JPH03130389A - 選択めっき装置 - Google Patents
選択めっき装置Info
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- JPH03130389A JPH03130389A JP2252064A JP25206490A JPH03130389A JP H03130389 A JPH03130389 A JP H03130389A JP 2252064 A JP2252064 A JP 2252064A JP 25206490 A JP25206490 A JP 25206490A JP H03130389 A JPH03130389 A JP H03130389A
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Classifications
-
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/144—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using partially transparent surfaces without spectral selectivity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
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- G02B27/106—Beam splitting or combining systems for splitting or combining a plurality of identical beams or images, e.g. image replication
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
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- G02B27/1086—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
-
- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/32—Holograms used as optical elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は選択メツキ装置、特に電気コネクタ用コンタク
トの接触部等に金等の貴金属を部分的にめっきする装置
に関する。
トの接触部等に金等の貴金属を部分的にめっきする装置
に関する。
本願特許出願人の出願に係る米国特許出願箱273.3
81号明細書にはレーザービーム支援された選択めっき
方法を開示している。レーザー支援めっきの好適実施例
は本願特許出願人の出願に係る米国特許第4.877.
844号にも開示している。
81号明細書にはレーザービーム支援された選択めっき
方法を開示している。レーザー支援めっきの好適実施例
は本願特許出願人の出願に係る米国特許第4.877.
844号にも開示している。
また、レーザーを使用せず、めっき溶液中でガイド(案
内)端子用の回転軸を含む装置を用いる選択めっき法も
ある(米国特許第4,555.321号及び同第4.4
73.445号参照)。斯る従来の装置に関連する1つ
の困難として、キャリアストリップの隣りの端子に極め
て近接する極めて小さい接触領域に貴金属の被着を制御
することがある。
内)端子用の回転軸を含む装置を用いる選択めっき法も
ある(米国特許第4,555.321号及び同第4.4
73.445号参照)。斯る従来の装置に関連する1つ
の困難として、キャリアストリップの隣りの端子に極め
て近接する極めて小さい接触領域に貴金属の被着を制御
することがある。
めっき工程にレーザー技法を導入することにより、斯る
工程に新しいアプローチが得られた。
工程に新しいアプローチが得られた。
めっき処理の前に基板面を溶融する工程に関するトレー
バー等による米国特許第4.348.263号は、基板
に第1保護層を形成し、この保護層及び基板の一部をめ
っき処理に電子又はレーザービームで溶融する工程によ
り電気接点を製造する方法を開示している。これに関連
する事項は、同じトレーバーによりGold Bull
etin 1911fi、 1Bに出版された「レーザ
ーによる金の表面合金化」に開示されている。即ち、こ
の刊行物には集束したレーザーパルスを使用するレーザ
ーによる表面合金化のメカニズムを解説している。
バー等による米国特許第4.348.263号は、基板
に第1保護層を形成し、この保護層及び基板の一部をめ
っき処理に電子又はレーザービームで溶融する工程によ
り電気接点を製造する方法を開示している。これに関連
する事項は、同じトレーバーによりGold Bull
etin 1911fi、 1Bに出版された「レーザ
ーによる金の表面合金化」に開示されている。即ち、こ
の刊行物には集束したレーザーパルスを使用するレーザ
ーによる表面合金化のメカニズムを解説している。
ここに例示として挙げられたレーザー支援めっきは、め
っき処理に先立って基板を改善するか、めっきレジスト
層を正確に除去して所定のめっき領域のみを露出させる
か、又は真空中でレーザーめっき処理を行うかしている
。後二者の技法は夫々ワ等による米国特許節4,877
.644号及びスウエインによる米国特許節4.427
,723号に開示されている。米国特許節4,877.
644号は金属基板により十分に吸収される、即ち反射
率が約70%未満のレーザー波長を選択し、レーザー波
長(一般には約248〜380nm)の光学吸収率が低
いポリマー系めっきレジスト層を選択し、このレジスト
層を硬化し、好ましくは約248〜3BOn11の波長
のエキシマレーザ−をレジスト層の選択された領域に1
回当てて金属基板を加熱して基板上の選択された領域上
のレジスト層を除去可能にし、この基板上の露出部分に
金属めっき処理を行う金属基板の選択めっき方法を開示
している。
っき処理に先立って基板を改善するか、めっきレジスト
層を正確に除去して所定のめっき領域のみを露出させる
か、又は真空中でレーザーめっき処理を行うかしている
。後二者の技法は夫々ワ等による米国特許節4,877
.644号及びスウエインによる米国特許節4.427
,723号に開示されている。米国特許節4,877.
