JPH03129323A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH03129323A JPH03129323A JP26772489A JP26772489A JPH03129323A JP H03129323 A JPH03129323 A JP H03129323A JP 26772489 A JP26772489 A JP 26772489A JP 26772489 A JP26772489 A JP 26772489A JP H03129323 A JPH03129323 A JP H03129323A
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- liquid crystal
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は強誘電性液晶を用いる電気光学素子に関する。
〔従来の技術１
近年、情報処理のコンピユータ化が進み、それに伴いコ
ンピュータの小型化が強く望まれるようになった。特に
マンマシンインターフェイスとしてゆるぎない地位を占
めていたＣＲＴデイスプレィは重く大きい為、軽く薄い
液晶デイスプレィや、プラズマデイスプレィに置き換え
られようとしている。液晶デイスプレィとしては、ツイ
ストネマチック型、スーパーツイスト型（ＳＴＮ）や二
層型ＳＴＮ等が一般に使用されている。しかし、高精細
のデイスプレィとしては、応答の遅いネマチック液晶よ
りも高速でメモリー性を有する強誘電性液晶が研究され
ている。 （例えばＣ１ａｒｋ ら、Ａｐｐｉ、 Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、３６，８９９ （１９８０））
従来の強誘電性液晶を用いた電気光学素子の配向制御方
法には、基板表面にポリイミド等の有機高分子層をスピ
ンコード等によって設はラビング処理を行なう方法、Ｓ
ｉＯを斜め方向から蒸着する方法、磁場配同法、直流電
界を印加しながら徐冷する方法等がある。
ンピュータの小型化が強く望まれるようになった。特に
マンマシンインターフェイスとしてゆるぎない地位を占
めていたＣＲＴデイスプレィは重く大きい為、軽く薄い
液晶デイスプレィや、プラズマデイスプレィに置き換え
られようとしている。液晶デイスプレィとしては、ツイ
ストネマチック型、スーパーツイスト型（ＳＴＮ）や二
層型ＳＴＮ等が一般に使用されている。しかし、高精細
のデイスプレィとしては、応答の遅いネマチック液晶よ
りも高速でメモリー性を有する強誘電性液晶が研究され
ている。 （例えばＣ１ａｒｋ ら、Ａｐｐｉ、 Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、３６，８９９ （１９８０））
従来の強誘電性液晶を用いた電気光学素子の配向制御方
法には、基板表面にポリイミド等の有機高分子層をスピ
ンコード等によって設はラビング処理を行なう方法、Ｓ
ｉＯを斜め方向から蒸着する方法、磁場配同法、直流電
界を印加しながら徐冷する方法等がある。
［発明が解決しようとする課Ｍ］
強誘電性液晶の電界による応答特性、特に記憶効果は、
液晶分子と基板表面の電気化学的相互作用に大きく影響
されると考えられる。カイラルスメクティックＣ相（以
下、ＳｍＣ本相８略記する）のスイッチング原理によれ
ば、良好な記憶効果を得るためには液晶分子は基板表面
に平行かつ一方向に揃っている事が望ましい、しかしな
がら従来の高分子膜表面にラビング処理を施す等の配向
制御方法を用いると、ＳｍＣ本相８略ける分子配向はツ
イスト状態すなわち液晶分子ダイレクタが片側の基板表
面から対向基板表面において円錐の側面上を回転してお
り、自発分極が上下両界面で内側或は外側を向いた状態
を呈しやすく、従って良好な記憶効果を得るのは因数で
あった。また、強誘電性を示す相の場合、液晶分子の持
つ双極子の配列によって分極場という電場が生じる６分
極場は液晶中に含まれるイオン性不純物を局在化させた
り、絶対値が大きい場合には液晶分子の配向分布にまで
影響を及ぼす事が知られている。イオン性不純物に起因
する電荷の偏りを防止するには、液晶の純度を極端に高
める、或は配向膜表面に導電性を付与して電荷の蓄積を
抑える（ Ｋ、Ｈ，Ｙａｎｇら： Ａｐｐｌ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ５５．１２５ （１９８９））
等の方法が考えられるが前者は事実上極めて困難である
。
液晶分子と基板表面の電気化学的相互作用に大きく影響
されると考えられる。カイラルスメクティックＣ相（以
下、ＳｍＣ本相８略記する）のスイッチング原理によれ
ば、良好な記憶効果を得るためには液晶分子は基板表面
に平行かつ一方向に揃っている事が望ましい、しかしな
がら従来の高分子膜表面にラビング処理を施す等の配向
制御方法を用いると、ＳｍＣ本相８略ける分子配向はツ
