JPH03134668A - 感光性樹脂 - Google Patents

感光性樹脂

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JPH03134668A
JPH03134668A JP27151589A JP27151589A JPH03134668A JP H03134668 A JPH03134668 A JP H03134668A JP 27151589 A JP27151589 A JP 27151589A JP 27151589 A JP27151589 A JP 27151589A JP H03134668 A JPH03134668 A JP H03134668A
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JP
Japan
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maleic anhydride
photosensitive resin
formula
integer
solvent
Prior art date
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Pending
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JP27151589A
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English (en)
Inventor
Kenichi Sekimoto
関本 謙一
Toru Kiyota
徹 清田
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は感光性樹脂、詳しくは環状脂肪族炭化水素骨格
からなる単位と、無水マレイン酸に由来する単位とを有
するパターン形成材料に関する。
本発明の感光性樹脂はとりわけ半導体製造分野における
微細加工用レジストとして用いられ、遠紫外線あるいは
KrFエキシマレーザ−を光源とするリソグラフィーに
適している。
[従来の技術] LSI、VLSI等の半導体集積回路の高密度化に伴い
、その加工の微細度を向上させることが要望されている
。このため、その加工に用いられるレジストは微細パタ
ーンを精度よく形成することが必要である。
従来、半導体製造のリソグラフィー工程ではノボラック
樹脂やポリビニルフェノール等のアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂に、溶解阻止剤としてナフトキノンジアジドを
混合したポジ型レジストが使われている。このポジ型レ
ジストに波長436nmの紫外線(g線)を照射すると
ナフトキノンジアジドの分解により溶解阻止能力が減少
するため、照射部分と未照射部分でアルカリに対する溶
解速度の差を生じる。この溶解速度差を利用し、アルカ
リ水溶液により現像を行い微細パターンを得ている。
〔発明が解決しようとする課題] 現在、g線を使ったリソグラフィーは解像度の限界に近
づいており、サブミクロン以下の加工には露光光源の短
波長化等によりリソグラフィー技術の高解像力化を進め
る必要がある。その光源としては遠紫外線(250〜3
00nm)やエキシマレーザ−(249nm)が注目さ
れている。
しかしながら、ノボラック系ポジ型レジストに使われて
いる樹脂は遠紫外線およびエキシマレーザ−の波長に強
い吸収を持つ芳香族環を含むため感光剤に光が十分吸収
されず、良好なプロファイルが得られない。
本発明の目的は遠紫外線あるいはエキシマレーザ−リソ
グラフィーにおいて高解像度のポジ型パターン形成材料
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは上記の課題を解決するべく、鋭意検討を行
った。
その結果、特定の環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物
と無水マレイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を下
記一般式(1)で表される環状ジアゾ感光基を含むアル
コールおよび下記一般式(2)で表されるアミンで変性
することにより上記目的を達成できる感光性樹脂が得ら
れることを見出だし本発明に到達した。
(但し、式中、nは1〜10の整数を表し、Rは炭素数
1〜6のアルキル基を表す。)すなわち、本発明は下記
一般式(3)〜(6)で表される感光性樹脂に関するも
のである。
(但し、式中、nは1〜10の整数を表し、aおよびす
、cおよびd、  eおよびfSgおよびhはそれぞれ
a/ (a+b)、c/ (c+d)、e/ (e+f
)、g/ (g+h)が0゜1〜1となる整数を表し、
Rは炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 前記感光性樹脂は例えば のような環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マ
レイン酸との共重合体の無水マレイン酸部を一般式(1
)で表される環状ジアゾ感光基を含むアルコールおよび
一般式(2)で表されるアミンで変性することにより得
られる。変性方法としてはジアゾ感光基を含むアルコー
ルで変性した後アミンで変性する方法、アミンで変性し
た後ジアゾ感光基を含むアルコールで変性する方法、あ
るいはジアゾ感光基を含むアルコールとアミンの混合系
で変性する方法等があるがこれらに限定されない。
変性に用いるアミンは、感光性樹脂と基板の密着性の点
で炭素数2〜6のものが好ましい。具体的には、エチル
、ロープロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec、
−ブチル、イソブチル、te目、−ブチル、シクロプロ
ピル、シクロヘキシル等のアミンが挙げられる。
本発明で使用される共重合体の分子量は感度、溶解度、
耐熱性、製膜型等の点から単分散ポリスチレンを標準と
してゲルパーミネーションクロマト法(GPC法)によ
り求めた重量平均分子量(M w )が1,000〜1
00,000 、特に2,000〜50.000のもの
が好ましい。
本発明の感光性樹脂は、有機溶媒可溶性であり、集積回
路の作製等に使用する場合、通常、溶液(レジスト溶液
)の形で実用に供せられる。この場合前記感光性樹脂は
一般に、1〜50重量%好ましくは5〜30重量%の割
合で溶解して用いられる。この有機溶媒としては、本発
明の感光性樹脂を均一に溶解しかつシリコン、アルミニ
ウム等の基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸発させる事
により、均一で平滑な塗膜が得られるものが好ましい。
具体的にはアセトン、メチルエチルケトン、シクロペン
タノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メチルセ
ルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチ
ルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート
等のセルソルブ系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エ
チレングリコールモノエチルエステル、酢酸エチレング
リコールモノメチルエステル等のエステル系溶媒が挙げ
られる。上記有機溶媒は、単独で用いても、2種類以上
併用してもよい。
また、本発明の感光性樹脂には上記成分の他に必要に応
じて可塑剤、増感剤、染料、その他の樹脂、熱反応禁止
剤等各種防止剤、密着性向上剤等を添加することが出来
る。
本発明の感光性樹脂は前記のごとくレジスト溶液を調製
することにより、従来のフォトレジスト技術でパターン
を形成できる。以下にその方法について説明する。
まず、前記のごとく調製したレジスト溶液を基板に塗布
する。この基板への塗布は例えばスピンコード(回転塗
布)等により行なうことができる。
次いでこれを60〜120℃、好ましくは80〜100
℃で20〜60分間乾燥する。乾燥後この塗布膜に対し
フォトマスクチャートを通して遠紫外線あるいはエキシ
マレーザ−を照射する。この後現像液で露光部分を溶解
除去してパターンを得る。上記現像液としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の例えば5
重量%以下の濃度の弱アルカリ水溶液を用いることがで
きる。
〔発明の効果〕
本発明の感光性樹脂は、遠紫外線あるいはエキシマレー
ザ−の波長に高い感度を有する感光基を含み、これらの
波長の光を強く吸収する芳香族環を含まないため露光後
の透明性が高い。また、この樹脂は、アルカリ水溶液に
不溶であるが露光により感光基が分解し、カルボン酸を
