JPH03136407A - High frequency amplifier - Google Patents
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- JPH03136407A JPH03136407A JP27473989A JP27473989A JPH03136407A JP H03136407 A JPH03136407 A JP H03136407A JP 27473989 A JP27473989 A JP 27473989A JP 27473989 A JP27473989 A JP 27473989A JP H03136407 A JPH03136407 A JP H03136407A
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Abstract
Description
【産業上の利用分野１
本発明は、レーダ通信のフロントエンド等に用いられる
高周波増幅器に関する。
ｒ従来の技術】
従来のマイクロ波回路の実装構造としては、例えば、高
周波増幅器の場合、第４図に示すような構成がある。
すなわち、金属台５の上に誘電体基板の入力側整合回路
基板ｌと出力側整合回路基板６とが、間隔を置いて配置
されており、それぞれの基板ｌ。
６の上には、マイクロストリップ線路パターンの入力側
整合回路１ａと出力側整合回路基板６ａとが、設けられ
ている。
入力側整合回路基板１と出力側整合回路基板６との間に
は、電界効果トランジスタ（以下。
ＦＥＴという）２が配置され、ＦＥＴ２のゲートリード
２ａは入力側整合回路１ａに、ＦＥＴ２のドレインリー
ド２ｂは出力側整合回路６ａに接続される。
また、入力側整合回路基板１と出力側整合回路基板６と
の間には、バイパスコンデンサ３ａ。
３ｂが金属台５上に配置されている。
ＦＥＴ２のソースリード２ｃ、２ｄは、バイパスコンデ
ンサ３ａ、３ｂにそれぞれ接続されている。さらに、出
力側整合回路基板６の上には、ソース抵抗器４が印刷さ
れ、ソース抵抗器４の一端は、電極４ｂを介してバイパ
スコンデンサ３ａの上部電極にワイヤボンディング等の
リードワイヤ４Ｃによりバイパスコンデンサ３ａ、３ｂ
と並列に、接続され、他端は、リボン電極４ａを介して
金属台５に接続される。
また、他の従来のマイクロ波回路の実装構造としては、
例えば第５図に示すような高周波増幅器の例がある。
すなわち、金属台５の上に入力側と出力側とが一体の整
合回路基板７が配置されている。基板７は、中央に孔部
８を有し、孔部８内には平板コンデンサ３が設置され、
平板コンデンサ３は、金属台５に接地されている。
平板コンデンサ３の上には、ＦＥＴ２が配置され、ＦＥ
Ｔ２のソースリード２ｃ、２ｄは、平板コンデンサ３と
接続される。
また、基板７の上には、チップ状のソース抵抗器４が配
置されており、ソース抵抗器４は、電極４ｂを介してワ
イヤボンディング等のリードワイヤ４ｃにより平板コン
デンサ３と並列に接続されている。[Industrial Application Field 1] The present invention relates to a high frequency amplifier used in a front end of radar communication, etc. 4. Prior Art As a conventional mounting structure of a microwave circuit, for example, in the case of a high frequency amplifier, there is a structure as shown in FIG. That is, an input-side matching circuit board l and an output-side matching circuit board 6 of dielectric substrates are placed on a metal base 5 with an interval between them, and the respective boards l. 6, an input side matching circuit 1a and an output side matching circuit board 6a having a microstrip line pattern are provided. A field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 2 is arranged between the input matching circuit board 1 and the output matching circuit board 6, and the gate lead 2a of the FET 2 is connected to the input matching circuit 1a, and the drain lead of the FET 2 is connected to the input matching circuit 1a. 2b is connected to the output side matching circuit 6a. Furthermore, a bypass capacitor 3a is provided between the input side matching circuit board 1 and the output side matching circuit board 6. 3b is placed on the metal stand 5. Source leads 2c and 2d of FET 2 are connected to bypass capacitors 3a and 3b, respectively. Furthermore, a source resistor 4 is printed on the output side matching circuit board 6, and one end of the source resistor 4 is bypassed by a lead wire 4C such as wire bonding to the upper electrode of the bypass capacitor 3a via an electrode 4b. Capacitors 3a, 3b
The other end is connected to the metal base 5 via the ribbon electrode 4a. In addition, other conventional microwave circuit mounting structures include:
For example, there is an example of a high frequency amplifier as shown in FIG. That is, a matching circuit board 7 whose input side and output side are integrated is arranged on the metal base 5. The substrate 7 has a hole 8 in the center, and a flat capacitor 3 is installed in the hole 8.