644号は金属基板により十分に吸収される、即ち反射
率が約70%未満のレーザー波長を選択し、レーザー波
長(一般には約248〜380nm)の光学吸収率が低
いポリマー系めっきレジスト層を選択し、このレジスト
層を硬化し、好ましくは約248〜3BOn11の波長
のエキシマレーザ−をレジスト層の選択された領域に1
回当てて金属基板を加熱して基板上の選択された領域上
のレジスト層を除去可能にし、この基板上の露出部分に
金属めっき処理を行う金属基板の選択めっき方法を開示
している。
一方、米国特許節4,427,723号は真空蒸着及び
アニーリング方法及び装置を開示している。ここで、コ
ーティング材料をレーザービームの作用により蒸着し、
被コーテイング基板を別のレーザービームで走査して、
局部加熱してコーティング材料を基板表面に蒸着させる
ようにしている。
アニーリング方法及び装置を開示している。ここで、コ
ーティング材料をレーザービームの作用により蒸着し、
被コーテイング基板を別のレーザービームで走査して、
局部加熱してコーティング材料を基板表面に蒸着させる
ようにしている。
斯るエキシマレーザ−等の特性上比較的広い出力ビーム
を発射し、レーザー出力の大きさ及び形状が主に放射電
極のみにより決定されユーザーが制御できない場合には
、このレーザービームの全エネルギーを方向付は又は伝
送して完全に利用しようとする努力は殆んどなされてい
ない。特に、エキシマレーザ−で処理する材料では、特
別な作用領域はビームを制限する為の開口を利用して決
定するのが一般的である。従って、開口が小さい場合に
は、エキシマレーザ−は普通大面積の出力ビームを有す
るので、ビームの大半は浪費されていた。これに代って
全ビームを小さい開口に集束すると、開口及び光学系を
破損し且つビームの散乱を増大する。多数の開口を有す
るマスクをビーム断面内に配置すると、一種の並列処理
が可能となるが、開口間の部分で浪費されるビーム光の
比率はまだ大きい。
を発射し、レーザー出力の大きさ及び形状が主に放射電
極のみにより決定されユーザーが制御できない場合には
、このレーザービームの全エネルギーを方向付は又は伝
送して完全に利用しようとする努力は殆んどなされてい
ない。特に、エキシマレーザ−で処理する材料では、特
別な作用領域はビームを制限する為の開口を利用して決
定するのが一般的である。従って、開口が小さい場合に
は、エキシマレーザ−は普通大面積の出力ビームを有す
るので、ビームの大半は浪費されていた。これに代って
全ビームを小さい開口に集束すると、開口及び光学系を
破損し且つビームの散乱を増大する。多数の開口を有す
るマスクをビーム断面内に配置すると、一種の並列処理
が可能となるが、開口間の部分で浪費されるビーム光の
比率はまだ大きい。
米国特許出願節273.381号の明細書中には、レー
ザーのエネルギーをより有効に利用する装置が開示され
ている。この装置は予め定めた断面積のビームを放射す
るエキシマレーザ−1このビームを案内するロッド、ス
トリップ又はファイバ等の1以上の細長い光ガイド及び
このビームを成形し且つ集束してワークピース上に縮小
した像を形成する手段とを具えている。ここで、この光
ガイドの断面はレーザービームの断面を完全に覆うこと
ができるものである。
ザーのエネルギーをより有効に利用する装置が開示され
ている。この装置は予め定めた断面積のビームを放射す
るエキシマレーザ−1このビームを案内するロッド、ス
トリップ又はファイバ等の1以上の細長い光ガイド及び
このビームを成形し且つ集束してワークピース上に縮小
した像を形成する手段とを具えている。ここで、この光
ガイドの断面はレーザービームの断面を完全に覆うこと
ができるものである。
尚、この従来のレーザー装置にホログラフを使用するこ
とは比較的新しいが、とにかく知られている。例えばク
ラフト発明の米国特許節4.170,396号はキャリ
ア部材とそれに形成された複数のサブホログラムを含む
ホログラフ装置を開示している。この装置はビームを分
割して空間的にコヒーレントな放射を複数の異なる部分
ビームにする。この装置はホログラフ蓄積(記憶)装置
に、又はレーザーを用いて半田付は又は溶接する光学材
料処理装置に使用可能である。連続動作するYAGレー
ザーがレーザー光源として使用される。この装置はビー
ムを分割して別個の離れた場所を半田付は又は溶接に使
用される。
とは比較的新しいが、とにかく知られている。例えばク
ラフト発明の米国特許節4.170,396号はキャリ
ア部材とそれに形成された複数のサブホログラムを含む
ホログラフ装置を開示している。この装置はビームを分
割して空間的にコヒーレントな放射を複数の異なる部分
ビームにする。この装置はホログラフ蓄積(記憶)装置
に、又はレーザーを用いて半田付は又は溶接する光学材
料処理装置に使用可能である。連続動作するYAGレー
ザーがレーザー光源として使用される。この装置はビー
ムを分割して別個の離れた場所を半田付は又は溶接に使
用される。
更に別の例として、ホーナー等の発明による米国特許節