イスト状態すなわち液晶分子ダイレクタが片側の基板表
面から対向基板表面において円錐の側面上を回転してお
り、自発分極が上下両界面で内側或は外側を向いた状態
を呈しやすく、従って良好な記憶効果を得るのは因数で
あった。また、強誘電性を示す相の場合、液晶分子の持
つ双極子の配列によって分極場という電場が生じる６分
極場は液晶中に含まれるイオン性不純物を局在化させた
り、絶対値が大きい場合には液晶分子の配向分布にまで
影響を及ぼす事が知られている。イオン性不純物に起因
する電荷の偏りを防止するには、液晶の純度を極端に高
める、或は配向膜表面に導電性を付与して電荷の蓄積を
抑える（ Ｋ、Ｈ，Ｙａｎｇら： Ａｐｐｌ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ５５．１２５ （１９８９））
等の方法が考えられるが前者は事実上極めて困難である
。
本発明は、配向膜の材質を改良する事によって上記問題
点を解決するもので、その目的とするところは、双安定
なユニフォーム配向によって良好な記憶効果を持つ優れ
た液晶電気光学素子を提供する事である。
点を解決するもので、その目的とするところは、双安定
なユニフォーム配向によって良好な記憶効果を持つ優れ
た液晶電気光学素子を提供する事である。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶電気光学素子は、上記課題を解決するため
に、 （１）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくとも一
方の基板表面には配向処理が施され、該配向処理媒体で
ある配向膜が導電性を示す有機薄膜から成る事を特徴と
する。
に、 （１）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくとも一
方の基板表面には配向処理が施され、該配向処理媒体で
ある配向膜が導電性を示す有機薄膜から成る事を特徴と
する。
（２）上記配向膜が一般式
％式％）
（但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖または分岐構造を有
するアルキル基であり、ｎは整数）で表わされる高分子
化合物に電荷移動錯体を混合して成る事を特徴とする。
するアルキル基であり、ｎは整数）で表わされる高分子
化合物に電荷移動錯体を混合して成る事を特徴とする。
〔実ＭＮＩ］
第１図は本発明実施例に於ける電気光学素子の主要断面
図である。ＩＴＯ透明電極４，５をストライブ状に設け
たガラス基板１，２上に電荷移動錯体を含有する高分子
化合物から成る配向膜９゜１０を形成し、その表面にラ
ビング処理を施した。
図である。ＩＴＯ透明電極４，５をストライブ状に設け
たガラス基板１，２上に電荷移動錯体を含有する高分子
化合物から成る配向膜９゜１０を形成し、その表面にラ
ビング処理を施した。
配向膜材料にはポリジイソプロピルフマレートＣＯＯＣ
Ｈ（ＣＨ３）２ 覆 一←ＣＨ−ＣＨ＋、 Ｃ００ＣＨ（ＣＨ３）２ に電荷移動錯体ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｔｅｔｒａｔｈ
ｉａｆｕｌｕｖａｌｅｎｅ−ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｅｔ
ｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ （Ｔ
Ｍ Ｔ ＴＦ−ＯＤＴＣＮＱ）を１重１％添加したもの
を用い、スピンコード法により膜形成した。
Ｈ（ＣＨ３）２ 覆 一←ＣＨ−ＣＨ＋、 Ｃ００ＣＨ（ＣＨ３）２ に電荷移動錯体ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｔｅｔｒａｔｈ
ｉａｆｕｌｕｖａｌｅｎｅ−ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｅｔ
ｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ （Ｔ
Ｍ Ｔ ＴＦ−ＯＤＴＣＮＱ）を１重１％添加したもの
を用い、スピンコード法により膜形成した。
このようにして得られた基板を、上下でラビング方向が
１８００となるようにスペーサ３を介して組み立てた。
１８００となるようにスペーサ３を介して組み立てた。
セル厚は約２μｍとした。ラビング処理については片側
基板のみ施してもよい。上記基板間に強誘電性液晶組成
物を加熱封入し、室温まで徐冷した。ここで用いた液晶
組成物はメルク社製ＺＬＩ−３４８８である。以上の方
法で得られた液晶電気光学素子を偏光軸の互いに直交す
る偏光板ＩＩ、１２間に挟持し、第２図２１に示す駆動
波形を印加して、その際の同図２２に示される光学応答
を評価した。記憶効果の良否は電界印加時の透過光量（
第２図２２のＩ＋）と電界除去後の透過光量（第２図２
２のＩ２）の比 工２ ／ 工ｌが大きい程良好である