The flat plate capacitor 3 is grounded to a metal base 5. FET2 is arranged on the flat plate capacitor 3, and the FE
The source leads 2c and 2d of T2 are connected to the flat capacitor 3. Further, a chip-shaped source resistor 4 is arranged on the substrate 7, and the source resistor 4 is connected in parallel to the flat capacitor 3 by a lead wire 4c such as wire bonding via an electrode 4b. There is.
しかしながら、第４図に示す従来の高周波増幅器では、
バイパスコンデンサ３ａ、３ｂ’ｉ’ＦＥＴ２のソース
２ａ、２ｂに近接して設置することが要求されるために
、入力側整合回路基板ｌと出力側整合回路基板６との間
に、バイパスコンデンサ３ａ、３ｂを設置するためのス
ペースが設けられており、入力側整合回路基板１と出力
側整合回路基板６とが分離してしまっている。
このため、このような高周波増幅器を製造するためには
、２つの基板を所定の間隔をあけて配置する工程を要し
、製造に手間を要するという問題点があった。
また、第５図に示す従来の高周波増幅器では、基板７内
に孔部８を形成する必要があるため、製造工程において
、孔あけ加工による孔部８の形成に手間を要するという
問題点があった。
この孔あけ加工を容易にするために、テフロン系の基板
を用いる技術があるが、テフロン系の基板はテフロン系
基板特有のそりを生じることがある。これを防止するた
めには、基板フな完全に金属台５と固着させる必要があ
り、このために、高周波増幅器の製造に手間がかかると
し）う問題点があった。また、テフロン系基板は、高価
であった。
また、第５図に示す従来の高周波増幅器ては。
第４図の従来例と同様に、ソース抵抗器４は、平板コン
デンサ３にワイヤリングにより接続されているため、素
子を固着した後に、ワイヤリングを行わなければならな
いという問題点がありだ。
さらに、第４図および第５図の従来例は、バイパスコン
デンサ３ａ、３ｂおよび平板コンデンサ３について、金
属台５を通して接地を行う必要があり、基板と金属台と
をはんだ付は等の固着作業の必要があって、製造に手間
がかかるという問題点があった。
本発明は、このような従来の技術が有する問題点に着目
してなされたもので、製造工程が少なくて製造が容易で
あるとともに、周波数特性のより優れた製品を製造する
ことができるようにした高周波増幅器を提供することを
目的としている。However, in the conventional high frequency amplifier shown in FIG.
Since the bypass capacitors 3a, 3b'i' are required to be installed close to the sources 2a, 2b of the FET2, the bypass capacitors 3a, 3b'i' are installed between the input side matching circuit board l and the output side matching circuit board 6. 3b is provided, and the input matching circuit board 1 and the output matching circuit board 6 are separated. For this reason, in order to manufacture such a high frequency amplifier, a process of arranging two substrates at a predetermined interval is required, which poses a problem in that manufacturing requires time and effort. Further, in the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 5, since it is necessary to form the hole 8 in the substrate 7, there is a problem in that it takes time and effort to form the hole 8 by drilling in the manufacturing process. Ta. In order to facilitate this hole-drilling process, there is a technique that uses a Teflon-based substrate, but the Teflon-based substrate may cause warpage that is characteristic of Teflon-based substrates. In order to prevent this, it is necessary to completely fix the substrate to the metal base 5, which poses a problem in that it takes time and effort to manufacture the high frequency amplifier. Furthermore, Teflon-based substrates were expensive. Furthermore, the conventional high frequency amplifier shown in FIG. As in the conventional example shown in FIG. 4, the source resistor 4 is connected to the plate capacitor 3 by wiring, so there is a problem in that the wiring must be done after the elements are fixed. Furthermore, in the conventional examples shown in FIGS. 4 and 5, it is necessary to ground the bypass capacitors 3a, 3b and the flat capacitor 3 through the metal base 5, and it is necessary to perform fixing work such as soldering between the board and the metal base. There was a problem in that it was necessary and took time and effort to manufacture. The present invention has been made by focusing on the problems of the conventional technology, and aims to make it possible to manufacture products that are easy to manufacture with fewer manufacturing steps and have better frequency characteristics. The purpose is to provide a high frequency amplifier with