4,359,259号は入射ビームを複数の出射ビーム
に分離し、複数の入射ビームを逆方向の単一出射ビーム
に合成するホログラフファイバ光学方向性結合器を開示
している。この装置は光フアイバ通信システムに使用さ
れる。
4,359,259号は入射ビームを複数の出射ビーム
に分離し、複数の入射ビームを逆方向の単一出射ビーム
に合成するホログラフファイバ光学方向性結合器を開示
している。この装置は光フアイバ通信システムに使用さ
れる。
これら両特許共にレーザー支援めっき処理にホログラフ
レーザービーム分割器(スプリッタ)及びイメージング
技法を使用する効率的な装置を開示していない。更に、
これら特許はキャリアストリップで連結された電気端子
(ターミナル)等の移動するワークピースの速度に同期
するパルス状レーザーを使用し多数の端子を同時に処理
することを開示せずまた暗示すらしていない。
レーザービーム分割器(スプリッタ)及びイメージング
技法を使用する効率的な装置を開示していない。更に、
これら特許はキャリアストリップで連結された電気端子
(ターミナル)等の移動するワークピースの速度に同期
するパルス状レーザーを使用し多数の端子を同時に処理
することを開示せずまた暗示すらしていない。
従って、本発明の目的は単一のレーザー光源を使用して
複数の電気コネクタ端子の接触部等の複数の領域を同時
に効率よく処理可能な改良された選択めっき装置又は方
法を提供することである。
複数の電気コネクタ端子の接触部等の複数の領域を同時
に効率よく処理可能な改良された選択めっき装置又は方
法を提供することである。
本発明はエキシマレーザ−等のパルス状レーザービーム
を分割し、ワークピース上にイメージング且つ集束し、
金属めっき処理効率を改善するものである。このレーザ
ー支援めっきの好適実施例では、除去可能なレジストで
覆われている電気端子の複数の接触領域をレーザーで除
去する。
を分割し、ワークピース上にイメージング且つ集束し、
金属めっき処理効率を改善するものである。このレーザ
ー支援めっきの好適実施例では、除去可能なレジストで
覆われている電気端子の複数の接触領域をレーザーで除
去する。
この装置は複数の端子が取付けられたキャリアストリッ
プと、このキャリアストリップに放射光を導くパルス状
レーザーと、このレーザーとキャリアストリップ間の放
射路内に取付けられレーザーからの放射光を複数の接触
領域に向けられた複数の放射ビームに分割且つイメージ
ングするホログラムと、このレーザーのパルス(脈動)
をキャリアストリップの運動に同期させ接触領域がホロ
グラムを通過するとき複数の出射ビームの各々が対応す
る接触部(コンタクト)のレジストを除去するようにす
る手段とを具える。
プと、このキャリアストリップに放射光を導くパルス状
レーザーと、このレーザーとキャリアストリップ間の放
射路内に取付けられレーザーからの放射光を複数の接触
領域に向けられた複数の放射ビームに分割且つイメージ
ングするホログラムと、このレーザーのパルス(脈動)
をキャリアストリップの運動に同期させ接触領域がホロ
グラムを通過するとき複数の出射ビームの各々が対応す
る接触部(コンタクト)のレジストを除去するようにす
る手段とを具える。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
先ず、本発明の特徴の一層の理解を助ける為に、レーザ
ーにつき説明する。レーザ一応用分野では、異なる波長
で動作するいくつかの市販ユニットがある。例えば、エ
キシマレーザ−はパルス化高圧希ガスハライドレーザー
群であって、レーザー媒体によって193nm、 24
8nm、 30gno+及び35Ltvの如く異なる紫
外線波長を放射する。スペクトラムの反対側である赤外
線領域で動作するレーザーには二酸化炭素(CO2)及
びネオジウムをドーピングしたイツトリウムガーネット
(Nd : YAG)レーザー源がある。例示及び比較
の為に、市販されている3種のレーザーユニットの代表
的な波長は次のとおりである。
ーにつき説明する。レーザ一応用分野では、異なる波長
で動作するいくつかの市販ユニットがある。例えば、エ
キシマレーザ−はパルス化高圧希ガスハライドレーザー
群であって、レーザー媒体によって193nm、 24
8nm、 30gno+及び35Ltvの如く異なる紫
外線波長を放射する。スペクトラムの反対側である赤外
線領域で動作するレーザーには二酸化炭素(CO2)及
びネオジウムをドーピングしたイツトリウムガーネット
(Nd : YAG)レーザー源がある。例示及び比較
の為に、市販されている3種のレーザーユニットの代表
的な波長は次のとおりである。
エキシマレーザ−193,248,308,351ni
COレーザー 10. BOOntaNd:YAG
レーザ−1,084ni エキシマレーザ−はレーザー支援めっき処理に特に有効
であることが判っている。その理由は、波長レンジが金
属基板とのカップリングに特に好適であり且つめっきレ
ジストに対して透明である為である。従って、以下の説
明は表−Iに示す特性パラメータを有するエキシマレー
