーム１９のボンディングパ
ッド１８を含む領域と、信号変換部１３とが一体にモー
ルドされている。
る。この樹脂１００を用いて、各種電子部品を搭載した
配線基板１７と、リードフレーム１９のボンディングパ
ッド１８を含む領域と、信号変換部１３とが一体にモー
ルドされている。
【００３８】図２は、図１の光受信モジュール１０にお
ける電気回路の概略構成を示す。
ける電気回路の概略構成を示す。
【００３９】信号変換部１３は、光信号を検出して電気
信号に変換するフォトダイオード等の受光素子２１と、
その検出された電気信号を増幅するプリアンプ２２とか
ら構成される。
信号に変換するフォトダイオード等の受光素子２１と、
その検出された電気信号を増幅するプリアンプ２２とか
ら構成される。
【００４０】信号処理部１４は、増幅部３０と、データ
再生部４０と、クロック再生部５０とに大別される。
再生部４０と、クロック再生部５０とに大別される。
【００４１】増幅部３０は、アンプ３１およびアンプ３
２の２段構成とされている。
２の２段構成とされている。
【００４２】データ再生部４０は、アンプ３２に接続さ
れた遅延回路４１と、信号の再生を行うＤＦＦ（Ｄフリ
ップフロップ）回路４２と、再生されたデータ信号（Ｒ
Ｄ）を出力するバッファ回路４３とから構成される。
れた遅延回路４１と、信号の再生を行うＤＦＦ（Ｄフリ
ップフロップ）回路４２と、再生されたデータ信号（Ｒ
Ｄ）を出力するバッファ回路４３とから構成される。
【００４３】クロック再生部５０は、以下の回路５１〜
５８により構成される。すなわち、アンプ３２とＳＡＷ
フィルタ１５との間には、バッファ回路５１と、遅延回
路５２と、位相シフタ５３と、エッジ検出回路５４とが
接続されている。ＳＡＷフィルタ１５はリミットアンプ
５５が接続され、このリミットアンプ５５の出力信号を
用いてＤＦＦ回路４２の動作タイミングが取られる。
５８により構成される。すなわち、アンプ３２とＳＡＷ
フィルタ１５との間には、バッファ回路５１と、遅延回
路５２と、位相シフタ５３と、エッジ検出回路５４とが
接続されている。ＳＡＷフィルタ１５はリミットアンプ
５５が接続され、このリミットアンプ５５の出力信号を
用いてＤＦＦ回路４２の動作タイミングが取られる。
【００４４】また、リミットアンプ５５の出力信号は、
バッファ回路５６と、データ同期を取るためのＳＤ（デ
ータ同期）回路５７とに入力される。この場合、バッフ
ァ回路５６からは、同期用のクロック信号（ＲＣＬＫ）
が出力される。ＳＤ回路５７にはバッファ回路５８が接
続され、このバッファ回路５８からデータリンク制御を
行うためのフラグ（ＦＬＡＧ）が出力される。
バッファ回路５６と、データ同期を取るためのＳＤ（デ
ータ同期）回路５７とに入力される。この場合、バッフ
ァ回路５６からは、同期用のクロック信号（ＲＣＬＫ）
が出力される。ＳＤ回路５７にはバッファ回路５８が接
続され、このバッファ回路５８からデータリンク制御を
行うためのフラグ（ＦＬＡＧ）が出力される。
【００４５】なお、この回路例では、ＤＦＦ回路４２お
よびリミットアンプ５５からなる回路部Ａと、位相シフ
タ５３およびエッジ検出回路５４からなる回路部Ｂと
は、１つのユニットとして構成したが、これら回路部
Ａ，Ｂを分離した形態として構成してもよい。
よびリミットアンプ５５からなる回路部Ａと、位相シフ
タ５３およびエッジ検出回路５４からなる回路部Ｂと
は、１つのユニットとして構成したが、これら回路部
Ａ，Ｂを分離した形態として構成してもよい。
【００４６】次に、光受信モジュールを製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００４７】第１の工程では、配線基板１７上の所定位
置に、ＩＣ部品等の信号処理部１４、ＳＡＷフィルタ１
５、チップ部品１６等の能動部品を搭載する。そして、
ＩＣ部品等のワイヤボンディング、チップ部品１６等の
ソルダリングを行う。なお、このような工程は、一般の
ハイブリッドＩＣの製造工程に準拠する。
置に、ＩＣ部品等の信号処理部１４、ＳＡＷフィルタ１
５、チップ部品１６等の能動部品を搭載する。そして、
ＩＣ部品等のワイヤボンディング、チップ部品１６等の
ソルダリングを行う。なお、このような工程は、一般の
ハイブリッドＩＣの製造工程に準拠する。
【００４８】第２の工程では、受光素子２１をパッケー
ジに搭載し、このパッケージを封止して、ＰＩＮ−ＡＭ
Ｐ、すなわち、信号変換部１３を作製する。
ジに搭載し、このパッケージを封止して、ＰＩＮ−ＡＭ
Ｐ、すなわち、信号変換部１３を作製する。
【００４９】なお、光送信モジュールとして構成する場
合は、発光素子７２をパッケージに封止して構成する
（後述する図３参照）。
合は、発光素子７２をパッケージに封止して構成する
（後述する図３参照）。
【００５０】このパッケージには、光デバイス搭載機能
と同時に、光ファイバ１１の先端に備わるフェルールと
