JPH03134668A - 感光性樹脂 - Google Patents
感光性樹脂Info
- Publication number
- JPH03134668A JPH03134668A JP27151589A JP27151589A JPH03134668A JP H03134668 A JPH03134668 A JP H03134668A JP 27151589 A JP27151589 A JP 27151589A JP 27151589 A JP27151589 A JP 27151589A JP H03134668 A JPH03134668 A JP H03134668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- maleic anhydride
- photosensitive resin
- formula
- integer
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 41
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical group O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 abstract 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- -1 rhopropyl Chemical group 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N alpha-methylcyclopentanone Natural products CC1CCCC1=O ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は感光性樹脂、詳しくは環状脂肪族炭化水素骨格
からなる単位と、無水マレイン酸に由来する単位とを有
するパターン形成材料に関する。
からなる単位と、無水マレイン酸に由来する単位とを有
するパターン形成材料に関する。
本発明の感光性樹脂はとりわけ半導体製造分野における
微細加工用レジストとして用いられ、遠紫外線あるいは
KrFエキシマレーザ−を光源とするリソグラフィーに
適している。
微細加工用レジストとして用いられ、遠紫外線あるいは
KrFエキシマレーザ−を光源とするリソグラフィーに
適している。
[従来の技術]
LSI、VLSI等の半導体集積回路の高密度化に伴い
、その加工の微細度を向上させることが要望されている
。このため、その加工に用いられるレジストは微細パタ
ーンを精度よく形成することが必要である。
、その加工の微細度を向上させることが要望されている
。このため、その加工に用いられるレジストは微細パタ
ーンを精度よく形成することが必要である。
従来、半導体製造のリソグラフィー工程ではノボラック
樹脂やポリビニルフェノール等のアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂に、溶解阻止剤としてナフトキノンジアジドを
混合したポジ型レジストが使われている。このポジ型レ
ジストに波長436nmの紫外線(g線)を照射すると
ナフトキノンジアジドの分解により溶解阻止能力が減少
するため、照射部分と未照射部分でアルカリに対する溶
解速度の差を生じる。この溶解速度差を利用し、アルカ
リ水溶液により現像を行い微細パターンを得ている。
樹脂やポリビニルフェノール等のアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂に、溶解阻止剤としてナフトキノンジアジドを
混合したポジ型レジストが使われている。このポジ型レ
ジストに波長436nmの紫外線(g線)を照射すると
ナフトキノンジアジドの分解により溶解阻止能力が減少
するため、照射部分と未照射部分でアルカリに対する溶
解速度の差を生じる。この溶解速度差を利用し、アルカ
リ水溶液により現像を行い微細パターンを得ている。
〔発明が解決しようとする課題]
現在、g線を使ったリソグラフィーは解像度の限界に近
づいており、サブミクロン以下の加工には露光光源の短
波長化等によりリソグラフィー技術の高解像力化を進め
る必要がある。その光源としては遠紫外線(250〜3
00nm)やエキシマレーザ−(249nm)が注目さ
れている。
づいており、サブミクロン以下の加工には露光光源の短
波長化等によりリソグラフィー技術の高解像力化を進め
る必要がある。その光源としては遠紫外線(250〜3
00nm)やエキシマレーザ−(249nm)が注目さ
れている。
しかしながら、ノボラック系ポジ型レジストに使われて
いる樹脂は遠紫外線およびエキシマレーザ−の波長に強
い吸収を持つ芳香族環を含むため感光剤に光が十分吸収
されず、良好なプロファイルが得られない。
いる樹脂は遠紫外線およびエキシマレーザ−の波長に強
い吸収を持つ芳香族環を含むため感光剤に光が十分吸収
されず、良好なプロファイルが得られない。
本発明の目的は遠紫外線あるいはエキシマレーザ−リソ
グラフィーにおいて高解像度のポジ型パターン形成材料
を提供することにある。
グラフィーにおいて高解像度のポジ型パターン形成材料
を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは上記の課題を解決するべく、鋭意検討を行
った。
った。
その結果、特定の環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物
と無水マレイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を下
記一般式(1)で表される環状ジアゾ感光基を含むアル
コールおよび下記一般式(2)で表されるアミンで変性
することにより上記目的を達成できる感光性樹脂が得ら
れることを見出だし本発明に到達した。
と無水マレイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を下
記一般式(1)で表される環状ジアゾ感光基を含むアル
コールおよび下記一般式(2)で表されるアミンで変性
することにより上記目的を達成できる感光性樹脂が得ら
れることを見出だし本発明に到達した。
(但し、式中、nは1〜10の整数を表し、Rは炭素数
1〜6のアルキル基を表す。)すなわち、本発明は下記
一般式(3)〜(6)で表される感光性樹脂に関するも
のである。
1〜6のアルキル基を表す。)すなわち、本発明は下記
一般式(3)〜(6)で表される感光性樹脂に関するも
のである。
(但し、式中、nは1〜10の整数を表し、aおよびす
、cおよびd、 eおよびfSgおよびhはそれぞれ
a/ (a+b)、c/ (c+d)、e/ (e+f
)、g/ (g+h)が0゜1〜1となる整数を表し、
Rは炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 前記感光性樹脂は例えば のような環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マ
レイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を一般式(1
)で表される環状ジアゾ感光基を含むアルコールおよび
一般式(2)で表されるアミンで変性することにより得
られる。変性方法としてはジアゾ感光基を含むアルコー
ルで変性した後アミンで変性する方法、アミンで変性し