ザ−を使用する場合に限定する。
COレーザー 10. BOOntaNd:YAG
レーザ−1,084ni エキシマレーザ−はレーザー支援めっき処理に特に有効
であることが判っている。その理由は、波長レンジが金
属基板とのカップリングに特に好適であり且つめっきレ
ジストに対して透明である為である。従って、以下の説
明は表−Iに示す特性パラメータを有するエキシマレー
ザ−を使用する場合に限定する。
尚、これらパラメータはプレナムプレス社1983年、
W、 W、デュレイ著「材料のレーザー処理及び解析
」による。
W、 W、デュレイ著「材料のレーザー処理及び解析
」による。
エキシマレーザ−の顕著なパラメータは、そのビーム寸
法が典型的には約IX2.5cmという大きな矩形状を
していることである。上述した如く、この矩形を典型的
には例えば20×30ミル(1/ 1000インチ)の
ダイヤモンド形又は平行四辺形に縮小且つ変形する必要
がある。従来、この縮小には、整形用開口とイメージン
グ用レンズを用いていたが、これはエネルギーの浪費を
伴うにすぎなかった。例えば、248〜308同の波長
で動作しているエキシマレーザ−の1パルス当りの典型
的な出力エネルギーは約250乃至80μJ(マイクロ
ジュール)であった。しかし、上に例示した従来技法に
よると、選択的電気めっきの為に明確に定められた形状
を得るよう金属基板からポリマーレジストを除去するに
は、最低的1.5ジュール/C−のエネルギー密度が必
要である。レーザーから放射されるビームのエネルギー
密度は約75μJ/cdであるので、集束されたとき適
切なエネルギー密度を実現するように開口を十分大きく
する必要がある。マスクをターゲット上にイメージ(結
像)させて、レジストを除去する点の形状を定める。
法が典型的には約IX2.5cmという大きな矩形状を
していることである。上述した如く、この矩形を典型的
には例えば20×30ミル(1/ 1000インチ)の
ダイヤモンド形又は平行四辺形に縮小且つ変形する必要
がある。従来、この縮小には、整形用開口とイメージン
グ用レンズを用いていたが、これはエネルギーの浪費を
伴うにすぎなかった。例えば、248〜308同の波長
で動作しているエキシマレーザ−の1パルス当りの典型
的な出力エネルギーは約250乃至80μJ(マイクロ
ジュール)であった。しかし、上に例示した従来技法に
よると、選択的電気めっきの為に明確に定められた形状
を得るよう金属基板からポリマーレジストを除去するに
は、最低的1.5ジュール/C−のエネルギー密度が必
要である。レーザーから放射されるビームのエネルギー
密度は約75μJ/cdであるので、集束されたとき適
切なエネルギー密度を実現するように開口を十分大きく
する必要がある。マスクをターゲット上にイメージ(結
像)させて、レジストを除去する点の形状を定める。
典型的には、この工程で、上述した如く20X30ミル
の面積に必要なレジスト除去エネルギーは6μJであり
、全ビームエネルギーは250μJである。余剰エネル
ギーはマスクにより反射され廃てられるので、エネルギ
ー利用効率は約2.4%に過ぎない。
の面積に必要なレジスト除去エネルギーは6μJであり
、全ビームエネルギーは250μJである。余剰エネル
ギーはマスクにより反射され廃てられるので、エネルギ
ー利用効率は約2.4%に過ぎない。
このエネルギー利用効率を改善する試みがなされたが限
界があった。同じマスク上に2つのイメージを結像する
マスクが設計され、これにより各レーザーパルスで2個
のコンタクト領域のレジストを同時に除去できるように
したが、2以上のイメージを作ることは急速に困難にな
る。その理由は、増加したマスク寸法を収容する為にビ
ームを拡大すると、エネルギー密度が減少し、その結果
マスクを拡大してレジスト除去に必要なエネルギーを捕
えるようにする必要がある為である。これを可能にする
光学系及び治具類は急激に高価となり、これら部品の正
確な位置合せが一層困難になる。これにより斯る装置の
稼動を複雑且つ困難にする。
界があった。同じマスク上に2つのイメージを結像する
マスクが設計され、これにより各レーザーパルスで2個
のコンタクト領域のレジストを同時に除去できるように
したが、2以上のイメージを作ることは急速に困難にな
る。その理由は、増加したマスク寸法を収容する為にビ
ームを拡大すると、エネルギー密度が減少し、その結果
マスクを拡大してレジスト除去に必要なエネルギーを捕
えるようにする必要がある為である。これを可能にする
光学系及び治具類は急激に高価となり、これら部品の正
確な位置合せが一層困難になる。これにより斯る装置の
稼動を複雑且つ困難にする。
ホログラフ技術を利用する本発明の装置では、斯る浪費
は一層逓減する。更に、レーザーを効果的に使用する為
に、維持費の大幅な節約も実現できる。即ち、この装置
は、エキシマレーザ−の信頼性はショット(発光回数)
に依存するので、レーザー媒体(ガス)、光学系及びサ
イラトロンの寿命を増加する。よって、コンタクト領域
のレジスト除去に必要とするショット回数を低減するこ