篏合するスリーブ機能も備えており、光デバイス搭載時
には実際に光を放出／受光し、光デバイスと光ファイバ
１１との光軸調整を行う。
と同時に、光ファイバ１１の先端に備わるフェルールと
篏合するスリーブ機能も備えており、光デバイス搭載時
には実際に光を放出／受光し、光デバイスと光ファイバ
１１との光軸調整を行う。
【００５１】第３の工程では、金属性（銅合金、ＮｉＣ
ｏ合金等）のリードフレーム１９の基板搭載位置に、第
１の工程で作製した配線基板１７を搭載する。この搭載
は、導電性樹脂（銀ペースト）による一点接着によって
容易に行うことができる。また、第２の工程で作製した
パッケージもリードフレーム１９の所定位置に搭載す
る。
ｏ合金等）のリードフレーム１９の基板搭載位置に、第
１の工程で作製した配線基板１７を搭載する。この搭載
は、導電性樹脂（銀ペースト）による一点接着によって
容易に行うことができる。また、第２の工程で作製した
パッケージもリードフレーム１９の所定位置に搭載す
る。
【００５２】なお、パッケージが金属性の場合には、リ
ードフレーム１９とパッケージ外皮をＹＡＧ溶接で固定
し、電気的にＧＮＤの強化、或いは単に機械的強化を行
う場合もある。溶接、接着等を行わない場合には、単に
リードフレーム１９上に載せるだけでよい。
ードフレーム１９とパッケージ外皮をＹＡＧ溶接で固定
し、電気的にＧＮＤの強化、或いは単に機械的強化を行
う場合もある。溶接、接着等を行わない場合には、単に
リードフレーム１９上に載せるだけでよい。
【００５３】第４の工程では、配線基板１７上の電極パ
ッドと、リードフレーム１９の内部ピンおよびＰＩＮ−
ＡＭＰ１３の所定リードとを、ボンディングワイヤ２０
で結線する。
ッドと、リードフレーム１９の内部ピンおよびＰＩＮ−
ＡＭＰ１３の所定リードとを、ボンディングワイヤ２０
で結線する。
【００５４】第５の工程では、このようにして組立てた
構造体を、樹脂注入用の下金型の所定位置にセットし、
上方から上金型を下金型に合わせ込む。これにより、構
造体は、上下の金型の合わせ込みで形成される空洞中に
保持される。
構造体を、樹脂注入用の下金型の所定位置にセットし、
上方から上金型を下金型に合わせ込む。これにより、構
造体は、上下の金型の合わせ込みで形成される空洞中に
保持される。
【００５５】第６の工程では、金型の空洞部に封止用の
樹脂１００を注入する（トランスファモールド）。そし
て、樹脂１００の冷却固化後、金型から構造体を取り出
す。ここで、樹脂１００の外部にむき出しの部品は、リ
ードピン１９、ＰＩＮ−ＡＭＰ１３の先端部に位置する
光ファイバ１１が接続されたコネクタ部１２のみであ
り、その他の部分は樹脂１００により封止されている。
樹脂１００を注入する（トランスファモールド）。そし
て、樹脂１００の冷却固化後、金型から構造体を取り出
す。ここで、樹脂１００の外部にむき出しの部品は、リ
ードピン１９、ＰＩＮ−ＡＭＰ１３の先端部に位置する
光ファイバ１１が接続されたコネクタ部１２のみであ
り、その他の部分は樹脂１００により封止されている。
【００５６】そして、最後に、外部のリードピン１９の
不要箇所（サポートタイ、サポートリードと呼ばれる）
を切断し、リードピン１９を所定形状に成形して製造工
程を終了する。
不要箇所（サポートタイ、サポートリードと呼ばれる）
を切断し、リードピン１９を所定形状に成形して製造工
程を終了する。
【００５７】樹脂１００としては、エポキシ系樹脂の高
分子材料を用いることができる。また、モールド部材と
しては、エポキシ系樹脂に限定されるものではない。
分子材料を用いることができる。また、モールド部材と
しては、エポキシ系樹脂に限定されるものではない。
【００５８】上述したように、モールド部材として樹脂
１００を用い、信号変換部１３、信号処理部１４を含む
構造体の一部を封止することにより、従来のような相対
する金属材料に起因する共振効果が緩和され、光受信モ
ジュール１０の動作周波数が１Ｇｂｐｓを超える帯域で
あっても、共振による特性の不安定性、すなわち、ジッ
タ成分が増加して波形品質が劣化したり、感度が劣化し
たりするという現象を解消することができる。
１００を用い、信号変換部１３、信号処理部１４を含む
構造体の一部を封止することにより、従来のような相対
する金属材料に起因する共振効果が緩和され、光受信モ
ジュール１０の動作周波数が１Ｇｂｐｓを超える帯域で
あっても、共振による特性の不安定性、すなわち、ジッ
タ成分が増加して波形品質が劣化したり、感度が劣化し
たりするという現象を解消することができる。
【００５９】ここで、動作周波数について説明する。
【００６０】電磁波の電播効果として、金属パッケージ
の場合には、そのパッケージをＧＮＤとする境界条件が
規定され、配線基板の裏面がＧＮＤに設定されているた
め、ＧＮＤ間の距離が電播効果に影響する。この影響