発生するためアルカリ現像が可能となり、現像の際膨潤
せず高精度で超微細レジストパターンを形成することが
できる。
[実施例] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
合成例1 5−エチリデンビシクロ[2,2゜1]ヘプト−2−エ
ンー無水マレイン酸共重合体15g、4−シメチルアミ
ノビリジン1.5gをピリジン150m1に溶解し、6
−ヒドロキシへキシル−4−ジアゾ−3”、5”−ジオ
キソシクロヘキサンカルボキシレート19.4gのピリ
ジン溶液を滴下して室温で反応させた。反応終了後、エ
チルエーテルでポリマーを析出させ、テトラヒドロフラ
ン溶解−エチルエーテル析出により精製し、25℃で2
4時間乾燥させた。このポリマー10gをジメチルホル
ムアミド100m l、  ジクロロメタン100m1
に溶解し、ジシクロへキシルカルボジイミド8.6gと
n−プロピルアミン2.7mlを加え室温で反応させた
。反応終了後、エチルエーテルでポリマーを析出させ、
テトラヒドロフラン溶解−エチルエーテル析出により精
製し、25℃で24時間乾燥させた。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
a/  (a+b)=0. 25 合成例2 1.5−シクロオクタジエン−無水マレイン酸共重合体
から合成例1と同様の方法により感光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
c/  (c+d)=0. 38 合成例3 5−メチレンビシクロ[2,2,1]ヘプ)−2−エン
ー無水マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法に
より感光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
g/  (g+h)=0. 50 e/ (e十f)=0.43 合成例4 ビシクロ[2,2,1]へブタ−2,5−ジエン−無水
マレイン酸共重合体から合成例1と同様の方法により感
光性樹脂を得た。
得られた感光性樹脂は元素分析により下記の組成であっ
た。
実施例1 合成例1で得られた感光性樹脂3gをエチルセルソルブ
12gに溶解し、レジスト溶液を調製した。
このレジスト溶液をシリコンウェハにスピンコーターを
用い、5000回転で回転塗布し、90℃で40分間プ
リベークを行ない、1.5μmの塗膜を得た。ついで、
この塗膜にパターンを有するクロムマスクを通して、5
:1縮小投影露光法によりKrFレーザー露光を行なっ
た。これを2゜38%テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液で1分間現像しレジストパターンを
得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像する
ことがわかった。
実施例2 実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例2で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、矩
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
実施例3 実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例3で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、矩
形状の良好なパターン(0,3μm)を解像することが
わかった。
実施例4 実施例1で用いた感光性樹脂の代わりに合成例4で得ら
れた感光性樹脂を用いる以外は実施例1と同様の実験を
行ないレジストパターンを得た。
形成されたパターンを電子−顕微鏡で観察したところ、
矩形状の良好なパターン(0,3μm)を解像すること
がわかった。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明に係る感光性樹脂の露光前後の
紫外分光曲線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
    ン酸との共重合体の無水マレイン酸部を、下記一般式(
    1)で表される環状ジアゾ感光基を含むアルコールおよ
    び下記一般式(2)で表されるアミンで変性してなる感
    光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) R−NH_2(2) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、Rは炭素数
    1〜6のアルキル基を表す。) 2)環状指肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
    ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(3)で表さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
    光性樹脂。 (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、aおよびb
    はa/(a+b)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
    炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 3)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
    ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(4)で表さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
    光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、cおよびd
    はc/(c+d)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
    炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 4)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
    ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(5)で表さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の感
    光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、eおよびf
    はe/(e+f)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
    炭素数1〜6のアルキル基を表す。) 5)環状脂肪族炭化水素骨格を含む化合物と無水マレイ
    ン酸との共重合体の変性体が、下記一般式(6)で表さ
    れることを、特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    感光性樹脂。 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) (但し、式中、nは1〜10の整数を表し、gおよびh
    はg/(g+h)が0.1〜1となる整数を表し、Rは
    炭素数1〜6のアルキル基を表す。)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794458A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Lucent Technologies Inc. An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794458A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Lucent Technologies Inc. An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
EP0794458A3 (en) * 1996-03-08 1998-05-13 Lucent Technologies Inc. An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material

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