とにより、全体の信頼性を増加する。
は一層逓減する。更に、レーザーを効果的に使用する為
に、維持費の大幅な節約も実現できる。即ち、この装置
は、エキシマレーザ−の信頼性はショット(発光回数)
に依存するので、レーザー媒体(ガス)、光学系及びサ
イラトロンの寿命を増加する。よって、コンタクト領域
のレジスト除去に必要とするショット回数を低減するこ
とにより、全体の信頼性を増加する。
本発明では第2図及び第3図に概要を示す如く、ホログ
ラム部品を使用することにより上述した浪費を低減して
いる。この点で、第1図は斯るホログラムを形成する技
法を示す。本発明の装置全体を十分に理解する為には、
本発明のホログラフ光学素子の製造方法を説明するのが
役立つであろう。
ラム部品を使用することにより上述した浪費を低減して
いる。この点で、第1図は斯るホログラムを形成する技
法を示す。本発明の装置全体を十分に理解する為には、
本発明のホログラフ光学素子の製造方法を説明するのが
役立つであろう。
ここで使用可能な透過性ホログラフ素子の形成には、詳
細は後述するホログラフ用フィルムプレート12を用意
しなければならない。しかし、ホログラフ法では2つの
特殊条件が満たされなければならないことが知られてい
る。その1つは基準(参照)ビームと目的(オブジェク
ト)ビームの特別な2つのビームがホログラフ用フィル
ムプレート12に入射しなければならないことである。
細は後述するホログラフ用フィルムプレート12を用意
しなければならない。しかし、ホログラフ法では2つの
特殊条件が満たされなければならないことが知られてい
る。その1つは基準(参照)ビームと目的(オブジェク
ト)ビームの特別な2つのビームがホログラフ用フィル
ムプレート12に入射しなければならないことである。
両ビームは干渉パターンを形成する必要がある。
ホログラフで使用される光の2つ目の要件は、光がコヒ
ーレントでなければならないことである。
ーレントでなければならないことである。
この条件により、レーザー光源のみが利用でき、他の通
常光源はすべて利用不能である。更に効果的にするには
、ホログラフ層を形成する材料は装置が露光されるスペ
クトル領域内で十分な感度を有しなければならない。即
ち、ホログラフ層は適当な速度の感光性媒体でなければ
ならない。材料は十分な厚さを有し、十分高い回折及び
適当な動作をする十分な空間帯域幅を有するよう典型的
には約1乃至50ミクロンでなければならない。この目
的に適合する材料はよく知られており且つ現像可能なフ
ォトポリマ等であってもよい。
常光源はすべて利用不能である。更に効果的にするには
、ホログラフ層を形成する材料は装置が露光されるスペ
クトル領域内で十分な感度を有しなければならない。即
ち、ホログラフ層は適当な速度の感光性媒体でなければ
ならない。材料は十分な厚さを有し、十分高い回折及び
適当な動作をする十分な空間帯域幅を有するよう典型的
には約1乃至50ミクロンでなければならない。この目
的に適合する材料はよく知られており且つ現像可能なフ
ォトポリマ等であってもよい。
ホログラフ層の希望する屈折率の変化を形成する為に、
第1図に示す構成を使用する。アルゴンイオンレーザ−
18からのレーザービーム16は空間フィルタ20によ
り空間的にろ波され、レンズ22でコリメートされる空
間的に発散するビームを作る。
第1図に示す構成を使用する。アルゴンイオンレーザ−
18からのレーザービーム16は空間フィルタ20によ
り空間的にろ波され、レンズ22でコリメートされる空
間的に発散するビームを作る。
コリメートされたビーム25はビーム分割器(スプリッ
タ)24により目的ビーム2Bと基準ビーム30との2
つのコリメートされたビームに分岐する。目的ビーム2
6は筒状レンズ27上に入射し、ビーム整形用開口28
を介して2色性ゼラチン製プレート12のホログラフエ
マルジョン層上に入射する。
タ)24により目的ビーム2Bと基準ビーム30との2
つのコリメートされたビームに分岐する。目的ビーム2
6は筒状レンズ27上に入射し、ビーム整形用開口28
を介して2色性ゼラチン製プレート12のホログラフエ
マルジョン層上に入射する。
同様に、基準ビーム30はi32で反射されてエマルジ
ョン層上に入射する。この露光且つ周知の適切な処理の
後に、ホログラフイメージが形成される。
ョン層上に入射する。この露光且つ周知の適切な処理の
後に、ホログラフイメージが形成される。
本実施例では、ホログラフイメージにBragg補正を
施し、エキシマレーザ−の適切な波長で再生できるよう
にする。しかし、斯る処理の前に、処理をステップする
。即ち、プレート12を予め定めた距離だけ横方向へ移
動して多数のイメージアレイ(第2図中には10個のイ
メージを示す)を反復形成する。このイメージが形成さ
れる好適なホログラフ材料はエキシマレーザ−の波長に
対して高い透明(99,9%以上)であり、高いダメー
ジスレッショルドを呈するので、レーザーパルスにより
ダメージを受けるのを阻止する。斯る材料は従来知られ
ている如く、二色性ゼラチン(D CG)等の材料群か