は、より高周波数の帯域になればなるほど、顕著になっ
てくる。そして、光モジュールで扱う周波数が、国際的
な規約では、１５６Ｍｂｐｓ、６２２Ｍｂｐｓ、１．２
Ｇｂｐｓ、２．５Ｇｂｐｓ…となっている。本例の光モ
ジュールでは、敢えて１Ｇｂｐｓを超える帯域として規
定したが、高周波帯域の数値としては特に限定されるも
のではない。
の場合には、そのパッケージをＧＮＤとする境界条件が
規定され、配線基板の裏面がＧＮＤに設定されているた
め、ＧＮＤ間の距離が電播効果に影響する。この影響
は、より高周波数の帯域になればなるほど、顕著になっ
てくる。そして、光モジュールで扱う周波数が、国際的
な規約では、１５６Ｍｂｐｓ、６２２Ｍｂｐｓ、１．２
Ｇｂｐｓ、２．５Ｇｂｐｓ…となっている。本例の光モ
ジュールでは、敢えて１Ｇｂｐｓを超える帯域として規
定したが、高周波帯域の数値としては特に限定されるも
のではない。
【００６１】（第２の例）次に、本発明の第２の実施の
形態を、図３および図４に基づいて説明する。なお、前
述した第１の実施の形態と同一部分について説明は省略
し、同一符号を付す。
形態を、図３および図４に基づいて説明する。なお、前
述した第１の実施の形態と同一部分について説明は省略
し、同一符号を付す。
【００６２】図３は、光送信モジュール７０の構成例を
示す。
示す。
【００６３】７１は、送信用のコネクタ部である。この
コネクタ部７１には、電気信号を光信号に変換するため
のＬＤ（半導体レーザ）７２と、このＬＤ７２からの出
力光が導入される光ファイバ１１の一端部とが組み込ま
れている。
コネクタ部７１には、電気信号を光信号に変換するため
のＬＤ（半導体レーザ）７２と、このＬＤ７２からの出
力光が導入される光ファイバ１１の一端部とが組み込ま
れている。
【００６４】７３は、ＬＤ７２を駆動するＬＤドライバ
ＩＣ（半導体レーザ駆動回路）である。
ＩＣ（半導体レーザ駆動回路）である。
【００６５】７４は、ＬＤドライバＩＣ７３を駆動制御
（オートパワーコントロール：ＡＰＣ）するための制御
信号を作成する信号処理部（ＡＰＣ−ＩＣ）である。
（オートパワーコントロール：ＡＰＣ）するための制御
信号を作成する信号処理部（ＡＰＣ−ＩＣ）である。
【００６６】これらＬＤドライバＩＣ７３、信号処理部
７４等を構成する各部品は、セラミックの配線基板１７
上に搭載されている。
７４等を構成する各部品は、セラミックの配線基板１７
上に搭載されている。
【００６７】配線基板１７上の電極パッドと、リードフ
レーム１９の内部ピンおよびコネクタ部７１の所定リー
ドとは、ボンディングワイヤ２０で結線されている。
レーム１９の内部ピンおよびコネクタ部７１の所定リー
ドとは、ボンディングワイヤ２０で結線されている。
【００６８】そして、リードピン１９およびコネクタ部
７１の一端部を除く領域の構造体は、樹脂１００により
モールドされている。なお、樹脂１００を用いたモール
ド方法は、前述した第１の例と同様であり、ここでの説
明は省略する。
７１の一端部を除く領域の構造体は、樹脂１００により
モールドされている。なお、樹脂１００を用いたモール
ド方法は、前述した第１の例と同様であり、ここでの説
明は省略する。
【００６９】図４（ａ）（ｂ）は、図３の光送信モジュ
ール７０における半導体レーザ駆動部の概略構成を示
す。
ール７０における半導体レーザ駆動部の概略構成を示
す。
【００７０】図４（ａ）は、ＬＤドライバＩＣ７３の内
部構成を示す。このＬＤドライバＩＣ７３は、３つのア
ンプ７５〜７７により構成されている。アンプ７７の入
力端子ＡＰＣ／ＩＮには、信号処理部７４が接続されて
いる。
部構成を示す。このＬＤドライバＩＣ７３は、３つのア
ンプ７５〜７７により構成されている。アンプ７７の入
力端子ＡＰＣ／ＩＮには、信号処理部７４が接続されて
いる。
【００７１】また、ＬＤドライバＩＣ７３の出力端子Ｏ
ＵＴは、図４（ｂ）に示すコネクタ部７１のＬＤ７２に
接続されている。
ＵＴは、図４（ｂ）に示すコネクタ部７１のＬＤ７２に
接続されている。
【００７２】上述したように、モールド部材として樹脂
１００を用い、ＬＤドライバＩＣ７３、信号処理部７４
を含む構造体の一部を封止することにより、従来のよう
な相対する金属材料に起因する共振効果が緩和され、光
送信モジュール７０の動作周波数が１Ｇｂｐｓを超える
帯域であっても、共振による特性の不安定性、すなわ
ち、ジッタ成分が増加して波形品質が劣化したり、感度
が劣化したりするという現象を解消することができる。
１００を用い、ＬＤドライバＩＣ７３、信号処理部７４
を含む構造体の一部を封止することにより、従来のよう
な相対する金属材料に起因する共振効果が緩和され、光
送信モジュール７０の動作周波数が１Ｇｂｐｓを超える
帯域であっても、共振による特性の不安定性、すなわ
ち、ジッタ成分が増加して波形品質が劣化したり、感度
が劣化したりするという現象を解消することができる。