と考えられる０本実施例では２５℃に於てＩ２／ｌ１＝
０．８８、コントラスト比１： １２と良好であった。
基板のみ施してもよい。上記基板間に強誘電性液晶組成
物を加熱封入し、室温まで徐冷した。ここで用いた液晶
組成物はメルク社製ＺＬＩ−３４８８である。以上の方
法で得られた液晶電気光学素子を偏光軸の互いに直交す
る偏光板ＩＩ、１２間に挟持し、第２図２１に示す駆動
波形を印加して、その際の同図２２に示される光学応答
を評価した。記憶効果の良否は電界印加時の透過光量（
第２図２２のＩ＋）と電界除去後の透過光量（第２図２
２のＩ２）の比 工２ ／ 工ｌが大きい程良好である
と考えられる０本実施例では２５℃に於てＩ２／ｌ１＝
０．８８、コントラスト比１： １２と良好であった。
［実施例 ２１
実施例１と同様な方法で得られた素子の電極間に±２５
ｖ、１５Ｈｚの交番波形を約１５秒間印加したところ、
液晶の配向状態は、層方向にほぼ垂直な方向に緻密な筋
状組織を伴ったユニフォーム状態を呈した。この電界処
理により、封入冷却時に形成されたジグザグ欠陥は除去
された０以上の方法で得られた液晶電気光学素子を偏光
軸の互いに直交する偏光板間に挟持し、第２図２１に示
す駆動波形を印加して、その際の同図２２に示される光
学応答を評価した０本実施例では２５°Ｃに於て工２／
Ｉ＋＝０．９８、コントラスト比１：４５と良好であっ
た。
ｖ、１５Ｈｚの交番波形を約１５秒間印加したところ、
液晶の配向状態は、層方向にほぼ垂直な方向に緻密な筋
状組織を伴ったユニフォーム状態を呈した。この電界処
理により、封入冷却時に形成されたジグザグ欠陥は除去
された０以上の方法で得られた液晶電気光学素子を偏光
軸の互いに直交する偏光板間に挟持し、第２図２１に示
す駆動波形を印加して、その際の同図２２に示される光
学応答を評価した０本実施例では２５°Ｃに於て工２／
Ｉ＋＝０．９８、コントラスト比１：４５と良好であっ
た。
［発明の効果１
本発明は上記の構成によって配向膜の材質を改良し、上
記従来技術の欠点を解決し双安定なユニフォーム配向に
よって良好な記憶効果を持ちコントラスト低下の少ない
優れた液晶電気光学素子を提供する事ができた。
記従来技術の欠点を解決し双安定なユニフォーム配向に
よって良好な記憶効果を持ちコントラスト低下の少ない
優れた液晶電気光学素子を提供する事ができた。
第１図は本発明実施例の液晶電気光学素子の断面図であ
る。 第２図は本発明の液晶電気光学素子を評価する際に用い
た駆動波形と、対応する光学応答の一例を示す図である
。 １．２ ４、 ５ ９．１０゜ １１．１２゜ 上下ガラス基板 スペーサ 透明電極 液晶層 導電性配向膜 偏光板 １ ２ 、駆動波形 、光学応答 以上
る。 第２図は本発明の液晶電気光学素子を評価する際に用い
た駆動波形と、対応する光学応答の一例を示す図である
。 １．２ ４、 ５ ９．１０゜ １１．１２゜ 上下ガラス基板 スペーサ 透明電極 液晶層 導電性配向膜 偏光板 １ ２ 、駆動波形 、光学応答 以上
Claims (2)
- （１）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくとも一
方の基板表面には配向処理が施され、該配向処理媒体で
ある配向膜が導電性を示す有機薄膜から成る事を特徴と
する液晶電気光学素子。 - （２）上記配向膜が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖または分岐構造を有
するアルキル基であり、ｎは整数）で表わされる高分子
化合物に電荷移動錯体を混合して成る事を特徴とする請
求項１記載の液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26772489A JPH03129323A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26772489A JPH03129323A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129323A true JPH03129323A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17448686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26772489A Pending JPH03129323A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129323A (ja) |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP26772489A patent/JPH03129323A/ja active Pending
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