本願の発明の高周波増幅器は、
一方の面に入力整合回路パターンおよび出力整合回路パ
ターンを有し、該他方の面にＧＮＤパターンを有し、前
□記一方の面側と前記゛他方の面側とを連通し、前記Ｇ
ＮＤパターンに導通するスルーホールを有する基板と、
前記基板の前記一方の面に配置され、上部電極および下
部電極を有し、該下部電極を前記スルーホールに重ねた
状態で接続されるバイパスコンデンサと、
ゲートリードおよびトレインリートが前記入力整合回路
パターンおよび前記出力整合回路パターンに接続され、
ソースリードか前記バイパスコンデンサの上部電極に接
続された電界効果トランジスタと。
一方の電極の下面を前記バイパスコンデンサの上部電極
の上面に重ねた状態で接続され、他方の電極の下面を前
記スルーホールに重ねた状態で接続されるソース抵抗器
とを、
有することを特徴とする。
また、前記電界効果トランジスタと前記入力整合回路パ
ターンおよび出力整合回路パターンとの接続、前記バイ
パスコンデンサと前記電界効果トランジスタのソースリ
ードとの接続通前記ソース抵抗器と前記バイパスコンデ
ンサとの接続、並びに、前記バイパスコンデンサおよび
前記ソース抵抗器と前記スルーホールとの接続は、リフ
ローソルダリングで固着することにより行われるもので
あってもよい。The high frequency amplifier of the invention of the present application has an input matching circuit pattern and an output matching circuit pattern on one surface, and has a GND pattern on the other surface, the above-mentioned one surface side and the above-mentioned ゛other surface side. and the G
a substrate having a through hole connected to the ND pattern; and a bypass capacitor disposed on the one surface of the substrate, having an upper electrode and a lower electrode, and connected with the lower electrode overlapping the through hole. , a gate lead and a train lead are connected to the input matching circuit pattern and the output matching circuit pattern,
With a field effect transistor connected to the source lead or the upper electrode of said bypass capacitor. and a source resistor connected with the lower surface of one electrode overlapping the upper surface of the upper electrode of the bypass capacitor and the lower surface of the other electrode overlapping the through hole. do. Further, a connection between the field effect transistor and the input matching circuit pattern and an output matching circuit pattern, a connection between the bypass capacitor and the source lead of the field effect transistor, a connection between the source resistor and the bypass capacitor, The connection between the bypass capacitor and the source resistor and the through hole may be performed by fixing by reflow soldering.
バイパスコンデンサはＦＥＴのソースリードに接続され
、ソース抵抗器がバイパスコンデンサに直接接続されて
いるため、ワイヤボンデインク等のワイヤリングが不要
となる。このため、接続ポイントが減少し、信頼性が向
上するとともに、耐久性が向上する。
また、素子の接続を、リフローソルダリングで固着する
ことにより行う場合には、素子の接続を全製品について
同時に行えるため、全体として製造工程が少なくて済み
、大量生産に好適となる。
［実施例］
以下、゛図面に基づき本発明の各種実施例について説明
する。なお、各種実施例につき同種の部位には同一符号
を付し重複した説明を省略する。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示しており、第１
図は本発明の一実施例の高周波増幅器の分解斜視図、第
２図は組み立てられた高周波増幅器の斜視図、第３図は
第２図の高周波増幅器のｍ−ｍ線断面図である。
第１図に示すように、本実施例のマイクロ波回路の一例
として示す高周波増幅器は、基本的に、基板１５と、電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１２と、バイパスコンデ
ンサ１３と、ソース抵抗器１４とを有する。
基板１５は、アルミナ基板である。アルミナ基板は、高
い平面度を有し、高周波増幅器のためのケースに直接取
付けることを可能とし、金属台を不要とする。なお、基
板１５には、テフロン系基板を使用することも可能であ
る。
基板１５は、裏面へた一面に銀−パラジウムのＧＮＤ
（接地）パターン２９（第３図参照）を厚膜印刷により
形成されている。
基板１５の中央部には、数側のスルーホール２１が１列
に穿設され、スルーホール２１は、壁面に銀−パラジウ
ムを厚膜印刷により形成され、端が、基板１５の裏面の
ＧＮＤパターン２９に接続されている。
スルーホール２１は、例えば、レーザーによってワンシ
ョットで容易に穿設することかできる。
また、スルーホール２１の周囲には、バイパスコンデン
サ１３の形状にほぼ等しいパターン２３ａと、ソース抵
抗の接地のためのパターン２３ｂが印刷により形成され
ている。
基板１５の裏面のＧＮＤパターン２９と、スルーホール
２１と、パターン２３ａ、２３ｂとは、厚膜印刷により
形成され、電気的に接続される。
パターン２３ａのように面積の広いパターンにあっては
、スルーホール２１の数は、その表面の電位をできるた
け等しくするため、多いほど好ましい。
基板１５の表面上には、入力整合回路１１ａと出力整合
回路１６ａとが厚膜印刷により形成されている（なお、
詳細なパターン図は省略する）。
バイパスコンデンサ１３は、非常に薄いセラミックの両
面に銀−パラジウム電極を焼き付けて製造される平板状
コンデンサである。
このバイパスコンデンサ１３としては、従来の０．４ｍ
會程度の厚さのものより薄い、０．１５■−程度の厚さ
のものを用いる。このため、バイパスコンデンサ１３で
、十分な容量が得られるとともに、比較的低周波領域で
も十分な作動を生じることができる。
第２図および第３図に示すように、このバイパスコンデ
ンサ１３は、パターン２３ａの上に配置され、下面電極
１３ｂがスルーホール２１を介してＧＮＤパターン２９
に接地される。
また、バイパスコンデンサエ３の上面電極１３ａの上に
は、ＦＥＴ１２が配置されている。
ＦＥＴ１２は、ゲートリード１２ａが入力整合回路１１
ａに接続され、ドレインリード１２ｂが出力整合回路１
６ａに接続されている。また。
ＦＥＴ１２は、ソースリード１２ｃ、１２ｄがバイパス
コンデンサ１３の上面電極１３ａに接続されている。
さらに、バイパスコンデンサ１３の上面電極１３ａには
、ソース抵抗器１４の一方の電極１４ａが接続され、ソ
ース抵抗器１４の他方の電極１４ｂは基板１５上のパタ
ーン２３ｂに接続される。
基板１５上のこれらの素子の接続は、Ｉｓ２図に示すよ
うに、素子の端子部に予めはんだペースト２８をコーテ
ィングしておき、リフローソルダリングにより、加熱炉
ではんだを再溶融して１行われる。
こうして、第２図に示すような高周波増幅器が、製造さ
れる。
次に作用を説明する。
高周波増幅器は、基板１５の裏面にＧＮＤパターン２９
を有する。このため、基板１５を金属台に固着する必要
がなくなり、従来例のような金属台が不要となる。
また、基板１５は、ＧＮＤパターン２９に導通するスル
ーホール２１を有し、バイパスコンデンサ１３およびソ
ース抵抗器１４は、このスルーホールを介して接地され
る。スルーホールは、レーザーによりて、ワンショット
で簡単に形成するこ、とができる、このため、リボン電
極を用いて接地したり、基板にレーザーによるワンシミ
ツトではあけられないほど大きい孔をあけ、孔内にバイ
パスコンデンサを配置して接地したりする場合に比べて
、バイパスコンデンサ１３およびソース抵抗器１４の接
地が容易になる。
また、バイパスコンデンサ１３はＦＥＴ ｌ ２のソー
スリード１２ｃ、１２ｄに接続され、ソース抵抗器１４
がバイパスコンデンサ１３に、それらの電極面間で直接
接続されているため、ワイヤポンディング等のワイヤリ
ングが不要となる。このため、接続ポイントが減少し、
信頼性が向上するとともに、耐久性が向上す、る。
また、素子の接続を、リフローソルダリングで固着する
ことにより行うため、素子の接続を全製品について同時
に行えるため、全体として製造工程が少なくて済み、大
量生産に好適となる。
このような高周波増幅器は、金属板やワイヤリング等が
不要となるため、材料費が安価となる。
上記実施例は、マイクロ波回路として、高周波増幅器の
例を示したが、本発明はこれに限らず、他のマイクロ波
回路にも広く適用することができる。
■発明の効果ｌ
ワイヤリング等が不要となるため、接続ポイントが減少
し、信頼性が向上するとともに、耐久性が向上する。
また、素子の接続を、リフローソルダリングで固着する
ことにより行う場合には、素子の接続を全製品について
同時に行えるため、全体として製造工程が少なくて済み
、大量生産に好適となる。Since the bypass capacitor is connected to the source lead of the FET and the source resistor is directly connected to the bypass capacitor, wiring such as wire bonding is not required. This reduces connection points, increases reliability, and increases durability. Further, when the elements are connected by fixing them by reflow soldering, the elements can be connected simultaneously for all products, so the number of manufacturing steps as a whole is reduced, and this is suitable for mass production. [Embodiments] Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described based on the drawings. Incidentally, the same types of parts in various embodiments are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted. 1 to 3 show one embodiment of the present invention, and the first
2 is an exploded perspective view of a high frequency amplifier according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the assembled high frequency amplifier, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line m--m of the high frequency amplifier shown in FIG. As shown in FIG. 1, the high frequency amplifier shown as an example of the microwave circuit of this embodiment basically includes a substrate 15, a field effect transistor (FET) 12, a bypass capacitor 13, and a source resistor 14. has. Substrate 15 is an alumina substrate. The alumina substrate has a high degree of flatness and allows direct attachment to the case for the high frequency amplifier, eliminating the need for a metal stand. Note that it is also possible to use a Teflon-based substrate for the substrate 15. The substrate 15 has a silver-palladium GND on the entire back side.
A (ground) pattern 29 (see FIG. 3) is formed by thick film printing. A number of through holes 21 are formed in a row in the center of the substrate 15, and the through holes 21 are formed by thick film printing of silver-palladium on the wall surface, and the ends are connected to the GND pattern on the back surface of the substrate 15. It is connected to 29. The through hole 21 can be easily formed in one shot using a laser, for example. Further, around the through hole 21, a pattern 23a having substantially the same shape as the bypass capacitor 13 and a pattern 23b for grounding the source resistor are formed by printing. The GND pattern 29 on the back surface of the substrate 15, the through hole 21, and the patterns 23a and 23b are formed by thick film printing and are electrically connected. In a pattern with a large area such as pattern 23a, the number of through holes 21 is preferably as large as possible in order to equalize the potential of the surface as much as possible. On the surface of the substrate 15, an input matching circuit 11a and an output matching circuit 16a are formed by thick film printing (note that
(Detailed pattern diagrams are omitted). Bypass capacitor 13 is a flat capacitor manufactured by baking silver-palladium electrodes on both sides of a very thin ceramic. As this bypass capacitor 13, the conventional 0.4 m
A material with a thickness of about 0.15 mm is used, which is thinner than a material with a thickness of about 100 cm. Therefore, the bypass capacitor 13 can have a sufficient capacity and can also provide sufficient operation even in a relatively low frequency range. As shown in FIGS. 2 and 3, this bypass capacitor 13 is arranged on a pattern 23a, and a lower surface electrode 13b is connected to a GND pattern 29 through a through hole 21.
grounded. Further, an FET 12 is arranged on the upper surface electrode 13a of the bypass capacitor 3. The gate lead 12a of the FET 12 is connected to the input matching circuit 11.
a, and the drain lead 12b is connected to the output matching circuit 1.
6a. Also. The FET 12 has source leads 12c and 12d connected to the upper electrode 13a of the bypass capacitor 13. Further, one electrode 14a of the source resistor 14 is connected to the upper surface electrode 13a of the bypass capacitor 13, and the other electrode 14b of the source resistor 14 is connected to the pattern 23b on the substrate 15. Connection of these elements on the substrate 15 is performed by coating the terminals of the elements with solder paste 28 in advance and remelting the solder in a heating furnace by reflow soldering, as shown in Figure Is2. . In this way, a high frequency amplifier as shown in FIG. 2 is manufactured. Next, the effect will be explained. The high frequency amplifier has a GND pattern 29 on the back side of the substrate 15.
has. Therefore, it is not necessary to fix the substrate 15 to a metal stand, and a metal stand as in the conventional example is no longer necessary. Further, the substrate 15 has a through hole 21 that is electrically connected to the GND pattern 29, and the bypass capacitor 13 and the source resistor 14 are grounded through this through hole. Through-holes can be easily formed in one shot using a laser. For this reason, it is possible to ground the hole using a ribbon electrode, or to drill a hole in the board that is too large to be drilled in one shot using a laser. The bypass capacitor 13 and the source resistor 14 can be easily grounded compared to the case where a bypass capacitor is disposed and grounded. Moreover, the bypass capacitor 13 is connected to the source leads 12c and 12d of the FET l2, and the source resistor 14
are directly connected to the bypass capacitor 13 between their electrode surfaces, eliminating the need for wiring such as wire bonding. This reduces connection points and
This improves reliability and durability. Further, since the elements are connected by fixing them by reflow soldering, the elements can be connected simultaneously for all products, so the number of manufacturing steps as a whole is reduced, making it suitable for mass production. Such a high-frequency amplifier does not require metal plates, wiring, etc., and therefore the material cost is low. Although the above embodiments have shown an example of a high frequency amplifier as a microwave circuit, the present invention is not limited to this and can be widely applied to other microwave circuits. ■Effects of the invention 1 Since wiring etc. are not required, the number of connection points is reduced, reliability is improved, and durability is improved. Further, when the elements are connected by fixing them by reflow soldering, the elements can be connected simultaneously for all products, so the number of manufacturing steps as a whole is reduced, and this is suitable for mass production.
第１図は本発明の一実施例の高周波増幅器の分解斜視図
、第２図は組み立てられた高周波増幅器の斜視図、第３
図は第２図の高周波増幅器のｍ−口線断面図、第４図お
よび第５図は従来例の高周波増幅器の分解斜視図である
。
１１ａ・・・入力整合装置
１２・・・電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１２ａ・・
・ゲートリード
１２ｂ・・・ドレインリード
１２ｃ、１２ｄ・・・ソースリード
１３・・・バイパスコンデンサ
１４・・・ソース抵抗器
１５・・・基板
１６ａ・・・出力整合装置
２１・・・スルーホール
２９・・・ＧＮＤパターンFig. 1 is an exploded perspective view of a high frequency amplifier according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of an assembled high frequency amplifier, and Fig. 3 is a perspective view of an assembled high frequency amplifier.
This figure is a cross-sectional view taken along the line m--of the high-frequency amplifier shown in FIG. 2, and FIGS. 4 and 5 are exploded perspective views of the conventional high-frequency amplifier. 11a... Input matching device 12... Field effect transistor (FET) 12a...
・Gate lead 12b...Drain leads 12c, 12d...Source lead 13...Bypass capacitor 14...Source resistor 15...Substrate 16a...Output matching device 21...Through hole 29・・GND pattern
Claims (2)
回路パターンを有し、該他方の面にＧＮＤパターンを有
し、前記一方の面側と前記他方の面側とを連通し、前記
ＧＮＤパターンに導通するスルーホールを有する基板と
、 前記基板の前記一方の面に配置され、上部電極および下
部電極を有し、該下部電極を前記スルーホールに重ねた
状態で接続されるバイパスコンデンサと、 ゲートリードおよびドレインリードが前記入力整合回路
パターンおよび前記出力整合回路パターンに接続され、
ソースリードが前記バイパスコンデンサの上部電極に接
続された電界効果トランジスタと、 一方の電極の下面を前記バイパスコンデンサの上部電極
の上面に重ねた状態で接続され、他方の電極の下面を前
記スルーホールに重ねた状態で接続されるソース抵抗器
とを、 有することを特徴とする高周波増幅器。1. has an input matching circuit pattern and an output matching circuit pattern on one surface, has a GND pattern on the other surface, communicates the one surface side with the other surface side, and is electrically connected to the GND pattern. a substrate having a through hole; a bypass capacitor disposed on the one surface of the substrate, having an upper electrode and a lower electrode, and connected with the lower electrode overlapping the through hole; a gate lead and a drain; a lead is connected to the input matching circuit pattern and the output matching circuit pattern,
A field effect transistor whose source lead is connected to the upper electrode of the bypass capacitor is connected with the lower surface of one electrode overlapping the upper surface of the upper electrode of the bypass capacitor, and the lower surface of the other electrode is connected to the through hole. A high-frequency amplifier comprising: a source resistor connected in a stacked manner.
とにより行われることを特徴とする請求項１記載の高周
波増幅器。2. 2. The high frequency amplifier according to claim 1, wherein said connection is made by fixing by reflow soldering.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27473989A JP2875302B2 (en) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | High frequency amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27473989A JP2875302B2 (en) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | High frequency amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136407A true JPH03136407A (en) | 1991-06-11 |
| JP2875302B2 JP2875302B2 (en) | 1999-03-31 |
Family
ID=17545909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27473989A Expired - Lifetime JP2875302B2 (en) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | High frequency amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875302B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111069A (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | National Institute Of Information & Communication Technology | Extremely-feeble light detector |
-
1989
- 1989-10-21 JP JP27473989A patent/JP2875302B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111069A (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | National Institute Of Information & Communication Technology | Extremely-feeble light detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2875302B2 (en) | 1999-03-31 |
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