【００７３】なお、上記各例では、モールド部材として
樹脂２１を用いて構成したが、これに限るものではな
く、光送受信デバイス（信号変換部１３、ＬＤ７２）や
各種の電子部品を搭載した基板を含む電子デバイス（光
受信モジュール１０では、信号変換部１３、信号処理部
１４を含む構造体、また、光送信モジュール７０では、
ＬＤドライバＩＣ７３、信号処理部７４を含む構造体）
を金属性パッケージに収納し、この金属性パッケージの
一部、すなわち、光デバイスや電子デバイス部分を樹脂
等のモールド部材によりモールドして構成してもよい。
樹脂２１を用いて構成したが、これに限るものではな
く、光送受信デバイス（信号変換部１３、ＬＤ７２）や
各種の電子部品を搭載した基板を含む電子デバイス（光
受信モジュール１０では、信号変換部１３、信号処理部
１４を含む構造体、また、光送信モジュール７０では、
ＬＤドライバＩＣ７３、信号処理部７４を含む構造体）
を金属性パッケージに収納し、この金属性パッケージの
一部、すなわち、光デバイスや電子デバイス部分を樹脂
等のモールド部材によりモールドして構成してもよい。
【００７４】また、光受信モジュールと光送信モジュー
ルとを例を挙げて説明したが、これらに限るものではな
く、光受信機能と光送信機能との両方の機能を有する光
送受信モジュールとして構成しても、同様な効果を得る
ことができる。
ルとを例を挙げて説明したが、これらに限るものではな
く、光受信機能と光送信機能との両方の機能を有する光
送受信モジュールとして構成しても、同様な効果を得る
ことができる。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光モジュールにおける光送受信デバイスや電子デバイス
の部分をモールド部材を用いてモールドするようにした
ので、相対する金属材料に起因する共振効果を緩和し
て、光モジュールの動作周波数が所定の高周波数を超え
る帯域であっても、共振による特性の劣化を防止するこ
とが可能となり、これにより、信頼性の高い光モジュー
ルを得ることができる。
光モジュールにおける光送受信デバイスや電子デバイス
の部分をモールド部材を用いてモールドするようにした
ので、相対する金属材料に起因する共振効果を緩和し
て、光モジュールの動作周波数が所定の高周波数を超え
る帯域であっても、共振による特性の劣化を防止するこ
とが可能となり、これにより、信頼性の高い光モジュー
ルを得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である光受信モジュ
ールおよび光デバイスの構成を示す斜視図である。
ールおよび光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図２】光受信モジュールにおける電子デバイスの電気
的な回路構成を示すブロック図である。
的な回路構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態である光送信モジュ
ールの構成を示す斜視図である。
ールの構成を示す斜視図である。
【図４】光送信モジュールにおける電子デバイスおよび
光デバイスの電気的な回路構成を示すブロック図であ
る。
光デバイスの電気的な回路構成を示すブロック図であ
る。
【図５】従来の光モジュールの構成例を示す斜視図であ
る。
る。
１０ 光受信モジュール １１ 光ファイバ １３ 信号変換部（ＰＩＮ−ＡＭＰ） １４ 信号処理部（３Ｒ−ＩＣ） １５ ＳＡＷフィルタ １７ 配線基板 １９ リードフレーム ３０ 増幅器 ４０ データ再生器 ５０ クロック再生器 ７０ 光送信モジュール ７２ 信号変換部（ＬＤ） ７３ ＬＤドライバＩＣ（半導体レーザ駆動回路） ７４ 信号処理部（ＡＰＣ−ＩＣ） １００ モールド部材（樹脂）
Claims (13)
- 【請求項１】 光信号と電気信号との変換処理を行う信
号変換手段と、 該変換された電気信号の信号処理を行う信号処理手段と
を具え、 前記信号変換手段と前記信号処理手段とをモールド部材
によりモールドして構成したことを特徴とする光モジュ
ール。 - 【請求項２】 光信号と電気信号との変換処理を行う信
号変換手段と、 該変換された電気信号の信号処理を行う信号処理手段と
を具え、 前記信号変換手段と前記信号処理手段とを金属性パッケ
ージに収納し、該金属性パッケージの一部をモールドし
て構成したことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項３】 前記モールド部材は、樹脂であることを
特徴とする請求項１又は２記載の光モジュール。 - 【請求項４】 前記光信号若しくは前記電気信号は、所
定の高帯域の周波数を有する信号であることを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれかに記載の光モジュール。 - 【請求項５】 前記所定の高帯域とは、１Ｇｂｐｓを超