ら選択することができる。その簡単な説明は、デザイン
及びアプリケーションズ(1988年)第84−93頁
5PIE883巻ホログラフィックオプティクスを参照
されたい。
施し、エキシマレーザ−の適切な波長で再生できるよう
にする。しかし、斯る処理の前に、処理をステップする
。即ち、プレート12を予め定めた距離だけ横方向へ移
動して多数のイメージアレイ(第2図中には10個のイ
メージを示す)を反復形成する。このイメージが形成さ
れる好適なホログラフ材料はエキシマレーザ−の波長に
対して高い透明(99,9%以上)であり、高いダメー
ジスレッショルドを呈するので、レーザーパルスにより
ダメージを受けるのを阻止する。斯る材料は従来知られ
ている如く、二色性ゼラチン(D CG)等の材料群か
ら選択することができる。その簡単な説明は、デザイン
及びアプリケーションズ(1988年)第84−93頁
5PIE883巻ホログラフィックオプティクスを参照
されたい。
例えば第1図の技法によるホログラム40を本発明の装
置に利用する。第2図及び第3図から理解される如く、
ホログラム40をパルス状エキシマレーザ−42とワー
クピース44、即ち、複数の電気ターミナル又はコンタ
クト50を有するキャリアストリップ間の放射路中に配
置する。ホログラム40はレーザー42からの放射光を
ホログラム40の構造で決められる方法により複数の放
射ビームに分割する。この特定実施例では、角αはbr
ass再生角を表わす。即ぢ、レーザーの特定波長で再
生する補正角である。便宜上及び例示として、第2図は
レーザービームをワークピース44上に10個のイメー
ジに分割する状態を示している。
置に利用する。第2図及び第3図から理解される如く、
ホログラム40をパルス状エキシマレーザ−42とワー
クピース44、即ち、複数の電気ターミナル又はコンタ
クト50を有するキャリアストリップ間の放射路中に配
置する。ホログラム40はレーザー42からの放射光を
ホログラム40の構造で決められる方法により複数の放
射ビームに分割する。この特定実施例では、角αはbr
ass再生角を表わす。即ぢ、レーザーの特定波長で再
生する補正角である。便宜上及び例示として、第2図は
レーザービームをワークピース44上に10個のイメー
ジに分割する状態を示している。
本発明を実施する為に、ワークピース44は矢印で示す
方向にレーザー処理領域内を連続して移動するようにし
ている。予定距離の移動はレーザーの脈動(パース)と
同期しており、ワークピース44表面の複数のコンタク
ト領域のレジストが除去その他の処理されるようにする
。斯る同期を実行する為に、光源4Bと光検知器48を
含んでいる。第2図によく示す如く、ワークピース44
の性質により、別個のコンタクト50が示され、各コン
タクトは隣接するコンタクト50から一定間隔であり、
所謂くいさく構造である。光源4Bは、レンズ52を介
してそのくいさくのイメージ(像)を光検知器48上に
結像してコンタクトの有無による光の点滅により通過す
るコンタクト50を読み取る又は検知する。カウンタ(
計数器)54は光検知器48及びレーザートリガ機構5
6間に電気的に接続且つ配置され、通過するコンタクト
50を計数する。10個のコンタクトを処理するここに
示す実施例では、カウンタ54は信号を10で割り0/
10にして)、10カウント毎に信号を直接又はトリガ
機構56を介してレーザー42を駆動する。斯るシステ
ムにより、ns (ナノ秒−1O−9秒)のオーダーの
時間に動作する単一パルスが通過するワークピースの複
数のコンタクトのレジスト除去その他の処理が可能にな
る。このワークピースは最高でもμS(マイクロ秒−1
0−6秒)のオーダーで移動する。
方向にレーザー処理領域内を連続して移動するようにし
ている。予定距離の移動はレーザーの脈動(パース)と
同期しており、ワークピース44表面の複数のコンタク
ト領域のレジストが除去その他の処理されるようにする
。斯る同期を実行する為に、光源4Bと光検知器48を
含んでいる。第2図によく示す如く、ワークピース44
の性質により、別個のコンタクト50が示され、各コン
タクトは隣接するコンタクト50から一定間隔であり、
所謂くいさく構造である。光源4Bは、レンズ52を介
してそのくいさくのイメージ(像)を光検知器48上に
結像してコンタクトの有無による光の点滅により通過す
るコンタクト50を読み取る又は検知する。カウンタ(
計数器)54は光検知器48及びレーザートリガ機構5
6間に電気的に接続且つ配置され、通過するコンタクト
50を計数する。10個のコンタクトを処理するここに
示す実施例では、カウンタ54は信号を10で割り0/
10にして)、10カウント毎に信号を直接又はトリガ
機構56を介してレーザー42を駆動する。斯るシステ
ムにより、ns (ナノ秒−1O−9秒)のオーダーの
時間に動作する単一パルスが通過するワークピースの複
数のコンタクトのレジスト除去その他の処理が可能にな
る。このワークピースは最高でもμS(マイクロ秒−1
0−6秒)のオーダーで移動する。
上述した説明から理解される如く、本発明によると、レ
ーザーの1パルス毎にワークピース上に複数のイメージ
が形成されるので、レーザーからのエネルギーを有効利
用して高速でワークピースの選択めっきが実現できると
いう実用上の効果を有する。
ーザーの1パルス毎にワークピース上に複数のイメージ
が形成されるので、レーザーからのエネルギーを有効利
用して高速でワークピースの選択めっきが実現できると
いう実用上の効果を有する。
第1図は本発明の実施に利用されるホログラムを製造す
る方法を示すシステム図を示す。 第2図は本発明の装置の要部拡大図を示す。 第3図は本発明の機械的装置の簡略システム図を示す。 44・・・ワークピース 42・・・レーザー手
段40・・・ホログラム手段
る方法を示すシステム図を示す。 第2図は本発明の装置の要部拡大図を示す。 第3図は本発明の機械的装置の簡略システム図を示す。 44・・・ワークピース 42・・・レーザー手
段40・・・ホログラム手段
Claims (1)
- (1)キャリアストリップにて連結された複数の金属ワ
ークピースの一部分に選択的にめっき処理をする為の処
理をする選択めっき装置において、比較的大きい断面の
レーザービームを出射するレーザー手段と、 該レーザー手段及び前記ワークピース間に配置され、前
記レーザー手段の出射光を前記複数のワークピースの選
択領域に分割して導くホログラム手段と、 前記レーザー手段を前記ワークピースの移動に応じてパ
ルス駆動するレーザー駆動手段と を具えることを特徴とする選択めっき装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/411,355 US4964698A (en) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | System for selective laser assisted plating |
US411355 | 1989-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03130389A true JPH03130389A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=23628591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2252064A Pending JPH03130389A (ja) | 1989-09-22 | 1990-09-25 | 選択めっき装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4964698A (ja) |
EP (1) | EP0419069A3 (ja) |
JP (1) | JPH03130389A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5438441A (en) * | 1991-11-29 | 1995-08-01 | General Electric Company | Method and apparatus for material processing with a laser controlled by a holographic element |
JP2723798B2 (ja) * | 1994-04-28 | 1998-03-09 | 三菱電機株式会社 | レーザ転写加工装置 |
US6008914A (en) * | 1994-04-28 | 1999-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser transfer machining apparatus |
GB9601049D0 (en) | 1996-01-18 | 1996-03-20 | Xaar Ltd | Methods of and apparatus for forming nozzles |
WO1998021629A2 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-22 | Diffraction, Ltd. | In-line holographic mask for micromachining |
US6180912B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fan-out beams for repairing an open defect |
US20060091121A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-05-04 | James Zanolli | Method for reflowing a metal plating layer of a contact and contact formed thereby |
GB2490143B (en) * | 2011-04-20 | 2013-03-13 | Rolls Royce Plc | Method of manufacturing a component |
DE102013203273B4 (de) | 2013-02-27 | 2017-02-23 | S-Y Systems Technologies Europe Gmbh | Kontaktelement |
KR102445450B1 (ko) | 2017-06-12 | 2022-09-20 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립 |
CN113604857B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-07-19 | 武汉大学 | 一种纳米电镀超快激光强化及原位在线监测装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3990296A (en) * | 1975-01-08 | 1976-11-09 | Actron, A Division Of Mcdonnell Douglas Corporation | Acoustical holography imaging device |
US4170396A (en) * | 1975-04-14 | 1979-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical component element |
US4359259A (en) * | 1980-04-29 | 1982-11-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Holographic multiplexer/demultiplexer |
US4348263A (en) * | 1980-09-12 | 1982-09-07 | Western Electric Company, Inc. | Surface melting of a substrate prior to plating |
US4427723A (en) * | 1982-02-10 | 1984-01-24 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for laser-stimulated vacuum deposition and annealing technique |
US4473445A (en) * | 1983-12-22 | 1984-09-25 | Amp Incorporated | Selectively plating interior surfaces of loose piece electrical terminals |
US4555321A (en) * | 1984-06-08 | 1985-11-26 | Amp Incorporated | Selective plating apparatus |
JPS62263862A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | レ−ザ加工装置 |
JPH065663B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-01-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体露光方法及びその装置 |
US4826290A (en) * | 1987-09-21 | 1989-05-02 | Hughes Aircraft Company | Method of producing stable holograms in dichromatic gelatin |
US4832798A (en) * | 1987-12-16 | 1989-05-23 | Amp Incorporated | Method and apparatus for plating composite |
-
1989
- 1989-09-22 US US07/411,355 patent/US4964698A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-30 EP EP19900309490 patent/EP0419069A3/en not_active Withdrawn
- 1990-09-25 JP JP2252064A patent/JPH03130389A/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4964698A (en) | 1990-10-23 |
EP0419069A2 (en) | 1991-03-27 |
EP0419069A3 (en) | 1992-09-09 |
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