た後ジアゾ感光基を含むアルコールで変性する方法、あ
るいはジアゾ感光基を含むアルコールとアミンの混合系
で変性する方法等があるがこれらに限定されない。
、cおよびd、 eおよびfSgおよびhはそれぞれ
a/ (a+b)、c/ (c+d)、e/ (e+f
)、g/ (g+h)が0゜1〜1となる整数を表し、
Rは炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 前記感光性樹脂は例えば のような環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マ
レイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を一般式(1
)で表される環状ジアゾ感光基を含むアルコールおよび
一般式(2)で表されるアミンで変性することにより得
られる。変性方法としてはジアゾ感光基を含むアルコー
ルで変性した後アミンで変性する方法、アミンで変性し
た後ジアゾ感光基を含むアルコールで変性する方法、あ
るいはジアゾ感光基を含むアルコールとアミンの混合系
で変性する方法等があるがこれらに限定されない。
変性に用いるアミンは、感光性樹脂と基板の密着性の点
で炭素数2〜6のものが好ましい。具体的には、エチル
、ロープロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec、
−ブチル、イソブチル、te目、−ブチル、シクロプロ
ピル、シクロヘキシル等のアミンが挙げられる。
で炭素数2〜6のものが好ましい。具体的には、エチル
、ロープロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec、
−ブチル、イソブチル、te目、−ブチル、シクロプロ
ピル、シクロヘキシル等のアミンが挙げられる。
本発明で使用される共重合体の分子量は感度、溶解度、
耐熱性、製膜型等の点から単分散ポリスチレンを標準と
してゲルパーミネーションクロマト法(GPC法)によ
り求めた重量平均分子量(M w )が1,000〜1
00,000 、特に2,000〜50.000のもの
が好ましい。
耐熱性、製膜型等の点から単分散ポリスチレンを標準と
してゲルパーミネーションクロマト法(GPC法)によ
り求めた重量平均分子量(M w )が1,000〜1
00,000 、特に2,000〜50.000のもの
が好ましい。
本発明の感光性樹脂は、有機溶媒可溶性であり、集積回
路の作製等に使用する場合、通常、溶液(レジスト溶液
)の形で実用に供せられる。この場合前記感光性樹脂は
一般に、1〜50重量%好ましくは5〜30重量%の割
合で溶解して用いられる。この有機溶媒としては、本発
明の感光性樹脂を均一に溶解しかつシリコン、アルミニ
ウム等の基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸発させる事
により、均一で平滑な塗膜が得られるものが好ましい。
路の作製等に使用する場合、通常、溶液(レジスト溶液
)の形で実用に供せられる。この場合前記感光性樹脂は
一般に、1〜50重量%好ましくは5〜30重量%の割
合で溶解して用いられる。この有機溶媒としては、本発
明の感光性樹脂を均一に溶解しかつシリコン、アルミニ
ウム等の基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸発させる事
により、均一で平滑な塗膜が得られるものが好ましい。
具体的にはアセトン、メチルエチルケトン、シクロペン
タノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メチルセ
ルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチ
ルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート
等のセルソルブ系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エ
チレングリコールモノエチルエステル、酢酸エチレング
リコールモノメチルエステル等のエステル系溶媒が挙げ
られる。上記有機溶媒は、単独で用いても、2種類以上
併用してもよい。
タノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メチルセ
ルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチ
ルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート
等のセルソルブ系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エ
チレングリコールモノエチルエステル、酢酸エチレング
リコールモノメチルエステル等のエステル系溶媒が挙げ
られる。上記有機溶媒は、単独で用いても、2種類以上
併用してもよい。
また、本発明の感光性樹脂には上記成分の他に必要に応
じて可塑剤、増感剤、染料、その他の樹脂、熱反応禁止
剤等各種防止剤、密着性向上剤等を添加することが出来
る。
じて可塑剤、増感剤、染料、その他の樹脂、熱反応禁止
剤等各種防止剤、密着性向上剤等を添加することが出来
る。
本発明の感光性樹脂は前記のごとくレジスト溶液を調製
することにより、従来のフォトレジスト技術でパターン
を形成できる。以下にその方法について説明する。
することにより、従来のフォトレジスト技術でパターン
を形成できる。以下にその方法について説明する。
まず、前記のごとく調製したレジスト溶液を基板に塗布
する。この基板への塗布は例えばスピンコード(回転塗
布)等により行なうことができる。
する。この基板への塗布は例えばスピンコード(回転塗
布)等により行なうことができる。
次いでこれを60〜120℃、好ましくは80〜100
℃で20〜60分間乾燥する。乾燥後この塗布膜に対し
フォトマスクチャートを通して遠紫外線あるいはエキシ
マレーザ−を照射する。この後現像液で露光部分を溶解
除去してパターンを得る。上記現像液としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の例えば5
重量%以下の濃度の弱アルカリ水溶液を用いることがで
きる。
℃で20〜60分間乾燥する。乾燥後この塗布膜に対し
フォトマスクチャートを通して遠紫外線あるいはエキシ
マレーザ−を照射する。この後現像液で露光部分を溶解
除去してパターンを得る。上記現像液としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の例えば5
重量%以下の濃度の弱アルカリ水溶液を用いることがで
きる。
本発明の感光性樹脂は、遠紫外線あるいはエキシマレー
ザ−の波長に高い感度を有する感光基を含み、これらの
波長の光を強く吸収する芳香族環を含まないため露光後
の透明性が高い。また、この樹脂は、アルカリ水溶液に
不溶であるが露光により感光基が分解し、カルボン酸を
発生するためアルカリ現像が可能となり、現像の際膨潤
せず高精度で超微細レジストパターンを形成することが
できる。
ザ−の波長に高い感度を有する感光基を含み、これらの
波長の光を強く吸収する芳香族環を含まないため露光後
の透明性が高い。また、この樹脂は、アルカリ水溶液に
不溶であるが露光により感光基が分解し、カルボン酸を
発生するためアルカリ現像が可能となり、現像の際膨潤
せず高精度で超微細レジストパターンを形成することが
できる。
[実施例]
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
合成例1
5−エチリデンビシクロ[2,2゜1]ヘプト−2−エ
ンー無水マレイン酸共重合体15g、4−シメチルアミ
ノビリジン1.5gをピリジン150m1に溶解し、6
−ヒドロキシへキシル−4−ジアゾ−3”、5”−ジオ
キソシクロヘキサンカルボキシレート19.4gのピリ
ジン溶液を滴下して室温で反応させた。反応終了後、エ
チルエーテルでポリマーを析出させ、テトラヒドロフラ
ン溶解−エチルエーテル析出により精製し、25℃で2
4時間乾燥させた。このポリマー10gをジメチルホル
ムアミド100m l、 ジクロロメタン100m1
に溶解し、ジシクロへキシルカルボジイミド8.6gと
n−プロピルアミン2.7mlを加え室温で反応させた
。反応終了後、エチルエーテルでポリマーを析出させ、
テトラヒドロフラン溶解−エチルエーテル析出により精
製し、25℃で24時間乾燥させた。
ンー無水マレイン酸共重合体15g、4−シメチルアミ
ノビリジン1.5gをピリジン150m1に溶解し、6
−ヒドロキシへキシル−4−ジアゾ−3”、5”−ジオ
キソシクロヘキサンカルボキシレート19.4gのピリ
ジン溶液を滴下して室温で反応させた。反応終了後、エ
チルエーテルでポリマーを析出させ、テトラヒドロフラ
ン溶解−エチルエーテル析出により精製し、25℃で2
4時間乾燥させた。このポリマー10gをジメチルホル
ムアミド100m l、 ジクロロメタン100m1
に溶解し、ジシクロへキシルカルボジイミド8.6gと
n−プロピルアミン2.7mlを加え室温で反応させた
。反応終了後、エチルエーテルでポリマーを析出させ、
テトラヒドロフラン溶解−エチルエーテル析出により精
製し、25℃で24時間乾燥させた。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
た。
a/ (a+b)=0. 25
合成例2
1.5−シクロオクタジエン−無水マレイン酸共重合体
から合成例1と同様の方法により感光性樹脂を得た。
から合成例1と同様の方法により感光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
た。
c/ (c+d)=0. 38
合成例3
5−メチレンビシクロ[2,2,1]ヘプ)−2−エン
ー無水マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法に
より感光性樹脂を得た。
ー無水マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法に
より感光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
た。
g/ (g+h)=0. 50
e/ (e十f)=0.43
合成例4
ビシクロ[2,2,1]へブタ−2,5−ジエン−無水
マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法により感
光性樹脂を得た。
マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法により感
光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
た。
実施例1
合成例1で得られた感光性樹脂3gをエチルセルソルブ
12gに溶解し、レジスト溶液を調製した。
12gに溶解し、レジスト溶液を調製した。
このレジスト溶液をシリコンウェハにスピンコーターを
用い、5000回転で回転塗布し、90℃で40分間プ
リベークを行ない、1.5μmの塗膜を得た。ついで、
この塗膜にパターンを有するクロムマスクを通して、5
:1縮小投影露光法によりKrFレーザー露光を行なっ
た。これを2゜38%テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液で1分間現像しレジストパターンを
得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像する
ことがわかった。
用い、5000回転で回転塗布し、90℃で40分間プ
リベークを行ない、1.5μmの塗膜を得た。ついで、
この塗膜にパターンを有するクロムマスクを通して、5
:1縮小投影露光法によりKrFレーザー露光を行なっ
た。これを2゜38%テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液で1分間現像しレジストパターンを
得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像する
ことがわかった。
実施例2
実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例2で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、矩
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
実施例3
実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例3で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、矩
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
実施例4
実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例4で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子−顕微鏡で観察したところ、
矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像すること
がわかった。
矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像すること
がわかった。
第1図、第2図は本発明に係る感光性樹脂の露光前後の
紫外分光曲線図である。
紫外分光曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
ン酸との共重合体の無水マレイン酸部を、下記一般式(
1)で表される環状ジアゾ感光基を含むアルコールおよ
び下記一般式(2)で表されるアミンで変性してなる感
光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) R−NH_2(2) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、Rは炭素数
1〜6のアルキル基を表す。) 2)環状指肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(3)で表さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
光性樹脂。 (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、aおよびb
はa/(a+b)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 3)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(4)で表さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、cおよびd
はc/(c+d)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 4)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(5)で表さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、eおよびf
はe/(e+f)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 5)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(6)で表さ
れることを、特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
感光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、gおよびh
はg/(g+h)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
炭素数1〜6のアルキル基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27151589A JPH03134668A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 感光性樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27151589A JPH03134668A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 感光性樹脂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03134668A true JPH03134668A (ja) | 1991-06-07 |
Family
ID=17501144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27151589A Pending JPH03134668A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 感光性樹脂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03134668A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794458A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Lucent Technologies Inc. | An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27151589A patent/JPH03134668A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794458A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Lucent Technologies Inc. | An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
EP0794458A3 (en) * | 1996-03-08 | 1998-05-13 | Lucent Technologies Inc. | An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US5843624A (en) * | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI295412B (en) | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating | |
US5272042A (en) | Positive photoresist system for near-UV to visible imaging | |
JP3277114B2 (ja) | 陰画調レジスト像の作製方法 | |
JP5066405B2 (ja) | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
US20080058542A1 (en) | Photoactive Compounds | |
JPH02285351A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JPH03103854A (ja) | 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料 | |
TW201017334A (en) | Chemically-amplified positive resist composition and patterning process thereof | |
JPH02146045A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JPH01300250A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JPH0262544A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
CN117716292A (zh) | 增强型euv光致抗蚀剂及其使用方法 | |
JP2003255542A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JP2638887B2 (ja) | 感光性組成物 | |
US6060212A (en) | 193 nm positive-working photoresist composition | |
JPH11265061A (ja) | 色素含有感光性耐食膜および方法ならびにこれを含む工業製品 | |
JP4040537B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JPH01300248A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JPH07117750B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JPH0643650A (ja) | 短波長紫外線に感光するポジ型フォトレジスト組成物 | |
JPH07219216A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法 | |
JPH01241546A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JPH05249681A (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
JP2000298348A (ja) | 短い波長での画像形成に特に適したフォトレジスト組成物 | |
JPH03134668A (ja) | 感光性樹脂 |