える帯域であることを特徴とする請求項４記載の光モジ
ュール。 - 【請求項６】 前記信号処理手段は、信号処理回路を基
板上に形成して構成されることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれかに記載の光モジュール。 - 【請求項７】 前記基板は、多層ガラスセラミック基板
であることを特徴とする請求項６記載の光モジュール。 - 【請求項８】 前記基板の外部配線は、リードフレーム
であることを特徴とする請求項６又は７記載の光モジュ
ール。 - 【請求項９】 前記信号処理手段は、増幅器、データ再
生器、クロック再生器を含むことを特徴とする請求項１
ないし８のいずれかに記載の光モジュール。 - 【請求項１０】 前記信号処理手段は、半導体レーザ駆
動回路を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいず
れかに記載の光モジュール。 - 【請求項１１】 前記信号変換手段は、前記光信号を前
記電気信号に変換する光受信手段からなることを特徴と
する請求項１ないし１０のいずれかに記載の光モジュー
ル。 - 【請求項１２】 前記信号変換手段は、前記電気信号を
前記光信号に変換する光送信手段からなることを特徴と
する請求項１ないし１０のいずれかに記載の光モジュー
ル。 - 【請求項１３】 前記信号変換手段は、 前記光信号を前記電気信号に変換する光受信手段と、 前記電気信号を前記光信号に変換する光送信手段とから
なることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに
記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370298A JPH11354833A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370298A JPH11354833A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354833A true JPH11354833A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15779005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16370298A Pending JPH11354833A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354833A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126107U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-17 | ||
| JPH03140824A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Nec Corp | 光受信モジュール |
| JPH05335617A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 光伝送モジュール |
| JPH0799340A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光リンク装置 |
-
1998
- 1998-06-11 JP JP16370298A patent/JPH11354833A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126107U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-17 | ||
| JPH03140824A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Nec Corp | 光受信モジュール |
| JPH05335617A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 光伝送モジュール |
| JPH0799340A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光リンク装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040721 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080530 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |